JPH02155378A - 固体撮像素子の駆動方法 - Google Patents
固体撮像素子の駆動方法Info
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- JPH02155378A JPH02155378A JP63310381A JP31038188A JPH02155378A JP H02155378 A JPH02155378 A JP H02155378A JP 63310381 A JP63310381 A JP 63310381A JP 31038188 A JP31038188 A JP 31038188A JP H02155378 A JPH02155378 A JP H02155378A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 12
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 15
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
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- H01L27/14887—Blooming suppression
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は固体撮像素子による撮像方法に関し、特にイン
ターライン転送方式〇〇Ｄ撮像素子の電子シャッター駆
動方法に関する。
ターライン転送方式〇〇Ｄ撮像素子の電子シャッター駆
動方法に関する。
従来のインターライン転送方式〇ＣＤ撮像素子はフォト
ダイオードで光電変換され、蓄積された電荷は垂直ブラ
ンキング期間毎に読み出されるため例えばＮＴＳＣの場
合１／６０秒の蓄積時間を有する事になる。従って１７
６０秒期間で蓄積された電荷量で像を撮らえるため、速
く動く物を撮った場合、画面がポケるのが常であった。
ダイオードで光電変換され、蓄積された電荷は垂直ブラ
ンキング期間毎に読み出されるため例えばＮＴＳＣの場
合１／６０秒の蓄積時間を有する事になる。従って１７
６０秒期間で蓄積された電荷量で像を撮らえるため、速
く動く物を撮った場合、画面がポケるのが常であった。
この欠点を改善するため蓄積時間を短がくする電子シャ
ッター動作が最近提案され実用化されつつある。
ッター動作が最近提案され実用化されつつある。
例を挙げると写真工業出版社発行のビデオα１９８７年
８月号Ｐ１４５〜１４８に示す様に一般には第１０図の
様に上部にドレイン４を設けたインターライン方式ＣＣ
Ｄ撮像素子を用い、第１１図の様に垂直ブランキング期
間に２つのフォトダイオード（以後ＰＤとする）読み出
しパルス８を設け、その間に高速道転送パルス１４を加
えて最初のＰＤ読み出しで読み出された電荷をドレイン
側に掃き出す。この間に蓄積された電荷が２回目のＰＤ
読み出しで出力される。この期間ｔ１がシャッター時間
となる。この場合垂直ブランキング１０内で不要電荷読
み出し、高速掃き出し、信号電荷読み出しを行なわなけ
ればならずシャッター時間１７１０００秒固定しか出来
ない。これの改良型として第１２図の様に蓄積部１２を
設ける事でシャッター時間１７２５０秒〜１７１０００
秒を実現さ１９８７年１０月号Ｆ６０〜６４に示される
様な縦型オーバーフロードレインを利用して基盤側に不
要電荷を引き抜く方法があるがこの場合高い基盤電圧（
以後Ｖｓｕｂとする）が必要であり、この様な電圧で完
全にＰＤ蓄積電荷を零とするためにはＶｓｕｂに対する
ＰＤ最大蓄積電荷量のコントロール依存性を高くする必
