JPH021632B2 - - Google Patents
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- JPH021632B2 JPH021632B2 JP59274949A JP27494984A JPH021632B2 JP H021632 B2 JPH021632 B2 JP H021632B2 JP 59274949 A JP59274949 A JP 59274949A JP 27494984 A JP27494984 A JP 27494984A JP H021632 B2 JPH021632 B2 JP H021632B2
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Classifications
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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-
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
- B24C1/08—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods for polishing surfaces, e.g. smoothing a surface by making use of liquid-borne abrasives
-
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-
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- B24C3/08—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially adapted for abrasive blasting of travelling stock or travelling workpieces
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- B24C3/18—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions
- B24C3/20—Abrasive blasting machines or devices; Plants essentially provided with means for moving workpieces into different working positions the work being supported by turntables
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
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- B24C3/00—Abrasive blasting machines or devices; Plants
- B24C3/32—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks
- B24C3/322—Abrasive blasting machines or devices; Plants designed for abrasive blasting of particular work, e.g. the internal surfaces of cylinder blocks for electrical components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
この発明はIC等の基板用シリコンウエーハの
ブラスト装置に関するものである。 （従来の技術） 従来、IC等の基板となるシリコンウエーハは
単結晶体のシリコンのブロツクをダイヤモンド砥
石で薄片に切断し、続いて研磨加工により、表裏
両面の平行な薄円板に仕上げ、更らに該薄円板の
一面に遊離砥粒によるラツピング加工を施し、鏡
面を持つた厚さ0.1〜0.6mm程度の薄円板に仕上
る。これはダイヤモンド砥石による切断や、続く
研磨工程で表面に生じる微少なクラツクや変質層
を除去し、完全な結晶面が露出した平面又はそれ
に近い平面とすることにより良質の、IC等の基
板をつくるためである。 （発明が解決しようとする問題点） 然し、上述のラツピング加工は余り強い圧力で
行うと研磨剤が被加工面に象嵌されてしまうの
で、弱い圧力で行わねばならず、而も上記加工変
質層を除去しなければならないため、勢い時間が
掛り、例えば5″径のシリコンウエーハの表面より
25μｍ削り取るのに約35〜40分程度必要で、極め
て長時間を要する欠点があつた。この発明は叙上
の欠点を除去できた、IC等の基板用シリコンウ
エーハのブラスト装置を提供するのをその目的と
する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明に係るIC等の基板用シリコンウエーハ
のブラスト装置は、シリコンウエーハ１の外径
D1より若干大きい内径D2の凹窩部２を有し、弾
性体で作られ、該凹窩部２の中央には該シリコン
ウエーハ１の載置台部３があり、該載置台部３の
外周の溝４は、該溝４の外壁５に穿設した開口６
を通して外部と連通している構成を有するシリコ
