JPH02173651A - 静電記録フイルム - Google Patents
静電記録フイルムInfo
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- JPH02173651A JPH02173651A JP32961588A JP32961588A JPH02173651A JP H02173651 A JPH02173651 A JP H02173651A JP 32961588 A JP32961588 A JP 32961588A JP 32961588 A JP32961588 A JP 32961588A JP H02173651 A JPH02173651 A JP H02173651A
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Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、静電記録フィルム、特にCAD図面を出力さ
せる静電プリンターに使用される静電記録フィルムに関
するものである。
せる静電プリンターに使用される静電記録フィルムに関
するものである。
(従来の技術)
静電記録フィルムは支持体、導電層、誘電層の3層より
構成されるが導電層は従来、カチオン系ポリマー、アニ
オン系ポリマーなど高分子電解質や、イオン性の界面活
性剤あるいは吸湿性ポリマーに無機イオンを添加したも
のであった。しかし、これらのイオン系の素材では導電
性は湿度依存性があり低湿になると導電性は低下し、十
分に導電層としての作用をしなくなり静電記録像は不解
明となる。
構成されるが導電層は従来、カチオン系ポリマー、アニ
オン系ポリマーなど高分子電解質や、イオン性の界面活
性剤あるいは吸湿性ポリマーに無機イオンを添加したも
のであった。しかし、これらのイオン系の素材では導電
性は湿度依存性があり低湿になると導電性は低下し、十
分に導電層としての作用をしなくなり静電記録像は不解
明となる。
このため導電層に湿度変化に依存しない電子伝導系の素
材が検討された。特開昭55−133455号にはポリ
アニリン系素材を使用することが開示されているが、こ
のものは着色があり好ましくない、特開昭51−251
40号、特開昭52−113224号、特開昭53−8
5590号には導電性金属酸化物粒子をバインダー中に
分散し、紙等に塗布することが記載されている。しかし
上記特許における導電性金属酸化物粒子は数μの大きさ
があり光散乱を生じ、透明フィルムには適用できない、
これを改良して、特開昭56−143443号には0.
5μ以下の導電性金属酸化物粒子を導電層として使用す
ることにより導電性と透明性の両者を満足させられる事
が記載されている。
材が検討された。特開昭55−133455号にはポリ
アニリン系素材を使用することが開示されているが、こ
のものは着色があり好ましくない、特開昭51−251
40号、特開昭52−113224号、特開昭53−8
5590号には導電性金属酸化物粒子をバインダー中に
分散し、紙等に塗布することが記載されている。しかし
上記特許における導電性金属酸化物粒子は数μの大きさ
があり光散乱を生じ、透明フィルムには適用できない、
これを改良して、特開昭56−143443号には0.
5μ以下の導電性金属酸化物粒子を導電層として使用す
ることにより導電性と透明性の両者を満足させられる事
が記載されている。
しかしながら導電層に微粒子の導電性金属酸化物をバイ
ンダーに分散して用いる場合、誘電体層塗布時の影響を
うけて導電性が低下することがしばしばある。即ち誘電
体層の塗布溶媒が導電層のバインダーと相互作用がある
時、誘電体層を塗布すると塗布液中の溶媒が導電層へ浸
透していき導tiの導電性を初期の値より減少してしま
うことがしばしばある。特に導電性金属酸化物が微粒子
になるに従いこの傾向は著しい。
ンダーに分散して用いる場合、誘電体層塗布時の影響を
うけて導電性が低下することがしばしばある。即ち誘電
体層の塗布溶媒が導電層のバインダーと相互作用がある
時、誘電体層を塗布すると塗布液中の溶媒が導電層へ浸
透していき導tiの導電性を初期の値より減少してしま
うことがしばしばある。特に導電性金属酸化物が微粒子
になるに従いこの傾向は著しい。
(発明の目的)
本発明は上記の欠点である誘電体層塗布時の導電層の導
電性の低下を防止することを目的とするものである。
電性の低下を防止することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段)
我々は鋭意研究した結果、支持体層と導電層の間に接着
層を設け、導電層にバインダーとしての水溶性ポリマー
を導電性金属酸化物粒子に対し、適切な比率で含有させ
ることにより上記問題点が解決できることがわかった。
層を設け、導電層にバインダーとしての水溶性ポリマー
を導電性金属酸化物粒子に対し、適切な比率で含有させ
ることにより上記問題点が解決できることがわかった。
即ち、支持体、導電層、誘電体層の順に主たる層構成し
た静電記録フィルムに於いて、支持体表面をコロナ放電
処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線処理し、支持
体層と導電層の間に接着層を設けた場合、驚くべきこと
にバインダーとしての水溶性ポリマーを導電性金属酸化
物粒子に対し、重量比ゼロ/100〜5/100という
バインダーを非常に少なくすることにより、解決できる
ことがわかった。
た静電記録フィルムに於いて、支持体表面をコロナ放電
処理、グロー放電処理、火炎処理、紫外線処理し、支持
体層と導電層の間に接着層を設けた場合、驚くべきこと
にバインダーとしての水溶性ポリマーを導電性金属酸化
物粒子に対し、重量比ゼロ/100〜5/100という
バインダーを非常に少なくすることにより、解決できる
ことがわかった。
本発明に使用する支持体は、透明性がよく、機械的強度
があれば、通常知られたフィルムを適宜用いることがで
きる。目的によっては、不透明でもよい。
があれば、通常知られたフィルムを適宜用いることがで
きる。目的によっては、不透明でもよい。
例えば、このフィルム用樹脂としては、ポリエステル、
ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポ
リエーテル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスチ
レン、ポリカーボネート、ポリ−p−フェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ(
メタ)アクリル酸エステル、などが好ましい。
ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステルアミド、ポ
リエーテル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリスチ
レン、ポリカーボネート、ポリ−p−フェニレンスルフ
ィド、ポリエーテルエステル、ポリ塩化ビニル、ポリ(
メタ)アクリル酸エステル、などが好ましい。
本発明で用いる水溶性ポリマーは特公昭58−2749
4号に記載されているようなイオン導電性を有している
必要は全くなく、水溶性ポリマー層へは塩などの電解質
を添加する必要はない、逆に塩などの電解質を多量に入
れることは分散微粒子の安定性を劣化させ好ましくない
。
4号に記載されているようなイオン導電性を有している
必要は全くなく、水溶性ポリマー層へは塩などの電解質
を添加する必要はない、逆に塩などの電解質を多量に入
れることは分散微粒子の安定性を劣化させ好ましくない
。
本発明に使用する水溶性ポリマーとしては、例えばポリ
ビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミ
ド、ポリヒドロキシエチル、アクリレート、ポリピロリ
ドン、水溶性ポリエステル、水溶性ポリウレタン、水溶
性ナイロン、ゼラチン、ヒドロキシエチルセルロース、
ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセル
ロースあるいはこれらの誘導体などや、これらを主成分
とするポリマーである。これらの水溶性の中には架橋剤
を添加し・でもよい。
ビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミ
ド、ポリヒドロキシエチル、アクリレート、ポリピロリ
ドン、水溶性ポリエステル、水溶性ポリウレタン、水溶
性ナイロン、ゼラチン、ヒドロキシエチルセルロース、
ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセル
ロースあるいはこれらの誘導体などや、これらを主成分
とするポリマーである。これらの水溶性の中には架橋剤
を添加し・でもよい。
本発明の導電層に使用する導電性物質は導電性の結晶性
金属酸化物がよ(、透明性を保つため平均粒径0.5μ
以下、好ましくは0.2μ以下がよい、導電性の結晶性
金属酸化物としてはZnO。
金属酸化物がよ(、透明性を保つため平均粒径0.5μ
以下、好ましくは0.2μ以下がよい、導電性の結晶性
金属酸化物としてはZnO。
5iOt、5nOz+ T+Oz+ Aj!got、
InJ*+ MgO+ Bad。
InJ*+ MgO+ Bad。
Men、など、あるいはこれらの複合酸化物でるあ。
本発明で使用する支持体層と導電層の間の接着層として
は、例えば塩化ビニリデン系共重合体、スチレン−ブタ
ヂエン系共重合体、塩化ビニル系共重合体、酢酸ビニル
系共重合体、アクリル酸エステル共重合体、ポリエステ
ル、ポリウレタン、ゼラチンなどである。
は、例えば塩化ビニリデン系共重合体、スチレン−ブタ
ヂエン系共重合体、塩化ビニル系共重合体、酢酸ビニル
系共重合体、アクリル酸エステル共重合体、ポリエステ
ル、ポリウレタン、ゼラチンなどである。
誘導体層は絶縁性を有することが条件であるため、イオ
ン性のポリマーや吸湿して解離するようなポリマーは好
ましくなく、又イオン性物質を多量に含まないことが必
要であり、有機溶剤可溶性ポリマーが好ましい。
ン性のポリマーや吸湿して解離するようなポリマーは好
ましくなく、又イオン性物質を多量に含まないことが必
要であり、有機溶剤可溶性ポリマーが好ましい。
有機溶剤可溶性ポリマーとしては、塩化ビニル、塩化ビ
ニリデン、スチレン、メチルスチレン、ブタジン、アク
リル酸のアルキルエステル(C+から04までのアルキ
ル基)、メタアクリル酸のアルキルエステル(C+から
04までのアルキル基)、酢酸ビニル、アクリロニトリ
ル、イソブチレン、酢酸アリルなどのホモポリマー又は
コポリマーや可溶性ポリエステル、ポリカーボネート、
エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロース
プロピオネートなどのセルロース誘導体、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマールなどを上げることが出
来る。
ニリデン、スチレン、メチルスチレン、ブタジン、アク
リル酸のアルキルエステル(C+から04までのアルキ
ル基)、メタアクリル酸のアルキルエステル(C+から
04までのアルキル基)、酢酸ビニル、アクリロニトリ
ル、イソブチレン、酢酸アリルなどのホモポリマー又は
コポリマーや可溶性ポリエステル、ポリカーボネート、
エチルセルロース、セルロースアセテート、セルロース
プロピオネートなどのセルロース誘導体、ポリビニルブ
チラール、ポリビニルホルマールなどを上げることが出
来る。
塗布溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケト
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチルなどのエステル類、ジクロルメタン、ジクロルエ
タンなどの塩素化炭化水素、メタノール、エタノール、
futcノールなどのアルコールなどを上げることがで
きる。
ン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの
ケトン類、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエー
テル類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチルなどのエステル類、ジクロルメタン、ジクロルエ
タンなどの塩素化炭化水素、メタノール、エタノール、
futcノールなどのアルコールなどを上げることがで
きる。
誘導体層の厚さは1μから5μ程度が好ましく、3μか
ら10μ程度のマット剤を添加することが好ましい。
ら10μ程度のマット剤を添加することが好ましい。
