JPH02165664A - 半導体集積装置 - Google Patents

半導体集積装置

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JPH02165664A
JPH02165664A JP32122388A JP32122388A JPH02165664A JP H02165664 A JPH02165664 A JP H02165664A JP 32122388 A JP32122388 A JP 32122388A JP 32122388 A JP32122388 A JP 32122388A JP H02165664 A JPH02165664 A JP H02165664A
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JP
Japan
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overvoltage
pad
power source
vss
breakdown strength
Prior art date
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Pending
Application number
JP32122388A
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English (en)
Inventor
Akira Ibaraki
茨木 明
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子機器に用いる半導体集積装置に関するも
のである。
従来の技術 近年、半導体集積装置の開発は目ざましいものがある。
以下に従来の半導体集積装置について説明する。
第2図は従来の半導体集積装置の回路ブロックの配置の
例であり、1は電源の正極側(Vcc)パッド、2は同
電源の負極側(Vcc)パッド、3aと3bは入出力パ
ッド+4aと4bは入出力保護回路+5aと5bと50
と5dは機能回路、6は電源保護回路、7は配線の電流
容量で決定される配線抵抗である。VCCパッドとVS
Sパッドから機能回路に電力を供給し、入出力パッドか
ら制御信号または入力信号を供給し、入出力パッドから
出力信号を出力する。入出力保護回路は入出力パッドへ
印加される過電圧を吸収し、電源保護回路はVCC端子
とVSS端子間の耐圧を機能回路よりも低く設計するこ
とによりVCCとVSS間に印加される過電圧を吸収し
て機能回路を保護する。
発明が解決しようとする課題 第2図に示す従来例の半導体集積装置において、vcc
パッドに過電圧が印加された場合、電源保護回路が過電
圧に対して降伏し、VCCパッドとVSSパッド間を低
インピーダンスで接続して機能回路を保護する。しかし
、半導体集積装置の高集積化とチップサイズの増大化が
進み、配線長が増加し、配線抵抗が高くなると、電源保
護回路とVCCCCバフの配線抵抗も増加する。このた
め、電源保護回路が降伏してVCCパッドとVSSパッ
ドとの間に電流が流れるとA点の電位が上昇して電源保
護回路のVCCパッド側端子とVSSパッド側端子の間
の電位差が低下して電源保護回路は降伏状態ではなくな
り、機能回路に過電圧が印加されて機能回路が破壊する
という問題点を有している。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、電源端
子に印加される過電圧に対して、破壊に至る耐圧が高い
半導体集積装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するために、チップ内のVSS
を含む全ての電源パッドの近傍に耐圧が、チップ内の機
能回路よりも低い第2の電源保護回路を配置したもので
ある。
作用 本発明は上述の構成により、VCC端子へ印加される過
電圧に対し破壊に至る耐圧が高い半導体集積装置が実現
できる。
実施例 以下に本発明の一実施例について図面を参照しながら説
明する。
第1図は本発明の一実施例の半導体集積装置のブロック
配置図であり、1はVCCパッド、2はVSSパッド、
3aと3bは入出力パッド、4aと4bは入出力保護回
路、5aと5bと5Cと5dは機能回路、6aはVCC
パッド近傍に配置された第1の電源保護回路、6bはV
SSバッド近傍に配置された第2の電源保護回路、7は
配線抵抗である。各回路の動作は従来例と同様である。
本実施例では、従来例に示したVCCパッド近傍の第1
の電源保護回路に加えて、VSSパッド近傍に第2の電
源保護回路を配置することによって過電圧を吸収する電
流経路が2経路に増え、配線の電流容量が増えたことに
よって、電源とVSS間の抵抗を下げ、過電圧で供給さ
れた電荷を早期に短絡電流として流して過電圧を吸収す
ることができる。
以上のように本実施例によれば、VCCパッド近傍の電
源保護回路に加えて、VSSバッド近傍に第2の電源保
護回路を配置したことにより、電源端子に印加される過
電圧に対して、破壊に至る耐圧が高い半導体集積装置が
実現可能である。
発明の効果 本発明によれば、VSSを含むチップ内の全ての電源パ
ッドの近傍に、電源とVSS間の耐圧が機能回路よりも
低い第2の電源保護回路を配置したことにより、電源と
VSS間に印加される過電圧に対して、破壊に至る耐圧
が高い半導体集積装置が供給できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明実施例装置の構成ブロック図、第2図は
従来例装置の構成ブロック図である。 1・・・・・・電源正極111I(Vcc)パッド、2
・・・・・・電源負極側(Vss)パッド、3a、3b
・・・・・・入出力パッド、4a、4b・・・・・・入
出力保護回路、6a・・・・・・第1の電源保護回路、
6b・・・・・・第2の電源保護回路、7・・・・・・
配線抵抗。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 ほか1名Ill  
■ 7−−配珠抵乳

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. チップ上の電源パッドの近傍に、一端子を電源の正極側
    配線に接続し、他の端子を同電源の負極側配線に接続し
    、耐圧がチップ内の機能回路よりも低い保護回路を配置
    したことを特徴とする半導体集積装置。
JP32122388A 1988-12-20 1988-12-20 半導体集積装置 Pending JPH02165664A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0664564A1 (fr) * 1994-01-25 1995-07-26 STMicroelectronics S.A. Circuit intégré incorporant une protection contre les décharges électrostatistiques
US6291879B1 (en) 1998-04-15 2001-09-18 Nec Corporation Integrated circuit chip with improved locations of overvoltage protection elements

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