ンウエーハ取付台Ａを１個以上載置した平板Ｂを
して炭化珪素の粒子と水とよりなるスラリーを噴
射するノズルを有する噴射加工部Ｃに送れるよう
になつているものである。 （実施例） 先ず、第１図乃至第３図に基ずき、本発明に係
る、IC等の基板用シリコンウエーハのブラスト
装置の一実施例の構成から先に詳細に説明する
と、第１図及び第２図に示すように、シリコンウ
エーハ１の外径D1より若干大きい内径D2の凹窩
部２を有し、弾性体で作られ、該凹窩部２の中央
には該シリコンウエーハ１の載置台部３があり、
該載置台部３の外周の溝４は、該溝４の外壁５に
穿設した開口６を通して外部と連通しており、前
記載置台部３の平らな表面７には平行の溝８を設
けたシリコンウエーハ取付台Ａを、１個以上載置
した平板Ｂ（第４図、第６図参照）をして炭化珪
素の粒子と水とよりなるスラリーを噴射するノズ
ル（図示省略）を有する噴射加工部Ｃ（第３図、
第５図参照）に送れるようになつているものであ
る。 なお、第３図は、上記噴射加工部Ｃが内部にあ
り、該内部をローラーコンベヤーａが貫通するよ
うに構成したもので、上述の平板Ｂは、第３図に
示す実施例においてはローラーコンベヤーａに載
せられる様に長方形の板とし、第４図に示すよう
に、上述のシリコンウエーハ取付台Ａに、表裏両
面の平行度を出す研磨加工が終了し、未だラツピ
ングされない前のシリコンウエーハ１を取付けた
ものを、噴射加工部Ｃに設けた３個のノズルｂ
（第４図参照）に応じて３列９段に並べ、ローラ
ーコンベヤーａの入側c1で載せ、出側c2で取外す
ようにしたものである。 上記シリコンウエーハー取付台Ａは弾性体、例
えばデユロメーター硬度60以下の天然ゴム、ポリ
イソプレンゴム（IR）、ブタジエンゴム（BR）、
ネオプレン・クロロプレンゴム（CR）、ポリウレ
タンゴム（PUR）等の合成ゴムで作られる。又
シリコンウエーハ１の載置台部３の表面７に平行
の溝８を設けたのはシリコンウエーハ１の表面と
載置台部３の表面７との間に砥粒が介在しないよ
うにするためである。 なお、シリコンウエーハ１は薄く、軽るいもの
であり且つ衝撃で割れ易い材質のものであるの
で、噴射加工の圧力で割れたり、風圧でシリコン
ウエーハ取付台Ａから飛び出さないようにする配
慮が必要であるが、シリコンウエーハのように薄
いものを側面より爪で押え、上方より衝撃が加か
ると割れ易いので、このシリコンウエーハ取付台
Ａはシリコンウエーハ１の直径D1より、外壁５
の内径D2を僅かに大きくし、緩るい嵌合状態に
してシリコンウエーハ１を保持するようにしてあ
る。 又シリコンウエーハの載置台３の表面７は、シ
リコンウエーハ１は上述のように割れ易いので、
上方より加わるスラリーの噴射圧力により、比較
的弱い圧力の場合は硬い表面７に、又比較的強い
圧力に対しては例えば繊維質のもの或は多孔性の
ものを被せ、弾性を有する表面７にするとよい。 又、スラリーの砥粒に炭化珪素を用いるのは、
炭化珪素は針状結晶であつて、アルミナ系砥粒に
比し、靭性が乏しく、破砕し易いが、鋭利なエツ
ジを有しているのでシリコン結晶の表面の微少部
分を剪断破壊することができ、ダイヤモンド砥石
で切断した際生じている変質層を簡単に除去し、
更に表面を梨地にするからで、他の砥粒、例えば
アルミナ系砥粒を使用すると、シリコンウエーハ
１にAlイオンが含有されることになり結果がよ
くないためである。 本発明に係る、IC等の基板用シリコンウエー
ハのブラスト装置の他の実施例は、第５図、第６
図に示すように、上述のシリコンウエーハ取付台
Ａが取付けられる平板Ｂは、噴射ノズル（図示省
略）が設けられている噴射加工部Ｃ（第５図参照）
内に、水平に向つて間歇回動自在に設けられた割
出し盤ｄの外周寄りに回転自在に設けられた小円
板ｅとし、該小円板ｅにシリコンウエーハ取付台
Ａを１個づつ載置し、前記割出し盤ｄを間歇回転
し、該シリコンウエーハの取付台Ａをノズルの下
方に送り、ブラスト加工を行うようにしたもので
ある。なお、第６図中ｆは原動調車でベルトｇに
より各小円板ｅの回転軸ｈの下端に設けられた調
車ｉを回転するようにしたもので、噴射加工部Ｃ
外に出ている割出し盤d′上の小円板ｅはベルトｇ
から駆動されず、停止するようになつている。
（特許出願公告昭30−8000号参照） （作 用） 第３図に示す実施例ではローラーコンベアａで
噴射加工部Ｃに送られた長方形状の平板Ｂ上の数
多のシリコンウエーハの取付台Ａ、又、第５図に
示す実施例では、割出し盤ｄの回転で噴射加工部
Ｃのノズル（図示省略）の下方に齎らされた回転
小円板ｅの形を取つた平板Ｂ上のシリコンウエー
ハの取付台Ａに、ノズルから炭化珪素の粒子と水
とよりなるスラリーが噴射されると、該取付台Ａ
の載置台部３の表面７上に載置されたシリコンウ
エーハ１の表面の微少なクラツクや変質層は研削
力の強い炭化珪素の粒子が混入されているスラリ
ーで簡単に除去され、シリコンウエーハ１には砥
粒の材質に関係する影響は少しも残らない。 この間、砥粒はシリコンウエーハ１と外壁５と
の僅かな間隙を通つて溝４中に落下し、更に開口
６を通つて外部に流されるので、該取付台Ａ内に
残留することがない。 なお、第３図に示す実施例では、ローラーコン
ベヤーａの入側c1で、該取付台Ａの載置されてい
る平板Ｂを供給し、出側c2で取出すが、上記供
給、取出しは、平板Ｂ上に取付台Ａを取付けたも
のを複数のカセツト中に数多用意し、カセツトを
順次供給位置に移動して自動的に供給するように
し、出側ではからのカセツトに平板を順次収納
し、順次カセツトを移動するようにすると能率的
である。なお、若し両面をブラスト加工したい場
