JPH02164532A - フレキシブル回路用基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明はカメラ、電車、電話機、プリンタ等の立体配
線材料として用いられるフｌノキシブル回路用基扱に関
する。

［従来の技術］ フレキシブル回路基板は、例λば、可撓性の非導電性フ
ィルムに銅箔のような導電性金属箔を被若し、箔の一部
を選択的にエツチング除去してフィルム上に所望の配線
回路を形成することにより製造されている。従来、フレ
キシブルプリント配線基板は加工工程において、エウチ
ング、メツキ等の化学的加工、加熱処理、熱圧着加工等
の熱的加ニブリントによる配線基板の寸法変化が大きく
、また高温中で長時間使用した場合ベースフィルムの熱
劣化が生じ、その電気的特性や機械的特性が損なわれる
という欠点がある。従って、耐熱性、耐熱劣化性の高い
ものを得るために、フレキシブルプリント回路（以下Ｆ
ＰＣと言う）の絶縁基材としてポリイミドフィルムやポ
リエステルフィルムが用いられている。

しかしながら、ポリイミドフィルムは耐熱性、耐薬品性
等に優れているが、吸湿時の寸法変化が大きいという問
題を有する。このため、銅箔をパターンエツチングする
際に寸法変化を生じる。また、製造時に用いる溶剤の除
去が困難である等の問題がある。

方、ポリニスデルフィルムは耐薬品性、電気菌特性に優
れているが、耐熱性が劣り、温度変化による基板の収縮
率が大きいという問題がある。このため、ハンダ付時に
フィルムが溶解したり破れたり変形したりすることがあ
り、ハンダ付の作業も容易ではなかった。この問題を解
決するものとして、特定範囲の熱収縮率を有するポリエ
チレンナフタレートを用いて耐熱性及び寸法安定性を改
善したＦＰＣ用基板が特開昭６２−９３９９１に開示さ
れているがその効果は未だ満足することができない。

［発明が解決しようとする課題１ 従って、この発明の目的は耐熱性、耐熱劣化性及び寸法
安定性の高く、その結果、ハンダ付時のフィルムの溶融
、破れ及び変形の問題が生じず、また、金属箔のパター
ンエツチングの際の寸法変化が小さい、ＦＰＣ用基板を
提供することにある。

［課題を解決するための手段１ 本発明者らは、鋭意研究の結果、ＦＰＣの絶縁基材とし
て高い融点を有する１、４−ポリシクロヘキシレンジメ
チレンテレフタレート（以下ＰＣＴと言う）を用いるこ
とにより上記の問題点を解決し、耐熱性、耐熱劣化性及
び寸法安定性に優れたＦＰＣ用基板基板フィルムられる
ことを見出しこの発明を完成した。

すなわち、この発明は融点が２８０℃以上である１、４
−ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレートから
成るベースフィルムの少な（とも片面にエツチングされ
た導電性金属箔が形成されたフレキシブル回路用基板を
提供する。

本発明のフレキシブル回路基板のベースフィルムを構成
する１、４−ボリシクロヘキシレンジメチレンテレフタ
レ〜ト（以下ＰＣＴと言う）は、主として１．４−シク
ロヘキサンジメタツールをグリコール成分とし、主とし
てテレフタル酸をジカルボン酸成分とするポリエステル
である。グリコール成分の９０モル％以上が１．４−ポ
リシクロヘキサンジメタツールであることが耐熱性及び
寸法安定性の観点から好ましく、また、酸成分の７０モ
ル％以上がテレフタル酸であることが同様の理由で好ま
しい、もっとも１本発明の効果に悪影響を与えないなら
ば、少量、好ましくは１０モル％以下の他のグリコール
成分を含んでいてもよく、また、少量、好ましくは３０
モル％以下の他の酸成分を含んでいてもよい、さらに、
酸成分としては、テレフタル酸／スチルベンジカルボン
酸＝１００１０〜７０／３０　（モル比）のものも耐熱
性とガスバリア性の観点から好ましく用いることができ
る。

ベースフィルムは、上記したＰＣＴに加え、安定剤１滑
剤、耐電防止剤等の通常ポリエステルに添加されている
添加剤や無機粒子を必要に応じて含んでいてもよい、ま
た１本発明の効果に悪影響を与えない範囲で他のポリマ
ーがブレンドされていてもよい。