要があり、この事はＰＤの静電容量の増加を意味し基盤
濃度むら等による静電容量のばらつきの影唇が大きくな
り、飽和むらの発生等を生ずる。
８月号Ｐ１４５〜１４８に示す様に一般には第１０図の
様に上部にドレイン４を設けたインターライン方式ＣＣ
Ｄ撮像素子を用い、第１１図の様に垂直ブランキング期
間に２つのフォトダイオード（以後ＰＤとする）読み出
しパルス８を設け、その間に高速道転送パルス１４を加
えて最初のＰＤ読み出しで読み出された電荷をドレイン
側に掃き出す。この間に蓄積された電荷が２回目のＰＤ
読み出しで出力される。この期間ｔ１がシャッター時間
となる。この場合垂直ブランキング１０内で不要電荷読
み出し、高速掃き出し、信号電荷読み出しを行なわなけ
ればならずシャッター時間１７１０００秒固定しか出来
ない。これの改良型として第１２図の様に蓄積部１２を
設ける事でシャッター時間１７２５０秒〜１７１０００
秒を実現さ１９８７年１０月号Ｆ６０〜６４に示される
様な縦型オーバーフロードレインを利用して基盤側に不
要電荷を引き抜く方法があるがこの場合高い基盤電圧（
以後Ｖｓｕｂとする）が必要であり、この様な電圧で完
全にＰＤ蓄積電荷を零とするためにはＶｓｕｂに対する
ＰＤ最大蓄積電荷量のコントロール依存性を高くする必
要があり、この事はＰＤの静電容量の増加を意味し基盤
濃度むら等による静電容量のばらつきの影唇が大きくな
り、飽和むらの発生等を生ずる。
上述した従来の撮像方法による電子シャターは可変範囲
を広げようとするとそれだけメモリーの段数が必要とな
るので、必然的に撮像素子のチップ面積が大きくなって
しまう。又、メモリー段数が増えるとそれだけ早い時間
で転送しなければならないので周波数が高くなり垂直レ
ジスターの最大転送電荷量が減少してしまう欠点がある
。
を広げようとするとそれだけメモリーの段数が必要とな
るので、必然的に撮像素子のチップ面積が大きくなって
しまう。又、メモリー段数が増えるとそれだけ早い時間
で転送しなければならないので周波数が高くなり垂直レ
ジスターの最大転送電荷量が減少してしまう欠点がある
。
また縦型オーバーフロードレインを利用する方法ではＶ
ｓ ｕ ｂを高電圧にしなければならない。
ｓ ｕ ｂを高電圧にしなければならない。
この様な電圧で完全にＦＤ蓄積電荷を零とするためには
Ｖ ｓ ｕ ｂに対するＰＤ最大蓄積電荷量のコントロ
ール依存性を高くする必要があり、この事はＰＤの静電
容量の増加を意味し、基盤濃度むら等による静電容量の
バラツキの影響が大きくなり飽和ムラの発生等を生ずる
という欠点がある。
Ｖ ｓ ｕ ｂに対するＰＤ最大蓄積電荷量のコントロ
ール依存性を高くする必要があり、この事はＰＤの静電
容量の増加を意味し、基盤濃度むら等による静電容量の
バラツキの影響が大きくなり飽和ムラの発生等を生ずる
という欠点がある。
本発明の固体撮像素子の撮像方法は少なくとも読み出し
パルスを含み、所望の蓄積時間遮光アルミ電極印加電圧
を必要な電荷量をフォトダイオードに蓄積出来る電圧に
設定し、前記蓄積時間以外の期間遮光アルミ電極印加電
圧を前記電圧より低電圧にし、かつ電圧切換時点が水平
或いは垂直ブランキング期間であるパルスを遮光アルミ
電極に印加すると共に、前記低電圧期間の水平ブランキ
ング期間内に基板電圧を通常よりも高い電圧に切り換え
、前記遮光アルミ電極印加パルスの立ち上がりと同時或
いはそれ以前に基板電圧を通常に切り換えるパルスを基
板に加える事により電子シャッター動作を実現する。
パルスを含み、所望の蓄積時間遮光アルミ電極印加電圧
を必要な電荷量をフォトダイオードに蓄積出来る電圧に
設定し、前記蓄積時間以外の期間遮光アルミ電極印加電