合は、シリコンウエーハを裏返して再びローラー
コンベヤーａの入側に供給すれればよい。 又第５図に示す実施例では、第６図に示すよう
に、一部噴射加工部Ｃ外に出る割出し盤ｄを使用
するので、噴射加工部Ｃを出た部分Ｅ（第６図参
照）をシリコンウエーハの供給、取出し室とすれ
ば連続的なブラスト操業が行え、シリコンウエー
ハを裏返したい場合は、その間に能率的に行うこ
とができる。叙上の本発明に係るIC等の基板用
シリコンウエーハのブラスト装置を使用すると、
ダイヤモンド砥石で薄片に切断し、研磨加工によ
つて表裏両面を平行に仕上げたシリコンウエーハ
の面には、上記切断、研磨の各工程中に発生した
微少のクラツクや変質層が全くないので、上記の
ブラスト加工を終了したシリコンウエーハをラツ
ピング加工すると、美事な鏡面に仕上げることが
でき、IC等の基板用として誠に好適のシリコン
ウエーハを得ることができる。 なお、第３図に示すブラスト装置を使用し、平
板Ｂ上のシリコンウエーハ取付台Ａを３列９段に
設けてブラスト加工を行つて後ラツピング加工を
してシリコンウエーハを得るのに要した時間は下
記の通りであつた。即ち、
ブラスト装置に関するものである。 （従来の技術） 従来、IC等の基板となるシリコンウエーハは
単結晶体のシリコンのブロツクをダイヤモンド砥
石で薄片に切断し、続いて研磨加工により、表裏
両面の平行な薄円板に仕上げ、更らに該薄円板の
一面に遊離砥粒によるラツピング加工を施し、鏡
面を持つた厚さ0.1〜0.6mm程度の薄円板に仕上
る。これはダイヤモンド砥石による切断や、続く
研磨工程で表面に生じる微少なクラツクや変質層
を除去し、完全な結晶面が露出した平面又はそれ
に近い平面とすることにより良質の、IC等の基
板をつくるためである。 （発明が解決しようとする問題点） 然し、上述のラツピング加工は余り強い圧力で
行うと研磨剤が被加工面に象嵌されてしまうの
で、弱い圧力で行わねばならず、而も上記加工変
質層を除去しなければならないため、勢い時間が
掛り、例えば5″径のシリコンウエーハの表面より
25μｍ削り取るのに約35〜40分程度必要で、極め
て長時間を要する欠点があつた。この発明は叙上
の欠点を除去できた、IC等の基板用シリコンウ
エーハのブラスト装置を提供するのをその目的と
する。 〔発明の構成〕 （問題点を解決するための手段） 本発明に係るIC等の基板用シリコンウエーハ
のブラスト装置は、シリコンウエーハ１の外径
D1より若干大きい内径D2の凹窩部２を有し、弾
性体で作られ、該凹窩部２の中央には該シリコン
ウエーハ１の載置台部３があり、該載置台部３の
外周の溝４は、該溝４の外壁５に穿設した開口６
を通して外部と連通している構成を有するシリコ
ンウエーハ取付台Ａを１個以上載置した平板Ｂを
して炭化珪素の粒子と水とよりなるスラリーを噴
射するノズルを有する噴射加工部Ｃに送れるよう
になつているものである。 （実施例） 先ず、第１図乃至第３図に基ずき、本発明に係
る、IC等の基板用シリコンウエーハのブラスト
装置の一実施例の構成から先に詳細に説明する
と、第１図及び第２図に示すように、シリコンウ
エーハ１の外径D1より若干大きい内径D2の凹窩
部２を有し、弾性体で作られ、該凹窩部２の中央
には該シリコンウエーハ１の載置台部３があり、
該載置台部３の外周の溝４は、該溝４の外壁５に
穿設した開口６を通して外部と連通しており、前
記載置台部３の平らな表面７には平行の溝８を設
けたシリコンウエーハ取付台Ａを、１個以上載置
した平板Ｂ（第４図、第６図参照）をして炭化珪
素の粒子と水とよりなるスラリーを噴射するノズ
ル（図示省略）を有する噴射加工部Ｃ（第３図、
第５図参照）に送れるようになつているものであ
る。 なお、第３図は、上記噴射加工部Ｃが内部にあ
り、該内部をローラーコンベヤーａが貫通するよ
うに構成したもので、上述の平板Ｂは、第３図に
示す実施例においてはローラーコンベヤーａに載
せられる様に長方形の板とし、第４図に示すよう
に、上述のシリコンウエーハ取付台Ａに、表裏両
面の平行度を出す研磨加工が終了し、未だラツピ
ングされない前のシリコンウエーハ１を取付けた
ものを、噴射加工部Ｃに設けた３個のノズルｂ
（第４図参照）に応じて３列９段に並べ、ローラ
ーコンベヤーａの入側c1で載せ、出側c2で取外す
ようにしたものである。 上記シリコンウエーハー取付台Ａは弾性体、例
えばデユロメーター硬度60以下の天然ゴム、ポリ
イソプレンゴム（IR）、ブタジエンゴム（BR）、
ネオプレン・クロロプレンゴム（CR）、ポリウレ
タンゴム（PUR）等の合成ゴムで作られる。又
シリコンウエーハ１の載置台部３の表面７に平行
の溝８を設けたのはシリコンウエーハ１の表面と
載置台部３の表面７との間に砥粒が介在しないよ
うにするためである。 なお、シリコンウエーハ１は薄く、軽るいもの
であり且つ衝撃で割れ易い材質のものであるの
で、噴射加工の圧力で割れたり、風圧でシリコン
ウエーハ取付台Ａから飛び出さないようにする配
慮が必要であるが、シリコンウエーハのように薄
いものを側面より爪で押え、上方より衝撃が加か
ると割れ易いので、このシリコンウエーハ取付台
Ａはシリコンウエーハ１の直径D1より、外壁５
の内径D2を僅かに大きくし、緩るい嵌合状態に
してシリコンウエーハ１を保持するようにしてあ
る。 又シリコンウエーハの載置台３の表面７は、シ
リコンウエーハ１は上述のように割れ易いので、
上方より加わるスラリーの噴射圧力により、比較
的弱い圧力の場合は硬い表面７に、又比較的強い
圧力に対しては例えば繊維質のもの或は多孔性の
ものを被せ、弾性を有する表面７にするとよい。 又、スラリーの砥粒に炭化珪素を用いるのは、