本発明において、ＰＣＴベースフィルムの融点は２８０
℃以上である。融点が２８０℃未満の場合には耐熱性に
劣り、半田付けの際にフィルムの変形、破損、しわやカ
ールを生じ易い。

本発明において、ＰＣＴベースフィルムの熱収縮率は半
田付は時の変形を抑えるために、２００℃で１５分間加
熱した時の熱収縮率が２．０％未満であることが好まし
く、さらに好ましくは１．０２未満である。

本発明におけるベースフィルムを構成するＰＣＴは、従
来から公知のポリエステルの製造方法によって製造する
ことができる６例えば、テレフタル酸と１．４−シクロ
ヘキサンジメタツールの直接エステル化法によって、又
はジメチルテレフタレートと１．４−シクロヘキサンジ
メタツールのエステル交換法によって製造することがで
きる。このようにして製造されるＰＣＴには、上記した
ように小割合で第３成分を共重合させてもよい。

本発明におけるベースフィルムは、従来の製造方法に従
いＰＣＴ及び場合によっては添加剤等を均一に混合し、
エクストルーダーのような溶融押出し機を用いて溶融押
出しし、冷却、延伸することによって製膜することがで
きる。ポリマーチップの乾燥条件は、特に限定されない
が、通常、１７０℃、３時間程度が適当である。押出し
温度は特に限定されないが１通常２８０℃ないし３３０
℃程度であり、好ましくは２８５℃ないし３００℃程度
である。キャスティングは静電印加法により行なうこと
が好ましく、キャスティングドラムの温度は特に限定さ
れないが、通常５℃ないし６０℃であり、好ましくは１
５℃ないし３０℃である。

また、冷却後の延伸は行なっても行なわなくてもよいが
、機械的特性向上の点から一軸又は二輪方向への延伸を
行なうことが好ましい、延伸を行なう場合は通常、７０
℃ないし１５０℃、好ましくは８０℃ないし１１０℃の
温度下て１通常２．５倍ないし６．０倍の延伸倍率で行
なわれる。延伸後。

フィルムな熱固定することか好ましいが、これは通常１
５０℃ないし２８０℃、好ましくは１７０℃ないし２４
０℃の温度下で通常ｌないし２０秒、好ましくは５秒な
いし１５秒間行なわれる。

−Ｅ記フィルムの製造方法において、ＰＣＴフィルムの
融点は共重合する七ツマ−の組成とその量により、また
、熱収縮率は製膜条件、特に熱処理条件により調節する
ことがてきる。

上記ベースフィルムの少なくとも片面にはエツチングさ
れた例えば銅箔のような導電性金属箔が形成されている
。エツチングされた導電性金属箔は、従来のフレキシブ
ル回路基板に採用されているものを採用することができ
る。導電性金属箔の形成方法は特に限定されないが、箔
をベースフィルム上に被着した後パターンエツチングす
る周知のサブドルクチイブ法、ベースフィルム上に金屑
をパターン状にメツキするアディティブ法及びパターン
状に打ち抜いた金属箔をベースフィルムに貼り合わせる
スタンピングホイル法等が挙げられる。

次に、本発明に規定するフィルム特性及び下記実施例に
おいて採用した本発明の効果の評価法について説明する
。

（１）融点Ｔｍ 走査型熱量計（ＤＳＣ）に試料５ｍｇをセットし、Ｎ８
気流下で２０℃／分の昇温速度で昇温させた時に表われ
る結晶融解に伴う吸熱ピーク温度をＴ朧とする。

（２）熱収縮率 恒温槽中、Ｓ素状態で２００℃、１５分間放置する。原
反を１゜、測定した長さを文とすると、［（ｉｏ−Ｊｌ
）八ｏｌ　Ｘ　　１００％で表わす。

（３）エツチング寸法変化 ４０℃のＦｅＣ１５溶液中に試料を５分間浸漬してエツ
チングを行ない、サンプルの寸法変化を次の評価基準で
判定した。

１亘基１ ０：寸法変化が１％未満のとき ０：寸法変化が１〜５％のとき Ｘ：寸法変化が５％を超えるとき （４）耐ハンダ性 ２２０°Ｃで溶融するＰｂ−３ｎハンダ浴の中に試料を
１分間浸漬後の試料の形状から判断する。

