JPS6249787A - 固体撮像装置の駆動方式 - Google Patents
固体撮像装置の駆動方式Info
- Publication number
- JPS6249787A JPS6249787A JP60188682A JP18868285A JPS6249787A JP S6249787 A JPS6249787 A JP S6249787A JP 60188682 A JP60188682 A JP 60188682A JP 18868285 A JP18868285 A JP 18868285A JP S6249787 A JPS6249787 A JP S6249787A
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- JP
- Japan
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- pulse
- charges
- solid
- signal charges
- signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は電子カメラ等に用いる固体撮像装置の駆動方式
に関する。
に関する。
通常の銀塩フィルムを用いたスティールカメラの替りＩ
こ固体撮像素子をセンサとして用い、それにより得られ
た信号を例えば磁気ディスク、 ＩＣメモリに記録する
電子カメラが注目されている。この電子カメラも従来の
スティール拳カメラと同様に感光時間を制御するシャッ
タを用いている。このシカツタとして良く使われるメカ
ニカルφシャッタ、強誘電体の偏光効果を用いるものが
ある。
こ固体撮像素子をセンサとして用い、それにより得られ
た信号を例えば磁気ディスク、 ＩＣメモリに記録する
電子カメラが注目されている。この電子カメラも従来の
スティール拳カメラと同様に感光時間を制御するシャッ
タを用いている。このシカツタとして良く使われるメカ
ニカルφシャッタ、強誘電体の偏光効果を用いるものが
ある。
だが、固体撮像素子自身に自動感度制御を有していると
上記のようなシャッタが不必要となり、カメラの小型、
軽量、高信頼性につながる。だが。
上記のようなシャッタが不必要となり、カメラの小型、
軽量、高信頼性につながる。だが。
この電子カメラにおいて固体撮像素子自身でシャッタ機
能を実現したものはない。
能を実現したものはない。
例えばＸ−ＹアドレスＭＯ８では信号電荷の蓄積と読出
しのスイッチングが各画素で順次行なわれるため、常時
素子上に光が照射されていると蓄積時間が各画素で異な
ってしまう。また例えばＣＰＤ（Ｃｈａｒｐｅ Ｐｒ１
ｍｍ１ｎｙ Ｄｅｖｉｃｅ ） ｃ）ようなライ７−７
ドレス型でもラインごとで蓄積時間が異なる。これ番こ
対してインターライン転送刃、弐〇ＣＤのごとく。
しのスイッチングが各画素で順次行なわれるため、常時
素子上に光が照射されていると蓄積時間が各画素で異な
ってしまう。また例えばＣＰＤ（Ｃｈａｒｐｅ Ｐｒ１
ｍｍ１ｎｙ Ｄｅｖｉｃｅ ） ｃ）ようなライ７−７
ドレス型でもラインごとで蓄積時間が異なる。これ番こ
対してインターライン転送刃、弐〇ＣＤのごとく。
感光部であるホトダイオードで蓄積した信号電荷を垂直
ブランキング期間に同時に読出し部である垂直ＣＯＤへ
転送すると原理的ｉこは感度制御が可能となる。だが、
この場合垂直ＣＯＤに転送された信号電荷は通常１／６
０秒程度かけてＣＣＤより読み出される。この場合もＣ
ＣＤ上には光が照射されているため２この光の一部がこ
の垂直ＣＣＵへ漏れ込みそれに発生した電荷が信号電荷
に重なってしまう。
ブランキング期間に同時に読出し部である垂直ＣＯＤへ
転送すると原理的ｉこは感度制御が可能となる。だが、
この場合垂直ＣＯＤに転送された信号電荷は通常１／６
０秒程度かけてＣＣＤより読み出される。この場合もＣ
ＣＤ上には光が照射されているため２この光の一部がこ
の垂直ＣＣＵへ漏れ込みそれに発生した電荷が信号電荷
に重なってしまう。
この現象はスミャと呼ばれているがこのスミャは低いも
のでも０．０１％程度存在する。これは例えばよくある
ことだが平均被写体照度の１００倍程鹿の元スポットが
被写体画面内にあると１％程度の出力を持った縦状の輝
線として現われ画像を劣化させる。これに対して光電変
換を前述のインターライン転送ＣＣＤ上ζこ設けた高抵