炭化珪素は針状結晶であつて、アルミナ系砥粒に
比し、靭性が乏しく、破砕し易いが、鋭利なエツ
ジを有しているのでシリコン結晶の表面の微少部
分を剪断破壊することができ、ダイヤモンド砥石
で切断した際生じている変質層を簡単に除去し、
更に表面を梨地にするからで、他の砥粒、例えば
アルミナ系砥粒を使用すると、シリコンウエーハ
１にAlイオンが含有されることになり結果がよ
くないためである。 本発明に係る、IC等の基板用シリコンウエー
ハのブラスト装置の他の実施例は、第５図、第６
図に示すように、上述のシリコンウエーハ取付台
Ａが取付けられる平板Ｂは、噴射ノズル（図示省
略）が設けられている噴射加工部Ｃ（第５図参照）
内に、水平に向つて間歇回動自在に設けられた割
出し盤ｄの外周寄りに回転自在に設けられた小円
板ｅとし、該小円板ｅにシリコンウエーハ取付台
Ａを１個づつ載置し、前記割出し盤ｄを間歇回転
し、該シリコンウエーハの取付台Ａをノズルの下
方に送り、ブラスト加工を行うようにしたもので
ある。なお、第６図中ｆは原動調車でベルトｇに
より各小円板ｅの回転軸ｈの下端に設けられた調
車ｉを回転するようにしたもので、噴射加工部Ｃ
外に出ている割出し盤d′上の小円板ｅはベルトｇ
から駆動されず、停止するようになつている。
（特許出願公告昭30−8000号参照） （作 用） 第３図に示す実施例ではローラーコンベアａで
噴射加工部Ｃに送られた長方形状の平板Ｂ上の数
多のシリコンウエーハの取付台Ａ、又、第５図に
示す実施例では、割出し盤ｄの回転で噴射加工部
Ｃのノズル（図示省略）の下方に齎らされた回転
小円板ｅの形を取つた平板Ｂ上のシリコンウエー
ハの取付台Ａに、ノズルから炭化珪素の粒子と水
とよりなるスラリーが噴射されると、該取付台Ａ
の載置台部３の表面７上に載置されたシリコンウ
エーハ１の表面の微少なクラツクや変質層は研削
力の強い炭化珪素の粒子が混入されているスラリ
ーで簡単に除去され、シリコンウエーハ１には砥
粒の材質に関係する影響は少しも残らない。 この間、砥粒はシリコンウエーハ１と外壁５と
の僅かな間隙を通つて溝４中に落下し、更に開口
６を通つて外部に流されるので、該取付台Ａ内に
残留することがない。 なお、第３図に示す実施例では、ローラーコン
ベヤーａの入側c1で、該取付台Ａの載置されてい
る平板Ｂを供給し、出側c2で取出すが、上記供
給、取出しは、平板Ｂ上に取付台Ａを取付けたも
のを複数のカセツト中に数多用意し、カセツトを
順次供給位置に移動して自動的に供給するように
し、出側ではからのカセツトに平板を順次収納
し、順次カセツトを移動するようにすると能率的
である。なお、若し両面をブラスト加工したい場
合は、シリコンウエーハを裏返して再びローラー
コンベヤーａの入側に供給すれればよい。 又第５図に示す実施例では、第６図に示すよう
に、一部噴射加工部Ｃ外に出る割出し盤ｄを使用
するので、噴射加工部Ｃを出た部分Ｅ（第６図参
照）をシリコンウエーハの供給、取出し室とすれ
ば連続的なブラスト操業が行え、シリコンウエー
ハを裏返したい場合は、その間に能率的に行うこ
とができる。叙上の本発明に係るIC等の基板用
シリコンウエーハのブラスト装置を使用すると、
ダイヤモンド砥石で薄片に切断し、研磨加工によ
つて表裏両面を平行に仕上げたシリコンウエーハ
の面には、上記切断、研磨の各工程中に発生した
微少のクラツクや変質層が全くないので、上記の
ブラスト加工を終了したシリコンウエーハをラツ
ピング加工すると、美事な鏡面に仕上げることが
でき、IC等の基板用として誠に好適のシリコン
ウエーハを得ることができる。 なお、第３図に示すブラスト装置を使用し、平
板Ｂ上のシリコンウエーハ取付台Ａを３列９段に
設けてブラスト加工を行つて後ラツピング加工を
してシリコンウエーハを得るのに要した時間は下
記の通りであつた。即ち、
本発明に係るブラスト装置によれば、シリコン
単結晶よりダイヤモンド砥石で薄い円板に切出す
際、該円板表面に形成される加工変質層及び微少
なクラツクを確実に除去し而もその跡が梨地に形
成されているものをラツピングするので、ラツピ
ング加工の際研磨剤がよく喰い込まれ、ラツピン
グ自体の加工時間を著しく短縮し、シリコンの単
結晶のブロツクから鏡面をもつたシリコンウエー
ハを作るまでの全加工時間を著しく短縮できるば
かりでなくラツピング工具の寿命を延すことが出
来る。 砥粒はシリコンウエーハと載置台部の外壁との
僅かな間隙を通して溝中に落下し、更に開口を通
つて外部に流れ載置台部内に残留することがな
い。
単結晶よりダイヤモンド砥石で薄い円板に切出す
際、該円板表面に形成される加工変質層及び微少
なクラツクを確実に除去し而もその跡が梨地に形
成されているものをラツピングするので、ラツピ
ング加工の際研磨剤がよく喰い込まれ、ラツピン
グ自体の加工時間を著しく短縮し、シリコンの単
結晶のブロツクから鏡面をもつたシリコンウエー
ハを作るまでの全加工時間を著しく短縮できるば
かりでなくラツピング工具の寿命を延すことが出
来る。 砥粒はシリコンウエーハと載置台部の外壁との
僅かな間隙を通して溝中に落下し、更に開口を通
つて外部に流れ載置台部内に残留することがな
い。
第１図はシリコンウエーハ取付台の斜視図、第
２図はその縦断正面図、第３図はブラスト装置の
一実施例の斜視図、第４図は第３図に示すブラス
ト装置に使用する平板の平面図、第５図はブラス
ト装置の他の実施例の正面図、第６図は第５図に
示すブラスト装置の取出し盤部の斜視図を夫々示
し、１はシリコンウエーハ、２は凹窩部、３は載
置台部、４は溝、５は外壁、６は開口、Ａはシリ
コンウエーハ取付台、Ｂは平板、D1はシリコン
ウエーハの外径、D2は凹窩部２の内径を夫々示
す。
２図はその縦断正面図、第３図はブラスト装置の
一実施例の斜視図、第４図は第３図に示すブラス
ト装置に使用する平板の平面図、第５図はブラス
ト装置の他の実施例の正面図、第６図は第５図に
示すブラスト装置の取出し盤部の斜視図を夫々示
し、１はシリコンウエーハ、２は凹窩部、３は載
置台部、４は溝、５は外壁、６は開口、Ａはシリ
コンウエーハ取付台、Ｂは平板、D1はシリコン
ウエーハの外径、D2は凹窩部２の内径を夫々示
す。
Claims (1)
- １ シリコンウエーハ１の外径D1より若干大き
い内径D2の凹窩部２を有し、弾性体で作られ、
該凹窩部２の中央には該シリコンウエーハ１の載
置台部３があり、該載置台部３の外周の溝４は、
該溝４の外壁５に穿設した開口６を通して外部と
連通している構成を有するシリコンウエーハ取付
台Ａを、１個以上載置した平板Ｂをして炭化珪素
の粒子と水とよりなるスラリーを噴射するノズル
を有する噴射加工部Ｃに送れるようになつている
ことを特徴とするIC等の基板用シリコンウエー
ハのブラスト装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59274949A JPS61159371A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Ｉｃの基板用シリコンウェーハのブラスト装置 |
| US06/811,611 US4679359A (en) | 1984-12-28 | 1985-12-20 | Method for preparation of silicon wafer |
| US07/027,294 US4738056A (en) | 1984-12-28 | 1987-03-17 | Method and blasting apparatus for preparation of silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59274949A JPS61159371A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Ｉｃの基板用シリコンウェーハのブラスト装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159371A JPS61159371A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH021632B2 true JPH021632B2 (ja) | 1990-01-12 |
Family
ID=17548798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59274949A Granted JPS61159371A (ja) | 1984-12-28 | 1984-12-28 | Ｉｃの基板用シリコンウェーハのブラスト装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4679359A (ja) |
| JP (1) | JPS61159371A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019131174A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社 荏原製作所 | 基板加工装置および基板加工方法 |
Families Citing this family (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3844649C2 (ja) * | 1987-06-23 | 1992-04-23 | Taiyo Sanso Co. Ltd., Osaka, Jp | |
| USRE37997E1 (en) | 1990-01-22 | 2003-02-18 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad with controlled abrasion rate |
| US5085015A (en) * | 1990-06-26 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for improving the surface of liquid crystal polymers |
| JPH04336964A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-25 | Sony Corp | 微粉体噴射装置 |
| JP3070139B2 (ja) * | 1991-05-17 | 2000-07-24 | ソニー株式会社 | 微粉体噴射加工処理装置 |
| GB2345257B (en) * | 1997-09-01 | 2002-11-06 | United Microelectronics Corp | Chemical-mechanical polishing method and fabricating method |
| US6241582B1 (en) | 1997-09-01 | 2001-06-05 | United Microelectronics Corp. | Chemical mechanical polish machines and fabrication process using the same |
| NL1007589C1 (nl) | 1997-11-20 | 1999-05-25 | Tno | Werkwijze en inrichting voor het bewerken van een werkstuk. |
| US6019665A (en) * | 1998-04-30 | 2000-02-01 | Fujitsu Limited | Controlled retention of slurry in chemical mechanical polishing |
| US6227943B1 (en) | 1998-05-01 | 2001-05-08 | International Business Machines Corporation | Method and system for pre-cleaning and post-cleaning deposited metal |
| US6203407B1 (en) | 1998-09-03 | 2001-03-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity |
| US6224463B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-05-01 | J.C.J. Metal Processing, Incorporated | Workpiece finishing system and method of operating same |
| DE10010820C1 (de) * | 2000-02-29 | 2001-09-13 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Regenerierung von Halbleiterscheiben |
| US6599815B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-07-29 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a silicon wafer with a denuded zone |
| US6406923B1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-06-18 | Kobe Precision Inc. | Process for reclaiming wafer substrates |
| US6726548B1 (en) * | 2001-08-21 | 2004-04-27 | Hershell Williams | Parts hangers for rotating table blast machine |
| US6733368B1 (en) | 2003-02-10 | 2004-05-11 | Seh America, Inc. | Method for lapping a wafer |
| KR101119019B1 (ko) * | 2004-12-14 | 2012-03-12 | 주식회사 엘지실트론 | 질화갈륨 반도체 및 이의 제조 방법 |
| US7207869B2 (en) * | 2005-02-22 | 2007-04-24 | Pratt & Whitney Canada Corp. | Apparatus for supporting airfoils in a grit blasting process |
| US8684281B2 (en) * | 2006-03-24 | 2014-04-01 | Finishing Brands Holdings Inc. | Spray device having removable hard coated tip |
| US20080017734A1 (en) * | 2006-07-10 | 2008-01-24 | Micheli Paul R | System and method of uniform spray coating |
| US7666689B2 (en) * | 2006-12-12 | 2010-02-23 | International Business Machines Corporation | Method to remove circuit patterns from a wafer |
| US8034718B2 (en) | 2006-12-12 | 2011-10-11 | International Business Machines Corporation | Method to recover patterned semiconductor wafers for rework |
| US20100068976A1 (en) * | 2008-09-12 | 2010-03-18 | Boris Zelenko | Systems and methods for preparation of conductors for electric motors |
| JP5523115B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2014-06-18 | 株式会社ナノシステムソリューションズ | ウェーハエッジ及びウェーハ裏面加工装置 |
| JP2014024120A (ja) * | 2010-11-16 | 2014-02-06 | Sintokogio Ltd | ショット処理装置 |
