JPH09102638A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JPH09102638A JPH09102638A JP7260544A JP26054495A JPH09102638A JP H09102638 A JPH09102638 A JP H09102638A JP 7260544 A JP7260544 A JP 7260544A JP 26054495 A JP26054495 A JP 26054495A JP H09102638 A JPH09102638 A JP H09102638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 等方位的な外部磁界強度のみを正確に検出す
ることが可能であり、例えば外部磁界が１ガウス程度の
微弱磁界でも検出することができる磁気センサを提供す
る。 【解決手段】 非磁性基板１上に、幅狭な線条をなし、
回転対称な閉ループ形状、ここでは円形状をなすととも
に、外部磁界Ｈに対して等方位的となるようにＭＲ素子
２をスパッタ法や真空蒸着法等の真空薄膜形成技術によ
り成膜形成する。
ることが可能であり、例えば外部磁界が１ガウス程度の
微弱磁界でも検出することができる磁気センサを提供す
る。 【解決手段】 非磁性基板１上に、幅狭な線条をなし、
回転対称な閉ループ形状、ここでは円形状をなすととも
に、外部磁界Ｈに対して等方位的となるようにＭＲ素子
２をスパッタ法や真空蒸着法等の真空薄膜形成技術によ
り成膜形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
を用いた磁気センサに関し、特に外部磁界強度を等方位
的に検出する磁気センサに関する。
を用いた磁気センサに関し、特に外部磁界強度を等方位
的に検出する磁気センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、カラー陰極線管では、電子銃か
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
ら出射された電子ビームの軌道が、地磁気により曲げら
れ、蛍光面上でのビーム到達位置（ランディング）が変
化することがある。特に高精細度陰極線管においては、
ランディング余裕度が小さいために、前記ランディング
の変化（位置ずれ）が色純度の劣化等の問題を引き起こ
す。
【０００３】これを補正するために、通常、ランディン
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
グ補正コイルが陰極線管に取り付けられており、このラ
ンディング補正コイルに地磁気の方位に応じて自動的に
ランディング補正に必要な最適電流を流すことにより、
電子ビームの軌道を制御してミスランディングを防止す
るようにしている。
【０００４】したがって、上記ランディング補正に際し
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。
ては、地磁気の方位を正確に検出する必要があり、いわ
ゆる地磁気方位センサが使用されている。
【０００５】あるいは、従来から用いられてきた磁石式
の方位計（磁気コンパス）の代替として、携帯型の方位
計としても地磁気方位センサが使用されている。
の方位計（磁気コンパス）の代替として、携帯型の方位
計としても地磁気方位センサが使用されている。
【０００６】上述のように、地磁気方位センサは、様々
な用途に使用されるが、近時においては、外部磁界の方
向によらず等方位的な外部磁界強度を検出する磁気セン
サが必要とされている。
な用途に使用されるが、近時においては、外部磁界の方
向によらず等方位的な外部磁界強度を検出する磁気セン
サが必要とされている。
【０００７】図１１に上述の如き地磁気方位センサの基
本構造を示す。この地磁気方位センサは、外部磁界の方
向によらず等方位的な外部磁界強度のみを検出する磁電
変換素子１０１と、それぞれ複数回線材が巻回されてな
り、この磁電変換素子１０１を四方から包囲するように
互いに直交する如く配設されたヘルムホルツ・コイル１
０２〜１０５とから構成されている。
本構造を示す。この地磁気方位センサは、外部磁界の方
向によらず等方位的な外部磁界強度のみを検出する磁電
変換素子１０１と、それぞれ複数回線材が巻回されてな
り、この磁電変換素子１０１を四方から包囲するように
互いに直交する如く配設されたヘルムホルツ・コイル１
０２〜１０５とから構成されている。
【０００８】この地磁気方位センサの動作原理を以下に
示す。すなわち、図１２に示すように、ヘルムホルツ・
コイル１０２〜１０５により磁界強度が一定のバイアス
磁界Ｈｂを３６０゜回転させると、磁電変換素子１０１
にバイアス磁界Ｈｂと地磁気Ｈｅとのなす回転角θｂｅ
の大きさに応じて｜Ｈｂ＋Ｈｅ｜の磁界強度が伝達され
る。この磁界強度は回転角θｂｅに依存して図１３に示
すように変化し、この磁界強度の差と回転角θｂｅとか
ら地磁気Ｈｅの方位が検出される。
示す。すなわち、図１２に示すように、ヘルムホルツ・
コイル１０２〜１０５により磁界強度が一定のバイアス
磁界Ｈｂを３６０゜回転させると、磁電変換素子１０１
にバイアス磁界Ｈｂと地磁気Ｈｅとのなす回転角θｂｅ
の大きさに応じて｜Ｈｂ＋Ｈｅ｜の磁界強度が伝達され
る。この磁界強度は回転角θｂｅに依存して図１３に示
すように変化し、この磁界強度の差と回転角θｂｅとか
ら地磁気Ｈｅの方位が検出される。
【０００９】ところで、外部磁界の変化を感知して応答
する磁気センサの主な具体例としては、ホール素子、フ
ラックスゲート、及び磁気抵抗効果素子（以下、単にＭ
Ｒ素子と記す。）を用いるものが挙げられるが、何れも
外部磁界に対して方向指向性を有している。したがっ
て、これらの素子を磁電変換素子１０１として用いるこ
とはできない。この方向指向性を有する素子の一例とし
て、上記ＭＲ素子について説明する。
する磁気センサの主な具体例としては、ホール素子、フ
ラックスゲート、及び磁気抵抗効果素子（以下、単にＭ
Ｒ素子と記す。）を用いるものが挙げられるが、何れも
外部磁界に対して方向指向性を有している。したがっ
て、これらの素子を磁電変換素子１０１として用いるこ
とはできない。この方向指向性を有する素子の一例とし
て、上記ＭＲ素子について説明する。
【００１０】図１４に示すように、ＭＲ素子１１１は、
例えばＮｉ−Ｚｎ合金等からなる強磁性薄膜の磁気抵抗
効果を利用した磁電変換素子であり、印加磁界の強度に
応じてその抵抗値が変化するという特性を有している。
当該ＭＲ素子１１１に供給されるセンス電流Ｉｓの方向
（ＭＲ素子１１１の長手方向）と外部磁界Ｈによってこ
のＭＲ素子１１１が磁化される磁化Ｍの方向とのなす角
をθとすると、この角θとＭＲ素子１１１の抵抗値Ｒと
の関係は図１５に示すようになり、抵抗値Ｒは以下に示
す数式で表される。
例えばＮｉ−Ｚｎ合金等からなる強磁性薄膜の磁気抵抗
効果を利用した磁電変換素子であり、印加磁界の強度に
応じてその抵抗値が変化するという特性を有している。
当該ＭＲ素子１１１に供給されるセンス電流Ｉｓの方向
（ＭＲ素子１１１の長手方向）と外部磁界Ｈによってこ
のＭＲ素子１１１が磁化される磁化Ｍの方向とのなす角
をθとすると、この角θとＭＲ素子１１１の抵抗値Ｒと
の関係は図１５に示すようになり、抵抗値Ｒは以下に示
す数式で表される。
【００１１】Ｒ＝Ｒ１＋（Ｒ２−Ｒ１）ｃｏｓ2 θ ここで、Ｒ１はセンス電流Ｉｓの方向と磁化Ｍの方向と
が同一である場合の抵抗値、Ｒ２はセンス電流Ｉｓの方
向と磁化Ｍの方向とが直交する場合の抵抗値である。こ
の場合、外部磁界Ｈの強度が一定でもその方向が変わる
と角θが変化し、抵抗値Ｒもまた変化するために、この
ＭＲ素子１１１は方向指向性を有することが分かる。
が同一である場合の抵抗値、Ｒ２はセンス電流Ｉｓの方
向と磁化Ｍの方向とが直交する場合の抵抗値である。こ
の場合、外部磁界Ｈの強度が一定でもその方向が変わる
と角θが変化し、抵抗値Ｒもまた変化するために、この
ＭＲ素子１１１は方向指向性を有することが分かる。
【００１２】また、ＭＲ素子は一般的に磁界感度が高い
ものであると称されているが、この磁界感度は１ガウス
程度の微弱磁界を直接検出するには不十分である。
ものであると称されているが、この磁界感度は１ガウス
程度の微弱磁界を直接検出するには不十分である。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来知
られる磁気センサでは、外部磁界の方向によらず外部磁
界強度のみを検出することはできない。
られる磁気センサでは、外部磁界の方向によらず外部磁
界強度のみを検出することはできない。
【００１４】そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、等方位的な外部磁界強度のみ
を正確に検出することが可能であり、例えば外部磁界が
１ガウス程度の微弱磁界でも検出することができる磁気
センサを提供することを目的とする。
て提案されたものであり、等方位的な外部磁界強度のみ
を正確に検出することが可能であり、例えば外部磁界が
１ガウス程度の微弱磁界でも検出することができる磁気
センサを提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気センサは、
非磁性基板上に幅狭な線条の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）が回転対称な閉ループ形状をなして配されているも
のである。
非磁性基板上に幅狭な線条の磁気抵抗効果素子（ＭＲ素
子）が回転対称な閉ループ形状をなして配されているも
のである。
【００１６】この場合、具体的には上記ＭＲ素子を円形
状に構成することが好適である。また、幅狭な線条のＭ
Ｒ素子を渦巻状に巻回して構成することや、上記ＭＲ素
子を複数の扇状部をもって放射状に閉ループ形状を形成
するように構成することもまた好適である。
状に構成することが好適である。また、幅狭な線条のＭ
Ｒ素子を渦巻状に巻回して構成することや、上記ＭＲ素
子を複数の扇状部をもって放射状に閉ループ形状を形成
するように構成することもまた好適である。
【００１７】また、上記ＭＲ素子が形成する回転対称な
閉ループ内に地磁気を集束する強磁性体コアを配するこ
とが好ましい。さらにこの場合、上記ＭＲ素子の外周部
にも複数の強磁性体コアを当該各強磁性体コア間及び磁
気抵抗効果素子が形成する回転対称な閉ループ内に配さ
れた強磁性体コアとそれぞれ所定の磁気ギャップを介し
て配することが好適である。このとき、例えば上記外周
部に４つの強磁性体コアを配し、互いに直交する４つの
磁気ギャップが形成されるように上記磁気センサを構成
することが考えられる。
閉ループ内に地磁気を集束する強磁性体コアを配するこ
とが好ましい。さらにこの場合、上記ＭＲ素子の外周部
にも複数の強磁性体コアを当該各強磁性体コア間及び磁
気抵抗効果素子が形成する回転対称な閉ループ内に配さ
れた強磁性体コアとそれぞれ所定の磁気ギャップを介し
て配することが好適である。このとき、例えば上記外周
部に４つの強磁性体コアを配し、互いに直交する４つの
磁気ギャップが形成されるように上記磁気センサを構成
することが考えられる。
【００１８】さらに、上記ＭＲ素子に形成より形成され
た複数の扇状部の内外に地磁気を集束する扇状の強磁性
体コアを磁気ギャップ間隔をもって放射状に配すること
も好適である。上記強磁性体コアには、パーマロイ、珪
素鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁
束密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、
バイアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
た複数の扇状部の内外に地磁気を集束する扇状の強磁性
体コアを磁気ギャップ間隔をもって放射状に配すること
も好適である。上記強磁性体コアには、パーマロイ、珪
素鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁
束密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）を用い、
バイアス磁界の印加と地磁気の集束に利用する。
【００１９】ここで、上記ＭＲ素子及び上記強磁性体コ
アは、共に非磁性基板上にスパッタ法や真空蒸着法等の
真空薄膜形成技術により成膜形成されるものである。し
たがって、当該磁気センサの作製時においてＭＲ素子と
強磁性体コアとの位置合わせを容易且つ正確に行うこと
が可能となる。
アは、共に非磁性基板上にスパッタ法や真空蒸着法等の
真空薄膜形成技術により成膜形成されるものである。し
たがって、当該磁気センサの作製時においてＭＲ素子と
強磁性体コアとの位置合わせを容易且つ正確に行うこと
が可能となる。
【００２０】上述のように、本発明の磁気センサにおい
ては、外部磁界に対して方向指向性を有するＭＲ素子が
回転対称な閉ループ形状且つ外部磁界に対して等方位的
に配されているために、当該ＭＲ素子に所定のセンス電
流を供給することにより、このＭＲ素子が外部磁界の方
向によらずに当該外部磁界の強度のみを検出する磁電変
換素子として機能することになる。
ては、外部磁界に対して方向指向性を有するＭＲ素子が
回転対称な閉ループ形状且つ外部磁界に対して等方位的
に配されているために、当該ＭＲ素子に所定のセンス電
流を供給することにより、このＭＲ素子が外部磁界の方
向によらずに当該外部磁界の強度のみを検出する磁電変
換素子として機能することになる。
【００２１】また、上述のように強磁性体コアを配する
ことにより、当該強磁性体コアが外部磁界を集束するい
わゆる集束ホーンとして機能し、外部磁界強度の検出感
度が更に向上することになる。
ことにより、当該強磁性体コアが外部磁界を集束するい
わゆる集束ホーンとして機能し、外部磁界強度の検出感
度が更に向上することになる。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した磁気セン
サのいくつかの具体的な実施の形態について、図面を参
照しながら詳細に説明する。
サのいくつかの具体的な実施の形態について、図面を参
照しながら詳細に説明する。
【００２３】第１の実施の形態 先ず、第１の実施の形態に係る磁気センサについて述べ
る。この磁気センサは、図１に示すように、非磁性基板
１上に、ＭＲ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続
された導電体で形成された配線部３とがスパッタ法や真
空蒸着法等の真空薄膜形成技術により成膜形成されて構
成されている。
る。この磁気センサは、図１に示すように、非磁性基板
１上に、ＭＲ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続
された導電体で形成された配線部３とがスパッタ法や真
空蒸着法等の真空薄膜形成技術により成膜形成されて構
成されている。
【００２４】上記ＭＲ素子２は、幅狭な線条をなし、回
転対称な閉ループ形状、ここでは円形状をなすととも
に、外部磁界Ｈに対して等方位的に配されている。
転対称な閉ループ形状、ここでは円形状をなすととも
に、外部磁界Ｈに対して等方位的に配されている。
【００２５】このＭＲ素子２は、図２の等価回路に示す
ように、外部磁界Ｈが変化することによってその抵抗値
が変化するために、出力端子から配線部３を介して当該
ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給することに
より磁電変換が生じる。
ように、外部磁界Ｈが変化することによってその抵抗値
が変化するために、出力端子から配線部３を介して当該
ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給することに
より磁電変換が生じる。
【００２６】ＭＲ素子２は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
【００２７】第２の実施の形態 続いて、第２の実施の形態に係る磁気センサについて述
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、そのＭＲ素子の形
状が異なる点で相違する。なお、第１の実施の形態に示
した部材等と同一のものについては同符号を記して説明
を省略する。
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、そのＭＲ素子の形
状が異なる点で相違する。なお、第１の実施の形態に示
した部材等と同一のものについては同符号を記して説明
を省略する。
【００２８】この磁気センサは、図３に示すように、第
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１１と、このＭＲ素子１１と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されている。
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１１と、このＭＲ素子１１と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されている。
【００２９】上記ＭＲ素子１１は、幅狭な線条をなし、
回転対称な閉ループ形状、ここでは渦巻状に複数巻に巻
回されて円形状をなすとともに、外部磁界Ｈに対して等
方位的に成膜形成されている。
回転対称な閉ループ形状、ここでは渦巻状に複数巻に巻
回されて円形状をなすとともに、外部磁界Ｈに対して等
方位的に成膜形成されている。
【００３０】この場合も、上記第１の実施の形態と同様
に、ＭＲ素子１１は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１１に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
に、ＭＲ素子１１は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１１に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
【００３１】ＭＲ素子１１は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子１１を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１１が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能であるとともに、ＭＲ素子１１が渦
巻状に複数巻に巻回されているためにセンス電流Ｉｓに
対する電気抵抗値が増大して外部磁界Ｈの変化による抵
抗値変化量が増大し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
で、当該ＭＲ素子１１を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１１が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能であるとともに、ＭＲ素子１１が渦
巻状に複数巻に巻回されているためにセンス電流Ｉｓに
対する電気抵抗値が増大して外部磁界Ｈの変化による抵
抗値変化量が増大し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
【００３２】第３の実施の形態 続いて、第３の実施の形態に係る磁気センサについて述
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、そのＭＲ素子の形
状が異なる点で相違する。なお、第１の実施の形態に示
した部材等と同一のものについては同符号を記して説明
を省略する。
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、そのＭＲ素子の形
状が異なる点で相違する。なお、第１の実施の形態に示
した部材等と同一のものについては同符号を記して説明
を省略する。
【００３３】この磁気センサは、図４に示すように、第
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１２と、このＭＲ素子１２と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されている。
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１２と、このＭＲ素子１２と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されている。
【００３４】上記ＭＲ素子１２は、幅狭な線条をなし、
回転対称な閉ループ形状、ここでは複数の扇状部１３を
もって当該磁気センサの中心位置から放射状に成膜形成
されており、外部磁界Ｈに対して等方位的に成膜形成さ
れている。ここで、ＭＲ素子１２のうち、センサ部１２
ａが外部磁界強度を検出する部分である。上記センサ部
１２ａの数を多くするほど等方位的な外部磁界強度を検
出する感度が増大する。非センサ部１２ｂでも外部磁界
Ｈの変化は検出されるが、センサ部１２ａに比してセン
ス電流Ｉｓに対する抵抗値が小さいために、当該非セン
サ部１２ｂにより検出される外部磁界Ｈの変化は無視し
得る程度のものとなる。したがって、非センサ部１２ｂ
を配線部３として構成してもよい。
回転対称な閉ループ形状、ここでは複数の扇状部１３を
もって当該磁気センサの中心位置から放射状に成膜形成
されており、外部磁界Ｈに対して等方位的に成膜形成さ
れている。ここで、ＭＲ素子１２のうち、センサ部１２
ａが外部磁界強度を検出する部分である。上記センサ部
１２ａの数を多くするほど等方位的な外部磁界強度を検
出する感度が増大する。非センサ部１２ｂでも外部磁界
Ｈの変化は検出されるが、センサ部１２ａに比してセン
ス電流Ｉｓに対する抵抗値が小さいために、当該非セン
サ部１２ｂにより検出される外部磁界Ｈの変化は無視し
得る程度のものとなる。したがって、非センサ部１２ｂ
を配線部３として構成してもよい。
【００３５】この場合も、上記第１の実施の形態と同様
に、ＭＲ素子１２は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１２に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
に、ＭＲ素子１２は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１２に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
【００３６】ＭＲ素子１２は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子１２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１２が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能であるとともに、ＭＲ素子１２が渦
巻状に複数巻に巻回されているためにセンス電流Ｉｓに
対する電気抵抗値が増大して外部磁界Ｈの変化による抵
抗値変化量が増大し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
で、当該ＭＲ素子１２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１２が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能であるとともに、ＭＲ素子１２が渦
巻状に複数巻に巻回されているためにセンス電流Ｉｓに
対する電気抵抗値が増大して外部磁界Ｈの変化による抵
抗値変化量が増大し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
【００３７】第４の実施の形態 続いて、第４の実施の形態に係る磁気センサについて述
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第１
の実施の形態に示した部材等と同一のものについてが同
符号を記して説明を省略する。
べる。この磁気センサは、第１の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第１
の実施の形態に示した部材等と同一のものについてが同
符号を記して説明を省略する。
【００３８】この磁気センサは、図５に示すように、第
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続された導電
体で形成された配線部３とが成膜形成されており、更に
ＭＲ素子２が形成する回転対称な円形状の閉ループ内に
地磁気を集束する円形状の強磁性体コア４がＭＲ素子２
及び配線部３と共にスパッタ法や真空蒸着法等の真空薄
膜形成技術により成膜形成されて構成されている。
１の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続された導電
体で形成された配線部３とが成膜形成されており、更に
ＭＲ素子２が形成する回転対称な円形状の閉ループ内に
地磁気を集束する円形状の強磁性体コア４がＭＲ素子２
及び配線部３と共にスパッタ法や真空蒸着法等の真空薄
膜形成技術により成膜形成されて構成されている。
【００３９】この強磁性体コア４の材料としては、パー
マロイ、珪素鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁
率、高飽和磁束密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト
材）等が用いられる。
マロイ、珪素鋼板、各種ソフトフェライト等、高透磁
率、高飽和磁束密度を有する軟磁性材（いわゆるソフト
材）等が用いられる。
【００４０】この場合も、上記第１の実施の形態と同様
に、ＭＲ素子２は外部磁界Ｈが変化することによってそ
の抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を介
して当該ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給す
ることにより磁電変換が生じる。
に、ＭＲ素子２は外部磁界Ｈが変化することによってそ
の抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を介
して当該ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給す
ることにより磁電変換が生じる。
【００４１】ＭＲ素子２は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
【００４２】ここで、強磁性体コア４による磁界集束原
理について説明する。フェライト、パーマロイ等からな
る強磁性体コア４が外部磁界Ｈに与える影響について図
６に模式的に図示する。
理について説明する。フェライト、パーマロイ等からな
る強磁性体コア４が外部磁界Ｈに与える影響について図
６に模式的に図示する。
【００４３】強磁性体コア４は空気中に比べて磁気抵抗
が小さいため、外部磁界Ｈが吸い寄せられるように曲げ
られ、この強磁性体コア４の中を通って再び外へ出る。
が小さいため、外部磁界Ｈが吸い寄せられるように曲げ
られ、この強磁性体コア４の中を通って再び外へ出る。
【００４４】したがって、強磁性体コア４は、等方位的
に配されているために外部磁界強度のみを検出すること
になり、外部磁界Ｈを集束し、大きな磁束密度に変換す
る（実際は、外部磁界Ｈにより強磁性体コア４が磁化さ
れることになる。）。
に配されているために外部磁界強度のみを検出すること
になり、外部磁界Ｈを集束し、大きな磁束密度に変換す
る（実際は、外部磁界Ｈにより強磁性体コア４が磁化さ
れることになる。）。
【００４５】すなわち、当該強磁性体コア４が外部磁界
Ｈを集束するいわゆる集束ホーンとして機能し、外部磁
界強度の検出感度が更に向上することになる。
Ｈを集束するいわゆる集束ホーンとして機能し、外部磁
界強度の検出感度が更に向上することになる。
【００４６】第５の実施の形態 続いて、第５の実施の形態に係る磁気センサについて述
べる。この磁気センサは、第３の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第３
の実施の形態に示した部材等と同一のものについては同
符号を記して説明を省略する。
べる。この磁気センサは、第３の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第３
の実施の形態に示した部材等と同一のものについては同
符号を記して説明を省略する。
【００４７】この磁気センサは、図７に示すように、第
３の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１２と、このＭＲ素子１２と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されており、
ＭＲ素子１２は、幅狭な線条をなし、回転対称な閉ルー
プ形状、ここでは複数の扇状部１３をもって当該磁気セ
ンサの中心位置から放射状に成膜形成されており、外部
磁界Ｈに対して等方位的に成膜形成されている。
３の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１上に、Ｍ
Ｒ素子１２と、このＭＲ素子１２と電気的に接続された
導電体で形成された配線部３とが成膜形成されており、
ＭＲ素子１２は、幅狭な線条をなし、回転対称な閉ルー
プ形状、ここでは複数の扇状部１３をもって当該磁気セ
ンサの中心位置から放射状に成膜形成されており、外部
磁界Ｈに対して等方位的に成膜形成されている。
【００４８】さらに、ＭＲ素子１２が形成する複数の扇
状部１３の内外に地磁気を集束する扇状の各強磁性体コ
ア５が各磁気ギャップＧｉの間隔をもって放射状に成膜
形成されて上記磁気センサが構成されている。
状部１３の内外に地磁気を集束する扇状の各強磁性体コ
ア５が各磁気ギャップＧｉの間隔をもって放射状に成膜
形成されて上記磁気センサが構成されている。
【００４９】この強磁性体コア５の材料としては、強磁
性体コア４と同様に、パーマロイ、珪素鋼板、各種ソフ
トフェライト等、高透磁率、高飽和磁束密度を有する軟
磁性材（いわゆるソフト材）等が用いられる。
性体コア４と同様に、パーマロイ、珪素鋼板、各種ソフ
トフェライト等、高透磁率、高飽和磁束密度を有する軟
磁性材（いわゆるソフト材）等が用いられる。
【００５０】この場合も、上記第１の実施の形態と同様
に、ＭＲ素子１２は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１２に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
に、ＭＲ素子１２は外部磁界Ｈが変化することによって
その抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を
介して当該ＭＲ素子１２に一定値のセンス電流Ｉｓを供
給することにより磁電変換が生じる。
【００５１】ＭＲ素子１２は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子１２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１２が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能である。
で、当該ＭＲ素子１２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁
界Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。
すなわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈに
よってＭＲ素子１２が磁化される磁化方向とのなす角は
外部磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度の
みによって変化する。したがって、上記磁気センサによ
れば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを
検出することが可能である。
【００５２】ここで、強磁性体コア５による磁界集束原
理について説明する。フェライト、パーマロイ等からな
る強磁性体コア５が外部磁界Ｈに与える影響について図
８に模式的に図示する。
理について説明する。フェライト、パーマロイ等からな
る強磁性体コア５が外部磁界Ｈに与える影響について図
８に模式的に図示する。
【００５３】強磁性体コア５は空気中に比べて磁気抵抗
値が小さいため、外部磁界Ｈが吸い寄せられるように曲
げられ、強磁性体コア５に入る。複数の強磁性体コア５
にて集束し検出された外部磁界Ｈは磁気ギャップＧｉを
通って隣接する強磁性体コア５に伝達され、円環方向に
流れることになる。そして、外部磁界Ｈは強磁性体コア
５に入ってきた方向に強磁性体コア５の中を通って再び
外へ出る。
値が小さいため、外部磁界Ｈが吸い寄せられるように曲
げられ、強磁性体コア５に入る。複数の強磁性体コア５
にて集束し検出された外部磁界Ｈは磁気ギャップＧｉを
通って隣接する強磁性体コア５に伝達され、円環方向に
流れることになる。そして、外部磁界Ｈは強磁性体コア
５に入ってきた方向に強磁性体コア５の中を通って再び
外へ出る。
【００５４】したがって、強磁性体コア５は、等方位的
に配されているために外部磁界強度のみを検出すること
になり、外部磁界Ｈを集束し、大きな磁束密度に変換す
る（実際は、外部磁界Ｈにより強磁性体コア５が磁化さ
れることになる。）。
に配されているために外部磁界強度のみを検出すること
になり、外部磁界Ｈを集束し、大きな磁束密度に変換す
る（実際は、外部磁界Ｈにより強磁性体コア５が磁化さ
れることになる。）。
【００５５】すなわち、当該強磁性体コア５が外部磁界
Ｈを集束するいわゆる集束ホーンとして機能し、外部磁
界強度の検出感度が更に向上することになる。
Ｈを集束するいわゆる集束ホーンとして機能し、外部磁
界強度の検出感度が更に向上することになる。
【００５６】第６の実施の形態 続いて、第６の実施の形態に係る磁気センサについて述
べる。この磁気センサは、第４の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第４
の実施の形態に示した部材等と同一のものについては同
符号を記して説明を省略する。
べる。この磁気センサは、第４の実施の形態に係る磁気
センサとほぼ同様の構造を有するが、地磁気を集束する
強磁性体コアが配されている点で相違する。なお、第４
の実施の形態に示した部材等と同一のものについては同
符号を記して説明を省略する。
【００５７】この磁気センサにおいては、図９に示すよ
うに、第４の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１
上に、ＭＲ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続さ
れた導電体で形成された配線部３とが成膜形成されてお
り、ＭＲ素子２が形成する回転対称な円形状の閉ループ
内に地磁気を集束する円形状の強磁性体コア４がＭＲ素
子２及び配線部３と共にスパッタ法や真空蒸着法等の真
空薄膜形成技術により成膜形成されている。
うに、第４の実施の形態のそれと同様に、非磁性基板１
上に、ＭＲ素子２と、このＭＲ素子２と電気的に接続さ
れた導電体で形成された配線部３とが成膜形成されてお
り、ＭＲ素子２が形成する回転対称な円形状の閉ループ
内に地磁気を集束する円形状の強磁性体コア４がＭＲ素
子２及び配線部３と共にスパッタ法や真空蒸着法等の真
空薄膜形成技術により成膜形成されている。
【００５８】そして更に、当該磁気センサは、ＭＲ素子
２の外周部に各強磁性体コア６ａ〜６ｄが９０゜おきに
形成された所定の磁気ギャップＧｅ〜Ｇｈを介して成膜
形成されて構成されている。このとき、強磁性体コア４
と各強磁性体コア６ａ〜６ｄとの間には、円形状のＭＲ
素子２を介して磁気ギャップＧｅ〜Ｇｈに比して幅狭の
磁気ギャップＧａ〜Ｇｄが形成されている。
２の外周部に各強磁性体コア６ａ〜６ｄが９０゜おきに
形成された所定の磁気ギャップＧｅ〜Ｇｈを介して成膜
形成されて構成されている。このとき、強磁性体コア４
と各強磁性体コア６ａ〜６ｄとの間には、円形状のＭＲ
素子２を介して磁気ギャップＧｅ〜Ｇｈに比して幅狭の
磁気ギャップＧａ〜Ｇｄが形成されている。
【００５９】この磁気センサにおいては、ＭＲ素子２の
外周部を円環状に包囲する４つの強磁性体コア６ａ〜６
ｄにより外部磁界Ｈが集束されて検出される。この集束
された外部磁界Ｈは、磁気ギャップＧａ〜Ｇｄにて絞り
込まれ、更に大きな磁束密度に変換される。この大きな
磁束密度とされた外部磁界ＨがＭＲ素子２に伝達される
ために一層外部磁界強度の検出感度が向上する。
外周部を円環状に包囲する４つの強磁性体コア６ａ〜６
ｄにより外部磁界Ｈが集束されて検出される。この集束
された外部磁界Ｈは、磁気ギャップＧａ〜Ｇｄにて絞り
込まれ、更に大きな磁束密度に変換される。この大きな
磁束密度とされた外部磁界ＨがＭＲ素子２に伝達される
ために一層外部磁界強度の検出感度が向上する。
【００６０】なお、磁気ギャップＧｅ〜Ｇｈは、強磁性
体コア６ａ〜６ｄにて検出された外部磁界Ｈが円環方向
を通って流れるとＭＲ素子２に当該外部磁界Ｈが伝達さ
れないこととなるために、上記円環方向の磁気抵抗値を
大きくする目的で設けられたものである。したがって、
これら強磁性体コアの数は４つに限定されるものではな
い。
体コア６ａ〜６ｄにて検出された外部磁界Ｈが円環方向
を通って流れるとＭＲ素子２に当該外部磁界Ｈが伝達さ
れないこととなるために、上記円環方向の磁気抵抗値を
大きくする目的で設けられたものである。したがって、
これら強磁性体コアの数は４つに限定されるものではな
い。
【００６１】この強磁性体コア６ａ〜６ｄの材料として
は、第４の実施の形態と同様に、パーマロイ、珪素鋼
板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束密
度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）等が用いられ
る。
は、第４の実施の形態と同様に、パーマロイ、珪素鋼
板、各種ソフトフェライト等、高透磁率、高飽和磁束密
度を有する軟磁性材（いわゆるソフト材）等が用いられ
る。
【００６２】この場合も、上記第１の実施の形態と同様
に、ＭＲ素子２は外部磁界Ｈが変化することによってそ
の抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を介
して当該ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給す
ることにより磁電変換が生じる。
に、ＭＲ素子２は外部磁界Ｈが変化することによってそ
の抵抗値が変化するために、出力端子から配線部３を介
して当該ＭＲ素子２に一定値のセンス電流Ｉｓを供給す
ることにより磁電変換が生じる。
【００６３】ＭＲ素子２は等方位的に配されているの
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
で、当該ＭＲ素子２を流れるセンス電流Ｉｓと外部磁界
Ｈとのなす角は、外部磁界Ｈによらず一定値をとる。す
なわち、センス電流Ｉｓの流れる方向と外部磁界Ｈによ
ってＭＲ素子２が磁化される磁化方向とのなす角は外部
磁界Ｈの方向によらず一定値となり外部磁界強度のみに
よって変化する。したがって、上記磁気センサによれ
ば、外部磁界Ｈの方向によらず、外部磁界強度のみを検
出することが可能である。
【００６４】ここで、強磁性体コア４及び強磁性体コア
６ａ〜６ｄによる磁界集束原理について説明する。フェ
ライト、パーマロイ等からなる強磁性体コア４及び強磁
性体コア６ａ〜６ｄが外部磁界Ｈに与える影響について
図１０に模式的に図示する。
６ａ〜６ｄによる磁界集束原理について説明する。フェ
ライト、パーマロイ等からなる強磁性体コア４及び強磁
性体コア６ａ〜６ｄが外部磁界Ｈに与える影響について
図１０に模式的に図示する。
【００６５】強磁性体コア４及び強磁性体コア６ａ〜６
ｄは空気中に比べて磁気抵抗が小さいため、外部磁界Ｈ
が吸い寄せられるように曲げられ、強磁性体コア６ａ〜
６ｄに入る。これら強磁性体コア６ａ〜６ｄにて集束さ
れ検出された外部磁界Ｈは、磁気抵抗値の小さい磁気ギ
ャップＧａ〜Ｇｄ，強磁性体コア４，再び磁気ギャップ
Ｇａ〜Ｇｄ，強磁性体コア６ａ〜６ｄを通って外へ出
る。
ｄは空気中に比べて磁気抵抗が小さいため、外部磁界Ｈ
が吸い寄せられるように曲げられ、強磁性体コア６ａ〜
６ｄに入る。これら強磁性体コア６ａ〜６ｄにて集束さ
れ検出された外部磁界Ｈは、磁気抵抗値の小さい磁気ギ
ャップＧａ〜Ｇｄ，強磁性体コア４，再び磁気ギャップ
Ｇａ〜Ｇｄ，強磁性体コア６ａ〜６ｄを通って外へ出
る。
【００６６】したがって、強磁性体コア４及び強磁性体
コア６ａ〜６ｄは、等方位的に配されているために外部
磁界強度のみを検出することになり、外部磁界Ｈを集束
し、大きな磁束密度に変換する（実際は、外部磁界Ｈに
より強磁性体コア４が磁化されることになる。）。
コア６ａ〜６ｄは、等方位的に配されているために外部
磁界強度のみを検出することになり、外部磁界Ｈを集束
し、大きな磁束密度に変換する（実際は、外部磁界Ｈに
より強磁性体コア４が磁化されることになる。）。
【００６７】すなわち、当該強磁性体コア４及び強磁性
体コア６ａ〜６ｄが外部磁界Ｈを集束するいわゆる集束
ホーンとして機能し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
体コア６ａ〜６ｄが外部磁界Ｈを集束するいわゆる集束
ホーンとして機能し、外部磁界強度の検出感度が更に向
上することになる。
【００６８】以上、本発明を適用した実施の形態につい
て説明してきたが、本発明がこれらの実施の形態に限定
されるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
形状、材質、寸法等、任意に変更することが可能であ
る。
て説明してきたが、本発明がこれらの実施の形態に限定
されるわけではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で
形状、材質、寸法等、任意に変更することが可能であ
る。
【００６９】
【発明の効果】本発明によれば、等方位的な外部磁界強
度のみを正確に検出することが可能であり、例えば強磁
性体コアを配することにより外部磁界が１ガウス程度の
微弱磁界でも検出することができる。
度のみを正確に検出することが可能であり、例えば強磁
性体コアを配することにより外部磁界が１ガウス程度の
微弱磁界でも検出することができる。
【図１】本発明を適用した第１の実施の形態に係る磁気
センサを模式的に示す平面図である。
センサを模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示す磁気センサの等価回路の一例を示す
回路図である。
回路図である。
【図３】第２の実施の形態に係る磁気センサを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図４】第３の実施の形態に係る磁気センサを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図５】第４の実施の形態に係る磁気センサを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示す模
式図である。
式図である。
【図７】第５の実施の形態に係る磁気センサを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図８】強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示す模
式図である。
式図である。
【図９】第６の実施の形態に係る磁気センサを模式的に
示す平面図である。
示す平面図である。
【図１０】各強磁性体コアによる地磁気の集束状態を示
す模式図である。
す模式図である。
【図１１】従来の地磁気方位センサの一構成例を模式的
に示す斜視図である。
に示す斜視図である。
【図１２】図１１に示す地磁気方位センサの動作原理を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図１３】回転角と磁界強度との関係を示す特性図であ
る。
る。
【図１４】長方形状のＭＲ素子の動作原理を模式的に示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図１５】ＭＲ素子の磁気抵抗効果を示す特性図であ
る。
る。
１ 非磁性基板 ２，１１，１２ ＭＲ素子 ３ 配線部 ４，５，６ａ〜６ｂ 強磁性体コア １３ 扇状部 Ｇｉ，Ｇａ〜Ｇｄ，Ｇｅ〜Ｇｈ 磁気ギャップ Ｈ 外部磁界
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板上に幅狭な線条の磁気抵抗効
果素子が回転対称な閉ループ形状をなして配されている
ことを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子が形成する回転対称な
閉ループ内に地磁気を集束する強磁性体コアが配されて
いることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果素子及び強磁性体コアが共
に非磁性基板上に真空薄膜形成技術により成膜形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果素子が円形状をなしている
ことを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項５】 幅狭な線条の磁気抵抗効果素子が渦巻状
に巻回されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気
センサ。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子が形成する回転対称な
閉ループ内に地磁気を集束する強磁性体コアが配されて
いることを特徴とする請求項５記載の磁気センサ。 - 【請求項７】 磁気抵抗効果素子の外周部に地磁気を集
束する複数の強磁性体コアが当該各強磁性体コア間及び
磁気抵抗効果素子が形成する回転対称な閉ループ内に配
された強磁性体コアとそれぞれ所定の磁気ギャップを介
して配されていることを特徴とする請求項６記載の磁気
センサ。 - 【請求項８】 幅狭な線条の磁気抵抗効果素子が複数の
扇状部をもって放射状に閉ループ形状を形成しているこ
とを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。 - 【請求項９】 磁気抵抗効果素子に形成より形成された
複数の扇状部の内外に地磁気を集束する扇状の強磁性体
コアが磁気ギャップ間隔をもって放射状に配されている
ことを特徴とする請求項８記載の磁気センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260544A JPH09102638A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7260544A JPH09102638A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09102638A true JPH09102638A (ja) | 1997-04-15 |
Family
ID=17349438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7260544A Withdrawn JPH09102638A (ja) | 1995-10-06 | 1995-10-06 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09102638A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008157844A (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-10 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ及び回転角度検出装置 |
| JP2010008160A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ及び回転角度検出装置 |
| JP2010008161A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Hitachi Metals Ltd | 磁気センサ及び回転角度検出装置 |
| WO2016013347A1 (ja) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| WO2016013346A1 (ja) * | 2014-07-23 | 2016-01-28 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
| JPWO2015182365A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2017-04-20 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
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