圧を前記電圧より低電圧にし、かつ電圧切換時点が水平
或いは垂直ブランキング期間であるパルスを遮光アルミ
電極に印加すると共に、前記低電圧期間の水平ブランキ
ング期間内に基板電圧を通常よりも高い電圧に切り換え
、前記遮光アルミ電極印加パルスの立ち上がりと同時或
いはそれ以前に基板電圧を通常に切り換えるパルスを基
板に加える事により電子シャッター動作を実現する。
すなわち、従来の撮像方法による電子シャッターは蓄積
部を必要とし、シャッター時間を広げようとした場合、
それだけ早い時間で電荷転送を行なうため高速転送部の
周波数が高くなり転送電荷量の減少が生ずるのに対し、
本発明では蓄積部を必要とせず、高速転送パルスも必要
ないのでシャッター時間を広げても転送電荷量が減少す
ることもない。また高い基板電圧も必要としない。
部を必要とし、シャッター時間を広げようとした場合、
それだけ早い時間で電荷転送を行なうため高速転送部の
周波数が高くなり転送電荷量の減少が生ずるのに対し、
本発明では蓄積部を必要とせず、高速転送パルスも必要
ないのでシャッター時間を広げても転送電荷量が減少す
ることもない。また高い基板電圧も必要としない。
次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。・
先ず本発明の詳細な説明する。第３図に示す様なＮ−型
フォトダイオードは完全空乏化させて使用しているため
ＰＤ以外を遮光している遮光アルミ （以後ＰＳとする
）はフローティング状態だと電位が不安定なため、接地
或いは第３図の様に一定電圧（ＤＣ）を印加していた。
フォトダイオードは完全空乏化させて使用しているため
ＰＤ以外を遮光している遮光アルミ （以後ＰＳとする
）はフローティング状態だと電位が不安定なため、接地
或いは第３図の様に一定電圧（ＤＣ）を印加していた。
実験によればＰＳ電極に印加する電圧（以後ＶＰ９とす
る）とＣＯＤ出力電圧の関係は第５図の様になりＣＯＤ
出力電圧はＶｐ３に大きく依存する。ＶＦ６を上げると
それに比例してＣＯＤ出力も増加し、逆にＶｐｓを下げ
るとＣＯＤ出力電圧も減少する。この現象を第４図を用
いて説明する。現在ＰＤの開口率が狭く、遮光アルミが
厚いため、アルミの側面から電気力線７がＰＤ全全面作
用するため等測的には遮光アルミがＰＤを覆っているの
と同じになり、蓄積電荷量がｖｐｓでフントロールされ
ると考えられている。一方、第６図の様にＶｐ３でＶｓ
ｕｂのコントロール特性も変化する。
る）とＣＯＤ出力電圧の関係は第５図の様になりＣＯＤ
出力電圧はＶｐ３に大きく依存する。ＶＦ６を上げると
それに比例してＣＯＤ出力も増加し、逆にＶｐｓを下げ
るとＣＯＤ出力電圧も減少する。この現象を第４図を用
いて説明する。現在ＰＤの開口率が狭く、遮光アルミが
厚いため、アルミの側面から電気力線７がＰＤ全全面作
用するため等測的には遮光アルミがＰＤを覆っているの
と同じになり、蓄積電荷量がｖｐｓでフントロールされ
ると考えられている。一方、第６図の様にＶｐ３でＶｓ
ｕｂのコントロール特性も変化する。
第１図は本発明の一実施例のブロック図であり、第９図
はそのタイミングチャートを示す。垂直駆動パルス（以
後ＶＤとする）から第９図（ｂ）に示すφＰＳと第９図
（ｃ）に示すφＳＵＢを作る。この時φＰＳは第７図（
ａ）に示す様に画面に切り換えノイズが出ない様ローレ
ベルからハイレベルへの切り換えは必ず水平ブランキン
グ期間９内で行なう。同様にハイレベルからローレベル
への切り換えは第９図（ａ）の読み出しパルスをカバー
し、かつ垂直ブランキング期間１０内かそれ以後の水平
ブランキング期間内で行なう。φＰＳのハイレベルはＰ
Ｄに十分電荷を蓄積出来る電圧、本発明では＋８ｖに設