| CN103846813B (zh) * | 2013-10-23 | 2016-03-23 | 洛阳市鼎晶电子材料有限公司 | 硅片背面喷砂制造吸杂源消除硅抛光表面氧化雾的装置 |
| CN112440214A (zh) * | 2020-12-09 | 2021-03-05 | 哈尔滨轴承集团公司 | 轴承滚道高压水射流精研加工装置及加工方法 |
| CN112589687B (zh) * | 2021-01-08 | 2021-08-31 | 芜湖新升机械有限公司 | 一种机械零件表面自动旋转喷砂设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131916A (ja) * | 1973-04-25 | 1974-12-18 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1384278A (en) * | 1918-09-26 | 1921-07-12 | Pilkington Brothers Ltd | Apparatus for grinding and polishing plate-glass |
| US1966571A (en) * | 1930-07-19 | 1934-07-17 | Colt S Mfg Co | Wet sand blast apparatus |
| US2306842A (en) * | 1935-12-04 | 1942-12-29 | American Foundry Equip Co | Abrading apparatus |
| US2345648A (en) * | 1941-04-28 | 1944-04-04 | Billey Electric Company | Piezoelectric crystal apparatus |
| US3270464A (en) * | 1964-04-28 | 1966-09-06 | Pangborn Corp | Abrasive blasting apparatus |
| US3492763A (en) * | 1967-09-18 | 1970-02-03 | Monsanto Co | Method and apparatus for mounting semiconductor slices |
| CH504783A (de) * | 1969-06-20 | 1971-03-15 | Siemens Ag | Verfahren zum Abtrennen eines Körpers von einem scheibenförmigen Kristall und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens |
| US3701696A (en) * | 1969-08-20 | 1972-10-31 | Gen Electric | Process for simultaneously gettering,passivating and locating a junction within a silicon crystal |
| DE2537464A1 (de) * | 1975-08-22 | 1977-03-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zur entfernung spezifischer kristallbaufehler aus halbleiterscheiben |
| SU592585A1 (ru) * | 1976-05-10 | 1978-02-15 | Filippov Yurij Vladimirovich | Стол дробеструйной камеры |
| JPS6191936A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | バツクサイドダメ−ジ加工治具 |
-
1984
- 1984-12-28 JP JP59274949A patent/JPS61159371A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-20 US US06/811,611 patent/US4679359A/en not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-17 US US07/027,294 patent/US4738056A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49131916A (ja) * | 1973-04-25 | 1974-12-18 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019131174A1 (ja) * | 2017-12-27 | 2019-07-04 | 株式会社 荏原製作所 | 基板加工装置および基板加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4679359A (en) | 1987-07-14 |
| US4738056A (en) | 1988-04-19 |
| JPS61159371A (ja) | 1986-07-19 |
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