以下に実施例を記述するが表面抵抗率の測定は平行電極
を用い、ケーズレー社製のエレクトロメタ−を使用し、
23℃で相対湿度65%の雰囲気中で測定した。
を用い、ケーズレー社製のエレクトロメタ−を使用し、
23℃で相対湿度65%の雰囲気中で測定した。
又誘電体を塗布する時は導電層の両サイドが約10m/
m残るように塗布し、この部分を利用して誘導体層を塗
布したさいの導電層の抵抗率が変化するかどうか調べた
。またフィルム表面にテープを接着させた後、テープを
はがして導電層及び誘電体層がどの程度剥離するかを調
べる、テープ剥離テストを行い、導電層及び誘電体層の
支持体への密着性を調べた。
m残るように塗布し、この部分を利用して誘導体層を塗
布したさいの導電層の抵抗率が変化するかどうか調べた
。またフィルム表面にテープを接着させた後、テープを
はがして導電層及び誘電体層がどの程度剥離するかを調
べる、テープ剥離テストを行い、導電層及び誘電体層の
支持体への密着性を調べた。
(本発明の効果)
本発明は、接着層を設け、導電層に従来技術とは桁違い
に少ないバインダーを用いたことにより、フィルムの透
明性、導電層及び誘電体層の支持体への密着性の良好な
静電記録フィルムを得たものである。
に少ないバインダーを用いたことにより、フィルムの透
明性、導電層及び誘電体層の支持体への密着性の良好な
静電記録フィルムを得たものである。
〔実施例1〕
二輪延伸熱固定した100μの厚さのポリエチレンテレ
フタレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層と
してスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設
は導電層として次の組成の液を10cc/ボ塗布し、1
30°Cで1o分間乾燥した。
フタレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層と
してスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設
は導電層として次の組成の液を10cc/ボ塗布し、1
30°Cで1o分間乾燥した。
ゼラチン 041部)平均粒径
0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
l規定) 1水
1000この組成の
液のpHは9.2であった。
0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
l規定) 1水
1000この組成の
液のpHは9.2であった。
この層の上に誘電体層として次の組成の液を乾燥膜が3
.1μになるように塗布し、100°c5分で乾燥した
。
.1μになるように塗布し、100°c5分で乾燥した
。
バイロン(東洋紡製) 50(重量部)ロジン
エステルガム(荒用化学 工業製)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
エステルガム(荒用化学 工業製)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
[実施例2]
二軸延伸熱固定した100μ厚さのポリエチレンテレフ
タレートフィルムにコロナM 電処理ヲ1%し、接着層
としてスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を
設け、導電層として次の組成の液を10cc/rt?塗
布し、130°Cで10分間乾燥した。
タレートフィルムにコロナM 電処理ヲ1%し、接着層
としてスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を
設け、導電層として次の組成の液を10cc/rt?塗
布し、130°Cで10分間乾燥した。
ゼラチン 1(重量部)平均粒
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) 1水
1000この組成の液
のpHは8.0であった。
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) 1水
1000この組成の液
のpHは8.0であった。
この層の上に誘電体層として次の組成の液を乾燥膜が3
,1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
,1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
バイロン(東洋紡製) 50(重量部)ロジン
エステルガム(荒用化学 工業製)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
エステルガム(荒用化学 工業製)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
〔実施例3〕
二輪延伸熱固定した100μ厚さのポリエチレンテレフ
タレートフィルムにコロナ放電処理を施し、接着層とし
てスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設け
、導1を層として次の組成の液を10cc/ポ塗布し、
130°Cで10分間乾燥した。
タレートフィルムにコロナ放電処理を施し、接着層とし
てスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設け
、導1を層として次の組成の液を10cc/ポ塗布し、
130°Cで10分間乾燥した。
ゼラチン 4(重量部)平均粒
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) 1水
1000この組成の液
のPHは7.1であった。
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) 1水
1000この組成の液
のPHは7.1であった。
この層の上に誘電体層として次の組成の液を乾燥膜が3
. 1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥し
た。
. 1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥し
た。
バイロン(東洋紡製) 50(重量部)ロジン
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
〔比較例1〕
二輪延伸熱固定した100μ厚さのポリエチレンテレフ
タレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層とし
てスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設け
、導電層として次の組成の液を10cc/ポ塗布し、1
30°Cで10分間乾燥した。
タレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層とし
てスチレン・ブタヂエン系共重合体、ゼラチン層を設け
、導電層として次の組成の液を10cc/ポ塗布し、1
30°Cで10分間乾燥した。
ゼラチン 50(重量部)平均粒径
0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) l水
1000この組成の液の
pHは6.2であった。
0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH(
1規定) l水
1000この組成の液の
pHは6.2であった。
この層の上に誘電体層として次の組成の液を乾燥膜が3
.1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
.1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
バイロン(東洋紡製) 50(重量部)ロジン
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
〔比較例2〕
二輪延伸熱固定した100μ厚さのポリエチレンテレフ
タレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層を設
けず2、導電層として次の組成の液を10cc/ポ塗布
し、130℃で10分間乾燥した。
タレートフィルムにコロナ放電処理ヲ施し、接着層を設
けず2、導電層として次の組成の液を10cc/ポ塗布
し、130℃で10分間乾燥した。
ゼラチン 4(重量部)平均粒
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH
(]規定) l水
1000この組成の
液のpHは7.1であった。
径0.2μのアンチモンをド ープした酸化スズ(アンチモン量 は酸化スズに対し5%) 100KOH
(]規定) l水
1000この組成の
液のpHは7.1であった。
この層の上に誘電体層として次の組成の液を乾燥膜が3
.1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
.1μになるように塗布し、100°C5分で乾燥した
。
バイロン(東洋紡製) 50(重量部)ロジン
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
エステルガム(荒用化学 工業型)20 メチルエチルケトン 700シクロヘ
キサノン 100酢酸エチル
200表面抵抗率及びテープ剥
離テストの結果を第1表に示した。
第
■
表
は良く、導電層及び誘電体層の支持体への密着性が良い
ことがわかった。
ことがわかった。
Claims (2)
- (1)実質的に透明な支持体、導電層及び誘電体層より
なる静電記録用フィルムにおいて、導電層が平均粒径0
.5μ以下の導電性金属酸化物粒子と水溶性ポリマーよ
りなり水溶性ポリマーと導電性金属酸化物粒子の重量比
がゼロ/100〜5/100であり、誘電体層が有機溶
剤可溶性のポリマーよりなることを特徴とする静電記録
フィルム。 - (2)支持体層と導電層の間に接着層を設けたことを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の静電記録フィルム
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32961588A JPH02173651A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 静電記録フイルム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32961588A JPH02173651A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 静電記録フイルム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02173651A true JPH02173651A (ja) | 1990-07-05 |
Family
ID=18223333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32961588A Pending JPH02173651A (ja) | 1988-12-27 | 1988-12-27 | 静電記録フイルム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02173651A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7195976B2 (en) | 1997-03-28 | 2007-03-27 | Renesas Technology Corp. | Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making device |
-
1988
- 1988-12-27 JP JP32961588A patent/JPH02173651A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7195976B2 (en) | 1997-03-28 | 2007-03-27 | Renesas Technology Corp. | Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making device |
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