定し、ローレベルは蓄積電荷量が少なくなる電圧、本発
明では一８ｖに設定し、ＰＳ電極に印加する。一方φＳ
ＵＢは第７図（ｂ）に示す様にφＰＳの立ち上がりを含
む水平ブランキング内に於いてＶｓｕｂを切り換えるパ
ルスを作る。
はそのタイミングチャートを示す。垂直駆動パルス（以
後ＶＤとする）から第９図（ｂ）に示すφＰＳと第９図
（ｃ）に示すφＳＵＢを作る。この時φＰＳは第７図（
ａ）に示す様に画面に切り換えノイズが出ない様ローレ
ベルからハイレベルへの切り換えは必ず水平ブランキン
グ期間９内で行なう。同様にハイレベルからローレベル
への切り換えは第９図（ａ）の読み出しパルスをカバー
し、かつ垂直ブランキング期間１０内かそれ以後の水平
ブランキング期間内で行なう。φＰＳのハイレベルはＰ
Ｄに十分電荷を蓄積出来る電圧、本発明では＋８ｖに設
定し、ローレベルは蓄積電荷量が少なくなる電圧、本発
明では一８ｖに設定し、ＰＳ電極に印加する。一方φＳ
ＵＢは第７図（ｂ）に示す様にφＰＳの立ち上がりを含
む水平ブランキング内に於いてＶｓｕｂを切り換えるパ
ルスを作る。
この時、φＳＵＢの立ち下がりは蓄積時間、Ｄレンジの
減少を防くためφＰＳの立ち上がりすなわち蓄積開始と
同時或いはそれ以前にする。φＳＵＢのローレベルは通
常使用電圧、本発明ではＩＯＶに設定し、ハイレベルは
φＰＳローレベル時の蓄積電荷量を全て基板に引ける電
圧本発明では２０■に設定し基板に印加する。この様な
場合、実際にはφＳＵＢの立ち下がりから読み出しパル
スまでの期間ｔ２が蓄積時間となり、シャッター時間ｔ
２秒の電子シャッター動作を行なう。
減少を防くためφＰＳの立ち上がりすなわち蓄積開始と
同時或いはそれ以前にする。φＳＵＢのローレベルは通
常使用電圧、本発明ではＩＯＶに設定し、ハイレベルは
φＰＳローレベル時の蓄積電荷量を全て基板に引ける電
圧本発明では２０■に設定し基板に印加する。この様な
場合、実際にはφＳＵＢの立ち下がりから読み出しパル
スまでの期間ｔ２が蓄積時間となり、シャッター時間ｔ
２秒の電子シャッター動作を行なう。
第２図は本発明の他の実施例のブロック図である。第１
図に於いてはＶ ｓ ｕ ｂをφＰＳの立ち上がりを含
む水平ブランキング内で切り換えるパルスを作ったのに
対し、第２図の回路では第８図（ｂ）の様にφＰＳの立
ち上がりを含む水平ブランキングの１つ前の水平ブラン
キングに於いて同様にＶ ｓ ｕ ｂの切り換えを行な
うパルスを作る。この場合φＳＵＢにより電荷を基板に
引いてからφＰＳが立ち上がるまでの時間ｔ３に於いて
も電荷蓄積は行なわれるのでシャッター時間に加えても
影響しない。
図に於いてはＶ ｓ ｕ ｂをφＰＳの立ち上がりを含
む水平ブランキング内で切り換えるパルスを作ったのに
対し、第２図の回路では第８図（ｂ）の様にφＰＳの立
ち上がりを含む水平ブランキングの１つ前の水平ブラン
キングに於いて同様にＶ ｓ ｕ ｂの切り換えを行な
うパルスを作る。この場合φＳＵＢにより電荷を基板に
引いてからφＰＳが立ち上がるまでの時間ｔ３に於いて
も電荷蓄積は行なわれるのでシャッター時間に加えても
影響しない。
以上説明した様に本発明による駆動方法によれば、少な
くとも読み出しパルスを含み、所望の蓄積期間遮光アル
ミ電極印加電圧を必要な電荷量をＰＤに蓄積出来る電圧
に設定し、前記蓄積時間以外の期間遮光アルミ電極印加
電圧を前記電圧より低電圧にし、かつ電圧切換時点が水
平或いは垂直ブランキング期間であるパルスを遮光アル
ミ電極に印加すると共に前記低電圧期間の水平ブランキ
ング期間内に基板電圧を通常よりも高い電圧に切り換え
、前記遮光アルミ電極印加パルスの立ち上がりと同時或
いはそれ以前に基板電圧を通常に切り換えるパルスを基
板に加える事により電子シャター動作をするので従来の
可変型の様にメモリーを必要としない。従って従来の可
変型ＣＣＤ撮像素子のチップより小さくなる。一方不要
電荷読み出しパルスや掃き出しパルス、高速転送パルス
が不要なため垂直転送パルスがノーマル時のままで良い
のでシンプルになる。又、高速転送による転送電荷量の
減少もなく １／６０秒から従来の１７１０００秒より
もっと短いシャッター時間が実現出来る効果がある。
くとも読み出しパルスを含み、所望の蓄積期間遮光アル
ミ電極印加電圧を必要な電荷量をＰＤに蓄積出来る電圧
に設定し、前記蓄積時間以外の期間遮光アルミ電極印加
電圧を前記電圧より低電圧にし、かつ電圧切換時点が水
平或いは垂直ブランキング期間であるパルスを遮光アル
ミ電極に印加すると共に前記低電圧期間の水平ブランキ
ング期間内に基板電圧を通常よりも高い電圧に切り換え
、前記遮光アルミ電極印加パルスの立ち上がりと同時或
いはそれ以前に基板電圧を通常に切り換えるパルスを基
板に加える事により電子シャター動作をするので従来の
可変型の様にメモリーを必要としない。従って従来の可
変型ＣＣＤ撮像素子のチップより小さくなる。一方不要
電荷読み出しパルスや掃き出しパルス、高速転送パルス
が不要なため垂直転送パルスがノーマル時のままで良い
のでシンプルになる。又、高速転送による転送電荷量の
減少もなく １／６０秒から従来の１７１０００秒より
もっと短いシャッター時間が実現出来る効果がある。
この様にＰＳとＳＵＢを同時に制御する事によって高い
基板電圧を用いずに完全な電荷掃出しが出来る。更にＰ
Ｄの静電容量を増加させる事も必要ないので飽和むらが
発生しないという効果がある。
基板電圧を用いずに完全な電荷掃出しが出来る。更にＰ
Ｄの静電容量を増加させる事も必要ないので飽和むらが
発生しないという効果がある。
第１図は本発明の一実施例による電子シャター駆動回路
のブロック図、第２図は本発明の他の実施例のブロン゛
り図、第３図は従来のＰＳ、ＳＵＢの使用例を示す図、
第４図はＰＳの影響説明する図、第５図はＣＣＤ出力の
ＶＰＳ依存性を示すグラフ、第６図はＣＣＤ出力のＶｓ
ｕｂ依存性を示すグラフ、第７図は本発明の一実施例に
よる電子シャッターのタイミングチャート、第８図は本
発明の他の実施例のタイミングチャート、第９図は本発
明の一実施例でのタイミングチャート（１垂直期間）、
第１０図はインターライン方式のＣＣＤ撮像素子構成を
示す平面模式図、第１１図は従来の電子シャターのタイ
ミングチャート、第１２図は可変シャッター機能を持つ
ＣＣＶ）撮像素子の構成を示す平面模式図である。 １・・・・・・フォトダイオード（Ｐ Ｄ）、２・・・
・・・垂直レジスターｆｆ−ＣＣＤ）、３・・・・・・
水平レジスター（Ｈ−ＣＯＤ）、４・・・・・・ドレイ
ン、５・・・・・・垂直転送パルス電極、６・・・・・
・フォトシールド電極（ＰＳ）、７・・・・・・電気力
線、８・・・・・・信号電荷読み出しパルス、９・・・
・・・水平ブランキング期間、１０・・・・・・垂直ブ
ランキング期間、１１・・・・・・撮像部、１２・・・
・・・蓄積部、１３・・・・・・メモリー １４・・・
・・・高速道転送パルス。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 哲 茅 泉 早 茅 乙 回 憂 舅 茅 閉 第 酊
のブロック図、第２図は本発明の他の実施例のブロン゛
り図、第３図は従来のＰＳ、ＳＵＢの使用例を示す図、
第４図はＰＳの影響説明する図、第５図はＣＣＤ出力の
ＶＰＳ依存性を示すグラフ、第６図はＣＣＤ出力のＶｓ
ｕｂ依存性を示すグラフ、第７図は本発明の一実施例に
よる電子シャッターのタイミングチャート、第８図は本