抗光導電膜で行ない信号電荷読出しをこのインターライ
ン転送ＣＣＤで行う固体撮像素子では前述のスミャが非
常に低くできるため従来のインターライン転送ＣＯＤの
みでの固体撮像素子と比べて感度制御特性を良くできる
可能性がある。確かに光電変換部が読出し部と分離され
ているため先のスミャは低くできるが信号電荷の蓄積を
開始する前にも光が照射されているため、これで生じた
電荷の一部が光導電膜のトラップ準位に捕獲され１次の
信号電荷読出し動作時に共に読出される問題がある。
のでも０．０１％程度存在する。これは例えばよくある
ことだが平均被写体照度の１００倍程鹿の元スポットが
被写体画面内にあると１％程度の出力を持った縦状の輝
線として現われ画像を劣化させる。これに対して光電変
換を前述のインターライン転送ＣＣＤ上ζこ設けた高抵
抗光導電膜で行ない信号電荷読出しをこのインターライ
ン転送ＣＣＤで行う固体撮像素子では前述のスミャが非
常に低くできるため従来のインターライン転送ＣＯＤの
みでの固体撮像素子と比べて感度制御特性を良くできる
可能性がある。確かに光電変換部が読出し部と分離され
ているため先のスミャは低くできるが信号電荷の蓄積を
開始する前にも光が照射されているため、これで生じた
電荷の一部が光導電膜のトラップ準位に捕獲され１次の
信号電荷読出し動作時に共に読出される問題がある。
第２図はこの問題を説明するもので光導電体と電荷転送
素子を組み合わせた固体撮像素子の一画素の断面図とそ
の駆動タイミングである。１図はその固体撮像素子の一
画素の断面図である。Ｐ型Ｓｔ基板（１）にｎ＋の埋め
込みチャネル垂直ＣＯＤからなる垂直ＣＣＤ（２）と同
じくｎ＋の蓄積ダイオード（３）が形成される。垂直Ｃ
０Ｄ（２）の上ｔこは、転送用ゲート電極となるポリＳ
ｉ電極（４）がある。蓄積ダイオード責３）の部分では
熱酸化膜を含む第一酸化膜（５）にエツチングを行ない
蓄積ダイオードのｎ＋部分が露出するように形成した後
１例えば人Ｊなどの第一電極（６）を所定の形状に形成
する。この後に、第二酸化膜（７）を形成し、さらにこ
の膜にエツチングを行ない。
素子を組み合わせた固体撮像素子の一画素の断面図とそ
の駆動タイミングである。１図はその固体撮像素子の一
画素の断面図である。Ｐ型Ｓｔ基板（１）にｎ＋の埋め
込みチャネル垂直ＣＯＤからなる垂直ＣＣＤ（２）と同
じくｎ＋の蓄積ダイオード（３）が形成される。垂直Ｃ
０Ｄ（２）の上ｔこは、転送用ゲート電極となるポリＳ
ｉ電極（４）がある。蓄積ダイオード責３）の部分では
熱酸化膜を含む第一酸化膜（５）にエツチングを行ない
蓄積ダイオードのｎ＋部分が露出するように形成した後
１例えば人Ｊなどの第一電極（６）を所定の形状に形成
する。この後に、第二酸化膜（７）を形成し、さらにこ
の膜にエツチングを行ない。
第一電極の一部を露出させ、これにＡＪ−などの第二電
極（８）を所定の形状に形成する。この上部にａ −８
五などの光導電体層（９）をスパッタリングやグロー放
電で形成し、さらに透明導電ｇＣＬｏを形成して走査部
と光電変換部を有する固体撮像素子を得る。
極（８）を所定の形状に形成する。この上部にａ −８
五などの光導電体層（９）をスパッタリングやグロー放
電で形成し、さらに透明導電ｇＣＬｏを形成して走査部
と光電変換部を有する固体撮像素子を得る。
これは２階建てＣＣＤ撮像素子とも呼ばれている。
なお、電極の材料が第一層はポリｓｔ、第二層はモリブ
デンの例で同様の構成が特開昭５７−３２１８３に記載
されている。
デンの例で同様の構成が特開昭５７−３２１８３に記載
されている。
光電変換は光導電体層（９）にて行なわれ、そこに発生
した信号電荷は光導電体層（９）内を走行して第２電極
（８）に到達して蓄積される。任意の期間信号電荷を蓄
積した後ポリ８ｉ電極（４）にパルス電圧を印加して、
垂直ＣＣＤ ｎ＋層（２）へ転送され読み出される。
した信号電荷は光導電体層（９）内を走行して第２電極
（８）に到達して蓄積される。任意の期間信号電荷を蓄
積した後ポリ８ｉ電極（４）にパルス電圧を印加して、
垂直ＣＣＤ ｎ＋層（２）へ転送され読み出される。
ｂ図は上述の固体撮像素子にて感度制御を行うための前
記ポリＳｉ電極（４）へ印加するパルス電圧波形を示す
。
記ポリＳｉ電極（４）へ印加するパルス電圧波形を示す
。
シャッタが押されると、まず蓄積ダイオード（３）に蓄
積されている電荷を第１のパルスＩにて垂直ＣