JPH0218542A - ハロゲン化銀写真感光材料 - Google Patents
ハロゲン化銀写真感光材料Info
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
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- G03C1/005—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein
- G03C1/06—Silver halide emulsions; Preparation thereof; Physical treatment thereof; Incorporation of additives therein with non-macromolecular additives
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はハロゲン化銀写真感光材料及びそれを用いた超
硬調ネガ画像形成方法に関するものであり、特に写真製
版工程に用いられるハロゲン化銀写真感光材料。
硬調ネガ画像形成方法に関するものであり、特に写真製
版工程に用いられるハロゲン化銀写真感光材料。
(従来技術とその問題点)
グラフィック、アークの分野においては網点画像による
連続階調の画像の再生あるいは線画像の再生を良好なら
しめるために、超硬調(特にガンマが10以上)の写真
特性を示す画像形成システムが必要である。
連続階調の画像の再生あるいは線画像の再生を良好なら
しめるために、超硬調(特にガンマが10以上)の写真
特性を示す画像形成システムが必要である。
高コントラストの写真特性を安定な現像液を用いて得る
方法としては米国特許節4,224,401号、同第4
,168,977号、同第4,166.742号、同第
4,311,781号、同第4,272.(160号、
同第4. 221. E157号、同第4,269,
929号等に記載されているヒドラジン誘導体を用いる
方法が知られている。この方法によれば、超硬調で感度
の高い写真特性が得られ、更に現像液中に高濃度の亜硫
酸塩を加えることが許容されるので、現像液の空気酸化
に対する安定性はリス現像液に比べて飛躍的に向上する
。
方法としては米国特許節4,224,401号、同第4
,168,977号、同第4,166.742号、同第
4,311,781号、同第4,272.(160号、
同第4. 221. E157号、同第4,269,
929号等に記載されているヒドラジン誘導体を用いる
方法が知られている。この方法によれば、超硬調で感度
の高い写真特性が得られ、更に現像液中に高濃度の亜硫
酸塩を加えることが許容されるので、現像液の空気酸化
に対する安定性はリス現像液に比べて飛躍的に向上する
。
また、写真製版工程中の返し工程で広く用いられるヒド
ラジン誘導体を含む低感度の明室感光材料については、
特開昭60−14038号、特開昭60−162246
号、同61−238049号、特願昭62−65116
号、特願昭62−218648号、同62−43704
号等に開示されている。
ラジン誘導体を含む低感度の明室感光材料については、
特開昭60−14038号、特開昭60−162246
号、同61−238049号、特願昭62−65116
号、特願昭62−218648号、同62−43704
号等に開示されている。
一方、印刷物の多様性、複雑性に伴って、写真製版工程
が更に複雑なプロセスとなることが多く、作業の合理化
、省力化などの改善が求められている。とりわけ、超硬
調な感材を用いて線画・組撮影をおこなう時あるいは密
着返し露光をおこなう時に感光材料同志又は異種物質の
表面との間の接触摩擦又は剥離をうけることによって、
静電電荷が蓄積されて、感光材料または原稿フィルムに
無作為に付着した塵埃が原因となって、その跡が現像処
理後ピンホールとして残ってしまい、その修正あるいは
露光のやり直しに多大な労力を費やさなければならない
という問題があった。この様な問題を改善するために界
面活性剤などにより感光材料の帯電特性を改良する技術
が導入ささてきたが、いまだ十分とは言えず、特に現像
処理を行うことによって、その帯電性が失われ、このフ
ィルムを原稿として用いたとき、前記ピンポールがほと
んど改善されないことなどの欠点があり、ピンホールの
発生の少ない感光材料の開発が強く求められていた。
が更に複雑なプロセスとなることが多く、作業の合理化
、省力化などの改善が求められている。とりわけ、超硬
調な感材を用いて線画・組撮影をおこなう時あるいは密
着返し露光をおこなう時に感光材料同志又は異種物質の
表面との間の接触摩擦又は剥離をうけることによって、
静電電荷が蓄積されて、感光材料または原稿フィルムに
無作為に付着した塵埃が原因となって、その跡が現像処
理後ピンホールとして残ってしまい、その修正あるいは
露光のやり直しに多大な労力を費やさなければならない
という問題があった。この様な問題を改善するために界
面活性剤などにより感光材料の帯電特性を改良する技術
が導入ささてきたが、いまだ十分とは言えず、特に現像
処理を行うことによって、その帯電性が失われ、このフ
ィルムを原稿として用いたとき、前記ピンポールがほと
んど改善されないことなどの欠点があり、ピンホールの
発生の少ない感光材料の開発が強く求められていた。
(発明の目的)
本発明の目的は安定な現像液を用いて、Tが10を越え
る極めて硬調で、かつ、ピンホールの発生のし難いハロ
ゲン化銀感光材料を提供することである。
る極めて硬調で、かつ、ピンホールの発生のし難いハロ
ゲン化銀感光材料を提供することである。
(発明の構成)
本発明の目的は支持体上に少なくとも1層のハロゲン化
銀乳剤層を有し、該乳剤層又はその他の親水性コロイド
層中に一般式(1)で表されるしドラジン誘導体を含有
するハロゲン化銀写真感光材料に於て、該ハロゲン化銀
写真感光材料の構成層の少なくとも一層として表面抵抗
率が25℃25%RH雰囲気下で1012Ω以下の導電
層を設けることによって達成された。
銀乳剤層を有し、該乳剤層又はその他の親水性コロイド
層中に一般式(1)で表されるしドラジン誘導体を含有
するハロゲン化銀写真感光材料に於て、該ハロゲン化銀
写真感光材料の構成層の少なくとも一層として表面抵抗
率が25℃25%RH雰囲気下で1012Ω以下の導電
層を設けることによって達成された。
本発明の導電層に用いられる導電性物質としては、導電
性金属酸化物あるいは導電性高分子化合物などが用いら
れる。
性金属酸化物あるいは導電性高分子化合物などが用いら
れる。
本発明に用いられる導電性金属酸化物として好ましいの
は結晶性の金属酸化物粒子であるが、酸素欠陥を含むも
の及び用いられる金属酸化物に対してドナーを形成する
異種原子を少量含むもの等は一般的に言って導電性が高
いので特に好ましく、特に後者はハロゲン化銀乳剤にカ
ブリを与えないので特に好ましい。金属酸化物の例とし
てはZnO,、Ti0z 、5nOz 、AEz 03
、In2O3、S 1clz 、MgO,、Bad、M
oO2、■203等、あるいはこれらの複合酸化物が良
く、特にZnO,TiO□及びSnO2が好ましい。
は結晶性の金属酸化物粒子であるが、酸素欠陥を含むも
の及び用いられる金属酸化物に対してドナーを形成する
異種原子を少量含むもの等は一般的に言って導電性が高
いので特に好ましく、特に後者はハロゲン化銀乳剤にカ
ブリを与えないので特に好ましい。金属酸化物の例とし
てはZnO,、Ti0z 、5nOz 、AEz 03
、In2O3、S 1clz 、MgO,、Bad、M
oO2、■203等、あるいはこれらの複合酸化物が良
く、特にZnO,TiO□及びSnO2が好ましい。
異種原子を含む例としては、例えばZnOに対しではA
ffi、In等の添加、SnO2に対してはSb、Nb
、ハロゲン元素等の添加、またT i O2に対しては
NbXTa等の添jJI]が効果的である。
ffi、In等の添加、SnO2に対してはSb、Nb
、ハロゲン元素等の添加、またT i O2に対しては
NbXTa等の添jJI]が効果的である。
これら異種原子の添加量は0.01mo1%〜30mo
1%の範囲が好ましいが、O,1mo1 %〜10mo
1%であれば特に好ましい。
1%の範囲が好ましいが、O,1mo1 %〜10mo
1%であれば特に好ましい。
本発明の金属酸化物微粒子は導電性を有しており、その
体積抵抗率は107Ω−印以下、特に105Ω−cm以
下であることが好ましい。
体積抵抗率は107Ω−印以下、特に105Ω−cm以
下であることが好ましい。
これらの酸化物については特開昭56−143431号
、同56−120519号、同58−62647号など
に記載されている。
、同56−120519号、同58−62647号など
に記載されている。
更に又、特公昭59−6235号に記載のごとく、他の
結晶性金属酸化物粒子あるいは繊維状物(例えば酸化チ
タン)に上記の金属酸化物を付着させた導電性素材を使
用してもよい。
結晶性金属酸化物粒子あるいは繊維状物(例えば酸化チ
タン)に上記の金属酸化物を付着させた導電性素材を使
用してもよい。
利用できる粒子サイズは10μ以下が好ましいが、2μ
以下であると分散後の安定性が良く使用し易い。また光
散乱性をできるだけ小さくする為に、0.5μ以下の導
電性粒子を利用すると透明感光材料を形成することが可
能となり大変好ましい。
以下であると分散後の安定性が良く使用し易い。また光
散乱性をできるだけ小さくする為に、0.5μ以下の導
電性粒子を利用すると透明感光材料を形成することが可
能となり大変好ましい。
又、導電性材料が針状あるいは繊維状の場合はその長さ
は30μm以下で直径が2μ以下が好ましく、特に好ま
しいのは長さが25μm以下で直径0.5μ以下であり
長さ/直径比が3以上である。
は30μm以下で直径が2μ以下が好ましく、特に好ま
しいのは長さが25μm以下で直径0.5μ以下であり
長さ/直径比が3以上である。
本発明に用いられる導電性高分子化合物としては、例え
ばポリビニルベンゼンスルホン酸塩類、ポリビニルヘン
シルトリメチルアンモニウムクロリド、米国特許第4,
108,802号、同4118 231号、同4,12
6,467号、同4 137.217号に記載の4級塩
ポリマー類米国特許第4,070,189号、0L32
B2O,767号、特開昭61−296352号、
同61−62033号等に記載のポリマーラテックス等
が好ましい。
ばポリビニルベンゼンスルホン酸塩類、ポリビニルヘン
シルトリメチルアンモニウムクロリド、米国特許第4,
108,802号、同4118 231号、同4,12
6,467号、同4 137.217号に記載の4級塩
ポリマー類米国特許第4,070,189号、0L32
B2O,767号、特開昭61−296352号、
同61−62033号等に記載のポリマーラテックス等
が好ましい。
以下に本発明の導電性高分子化合物の具体例を示すが、
必ずしもこれらに限定されるものではない。
必ずしもこれらに限定されるものではない。
P−1co。
一〇CH2−C+−
0ONa
P−2千Cl−Cl1搦→C1l□−CII+−、−C
OONa COONa C00Na
SO,Na P−4−←CH2CM→− 0ONa (−CI+2 CH→−r?1−(−C11□ COONa Ctl+ C→]]− Coo(C11。)、OOC +C−Cll□+ II3 本発明の導電性金属酸化物又は導電性高分子化合物はバ
インダー中に分散又は溶解させて用いられる。
OONa COONa C00Na
SO,Na P−4−←CH2CM→− 0ONa (−CI+2 CH→−r?1−(−C11□ COONa Ctl+ C→]]− Coo(C11。)、OOC +C−Cll□+ II3 本発明の導電性金属酸化物又は導電性高分子化合物はバ
インダー中に分散又は溶解させて用いられる。
バインダーとしては、フィルム形成能を有するものであ
れば特に限定されるものではないが、例えばゼラチン、
カゼイン等の蛋白質、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、アセチルセルロース、ジア
セチルセルロース、トリアセチルセルロース等のセルロ
ース化合物、デキストラン、寒天、アルギン酸ソーダ、
澱粉誘導体等の糖類、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸
ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エ
ステル、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリ−N
−ビニルピロリドン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、
ポリアクリル酸等の合成ポリマー等を挙げることができ
る。
れば特に限定されるものではないが、例えばゼラチン、
カゼイン等の蛋白質、カルボキシメチルセルロース、ヒ
ドロキシエチルセルロース、アセチルセルロース、ジア
セチルセルロース、トリアセチルセルロース等のセルロ
ース化合物、デキストラン、寒天、アルギン酸ソーダ、
澱粉誘導体等の糖類、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸
ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エ
ステル、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、ポリ−N
−ビニルピロリドン、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、
ポリアクリル酸等の合成ポリマー等を挙げることができ
る。
特に、ゼラチン(石灰処理ゼラチン、酸処理ゼラチン、
酵素分解ゼラチン、フタル化ゼラチン、アセチル化ゼラ
チン等)、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース
、トリアセチルセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリルア
ミド、デキストラン等が好ましい。
酵素分解ゼラチン、フタル化ゼラチン、アセチル化ゼラ
チン等)、アセチルセルロース、ジアセチルセルロース
、トリアセチルセルロース、ポリ酢酸ビニル、ポリビニ
ルアルコール、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリルア
ミド、デキストラン等が好ましい。
本発明の導電性金属酸化物あるいは導電性高分子化合物
をより効果的に使用して導電層の抵抗を下げるために、
導電層中における導電性物質の体積含有率は高い方が好
ましいが、層としての強度を十分に持たせるために最低
5%程度のバインダーが必要であるので、導電性金属酸
化物あるいは導電性高分子化合物の体積含有率は5〜9
5%の範囲が望ましい。
をより効果的に使用して導電層の抵抗を下げるために、
導電層中における導電性物質の体積含有率は高い方が好
ましいが、層としての強度を十分に持たせるために最低
5%程度のバインダーが必要であるので、導電性金属酸
化物あるいは導電性高分子化合物の体積含有率は5〜9
5%の範囲が望ましい。
本発明の導電性金属酸化物あるいは導電性高分子化合物
の使用量は、写真感光材料−平方メートル当たり0.0
5〜20g力5好ましく、特に0゜1〜10gが好まし
い。本発明の導電層の表面抵抗率は25℃25%RHの
雰囲気下で10−12Ω以下で、好ましくは10−”
Ω以下が良い。これにより良好な帯電防止性が得られる
。
の使用量は、写真感光材料−平方メートル当たり0.0
5〜20g力5好ましく、特に0゜1〜10gが好まし
い。本発明の導電層の表面抵抗率は25℃25%RHの
雰囲気下で10−12Ω以下で、好ましくは10−”
Ω以下が良い。これにより良好な帯電防止性が得られる
。
本発明の導電性金属酸化物あるいは導電性高分子化合物
を含有する導電層は、本発明においては、写真感光材料
の構成層として少なくとも一層設ける。例えば、表面保
護層、ハック層、中間層、下塗層などのいずれでもよい
が、必要に応して2層以上設けることもできる。
を含有する導電層は、本発明においては、写真感光材料
の構成層として少なくとも一層設ける。例えば、表面保
護層、ハック層、中間層、下塗層などのいずれでもよい
が、必要に応して2層以上設けることもできる。
本発明においては、上記導電性物質の他に、更に含フツ
素界面活性剤を併用槽ることによって更に良好な帯電防
止性を得ることができる。
素界面活性剤を併用槽ることによって更に良好な帯電防
止性を得ることができる。
本発明に用いられる好ましい含弗素界面活性剤としては
、炭素数4以上のフルオロ−アルキル基、アルケニル基
、又はアリール基を有し、イオン性基としてアニオン基
(スルホン酸(塩)、硫酸(塩)、カルボン酸(塩)、
リン酸(塩))、カチオン基(アミン塩、アンモニウム
塩、芳香族アミン塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩
)、ヘタイン基(カルボキシアミン塩、カルボキシアン
モニウム塩、スルホアミン塩、スルホアンモニウム塩、
ホスホアンモニウム塩)又はノニオン基(置換、無置換
のポリオキシアルキレン基、ポリグリセリル基またはソ
ルビタン残基)を有する界面活性剤が挙げられる。
、炭素数4以上のフルオロ−アルキル基、アルケニル基
、又はアリール基を有し、イオン性基としてアニオン基
(スルホン酸(塩)、硫酸(塩)、カルボン酸(塩)、
リン酸(塩))、カチオン基(アミン塩、アンモニウム
塩、芳香族アミン塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩
)、ヘタイン基(カルボキシアミン塩、カルボキシアン
モニウム塩、スルホアミン塩、スルホアンモニウム塩、
ホスホアンモニウム塩)又はノニオン基(置換、無置換
のポリオキシアルキレン基、ポリグリセリル基またはソ
ルビタン残基)を有する界面活性剤が挙げられる。
これらの含弗素界面活性剤は特開昭49−10722号
、英国特許第1,330,356号、米国特許箱4,3
35,201号、同4,347゜308号、英国特許第
1,417,915号、特開昭55−149938号、
同5B−196544号、英国特許第1,439,40
2号、などに記載されている。
、英国特許第1,330,356号、米国特許箱4,3
35,201号、同4,347゜308号、英国特許第
1,417,915号、特開昭55−149938号、
同5B−196544号、英国特許第1,439,40
2号、などに記載されている。
これらの具体例のいくつかを以下に記す。
F−I C,F、、50.K
F 3 CJt
08F17SO2N−(−CH2C1120−)−r(
−CH2−+T−803Na本発明の含フツ素界面活性
剤を添加する層は写真感光材料の少なくとも1層であれ
ば特に限定されず、例えば表面保護層、乳剤層、中間層
、下塗層、バンク層などを挙げることができる。その中
でも好ましい添加場所としては表面保護層であり、乳剤
層側もしくはハック層側のどちらか一方でもよいが、両
方の表面保護層に添加した場合は更に好ましい。
−CH2−+T−803Na本発明の含フツ素界面活性
剤を添加する層は写真感光材料の少なくとも1層であれ
ば特に限定されず、例えば表面保護層、乳剤層、中間層
、下塗層、バンク層などを挙げることができる。その中
でも好ましい添加場所としては表面保護層であり、乳剤
層側もしくはハック層側のどちらか一方でもよいが、両
方の表面保護層に添加した場合は更に好ましい。
表面保護層が2層以上から成る場合はそのいづれの層で
もよく、又表面保護層の上にさらにオーバーコートして
用いることもできる。
もよく、又表面保護層の上にさらにオーバーコートして
用いることもできる。
本発明の含フツ素界面活性剤の使用量は写真感光材料の
1平方メートルあたり0.0001〜1gであればよい
が、より好ましくは0.0002〜0.25g、特に好
ましいのは0.0003〜0.1gである。
1平方メートルあたり0.0001〜1gであればよい
が、より好ましくは0.0002〜0.25g、特に好
ましいのは0.0003〜0.1gである。
又、本発明の含フツ素界面活性剤は、2種以上混合して
もよい。
もよい。
次に本発明の含フツ素界面活性剤を含有する層あるいは
他の層に別の帯電防止剤を併用することもでき、こうす
ることによって更に好ましい帯電防止効果を得ることも
できる。
他の層に別の帯電防止剤を併用することもでき、こうす
ることによって更に好ましい帯電防止効果を得ることも
できる。
次に本発明に使用する一般式(1)のヒドラジン誘導体
について説明する。
について説明する。
一般式([)
式中、R4は脂肪族基または芳香族基を表わし、R2は
水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アミノ基、カルバモイル基又はオキシ
カルネボニル基を表わし、Gはカルボニル基、スルホニ
ル基、スルホキシ基、A2はともに水素原子あるいは一
方が水素原子で他方が置換もしくは無置換のアルキルス
ルホニル基、又は置換もしくは無置換のアリールスルホ
ニル基、又は置換もしくは無置換のアシル基を表わす。
水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アミノ基、カルバモイル基又はオキシ
カルネボニル基を表わし、Gはカルボニル基、スルホニ
ル基、スルホキシ基、A2はともに水素原子あるいは一
方が水素原子で他方が置換もしくは無置換のアルキルス
ルホニル基、又は置換もしくは無置換のアリールスルホ
ニル基、又は置換もしくは無置換のアシル基を表わす。
般式(1)において、R1で表される脂肪族基は好まし
くは炭素数1〜30のものであって、特に炭素数1〜2
0の直鎖、分岐または環状のアルキル基である。ここで
分岐アルキル基はその中に1つまたはそれ以上のへテロ
原子を含んだ飽和のへテロ環を形成するように環化され
ていてもよい。またこのアルキル基は、アリール基、ア
ルコキシ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、カルボ
ンアミド基等の置換基を有していてもよい。
くは炭素数1〜30のものであって、特に炭素数1〜2
0の直鎖、分岐または環状のアルキル基である。ここで
分岐アルキル基はその中に1つまたはそれ以上のへテロ
原子を含んだ飽和のへテロ環を形成するように環化され
ていてもよい。またこのアルキル基は、アリール基、ア
ルコキシ基、スルホキシ基、スルホンアミド基、カルボ
ンアミド基等の置換基を有していてもよい。
一般式(1)においてR1で表される芳香族基は単環ま
たは2環のアリール基または不飽和へテロ環基である。
たは2環のアリール基または不飽和へテロ環基である。
ここで不飽和小テロ環基は単環または2環のアリール基
と結合してヘテロアリール基を形成してもよい。
と結合してヘテロアリール基を形成してもよい。
例えばベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミ
ジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、キノリン環、
イソキノリン環、ベンズイミダゾール環、チアゾール環
、ヘンジチアゾール環等があるがなかでもベンゼン環を
含むものが好ましい。
ジン環、イミダゾール環、ピラゾール環、キノリン環、
イソキノリン環、ベンズイミダゾール環、チアゾール環
、ヘンジチアゾール環等があるがなかでもベンゼン環を
含むものが好ましい。
R1として特に好ましいものはアリール基である。
R1のアリール基または不飽和へテロ環基は置換されて
いてもよく、代表的な置換基としては、直鎖、分岐また
は環状のアルキル基(好ましくは炭素数1〜20のもの
)、アラルキル基(好ましくはアルキル部分の炭素数が
1〜3の単環または2環のもの)、アルコキシ基(好ま
しくは炭素数1〜20のもの)、置換アミノ基(好まし
くは炭素数1〜20のアルキル基で置換されたアミノ基
)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30を持つ
もの)、スルホンアミド基(好ましくは炭素数1〜30
を持つもの)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30
を持つもの)などがある。
いてもよく、代表的な置換基としては、直鎖、分岐また
は環状のアルキル基(好ましくは炭素数1〜20のもの
)、アラルキル基(好ましくはアルキル部分の炭素数が
1〜3の単環または2環のもの)、アルコキシ基(好ま
しくは炭素数1〜20のもの)、置換アミノ基(好まし
くは炭素数1〜20のアルキル基で置換されたアミノ基
)、アシルアミノ基(好ましくは炭素数2〜30を持つ
もの)、スルホンアミド基(好ましくは炭素数1〜30
を持つもの)、ウレイド基(好ましくは炭素数1〜30
を持つもの)などがある。
一般式(I)においてR2で表わされるアルキル基とし
ては、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基であって、
ハロゲン原子、シアン基、カルボキシ基、スルホ基、ア
ルコキシ基、フェニル基などの置換基を有していてもよ
い。
ては、好ましくは炭素数1〜4のアルキル基であって、
ハロゲン原子、シアン基、カルボキシ基、スルホ基、ア
ルコキシ基、フェニル基などの置換基を有していてもよ
い。
R2で表されるアリール基は単環または2環のアリール
基が好ましく、例えばベンゼン環を含むものである。こ
のアリール基は、例えばハロゲン原子、アルキル基、シ
アノ基、カルボキシル基、スルホ基などで置換されてい
てもよい。
基が好ましく、例えばベンゼン環を含むものである。こ
のアリール基は、例えばハロゲン原子、アルキル基、シ
アノ基、カルボキシル基、スルホ基などで置換されてい
てもよい。
アルコキシ基としては炭素数1〜8のアルコキシ基のも
のが好ましく、ハロゲン原子、アリール基などで置換さ
れていてもよい。
のが好ましく、ハロゲン原子、アリール基などで置換さ
れていてもよい。
アラルキル基としては単環のものが好ましく、また置換
基としてはハロゲン原子などがある。
基としてはハロゲン原子などがある。
アミノ基としては無置換アミノ基及び、炭素数1〜10
のアルキルアミノ基、了り−ルアミノ基が好ましく、ア
ルキル基、ハロゲン原子、シアン基、ニトロ基、カルボ
キシ基などで置換されていてもよい。カルバモイル基と
しては無置換カルバモイル基、及び炭素数1〜10のア
ルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基が好ま
しく、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキ
シ基などで置換されていてもよい。
のアルキルアミノ基、了り−ルアミノ基が好ましく、ア
ルキル基、ハロゲン原子、シアン基、ニトロ基、カルボ
キシ基などで置換されていてもよい。カルバモイル基と
しては無置換カルバモイル基、及び炭素数1〜10のア
ルキルカルバモイル基、アリールカルバモイル基が好ま
しく、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキ
シ基などで置換されていてもよい。
オキシカルボニル基としては、炭素数1〜10のアルコ
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基が好ま
しく、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
などで置換されていてもよい。
キシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基が好ま
しく、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
などで置換されていてもよい。
R2で表わされる基のうち好ましいものは、Gがカルボ
ニル基の場合には、水素原子、アルキル基(例えば、メ
チル基、トリフルオロメチル基、3−ヒドロキシプロピ