評価基準 Ｏ：寸法変化が１％未満で平面性に優れているとき Ｏ：寸法変化は１０％未満で、比較的試料の平面性の良
い場合 Δ：寸法変化が１０％以上と大きく、シかも。

試料がベコベコしているとき Ｘ：溶融したり破れたりしてもとの形状をとどめないも
の 〔実施例］ 以下、本発明を実施例に基づきより具体的に説明する。

もっとも１本発明は、下記実施例に限定されるものでは
ない。

実施例１ テレフタル酸６０モル％及びスチルベンジカルボン酸４
０モル％から成る酸成分と、１．４−シクロヘキサンジ
メタツール１００モル％から成る成分とを酸成分に対し
て０．０５モル％の酸化チタンを触媒として用いてオー
トクレーブ中て攪拌下で加熱することによりエステル交
換し、次いでｍ縮合してＰＣＴを得た。

このポリエステルを３００°Ｃで溶融押出し、４０°Ｃ
に保持した急冷ドラム上で冷却して１１０００７ｔの未
延伸フィルムを得た。この未延伸フィルムを１１０°Ｃ
に調節した金属ロールに接触させ予熱した後赤外線ヒー
タ（表面温度１０００°Ｃ）を照射しつつ周速差のある
ロール間で、３．２倍縦方向に延伸した。続いて縦延伸
フィルムをテンターで１３５℃で３．５倍に横延伸した
。得られた２輪延伸フィルムの両端をクリップで把持し
たまま２５０°Ｃで熱固定し巻き取り、厚さ７５ル膳の
フィルムを得た。このフィルムの融点を上記方法により
測定した。

このフィルム上に常法により銅箔を形成し、エツチング
して回路を形成し、本発明のフレキシブル回路用基板を
得た。

得られたＦＰＣ基板の熱収縮率、エツチング寸法変化及
び耐ハンダ性を上記の方法により測定又は評価した。そ
の結果を下記表に示した。

下記表から明らかなように、このＦＰＣ基板は耐ハンダ
性及びエツチング寸法変化の両方とも極めて優れていた
。

１崖璽ユ 熱固定温度を２２０℃にすることを除いて実施例１と同
様にしてＦＰＣ基板を得た。

得られたＦＰＣ基板の特性を下記表に示した。下記表に
示すように、このＦＰＣ基板は優れた耐ハンダ性を有し
、エツチング寸法変化も優れていたが、熱収縮率が実施
例１のものよりも高く、実施例１のものの方がより優れ
た効果が得られた。

比較例１ 酸成分をテレフタル酸９０モル％、スチルベンジカルボ
ン酸１０モル％とすることを除いて実施例１と同様にし
てＦＰＣ基板を得た。

得られたＦＰＣ基板の特性を下記表に示した０表から明
らかなように、ベースフィルムの融点が本発明の範囲よ
りも低く、その結果、ＦＰＣ基板のハンダ耐熱性、エツ
チング寸法安定性が劣っている。

比較例２ ＰＣＴの代わりにポリエチレン−２，６−ナフタレート
を用いて実施例１と同様にしてＦＰＣ基板を得た。

得られたＦＰＣ基板の特性を下記表に示した０表に示す
ように、このＦＰＣ基板は熱収縮率は低いか寸法変化が
大さく、ハンダ耐熱性に関してはフィルムに穴か空いた
り変形する等劣っている。

比較例３ ＰＣＴの代わりにポリエチレンテレフタレートを用いて
実施例１と同様にしてＦＰＣＪＪ板を得た。

得られたＦＰＣ基板の特性を下記表に示した０表に示す
ように、このＦＰＣ基板は熱収縮率及び寸法変化が大き
く満足できない。また、ハンダ耐熱性もフィルムか溶け
てしまい劣っている。

［発明の効果］ この発明により、耐熱性、耐熱劣化性及び寸法安定性に
優れたＦＰＣ用基板基板供された。特に半田付けの際の
熱による基板フィルムの溶融。

破損及び変形がなく、半田付は作業を容易にすることか
できる。また、基板フィルムに銅箔を貼り合せた後に銅
箔をパターンエツチングする際生じる寸法の変化か小さ
い。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）融点が２８０℃以上である１．４−ポリシクロヘ
   キシレンジメチレンテレフタレートから成るベースフィ
   ルムの少なくとも片面にエッチングされた導電性金属箔
   が形成されたフレキシブル回路用基板。
2. （２）ベースフィルムの２００℃、１５分間加熱後の熱
   収縮率が縦方向及び横方向とも２．０％以下である請求
   項１記載のフレキシブル回路用基板。