発明の他の実施例のタイミングチャート、第９図は本発
明の一実施例でのタイミングチャート（１垂直期間）、
第１０図はインターライン方式のＣＣＤ撮像素子構成を
示す平面模式図、第１１図は従来の電子シャターのタイ
ミングチャート、第１２図は可変シャッター機能を持つ
ＣＣＶ）撮像素子の構成を示す平面模式図である。 １・・・・・・フォトダイオード（Ｐ Ｄ）、２・・・
・・・垂直レジスターｆｆ−ＣＣＤ）、３・・・・・・
水平レジスター（Ｈ−ＣＯＤ）、４・・・・・・ドレイ
ン、５・・・・・・垂直転送パルス電極、６・・・・・
・フォトシールド電極（ＰＳ）、７・・・・・・電気力
線、８・・・・・・信号電荷読み出しパルス、９・・・
・・・水平ブランキング期間、１０・・・・・・垂直ブ
ランキング期間、１１・・・・・・撮像部、１２・・・
・・・蓄積部、１３・・・・・・メモリー １４・・・
・・・高速道転送パルス。 代理人 弁理士 内 原 晋 茅 哲 茅 泉 早 茅 乙 回 憂 舅 茅 閉 第 酊
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＰＮ接合型フォトダイオードとそれ以外を遮光する遮光
電極及び縦型オーバーフロードレインを有するＣＣＤ型
の固体撮像素子に於いて、少なくとも読み出しパルスを
含み、所望の蓄積時間遮光電極印加電圧を必要な電荷量
をフォトダイ オードに蓄積出来る電圧に設定し、前記蓄積時間以外の
期間遮光電極印加電圧を前記電圧よ り低電圧にし、かつ電圧切換時点が水平或いは垂直ブラ
ンキング期間であるパルスを遮光電 極に印加すると共に、前記低電圧期間の水平ブランキン
グ期間内に基板電圧を通常よりも高い電圧に切り換え、
前記遮光電極印加パルスの立 ち上がりと同時或いはそれ以前に基板電圧を通常に切り
換えるパルスを基板に加える事を特徴とした固体撮像素
子の駆動方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310381A JPH02155378A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 固体撮像素子の駆動方法 |
| DE68917872T DE68917872T2 (de) | 1988-12-07 | 1989-12-04 | CCD-Bildwandler mit senkrechtem Ueberlaufdrain. |
| EP89122333A EP0372456B1 (en) | 1988-12-07 | 1989-12-04 | CCD image sensor with vertical overflow drain |
| US07/447,468 US4963983A (en) | 1988-12-07 | 1989-12-07 | Ccd image sensor with vertical overflow drain |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63310381A JPH02155378A (ja) | 1988-12-07 | 1988-12-07 | 固体撮像素子の駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155378A true JPH02155378A (ja) | 1990-06-14 |
Family
ID=18004566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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