ル基、3−メタンスルホンアミドプロピル基など)、ア
ラルキル基(例えば、0−ヒドロキシベンジル基など)
、アリール基(例えば、フェニル基、3,5−ジクロロ
フェニル基、0−メタンスルホンアミドフェニル基、4
メタンスルホニルフエニル基など)などであり、特に水
素原子が好ましい。
ニル基の場合には、水素原子、アルキル基(例えば、メ
チル基、トリフルオロメチル基、3−ヒドロキシプロピ
ル基、3−メタンスルホンアミドプロピル基など)、ア
ラルキル基(例えば、0−ヒドロキシベンジル基など)
、アリール基(例えば、フェニル基、3,5−ジクロロ
フェニル基、0−メタンスルホンアミドフェニル基、4
メタンスルホニルフエニル基など)などであり、特に水
素原子が好ましい。
またG、がスルホニル基の場合には、R2はアルキル基
(例えば、メチル基など)、アラルキル基(例えば、0
−ヒドロキシフェニルメチル基など)、アリール基(例
えば、フェニル基など)または置換アミノ基(例えば、
ジメチルアミノ基など)などが好ましい。
(例えば、メチル基など)、アラルキル基(例えば、0
−ヒドロキシフェニルメチル基など)、アリール基(例
えば、フェニル基など)または置換アミノ基(例えば、
ジメチルアミノ基など)などが好ましい。
G1がスルホキシ基の場合、好ましいR2はシアノベン
ジル基、メチルチオベンジル基などであはメトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、フェニル基が
好ましく、特に、フェノキシ基が好適である。
ジル基、メチルチオベンジル基などであはメトキシ基、
エトキシ基、ブトキシ基、フェノキシ基、フェニル基が
好ましく、特に、フェノキシ基が好適である。
G1がN−置換または無置換イミノメチレン基の場合、
好ましいR2はメチル基、エチル基、置換または無置換
のフェニル基である。
好ましいR2はメチル基、エチル基、置換または無置換
のフェニル基である。
R2の置換基としては、R3に関して列挙した置換基が
適用できる他、例えばアシル基、アシルオキシ基、アル
キルもしくはアリールオキシカルボニル基、アルケニル
基、アルキニル基や二1・四基なども適用できる。
適用できる他、例えばアシル基、アシルオキシ基、アル
キルもしくはアリールオキシカルボニル基、アルケニル
基、アルキニル基や二1・四基なども適用できる。
一般式(1)のGとしてはカルボニル基が最も好ましい
。
。
又、R2はG + Rを部分を残余分子から分裂させ
、−G−R2部分の原子を含む環式構造を生成させる環
化反応を生起するようなものであってもよく、具体的に
は一般式(a)で表すことができるようなものである。
、−G−R2部分の原子を含む環式構造を生成させる環
化反応を生起するようなものであってもよく、具体的に
は一般式(a)で表すことができるようなものである。
一般式(a)
3 Z
式中、ZlはG1に対し求核的に攻撃し、G。
R,−Z、部分を残余分子から分裂させ得る基であり、
R3はR2から水素原子1細隙いたもので、Z、がG1
に対し求核攻撃し、G、、R3、Zlで環式構造が生成
可能なものである。
R3はR2から水素原子1細隙いたもので、Z、がG1
に対し求核攻撃し、G、、R3、Zlで環式構造が生成
可能なものである。
さらに詳細には、zlは一般式(1)ヒドラジン化合物
が酸化等により次の反応中間体を生成したときに容易に
G1と求核反応し R,−N=N−G、−R3−Z R,−N=N基をG、から分裂させうる基であり、具体
的にはOH,SHまたはN HRa (R4は水素原
子、アルキル基、アリール基、−CORS、または−S
O□R5であり、R1は水素原子、アルキル基、アリー
ル基、ヘテロ環基などを表す)、C0OHなどのように
G1 と直接反応する官能基であってもよく (ここで
、OH,SH,NHR4、C0OHはアルカリ等の加水
分解によりこれらの基を生成するように一時的に保護さ
れていてもON−R。
が酸化等により次の反応中間体を生成したときに容易に
G1と求核反応し R,−N=N−G、−R3−Z R,−N=N基をG、から分裂させうる基であり、具体
的にはOH,SHまたはN HRa (R4は水素原
子、アルキル基、アリール基、−CORS、または−S
O□R5であり、R1は水素原子、アルキル基、アリー
ル基、ヘテロ環基などを表す)、C0OHなどのように
G1 と直接反応する官能基であってもよく (ここで
、OH,SH,NHR4、C0OHはアルカリ等の加水
分解によりこれらの基を生成するように一時的に保護さ
れていてもON−R。
]111
よい〕、あるいは、−C−Rh 、−C−R。
(R6、R7は水素原子、アルキル基、アルケニル基、
アリール基またはへテロ環基を表す)のように水酸イオ
ンや亜硫酸イオン等のような求核剤を反応することで0
1と反応することが可能になる官能基であってもよい。
アリール基またはへテロ環基を表す)のように水酸イオ
ンや亜硫酸イオン等のような求核剤を反応することで0
1と反応することが可能になる官能基であってもよい。
また、G、、R3、Z、で形成される環としては5員ま
たは6員のものが好ましい。
たは6員のものが好ましい。
一般弐(a)で表されるもののうち、好ましいものとし
ては一般式(b)及び(C)で表されるものを挙げるこ
とができる。
ては一般式(b)及び(C)で表されるものを挙げるこ
とができる。
一般式(b)
式中、R1−R1は水素原子、アルキル基(好ましくは
炭素数1〜12のもの)、アルケニル基(好ましくは炭
素数2〜12のもの)、アリール基(好ましくは炭素数
6〜12のもの)などを表し、同じでも異なってもよい
。Bは置換基を有してもよい5員環または6員環を完成
するのに必要な原子であり、m、nは0または1であり
、(n+m)は1または2である。
炭素数1〜12のもの)、アルケニル基(好ましくは炭
素数2〜12のもの)、アリール基(好ましくは炭素数
6〜12のもの)などを表し、同じでも異なってもよい
。Bは置換基を有してもよい5員環または6員環を完成
するのに必要な原子であり、m、nは0または1であり
、(n+m)は1または2である。
Bで形成される5員または6員環としては、例えば、シ
クロヘキセン環、シクロヘプテン環、ヘンゼン環、ナフ
タレン環、ピリジン環、キノリン環などである。
クロヘキセン環、シクロヘプテン環、ヘンゼン環、ナフ
タレン環、ピリジン環、キノリン環などである。
Zl は一般(a)と同義である。
一般式(C)
R。
式中、Rc、Rcは水素原子、アルキル基、アルケニル
基、アリール基またはハロゲン原子などを表し、同じで
も異なってもよい。
基、アリール基またはハロゲン原子などを表し、同じで
も異なってもよい。
Rcは水素原子、アルキル基、アルケニル基、またはア
リール基を表す。
リール基を表す。
PはOまたは1を表し、qは1〜4を表す。
核攻撃し得る構造の限りにおいて互いに結合して環を形
成してもよい。
成してもよい。
Rc、Rcは好ましくは水素原子、ノ\ロゲン原子、ま
たはアルキル基であり、RCは好ましくははアルキル基
またはアリール基である。
たはアルキル基であり、RCは好ましくははアルキル基
またはアリール基である。
qは好ましくは1〜3を表し、qが1のときpは1また
は2を、qが2のときpは0または1を、qが3のとき
pはOまたは1を表し、qが2または3のときCRcR
cは同一でも異なってもよい。
は2を、qが2のときpは0または1を、qが3のとき
pはOまたは1を表し、qが2または3のときCRcR
cは同一でも異なってもよい。
Zlは一般式(a)と同義である。
AI、A2は水素原子、炭素数20以下のアルキルスル
ホニル基およびアリールスルホニル基(好ましくはフェ
ニルスルホニル基又はハメントの置換基定数の和が−0
,5以上となるように置換すしたフェニルスルホニル基
)、炭素数20以下のアシル基(好ましくはベンゾイル
基、又は)\メットの置換基定数の和が−0,5以上と
なるように置換されたベンゾイル基、あるいは直鎖又は
分岐状又は環状の無置換及び置換脂肪族アシル基(置換
基としては例えばハロゲン原子、エーテル基、スルホン
アミド基、カルボンアミド基、水酸基、カルボキシ基、
スルホン酸基が挙げられる。))AI、A2としては水
素原子が最も好ましい。
ホニル基およびアリールスルホニル基(好ましくはフェ
ニルスルホニル基又はハメントの置換基定数の和が−0
,5以上となるように置換すしたフェニルスルホニル基
)、炭素数20以下のアシル基(好ましくはベンゾイル
基、又は)\メットの置換基定数の和が−0,5以上と
なるように置換されたベンゾイル基、あるいは直鎖又は
分岐状又は環状の無置換及び置換脂肪族アシル基(置換
基としては例えばハロゲン原子、エーテル基、スルホン
アミド基、カルボンアミド基、水酸基、カルボキシ基、
スルホン酸基が挙げられる。))AI、A2としては水
素原子が最も好ましい。
般式(1)のR1またはR2はその中にカプラー等の不
動性写真用添加剤において常用されているバラスト基が
組み込まれているものでもよい。
動性写真用添加剤において常用されているバラスト基が
組み込まれているものでもよい。
パラスト基は8以上の炭素数を有する写真性に対して比
較的不活性な基であり、例えばアルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、
アルキルフェノキシ基などの中から選ぶことができる。
較的不活性な基であり、例えばアルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、アルキルフェニル基、フェノキシ基、
アルキルフェノキシ基などの中から選ぶことができる。
一般式(1)のR1またはR2はその中にハロゲン化銀
粒子表面に対する吸着を強める基が組み込まれているも
のでもよい。かかる吸着基としては、チオ尿素基、複素
環チオアミド基、メルカプト複素環基、トリアゾール基
などの米国特許第4゜385.108号、同4,459
.347号、特開昭59−195.233号、同59−
200゜231号、同59−201.045号、同59
201 046号、同59−201,047号、同59
−201.048号、同59−201.049号、特開
昭61−170.733号、同61−270 744号
、同62−948号、特願昭62−67 508号、同
62−67.501号、同62−67.510号に記載
された基があげられる。
粒子表面に対する吸着を強める基が組み込まれているも
のでもよい。かかる吸着基としては、チオ尿素基、複素
環チオアミド基、メルカプト複素環基、トリアゾール基
などの米国特許第4゜385.108号、同4,459
.347号、特開昭59−195.233号、同59−
200゜231号、同59−201.045号、同59
201 046号、同59−201,047号、同59
−201.048号、同59−201.049号、特開
昭61−170.733号、同61−270 744号
、同62−948号、特願昭62−67 508号、同
62−67.501号、同62−67.510号に記載
された基があげられる。
−C式(1)で示される化合物の具体例を以下に示す。
但し本発明は以下の化合物に限定されるものではない。
■−3)
■
■−8)
■−9)
CH2CH2CH2SH
H
■
■
■
I−10)
■
■
l−14)
■
S)1
■
■
■
■
■
■
l−35)
■
し211
しLLIII
本発明に用いられるヒドラジン誘導体としては、上記の
もツノ他に、RESEARCHDISCLO5IIRE
Item23516 (1983年11月号、P、3
46)およびそこに引用された文献の他、米国特許4゜
080.207号、同4,269,929号、同4.2
76.364号、同4. 278.、、.748号、同
4,385,108号、同4.459 347号、同4
,560.638号、同4,478,928号、英国特
許2.011.391B、特開昭60−179734号
、特開昭61−170 733号、同61−270,7
44号、同62−948号、BP217,310号、特
願昭61−175.234号、同61−251,482
号、同61−268.249号、同61−276.28
3号、同62−67.508号、同62−67529号
、同62−67.510号、同62−58.513号、
同62−130,819号、同62−143,469号
、同62−166.117号に記載されたものを用いる
ことができる。
もツノ他に、RESEARCHDISCLO5IIRE
Item23516 (1983年11月号、P、3
46)およびそこに引用された文献の他、米国特許4゜
080.207号、同4,269,929号、同4.2
76.364号、同4. 278.、、.748号、同
4,385,108号、同4.459 347号、同4
,560.638号、同4,478,928号、英国特
許2.011.391B、特開昭60−179734号
、特開昭61−170 733号、同61−270,7
44号、同62−948号、BP217,310号、特
願昭61−175.234号、同61−251,482
号、同61−268.249号、同61−276.28
3号、同62−67.508号、同62−67529号
、同62−67.510号、同62−58.513号、
同62−130,819号、同62−143,469号
、同62−166.117号に記載されたものを用いる
ことができる。
本発明におけるヒドラジン誘導体の添加量としてはハロ
ゲン化銀1モル当たりlXl0−6〜5×10−2モル
、特に1×10−5〜lXl0−2モルであることが好
ましい。
ゲン化銀1モル当たりlXl0−6〜5×10−2モル
、特に1×10−5〜lXl0−2モルであることが好
ましい。
本発明の写真乳剤及び非感光性の親水性コロイドには無
機または有機のゼラチン硬化剤を含有させることができ
る。例えば活性ビニル化合物(1゜3.5−1−リアク
リロイル−へキサヒドロ−Sトリアジン、ビス(ビニル
スルホニル)メチルエーテル、N、N’−メチレンヒス
−〔β−(ビニルスルホニル)プロピオンアミド〕など
)、活性ハロケン化合物(2,4−ジクロル−6−ヒド
ロキシ−s−トリアジンなど)、ムコハロゲン酸類(ム
コクロル酸など)、N−カルバモイルピリジニウム塩!
((1−モルホリ、カルボニル−3ピリジニオ)メタン
スルホナートなど)、ハロアミジニウム塩類(1−(1
−クロロ−1−ピリジノメチレン)ピロリジニウム、2
−ナフタレンスルホナートなど)を単独または組合せて
用いることができる。なかでも、特開昭53−4122
0、同53−57257、同59−162546、同6
0−80846に記載の活性ビニル化合物および米国特
許3,325,287号に記載の活性ハロゲン化物が好
ましい。
機または有機のゼラチン硬化剤を含有させることができ
る。例えば活性ビニル化合物(1゜3.5−1−リアク
リロイル−へキサヒドロ−Sトリアジン、ビス(ビニル
スルホニル)メチルエーテル、N、N’−メチレンヒス
−〔β−(ビニルスルホニル)プロピオンアミド〕など
)、活性ハロケン化合物(2,4−ジクロル−6−ヒド
ロキシ−s−トリアジンなど)、ムコハロゲン酸類(ム
コクロル酸など)、N−カルバモイルピリジニウム塩!
((1−モルホリ、カルボニル−3ピリジニオ)メタン
スルホナートなど)、ハロアミジニウム塩類(1−(1
−クロロ−1−ピリジノメチレン)ピロリジニウム、2
−ナフタレンスルホナートなど)を単独または組合せて
用いることができる。なかでも、特開昭53−4122
0、同53−57257、同59−162546、同6
0−80846に記載の活性ビニル化合物および米国特
許3,325,287号に記載の活性ハロゲン化物が好
ましい。
本発明に用いられるハロゲン化銀乳剤は塩化銀、塩臭化
銀、沃臭化銀、沃塩臭化銀等どの組成でも良い。
銀、沃臭化銀、沃塩臭化銀等どの組成でも良い。
本発明に用いられるハロゲン化銀の平均粒子サイズは微
粒子(例えば0.7μ以下)の方が好ましく、特に0.
5μ以下が好ましい。粒子サイズ分布は基本的には制限
はないが、単分散である方が好ましい。ここでいう単分
散とは重量もしくは粒子数で少なくともその95%が平
均粒子サイズの±40%以内の大きさを持つ粒子群から
構成されていることをいう。
粒子(例えば0.7μ以下)の方が好ましく、特に0.
5μ以下が好ましい。粒子サイズ分布は基本的には制限
はないが、単分散である方が好ましい。ここでいう単分
散とは重量もしくは粒子数で少なくともその95%が平
均粒子サイズの±40%以内の大きさを持つ粒子群から
構成されていることをいう。
写真乳剤中のハロゲン化銀粒子は立方体、八面体のよう
な規則的(regular)な結晶体を有するものでも
よく、また球状、板状などのような変則的(i rre
gu l ar)な結晶をもつもの、あるいはこれらの
結晶形の複合形を持つものであってもよい。
な規則的(regular)な結晶体を有するものでも
よく、また球状、板状などのような変則的(i rre
gu l ar)な結晶をもつもの、あるいはこれらの
結晶形の複合形を持つものであってもよい。
ハロゲン化銀粒子は内部と表層が均一な相から成ってい
ても、異なる相がらなっていてもよい。
ても、異なる相がらなっていてもよい。
別々に形成した2種以上のハロゲン化銀乳剤を混合して
使用してもよい。
使用してもよい。
本発明に用いるハロゲン化銀乳剤にはハロゲン化銀粒子
の形成または物理熟成の過程においてカドミウム塩、亜
硫酸塩、鉛塩、タリウム塩、ロジウム塩もしくはその錯
塩、イリジウム塩もしくはその錯塩などを共存させても
よい。
の形成または物理熟成の過程においてカドミウム塩、亜
硫酸塩、鉛塩、タリウム塩、ロジウム塩もしくはその錯
塩、イリジウム塩もしくはその錯塩などを共存させても
よい。
本発明の方法で用いるハロゲン化銀乳剤は化学増感され
ていなくてもよいが、化学増感されていてもよい。ハロ
ゲン化銀乳剤の化学増感の方法として、硫黄増感、還元
増感及び貴金属増感法が知られており、これらのいずれ
をも単独で用いても、又併用して化学増感してもよい。
ていなくてもよいが、化学増感されていてもよい。ハロ
ゲン化銀乳剤の化学増感の方法として、硫黄増感、還元
増感及び貴金属増感法が知られており、これらのいずれ
をも単独で用いても、又併用して化学増感してもよい。
写真乳剤の結合剤または保護コロイドとしては、ゼラチ
ンを用いるのが有利であるが、それ以外の親水性コロイ
ドも用いることができる。たとえばゼラチン誘導体、ゼ
ラチンと他の高分子とのグラフトポリマー、アルブミン
、カゼイン等の蛋白質;ヒドロキシエチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース、セルロース硫酸エステル
類等の如きセルロース誘導体、アルギン酸ソーゾ、澱粉
誘導体などの糖誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルコール部分アセタール、ポリ−N−ビニルピロ
リドン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアク
リルアミド、ポリビニルイミダゾール、ポリビニルピラ
ゾール等の単一あるいは共重合体の如き多種の合成親水
性高分子物質を用いることができる。
ンを用いるのが有利であるが、それ以外の親水性コロイ
ドも用いることができる。たとえばゼラチン誘導体、ゼ
ラチンと他の高分子とのグラフトポリマー、アルブミン
、カゼイン等の蛋白質;ヒドロキシエチルセルロース、
カルボキシメチルセルロース、セルロース硫酸エステル
類等の如きセルロース誘導体、アルギン酸ソーゾ、澱粉
誘導体などの糖誘導体、ポリビニルアルコール、ポリビ
ニルアルコール部分アセタール、ポリ−N−ビニルピロ
リドン、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアク
リルアミド、ポリビニルイミダゾール、ポリビニルピラ
ゾール等の単一あるいは共重合体の如き多種の合成親水
性高分子物質を用いることができる。
ゼラチンとしては石炭処理ゼラチンのほか、酸処理ゼラ
チンを用いてもよく、ゼラチン加水分解物、ゼラチン酵
素分解物も用いることができる。
チンを用いてもよく、ゼラチン加水分解物、ゼラチン酵
素分解物も用いることができる。
本発明で用いられるハロゲン化銀乳剤層には、公知の分
光増感色素を添加してもよい。
光増感色素を添加してもよい。
本発明に用いられる写真乳剤には、感光材料の製造工程
、保存中あるいは写真処理中のカプリを防止し、あるい
は写真性能を安定化させる目的で、種々の化合物を含有
させることができる。すなわち、アゾール類たとえばベ
ンゾチアゾリウム塩、ニトロイア タソ−71/ M
、トリアゾール類、ペンツトリアゾール類、ベンズイミ
ダゾール類(特にニトロ−またはハロゲン置換体):ヘ
テロ環メルカプト化合物類たとえばメルカプトチアゾー
ル類、メルカプトベンゾチアゾール類、メルカプトベン
ズイミダゾール類、メルカプトチアジアゾール類、メル
カプトテトラゾール類(特に1−フェニル−5−メルカ
プトテトラゾール) メルカプトピリミジン類;カルボ
キシル基やスルホン基などの水溶性基を有する上記へテ
ロ還メルカプト化合物頻;チオケト化合物たとえばオキ
サゾリンチオン1アザインデン類たとえばテトラアザイ
ンデン類(特に4−ヒドロキシ置換(1,3,3a、7
)テトラアザインデン類);ベンゼンチオスルボン酸類
;ベンゼンスルフィン酸、ハイドロキノン類などのよう
なカブリ防止剤または安定剤とに知られた多くの化合物
を加えることができる。
、保存中あるいは写真処理中のカプリを防止し、あるい
は写真性能を安定化させる目的で、種々の化合物を含有
させることができる。すなわち、アゾール類たとえばベ
ンゾチアゾリウム塩、ニトロイア タソ−71/ M
、トリアゾール類、ペンツトリアゾール類、ベンズイミ
ダゾール類(特にニトロ−またはハロゲン置換体):ヘ
テロ環メルカプト化合物類たとえばメルカプトチアゾー
ル類、メルカプトベンゾチアゾール類、メルカプトベン
ズイミダゾール類、メルカプトチアジアゾール類、メル
カプトテトラゾール類(特に1−フェニル−5−メルカ
プトテトラゾール) メルカプトピリミジン類;カルボ
キシル基やスルホン基などの水溶性基を有する上記へテ
ロ還メルカプト化合物頻;チオケト化合物たとえばオキ
サゾリンチオン1アザインデン類たとえばテトラアザイ
ンデン類(特に4−ヒドロキシ置換(1,3,3a、7
)テトラアザインデン類);ベンゼンチオスルボン酸類
;ベンゼンスルフィン酸、ハイドロキノン類などのよう
なカブリ防止剤または安定剤とに知られた多くの化合物
を加えることができる。
本発明を用いて作られる感光材料の写真乳剤層または他
の親水性コロイド層には塗布助剤、帯電防止、スベリ性
改良、乳化分散、接着防止及び写真特性改良(例えば、
現像促進、硬調化、増感)等種々の目的で、種々の界面
活性剤を含んでもよい。
の親水性コロイド層には塗布助剤、帯電防止、スベリ性
改良、乳化分散、接着防止及び写真特性改良(例えば、
現像促進、硬調化、増感)等種々の目的で、種々の界面
活性剤を含んでもよい。
例えばサポニン(ステロイド系)、アルキレンオキサイ
ド誘導体(例えばポリエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール/ポリプロピレングリコール縮合物、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテルa又aポ’Jエチ
レングリコールアルキルアリールエーテル類、ポリエチ
レングリコールエステル類、ポリエチレングリコールソ
ルビタンエステル類、ポリアルキレンクリコールアルキ
ルアミン又はアミド類、シリコーンのポリエチレンオキ
サイド付加物類)、グリシドール誘導体(例えばアルケ
ニルコハク酸ポリグリセリド、アルキルフェノールポリ
グリセリド)、多価アルコールの脂肪酸エステル類、糖
のアルキルエステル類すどの非イオン性界面活性剤;ア
ルキルカルボン酸塩、アルキルスルフォン酸塩、アルキ
ルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフ
ォン酸塩、アルキル硫酸エステル類、アルキルリン酸エ
ステル類、N−アシル−N−アルキルタウリン類、スル
ホコハク酸エステル類、スルホアルキルポリオキシエチ
レンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレン
アルキルリン酸エステル類すどのような、カルボキン基
、スルホ基、ホスホ基、硫酸エステル基、リン酸エステ
ル基等の酸性基を含むアニオン界面活性剤ニアミノ酸類
、アミノアルキルスルホン酸類、アミノアルキル硫酸又
はリン酸エステル類、アルキルベタイン類、アミンオキ
シド類などの両性界面活性剤、アルキルアミン塩類、脂
肪族あるいは芳香族第1級アンモニウム塩類、ピリジニ
ウム、イミダゾリウムなどの複素環筒グ級アンモニウム
塩類、及び脂肪族又は複素環を含むホスホニウム又はス
ルホニウム塩類などのカチオン界面活性剤を用いること
ができる。
ド誘導体(例えばポリエチレングリコール、ポリエチレ
ングリコール/ポリプロピレングリコール縮合物、ポリ
エチレングリコールアルキルエーテルa又aポ’Jエチ
レングリコールアルキルアリールエーテル類、ポリエチ
レングリコールエステル類、ポリエチレングリコールソ
ルビタンエステル類、ポリアルキレンクリコールアルキ
ルアミン又はアミド類、シリコーンのポリエチレンオキ
サイド付加物類)、グリシドール誘導体(例えばアルケ
ニルコハク酸ポリグリセリド、アルキルフェノールポリ
グリセリド)、多価アルコールの脂肪酸エステル類、糖
のアルキルエステル類すどの非イオン性界面活性剤;ア
ルキルカルボン酸塩、アルキルスルフォン酸塩、アルキ
ルベンゼンスルフォン酸塩、アルキルナフタレンスルフ
ォン酸塩、アルキル硫酸エステル類、アルキルリン酸エ
ステル類、N−アシル−N−アルキルタウリン類、スル
ホコハク酸エステル類、スルホアルキルポリオキシエチ
レンアルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレン
アルキルリン酸エステル類すどのような、カルボキン基
、スルホ基、ホスホ基、硫酸エステル基、リン酸エステ
ル基等の酸性基を含むアニオン界面活性剤ニアミノ酸類
、アミノアルキルスルホン酸類、アミノアルキル硫酸又
はリン酸エステル類、アルキルベタイン類、アミンオキ
シド類などの両性界面活性剤、アルキルアミン塩類、脂
肪族あるいは芳香族第1級アンモニウム塩類、ピリジニ
ウム、イミダゾリウムなどの複素環筒グ級アンモニウム
塩類、及び脂肪族又は複素環を含むホスホニウム又はス
ルホニウム塩類などのカチオン界面活性剤を用いること
ができる。
特に本発明において好ましく用いられる界面活性剤は特
公昭!g−タ弘72号公報に記載された分子量6QQ以
上のポリアルキレンオキサイド類である。又、寸度安定
性の為にポリアルキルアクリレートの如きポリマーラテ
ックスを含有せしめることができる。
公昭!g−タ弘72号公報に記載された分子量6QQ以
上のポリアルキレンオキサイド類である。又、寸度安定
性の為にポリアルキルアクリレートの如きポリマーラテ
ックスを含有せしめることができる。
また、感材同志の接着防止あるいは加筆性向上、真空密
着性向上の目的でポリメチルメタクリレートの如き球形
の粒子又は二酸化ケイ素の如き不定形の粒子をマット剤
として含有することができる。
着性向上の目的でポリメチルメタクリレートの如き球形
の粒子又は二酸化ケイ素の如き不定形の粒子をマット剤
として含有することができる。
平均粒子サイズは0./μ〜10μで好ましくは/〜5
μでろる。
μでろる。
本発明の感光材料の支持体としてはセルローストリアセ
テート、セルロースジアセテート、ニトロセルロース、
ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどを用い
うることかできる。
テート、セルロースジアセテート、ニトロセルロース、
ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートなどを用い
うることかできる。
本発明に用いるのに適した現像促進剤あるいは造核伝染
現像の促進剤としては、特開昭53−77Alt号、同
j’l−37732号、同!3−737/33号、同6
0−/≠03≠θ号、同60−711939号などに開
示されている化合物の他、N又はS原子を含む各種の化
合物が有効である。
現像の促進剤としては、特開昭53−77Alt号、同
j’l−37732号、同!3−737/33号、同6
0−/≠03≠θ号、同60−711939号などに開
示されている化合物の他、N又はS原子を含む各種の化
合物が有効である。
本発明のハロゲン化銀感光材料を用いて超硬調の写真特
性を得るには、従来の伝染現像液や米国特許節2,41
9,975号に記載されたpH13に近い高アルカリ現
像液を用いる必要はなく、安定な現像液を用いることが
できる。
性を得るには、従来の伝染現像液や米国特許節2,41
9,975号に記載されたpH13に近い高アルカリ現
像液を用いる必要はなく、安定な現像液を用いることが
できる。
すなわち、本発明のハロゲン化銀感光材料は、保恒側と
しての亜硫酸イオンを0.15モル/p以上含み、p
H,10,5〜12.3、特にp Hll、0〜12.
0の現像液によって充分に超硬調のネガ画像を得ること
ができる。
しての亜硫酸イオンを0.15モル/p以上含み、p
H,10,5〜12.3、特にp Hll、0〜12.
0の現像液によって充分に超硬調のネガ画像を得ること
ができる。
本発明の方法において用いうる現像主薬には特別な制限
はなく、例えばジヒドロキシベンゼン類(例えばハイド
ロキノン)、3−ピラゾリドン類(例えば1−フェニル
−3−ピラゾリドン、4゜4−ジメチル−1−フェニル
−3−ピラゾリドン)、アミノフェノール類(例えばN
−メチル−p−アミノフェノール)などを単独あるいは
組み合わせてもちいることができる。
はなく、例えばジヒドロキシベンゼン類(例えばハイド
ロキノン)、3−ピラゾリドン類(例えば1−フェニル
−3−ピラゾリドン、4゜4−ジメチル−1−フェニル
−3−ピラゾリドン)、アミノフェノール類(例えばN
−メチル−p−アミノフェノール)などを単独あるいは
組み合わせてもちいることができる。
本発明のハロゲン化銀感光材料は特に、主現像主薬とし
てジヒドロキシベンゼン類を、補助現像主薬として3−
ピラゾリドン類またはアミノフェノール類を含む現像液
で処理されるのに適している。好ましくはこの現像液に
おいてジヒドロキシベンゼン類は0.05〜0.5モル
/1.3−ピラゾリドン類またはアミンフェノール類は
0.06モル/l以下の範囲で併用される。
てジヒドロキシベンゼン類を、補助現像主薬として3−
ピラゾリドン類またはアミノフェノール類を含む現像液
で処理されるのに適している。好ましくはこの現像液に
おいてジヒドロキシベンゼン類は0.05〜0.5モル
/1.3−ピラゾリドン類またはアミンフェノール類は
0.06モル/l以下の範囲で併用される。
また米国特許4,269,929号に記載されているよ
うに、アミン類を現像液に添加することによって現像速
度を高め、現像時間の短縮化を実現することもできる。
うに、アミン類を現像液に添加することによって現像速
度を高め、現像時間の短縮化を実現することもできる。
現像液にはその他、アルカリ金属の亜硫酸塩、炭酸塩、
ホウ酸塩、及びリン酸塩の如きpH緩衝剤、臭化物、沃
化物、及び有機カブリ防止剤(特に好ましくはニトロイ
ンダゾール類またはベンゾトリアゾール類)の如き現像
抑制剤ないし、カプリ防止剤などを含むことができる。
ホウ酸塩、及びリン酸塩の如きpH緩衝剤、臭化物、沃
化物、及び有機カブリ防止剤(特に好ましくはニトロイ
ンダゾール類またはベンゾトリアゾール類)の如き現像
抑制剤ないし、カプリ防止剤などを含むことができる。
又必要に応じて、硬水軟化剤、溶解助剤、色調剤、現像
促進剤、界面活性剤(とくに好ましくは前述のポリアル
キレンオキサイド類)、消泡剤、硬膜剤、フィルムの銀
汚れ防止剤(例えば2−メルカプトベンズイミダゾール
スルホン酸類など)を含んでもよい。
促進剤、界面活性剤(とくに好ましくは前述のポリアル
キレンオキサイド類)、消泡剤、硬膜剤、フィルムの銀
汚れ防止剤(例えば2−メルカプトベンズイミダゾール
スルホン酸類など)を含んでもよい。
他方、定着液はチオ硫酸塩、水溶性アルミニウム化合物
、酢酸及び二塩基酸(例えば酒石酸、クエン酸又はこれ
らの塩)を含む水溶液であり、pH≠、j以上、好まし
くは1.乙〜、1.4t、より好寸しくは11. t
〜30を有する。
、酢酸及び二塩基酸(例えば酒石酸、クエン酸又はこれ
らの塩)を含む水溶液であり、pH≠、j以上、好まし
くは1.乙〜、1.4t、より好寸しくは11. t
〜30を有する。
定着液のpnは、膜の膨潤を変化させ残色に著しい影響
を与える。すガわちpnがj、lを越えると所定の硬膜
剤を導入しても膜の膨潤が大きく、乾燥不良、通過不良
等の搬送トラブルを生じ、それを防止するために多量の
硬膜剤を導入すると、硬膜剤の析出等によるフィルム汚
染を生ずる。
を与える。すガわちpnがj、lを越えると所定の硬膜
剤を導入しても膜の膨潤が大きく、乾燥不良、通過不良
等の搬送トラブルを生じ、それを防止するために多量の
硬膜剤を導入すると、硬膜剤の析出等によるフィルム汚
染を生ずる。
方、pHl1−、 +以下では残色、さらに弘、0以下
では定着不良等の問題を生ずる。しかるに本発明の上記
pH範囲および硬膜剤量で、残色の少ないフィルムを迅
速に得ることが可能に寿る。
では定着不良等の問題を生ずる。しかるに本発明の上記
pH範囲および硬膜剤量で、残色の少ないフィルムを迅
速に得ることが可能に寿る。
定着剤はチオ硫酸す) IJウム、チオ硫酸アンモニウ
ムなどのチオ硫酸塩を必須成分とするものであり、定着
速度の点からチオ硫酸アンモニウムが特に好寸しい。定
着剤の使用量は適宜変えることができ、一般には約o、
i〜約!モル/lである。
ムなどのチオ硫酸塩を必須成分とするものであり、定着
速度の点からチオ硫酸アンモニウムが特に好寸しい。定
着剤の使用量は適宜変えることができ、一般には約o、
i〜約!モル/lである。
本発明における定着液中の酸性硬膜剤としては、水溶性
アルミニウム塩、クロム塩さらに3価の鉄化合物を酸化
剤としてエチレンジアミン≠酢酸錯体がある。好ましい
化合物は水溶性アルミニウム塩であり、例えば塩化アル
ミニウム、硫酸アルミ−ラム、カリ明ばんなどがある。
アルミニウム塩、クロム塩さらに3価の鉄化合物を酸化
剤としてエチレンジアミン≠酢酸錯体がある。好ましい
化合物は水溶性アルミニウム塩であり、例えば塩化アル
ミニウム、硫酸アルミ−ラム、カリ明ばんなどがある。
好ましい添加量は0.01モル〜0.2モル/Lさらに
好ましくは0.03〜o、orモル/lである。
好ましくは0.03〜o、orモル/lである。
前述の二塩基酸として、酒石酸あるいはその誘導体、ク
エン酸あるいはその誘導体が単独で、あるいは二種以上
を併用することができる。これらの化合物は定着7&/
lにつきo、ootモル以上含むものが有効で、特に0
.O1モル/l−0゜03モル/lが特に有効である。
エン酸あるいはその誘導体が単独で、あるいは二種以上
を併用することができる。これらの化合物は定着7&/
lにつきo、ootモル以上含むものが有効で、特に0
.O1モル/l−0゜03モル/lが特に有効である。
具体的には、酒石酸、酒石酸カリウム、酒石酸ナトリウ
ム、酒石酸水素カリウム、酒石酸水素ナトリウム、酒石
酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム、酒石酸ア
ンモニウムカリウム、酒石酸アルミニウムカリウム、酒
石酸アンチモニルカリウム、酒石酸アンチモニルナトリ
ウム、酒石酸水素リチウム、酒石酸リチウム、酒石酸水
素マグネシウム、酒石酸ホウ素カリウム、酒石酸リチウ
ムカリウムなどがある。
ム、酒石酸水素カリウム、酒石酸水素ナトリウム、酒石
酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム、酒石酸ア
ンモニウムカリウム、酒石酸アルミニウムカリウム、酒
石酸アンチモニルカリウム、酒石酸アンチモニルナトリ
ウム、酒石酸水素リチウム、酒石酸リチウム、酒石酸水
素マグネシウム、酒石酸ホウ素カリウム、酒石酸リチウ
ムカリウムなどがある。
本発明において有効なりエン酸あるいはその誘導体の例
としてクエン酸、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウ
ム、クエン酸リチウム、クエン酸アンモニウムなどがあ
る。
としてクエン酸、クエン酸ナトリウム、クエン酸カリウ
ム、クエン酸リチウム、クエン酸アンモニウムなどがあ
る。
定着液には所望によシ保恒剤(例えば、亜硫酸塩、重亜
硫酸塩)、pH緩衝剤(例えば、酢酸、硼酸)、pH調
整剤(例えば、硫酸)、キレート剤(前述)を含むこと
ができる。ここでpH緩衝剤は、現像液のpnが高いの
で10〜’lc#/l。
硫酸塩)、pH緩衝剤(例えば、酢酸、硼酸)、pH調
整剤(例えば、硫酸)、キレート剤(前述)を含むこと
ができる。ここでpH緩衝剤は、現像液のpnが高いの
で10〜’lc#/l。
よシ好ましくは/ど〜、2 j !/l程度用いる。
定着温度及び時間は現像の場合と同様でおシ、約!θ0
C〜約to 0cで10秒〜7分が好ましい。
C〜約to 0cで10秒〜7分が好ましい。
本発明の方法によれば、現像、定着された写真材料は水
洗及び乾燥される。水洗は定着によって溶解した銀塩を
ほぼ完全に除くために行なわれ、約λθ0C〜約!0℃
で10秒〜3分が好ましい。乾燥は約ダO0C〜約10
00Cで行なわれ、乾燥時間は周囲の状態によって適宜
変えられるが、通常は約5秒〜3分3θ秒でよい。
洗及び乾燥される。水洗は定着によって溶解した銀塩を
ほぼ完全に除くために行なわれ、約λθ0C〜約!0℃
で10秒〜3分が好ましい。乾燥は約ダO0C〜約10
00Cで行なわれ、乾燥時間は周囲の状態によって適宜
変えられるが、通常は約5秒〜3分3θ秒でよい。
ローラー搬送型の自動現像機については米国特許第30
26772号明細書、同第3おりり7/号明細書などに
記載されておシ、本明細書においては単にローラー搬送
型プロセッサーとして言及する。ローラー搬送型プロセ
ッサーは現像、定着、水洗及び乾燥の四工程からなって
おシ、本発明の方法も、他の工程(例えば、停止工程)
を除外しないが、この四工程を踏襲するのが最も好まし
い。
26772号明細書、同第3おりり7/号明細書などに
記載されておシ、本明細書においては単にローラー搬送
型プロセッサーとして言及する。ローラー搬送型プロセ
ッサーは現像、定着、水洗及び乾燥の四工程からなって
おシ、本発明の方法も、他の工程(例えば、停止工程)
を除外しないが、この四工程を踏襲するのが最も好まし
い。
現像処理温度および定着処理温度は普通/ r6 cか
ら!O0Cの間で選ばれるが、よシ好ましくは2よ0C
からグ3℃である。
ら!O0Cの間で選ばれるが、よシ好ましくは2よ0C
からグ3℃である。
本発明の現像方法は特に自動現像機を用いる迅速処理に
適している。自動現像機としてはローラ搬送のもの、ベ
ルト搬送のものその他いずれでも使用できる。処理時間
は短くてよく、トータルで2分以内、特に100秒以下
、その中で現像に割り当てる時間15秒〜60秒、ある
いは定着時間は10秒〜40秒、水洗時間10秒〜60
秒という迅速処理に対しても充分効果を発揮する。
適している。自動現像機としてはローラ搬送のもの、ベ
ルト搬送のものその他いずれでも使用できる。処理時間
は短くてよく、トータルで2分以内、特に100秒以下
、その中で現像に割り当てる時間15秒〜60秒、ある
いは定着時間は10秒〜40秒、水洗時間10秒〜60
秒という迅速処理に対しても充分効果を発揮する。
本発明の現像液には銀汚れ防止剤として特開昭56−2
4347号に記載の化合物を用いることができる。現像
液中に添加する溶解助剤として特開昭61−26775
9号に記載の化合物を用いることができる。さらに現像
液に用いるpH緩衡剤として特開昭60−93433号
に記載の化合物あるいは特開昭62−186256号に
記載の化合物を用いることができる。
4347号に記載の化合物を用いることができる。現像
液中に添加する溶解助剤として特開昭61−26775
9号に記載の化合物を用いることができる。さらに現像
液に用いるpH緩衡剤として特開昭60−93433号
に記載の化合物あるいは特開昭62−186256号に
記載の化合物を用いることができる。
(発明の効果)
本発明によれば、安定な現像液を用いて、超硬調で、か
つピンホールの発生のし難いハロゲン化銀感光材料を得
ることができる。
つピンホールの発生のし難いハロゲン化銀感光材料を得
ることができる。
以下に実施例を挙げて、本発明の詳細な説明する。
なお、実施例に於いては下記処方の現像液及び定着液を
用いた。
用いた。
現像液
ハイドロキノン 5ON−メチル−
p−アミノフェノール 0゜水酸化ナトリウム
185−スルホサリチル酸 55
亜硫酸カリウム 11o。
p−アミノフェノール 0゜水酸化ナトリウム
185−スルホサリチル酸 55
亜硫酸カリウム 11o。
エチレンジアミン四酢酸二すト
リウム
臭化カリウム
5−メチルヘンヅトリアゾール
2−メルカプトヘンツイミダゾ
ールー5−スルホン酸
3−(5−メルカプトテトラシ
ル)ヘンゼンスルホン酸ナ
トリウム
N−n−ブチルジェタノールア
ミン 15.0gトリエン
スルホン酸す1−リウム 8.0g水を加えて
11pH=11.6に合せる
(水酸化 カリウムを加えて) pH11,60、3
g 0、2g 1、0g 10.0g o、 4g 硬膜定着剤 チオ硫酸アンモニウム 180g千オ硫酸
ナトリウム・5水塩 45g亜硫酸ナトリウム
18gニトリロ三酢酸
0.4g酒石酸
4.0g氷酢酸 30.
0g硫酸アルミニウム 11.0g水を
加えて 11アンモニアで
pHを4.7とする。
スルホン酸す1−リウム 8.0g水を加えて
11pH=11.6に合せる
(水酸化 カリウムを加えて) pH11,60、3
g 0、2g 1、0g 10.0g o、 4g 硬膜定着剤 チオ硫酸アンモニウム 180g千オ硫酸
ナトリウム・5水塩 45g亜硫酸ナトリウム
18gニトリロ三酢酸
0.4g酒石酸
4.0g氷酢酸 30.
0g硫酸アルミニウム 11.0g水を
加えて 11アンモニアで
pHを4.7とする。
実施例−に
軸延伸した厚味100μのポリエチレンテレフタレート
支持体の両面にゼラチン14mg/n?、ジエチレント
リアミンとアジビイン酸よりなるポリアミドとエビクロ
ルヒトリジンの反応物9mg/ボになる様に下塗層を塗
布した。次に表−1に示す様に下記に示す処方−(1)
の導電層及び処方−(2)のゼラチン層を支持体の両面
又は片方に塗布した。
支持体の両面にゼラチン14mg/n?、ジエチレント
リアミンとアジビイン酸よりなるポリアミドとエビクロ
ルヒトリジンの反応物9mg/ボになる様に下塗層を塗
布した。次に表−1に示す様に下記に示す処方−(1)
の導電層及び処方−(2)のゼラチン層を支持体の両面
又は片方に塗布した。
さらに一方の面に下記処方−(3)、(4)、(5)、
(6)のノ\ロゲン化銀乳剤層−1、−2、保護層−1
、−2を順次塗布し、反対側の面に下記処方(7)、(
8)のバンク層、保護層−3を順次塗布し、乾燥して試
料を作成した。
(6)のノ\ロゲン化銀乳剤層−1、−2、保護層−1
、−2を順次塗布し、反対側の面に下記処方(7)、(
8)のバンク層、保護層−3を順次塗布し、乾燥して試
料を作成した。
処方(1)導電層
5nOz/Sb (9/ 1重量比、平均粒径0.2
5μ) 165■/ボゼラチン
19■/ボ処方(2)ゼラチン層 ゼラチン 35■/ポサリチル
酸 17mg/ポジエチレントリ
アミンとアジピン 酸よりなるポリアミドとエピク ロルヒドリジンの反応物 6■/ポ処方(3)
ハロゲン化銀乳剤層−1 1液;水300戚、ゼラチン9g II ン& ; A g N 03 1 0 0
g 、 水4 0 0 rrdl■液; NaCji!
37 g 1(Nlla)JhCffi 1 、1
ml、水400 ml 45℃に保ったI液中に■液とI[lA液を同時に一定
の速度で添加した。この乳剤を当業者でよく知られた常
法で可溶性塩類を除去した後、ゼラチンを加え、安定剤
として6−メチル−4−ビトロキシ−133a、7−チ
トラアザインデンを添加した。この乳剤の平均粒子サイ
ズは0.20μの単分散乳剤であり、乳剤の収量1kg
当りに含有するゼラチン量は60gであった。
5μ) 165■/ボゼラチン
19■/ボ処方(2)ゼラチン層 ゼラチン 35■/ポサリチル
酸 17mg/ポジエチレントリ
アミンとアジピン 酸よりなるポリアミドとエピク ロルヒドリジンの反応物 6■/ポ処方(3)
ハロゲン化銀乳剤層−1 1液;水300戚、ゼラチン9g II ン& ; A g N 03 1 0 0
g 、 水4 0 0 rrdl■液; NaCji!
37 g 1(Nlla)JhCffi 1 、1
ml、水400 ml 45℃に保ったI液中に■液とI[lA液を同時に一定
の速度で添加した。この乳剤を当業者でよく知られた常
法で可溶性塩類を除去した後、ゼラチンを加え、安定剤
として6−メチル−4−ビトロキシ−133a、7−チ
トラアザインデンを添加した。この乳剤の平均粒子サイ
ズは0.20μの単分散乳剤であり、乳剤の収量1kg
当りに含有するゼラチン量は60gであった。
こうして得られた乳剤に以下の化合物を添加した。
本発明の化合物例l−30
5XiO−3モル/へg1モル
化合物−160d/n(
化合物−29戚/ポ
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム塩
40威/ボ
N−オレオイル−N−メチルタウリン
ナトリウム塩 50mfl/r+(
1,2−ビス(ビニルスルホニルアセ トアミド)エタン 10m1/rrr1
−フェニル−5−メルカプトテトラ ゾール 3d/ボ5日 エチルアクリレートラテックス (平均粒径0.1μ) 0.46g/ボこの様に
して得られた塗布量を塗布銀量2g/ポになる様に塗布
した。
1,2−ビス(ビニルスルホニルアセ トアミド)エタン 10m1/rrr1
−フェニル−5−メルカプトテトラ ゾール 3d/ボ5日 エチルアクリレートラテックス (平均粒径0.1μ) 0.46g/ボこの様に
して得られた塗布量を塗布銀量2g/ポになる様に塗布
した。
化合物−1
化合物−2
処方−(4)ハロゲン化銀乳剤層−2
I液;水300d、ゼラチン9g
■液;AgN03100 g、水400戚■液;NaC
J! 37 g、(NH3)RhCn62.2mg。
J! 37 g、(NH3)RhCn62.2mg。
00m1
乳剤Aと同様の方法でll1A液の代わりにIIIB液
を用いて乳剤Bを調製した。この乳剤は平均粒子サイズ
0.20μの単分散乳剤であった。
を用いて乳剤Bを調製した。この乳剤は平均粒子サイズ
0.20μの単分散乳剤であった。
こうして得られた乳剤Bに以下の化合物かを添加した。
本発明の化合物例l−30
5XlO−3モル/Ag1モル
化合物−160■/ポ
〃 −29■/ボ
ポリスチレンスルホン酸ナトリウム塩
50■/ボ
N−オレオイル−N−メチルナトリウ
ウム塩 40■/m11.2−
ビス(ビニルスルホニルアセ トアミド)エタン 80mg/rrf1
−フェニル−5−メルカプトテトラ ゾール 3mg/ポエチルア
クリレートラテックス (平均粒径0.05μ) 40■/ボこの様にし
て得られた塗布液を塗布銀量2g/ポになる様に塗布し
た。
ビス(ビニルスルホニルアセ トアミド)エタン 80mg/rrf1
−フェニル−5−メルカプトテトラ ゾール 3mg/ポエチルア
クリレートラテックス (平均粒径0.05μ) 40■/ボこの様にし
て得られた塗布液を塗布銀量2g/ポになる様に塗布し
た。
=58
処方−(5)保護層−1
ゼラチン 1.0g/ボリポ酸
5mg/ボドデシルヘン
ゼンスルホン酸ナトツ ナトリウム塩 5mg/ボ化合物−
3 20mg/ポポリスチレンス
ルホン酸ナトリウム塩 10mg/イ 化合物−420mg/n( エチルアクリレートラテックス (平均粒径0.05μ) 200■/ボ処方−(6
)保護層−2 ゼラチン 1.0g/イポリメチ
ルメタクリレート微粒子 (平均粒子サイズ2.5μ) 60mg/ボドデシ
ルヘンゼンスルホン酸ナト リウム塩 20mg/ポN−パ
ーフルオロオクタンスルホ ニル−N −フロピルグリシンポ タジウム塩 3mg/ボポリスチ
レンスルホン酸ナトリウ ム塩 2■/ボポリ(重
合度5)オキシエチレン ノニルフェニルエーテルの硫酸 エステルナトリウム塩 20■/n(化合物−
5 化合物−6 化合物−4 処方−(7)バック層 ゼラチン 2.5g/ボ 化合物−7 ドデシルベンゼンスルホン酸 ウナトリウム塩 50■/ポジヘキシル
−α−スルホサク ナートナトリウム塩 20■/ポポリスチレ
ンスルホン酸ナト リウム塩 40■/ボ1.3−
ジビニルスルホニル 2−プロパツール 150mg/ポエチルアク
リレートラテックス (平均粒径0.05μ) 500■/ポ処方−(8
)保護層−3 ゼラチン Ig/ボポリメチ
ルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) 40■/mlドデシル
ベンゼンスルホン酸 ナトリウム塩 15■/ポジヘキシ
ル−α−スルホサクナート ナトリウム塩 10■/n(ポリス
チレンスルホン酸ナトリ ラム塩 20■/ポ酢酸ナトリ
ウム 40■/■得られた試料を25
℃25%RHで特に空気清浄の行われていない通常の室
内で、ネオプレンゴムローラーで摩擦した後露光及び現
像(38℃20″)し、ピンホールの発生状況を評価し
た。
5mg/ボドデシルヘン
ゼンスルホン酸ナトツ ナトリウム塩 5mg/ボ化合物−
3 20mg/ポポリスチレンス
ルホン酸ナトリウム塩 10mg/イ 化合物−420mg/n( エチルアクリレートラテックス (平均粒径0.05μ) 200■/ボ処方−(6
)保護層−2 ゼラチン 1.0g/イポリメチ
ルメタクリレート微粒子 (平均粒子サイズ2.5μ) 60mg/ボドデシ
ルヘンゼンスルホン酸ナト リウム塩 20mg/ポN−パ
ーフルオロオクタンスルホ ニル−N −フロピルグリシンポ タジウム塩 3mg/ボポリスチ
レンスルホン酸ナトリウ ム塩 2■/ボポリ(重
合度5)オキシエチレン ノニルフェニルエーテルの硫酸 エステルナトリウム塩 20■/n(化合物−
5 化合物−6 化合物−4 処方−(7)バック層 ゼラチン 2.5g/ボ 化合物−7 ドデシルベンゼンスルホン酸 ウナトリウム塩 50■/ポジヘキシル
−α−スルホサク ナートナトリウム塩 20■/ポポリスチレ
ンスルホン酸ナト リウム塩 40■/ボ1.3−
ジビニルスルホニル 2−プロパツール 150mg/ポエチルアク
リレートラテックス (平均粒径0.05μ) 500■/ポ処方−(8
)保護層−3 ゼラチン Ig/ボポリメチ
ルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) 40■/mlドデシル
ベンゼンスルホン酸 ナトリウム塩 15■/ポジヘキシ
ル−α−スルホサクナート ナトリウム塩 10■/n(ポリス
チレンスルホン酸ナトリ ラム塩 20■/ポ酢酸ナトリ
ウム 40■/■得られた試料を25
℃25%RHで特に空気清浄の行われていない通常の室
内で、ネオプレンゴムローラーで摩擦した後露光及び現
像(38℃20″)し、ピンホールの発生状況を評価し
た。
表面抵抗率の測定は試料を25℃25%RHで12時間
放直後電極間隔0.14c+++、長さ10c+++の
真鍮製電極(試料と接する部分はステンレス使用)に挟
み、タケダ理研製エレクトロメーターTR8651を用
いて1分後の値を測定した。
放直後電極間隔0.14c+++、長さ10c+++の
真鍮製電極(試料と接する部分はステンレス使用)に挟
み、タケダ理研製エレクトロメーターTR8651を用
いて1分後の値を測定した。
その結果を表−1に示す。表−1より明らかな様に本発
明の試料1〜3はピンホールの発生が比較試料4に較べ
著しく少ないことがわかる。
明の試料1〜3はピンホールの発生が比較試料4に較べ
著しく少ないことがわかる。
*導電層の表面抵抗率(25℃25%RH):2×10
° Ω **比較試料のピンホール発生量を100としたときの
相対値 実施例−2 実施例−1の試料−1において、導電層の導電性金属酸
化物とゼラチンの比率が表−2の様になるように導電層
を塗布し、実施例−1と同様にして、ピンホールの発生
状況を評価した。その結果を表−2に示す。
° Ω **比較試料のピンホール発生量を100としたときの
相対値 実施例−2 実施例−1の試料−1において、導電層の導電性金属酸
化物とゼラチンの比率が表−2の様になるように導電層
を塗布し、実施例−1と同様にして、ピンホールの発生
状況を評価した。その結果を表−2に示す。
表−2の結果から明らかな様に表面抵抗率が1012Ω
以下の本発明の試料5〜7はピンポールの発生が著しく
良化していることがわかる。
以下の本発明の試料5〜7はピンポールの発生が著しく
良化していることがわかる。
実施例−3
実施例−2において、導電層を表−3に示す導電性高分
子化合物に変えて塗布し、その他は実施例−1と同様に
して、試料を作成した。この試料について実施例−1と
同様にして、ピンホールの発生状況を評価した。その結
果を表−3に示す。
子化合物に変えて塗布し、その他は実施例−1と同様に
して、試料を作成した。この試料について実施例−1と
同様にして、ピンホールの発生状況を評価した。その結
果を表−3に示す。
表−3から明らかな様に本発明の試料9〜12はピンホ
ールの発生が著しく少ないことがわかる。
ールの発生が著しく少ないことがわかる。
実施例−4
試料番号−5、−10の導電層を有する支持体の導電層
を塗布した側に下記処方θ2)、θ3)のバンク層及び
保護層−3を塗布し、さらに反対側に下記処方(9)の
ハロゲン化銀乳剤層を塗布銀量が3.5g / rrf
になる様に、さらにその上に下記処方0ω、(!1)の
保護層−1、−2を塗布し、試料を作成した。
を塗布した側に下記処方θ2)、θ3)のバンク層及び
保護層−3を塗布し、さらに反対側に下記処方(9)の
ハロゲン化銀乳剤層を塗布銀量が3.5g / rrf
になる様に、さらにその上に下記処方0ω、(!1)の
保護層−1、−2を塗布し、試料を作成した。
この試料について実施例−1と同様にピンホールの発生
状況を評価した結果、導電層のない比較試料に比ベピン
ホールの発生量が著しく少なく、良好であった。
状況を評価した結果、導電層のない比較試料に比ベピン
ホールの発生量が著しく少なく、良好であった。
処方−(9)ハロゲン化銀乳剤層
I液:水300+tf!、ゼラチン7.2g■液:Ag
N(h 100 g、水400 ml■液;にBr 6
9.7g、KID、 49g、K31rC1,b O,
123mg、水500d50℃に保ったI液中に■液と
■液を同時に一定の速度で添加した。この乳剤を当業者
でよく知られた常法で可溶性塩類を除去した後、ゼラチ
ンを加えた。この乳剤の平均粒子サイズは0.28μの
単分散乳剤であり、乳剤の収量1 kg当たりに含有す
るゼラチン量は56gであった。
N(h 100 g、水400 ml■液;にBr 6
9.7g、KID、 49g、K31rC1,b O,
123mg、水500d50℃に保ったI液中に■液と
■液を同時に一定の速度で添加した。この乳剤を当業者
でよく知られた常法で可溶性塩類を除去した後、ゼラチ
ンを加えた。この乳剤の平均粒子サイズは0.28μの
単分散乳剤であり、乳剤の収量1 kg当たりに含有す
るゼラチン量は56gであった。
こうして得られた乳剤に以下の化合物を添加した。
55′−ジクロロ−9−エチル
3.3′−ビス(3−スルフォプ
ロビル)オキサカルボシアニン、
ナトリウム塩
3−(3−スルホプロビル)−3′
(4−スルホブチル)−51−フ
ユニルー4.5−ジベンゾオキサ
シアニン、ナトリウム塩 6.9■/m16−メチ
ルー4−ヒドロキシ−1゜ 33a 7−チトラザインデン 8■/ポ5−メチルヘ
ンシトリアゾール 17■/ボ実施例−1の化合物−
25■/ボ 本発明の化合物l−5 1,2X10−3モル/へgモル ■−19 5×10 3モル/Agモル ポリマーラテックス イCH2CH)TFイCH。
ルー4−ヒドロキシ−1゜ 33a 7−チトラザインデン 8■/ポ5−メチルヘ
ンシトリアゾール 17■/ボ実施例−1の化合物−
25■/ボ 本発明の化合物l−5 1,2X10−3モル/へgモル ■−19 5×10 3モル/Agモル ポリマーラテックス イCH2CH)TFイCH。
0001I
CI+。
C−)Tr
COOCII zcl! 20C= 0−fc−CH2
→− CH3 195■/ポ エチルアクリレートラテックス (平均粒径0. 1μ) 600mg/rrf
1.2−ビス(ビニルスルホニル アセトアミド)エタン 140mg/ポN−オレ
オイルーN−メチルタウ リンナ1刊ウム塩 40mg/r4ポリス
チレンスルホン酸ナトリウ ム塩 20+ng/ボ処方
−00)保護層−1 ゼラチン 1.0g/ボアスコル
ビン酸 30■/ボハイドロキノン
190Ing/ボエチルアクリレート
ラテ・ノクス (平均粒径0.05μ) 2AOmg/rdポリ
スチレンスルホン酸ナトリ ラム塩 2.4−ジクロロ−6−ヒドロ キシ−135−トリアジ ン、ナトリウム塩 処方−(11)保護層−2 ゼラチン ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径2.5μ) 液状オルガノポリシロキサン ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム塩 N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロピルグ リシンポタジウム塩 コロイダルシリカ 処方−〇り ハック層 ゼラチン 〜71 Oo 3■/ボ 12■/ポ ロg/ボ ロ0■/ボ 10mg/ポ 20■/ポ 4■/ボ 90■/ITr 3g/ポ 化合物−8 化合物−5 化合物−6 化合物−7 ジヘキシルーα−スルホサクナー トナトリウム塩 ドデシルベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 13−ジビニルスルホニル−2 一プロパツール 処方−03)保護層−3 ゼラチン ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) ジヘキシルーα−スルホサクナー 120■/ポ 40■/ボ 30■/ポ 40mg/n( 40■/ボ 120mg/ポ 0、8■/ポ 30I[1g/ポ トナトリウム塩 15■≠ドデシルベ
ンゼンスルホンM−j−ト リウム塩 15■/ポ酢酸ナト
リウム 40■/rrf実施例−5 試料番号−5、−10と同様の導電層を有する支持体の
導電層を塗布した側に下記処方−07)、(18)のバ
ンク層及び保護層−3を塗布し、さらにその反対側に下
記処方−圓のハロゲン化銀乳剤層を塗布銀量が3.8g
/rrfになる様に、さらにその上に下記処方−〇暇0
6)の保護層−1、−2を塗布し、試料を作成した。
→− CH3 195■/ポ エチルアクリレートラテックス (平均粒径0. 1μ) 600mg/rrf
1.2−ビス(ビニルスルホニル アセトアミド)エタン 140mg/ポN−オレ
オイルーN−メチルタウ リンナ1刊ウム塩 40mg/r4ポリス
チレンスルホン酸ナトリウ ム塩 20+ng/ボ処方
−00)保護層−1 ゼラチン 1.0g/ボアスコル
ビン酸 30■/ボハイドロキノン
190Ing/ボエチルアクリレート
ラテ・ノクス (平均粒径0.05μ) 2AOmg/rdポリ
スチレンスルホン酸ナトリ ラム塩 2.4−ジクロロ−6−ヒドロ キシ−135−トリアジ ン、ナトリウム塩 処方−(11)保護層−2 ゼラチン ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径2.5μ) 液状オルガノポリシロキサン ドデシルベンゼンスルホン酸 ナトリウム塩 N−パーフルオロオフタンス ルホニルーN−プロピルグ リシンポタジウム塩 コロイダルシリカ 処方−〇り ハック層 ゼラチン 〜71 Oo 3■/ボ 12■/ポ ロg/ボ ロ0■/ボ 10mg/ポ 20■/ポ 4■/ボ 90■/ITr 3g/ポ 化合物−8 化合物−5 化合物−6 化合物−7 ジヘキシルーα−スルホサクナー トナトリウム塩 ドデシルベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 13−ジビニルスルホニル−2 一プロパツール 処方−03)保護層−3 ゼラチン ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) ジヘキシルーα−スルホサクナー 120■/ポ 40■/ボ 30■/ポ 40mg/n( 40■/ボ 120mg/ポ 0、8■/ポ 30I[1g/ポ トナトリウム塩 15■≠ドデシルベ
ンゼンスルホンM−j−ト リウム塩 15■/ポ酢酸ナト
リウム 40■/rrf実施例−5 試料番号−5、−10と同様の導電層を有する支持体の
導電層を塗布した側に下記処方−07)、(18)のバ
ンク層及び保護層−3を塗布し、さらにその反対側に下
記処方−圓のハロゲン化銀乳剤層を塗布銀量が3.8g
/rrfになる様に、さらにその上に下記処方−〇暇0
6)の保護層−1、−2を塗布し、試料を作成した。
この試料について、実施例−1と同様にピンホールの発
生状況を評価した結果、導電層のない比較試料に比べ、
ピンホールの発生量が著しく少なく、良好な結果が得ら
れた。
生状況を評価した結果、導電層のない比較試料に比べ、
ピンホールの発生量が著しく少なく、良好な結果が得ら
れた。
処方−圓
35℃に保ったゼラチン水溶液中に硝酸銀水溶液と銀1
モル当たり1.3X10−’モルの六塩化合物ロジウム
(I)Inアンモニウムを含む塩化ナトリウム水溶液を
同時に10分間で添加し、その間の電位を200mVに
コントロールすることにより単分散で平均粒子サイズ0
.08μの塩化銀立方体粒子を調製した。粒子形成後、
当業界でよく知られるフロキュレーション法により、可
溶性塩類を除去し、安定剤として、4−ヒドロキシ6−
メチル−1,3,3a、7−チトラアザインデン及び1
−フェニル−5−メルカプトテトラゾールを添加した。
モル当たり1.3X10−’モルの六塩化合物ロジウム
(I)Inアンモニウムを含む塩化ナトリウム水溶液を
同時に10分間で添加し、その間の電位を200mVに
コントロールすることにより単分散で平均粒子サイズ0
.08μの塩化銀立方体粒子を調製した。粒子形成後、
当業界でよく知られるフロキュレーション法により、可
溶性塩類を除去し、安定剤として、4−ヒドロキシ6−
メチル−1,3,3a、7−チトラアザインデン及び1
−フェニル−5−メルカプトテトラゾールを添加した。
この乳剤に、硬調化剤として本発明の一般式(IV)で
表わされる化合物l−19を1×10−4モル1モルA
g及びI−5を1×10−3モル1モルAg、添加し、
さらに、ポリエチルアクリレートラテックスを固形分で
ゼラチン当たり50wt%、硬化剤として、2−ビス(
ビニルスルホニルアセトアミド)エタンを145■/r
Tf添加した。
表わされる化合物l−19を1×10−4モル1モルA
g及びI−5を1×10−3モル1モルAg、添加し、
さらに、ポリエチルアクリレートラテックスを固形分で
ゼラチン当たり50wt%、硬化剤として、2−ビス(
ビニルスルホニルアセトアミド)エタンを145■/r
Tf添加した。
処方−00保護層−1
ゼラチン
チオクト酸
化合物−10
1g/rrf
6■/ポ
90Ing/ボ
1.5−ジヒドロキシ−2−ヘン
ズアルドキシム 35■/n(ドデシル
ベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 10mg/nfポリ
スチレンスルホンレントリウ ム塩 20■/ポエチルア
クリレートラテツクス (平均粒径0. 05μ) 0. 2g/rrf
処方−00保護層−2 ゼラチン 0.6g/ボ化合物−
110,1g/ポ ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径2.5μ) 20■/μ二酸化ケイ
素微粒子 (平均粒径2. 8 u) 30mg/r
TfN−パーフルオロオクタンスルホ ニルーN−プロビルグリシンポ タジウム塩 3■/ポドデシルヘ
ンゼンスルホン酸ナト リウム塩 20■/イなお化合
物−11は次の手順でゼラチン分散物を作成して添加し
た。
ベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 10mg/nfポリ
スチレンスルホンレントリウ ム塩 20■/ポエチルア
クリレートラテツクス (平均粒径0. 05μ) 0. 2g/rrf
処方−00保護層−2 ゼラチン 0.6g/ボ化合物−
110,1g/ポ ポリメチルメタクリレート微粒子 (平均粒径2.5μ) 20■/μ二酸化ケイ
素微粒子 (平均粒径2. 8 u) 30mg/r
TfN−パーフルオロオクタンスルホ ニルーN−プロビルグリシンポ タジウム塩 3■/ポドデシルヘ
ンゼンスルホン酸ナト リウム塩 20■/イなお化合
物−11は次の手順でゼラチン分散物を作成して添加し
た。
化合物−318,9gをN、N−ジメチルスルホアミド
251dに溶解した溶液を、化合物−1213gを加え
た6、5wt%のゼラチン水溶液536gに45℃で攪
拌しながら混合して分散物を得た。
251dに溶解した溶液を、化合物−1213gを加え
た6、5wt%のゼラチン水溶液536gに45℃で攪
拌しながら混合して分散物を得た。
処方−面 バック層
ゼラチン 2.5g/ボ化合物−
5 0.26g/ボロ
30mg/ポア 4
0mg/ポ8 90■/r+(ジヘ
キシルーα−スルホサクナー トナトリウム塩 30mg/r+(ド
デシルベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 35■/ポ1.3−
ジビニルスルホニル−2 プロパツール 130■/ポエチルアクリ
レートラテツクス (平均粒径0.05μ) 0.5g/n(処方−
08)保護層−3 ゼラチン 0.8g/n?ポリメ
チルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) 40■/ポジヘキシル
−α−スルホサクナー トナトリウム塩 9■/ポドデシル
ヘンゼンスルホン酸ナト リウム塩 10■/ボ酢酸ナト
リウム塩 40■/ボ化合物−9 化合物−10 手続補正書 化合物−11 化合物−12 1゜ 2゜ 3゜ 事件の表示 発明の名称 補正をする者 事件との関係 住 所 昭和t3年特願第1tり316号 ハロゲン化銀写真感光材料
5 0.26g/ボロ
30mg/ポア 4
0mg/ポ8 90■/r+(ジヘ
キシルーα−スルホサクナー トナトリウム塩 30mg/r+(ド
デシルベンゼンスルホン酸ナト リウム塩 35■/ポ1.3−
ジビニルスルホニル−2 プロパツール 130■/ポエチルアクリ
レートラテツクス (平均粒径0.05μ) 0.5g/n(処方−
08)保護層−3 ゼラチン 0.8g/n?ポリメ
チルメタクリレート微粒子 (平均粒径3.4μ) 40■/ポジヘキシル
−α−スルホサクナー トナトリウム塩 9■/ポドデシル
ヘンゼンスルホン酸ナト リウム塩 10■/ボ酢酸ナト
リウム塩 40■/ボ化合物−9 化合物−10 手続補正書 化合物−11 化合物−12 1゜ 2゜ 3゜ 事件の表示 発明の名称 補正をする者 事件との関係 住 所 昭和t3年特願第1tり316号 ハロゲン化銀写真感光材料
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 支持体上に少なくとも1層のハロゲン化銀乳剤層を有し
、該乳剤層又はその他の親水性コロイド層中に下記一般
式( I )で示されるヒドラジン誘導体を含有するハロ
ゲン化銀写真感光材料に於て、該ハロゲン化銀写真感光
材料の構成層の少なくとも1層の表面抵抗率が25℃2
5%RHの雰囲気下で10^1^2Ω以下であることを
特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼ 層中、R_1は脂肪族基または芳香族基を表し、R_2
は水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミノ基、カルバモイル基、又はオ
キシカルボニル基を表し、G_1はカルボニル基、スル
ホニル基、スルホキシ基、▲数式、化学式、表等があり
ます▼基、又はイミノメチレン基を表し、A_1、A_
2はともに水素原子あるいは一方が水素原子で他方が置
換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、又は置換も
しくは無置換のアリールスルホニル基、又は置換もしく
は無置換のアシル基を表す。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63169316A JP2949192B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
US07/372,750 US4999276A (en) | 1988-06-29 | 1989-06-28 | Silver halide photographic materials |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63169316A JP2949192B2 (ja) | 1988-07-07 | 1988-07-07 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0218542A true JPH0218542A (ja) | 1990-01-22 |
JP2949192B2 JP2949192B2 (ja) | 1999-09-13 |
Family
ID=15884278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63169316A Expired - Lifetime JP2949192B2 (ja) | 1988-06-29 | 1988-07-07 | ハロゲン化銀写真感光材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2949192B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02105143A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-17 | Konica Corp | 製版用ハロゲン化銀写真感光材料 |
EP0491176A1 (en) * | 1990-11-21 | 1992-06-24 | Konica Corporation | Silver halide photographic light-sensitive material improved in anti-jamming property |
JPH05232625A (ja) * | 1991-05-22 | 1993-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀写真感光材料 |
WO2008038764A1 (en) | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Fujifilm Corporation | Spontaneous emission display, spontaneous emission display manufacturing method, transparent conductive film, electroluminescence device, solar cell transparent electrode, and electronic paper transparent electrode |
WO2008075771A1 (ja) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Fujifilm Corporation | 導電膜およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS555982A (en) * | 1978-06-23 | 1980-01-17 | Eastman Kodak Co | Article having antistatic layer and preparing same |
JPS56143431A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | Photographic sensitive material with improved antistatic property |
JPS61223734A (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-04 | Fuji Photo Film Co Ltd | ハロゲン化銀写真感光材料 |
JPS62215272A (ja) * | 1986-02-17 | 1987-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラ−画像形成方法 |
-
1988
- 1988-07-07 JP JP63169316A patent/JP2949192B2/ja not_active Expired - Lifetime
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WO2008075771A1 (ja) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Fujifilm Corporation | 導電膜およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2949192B2 (ja) | 1999-09-13 |
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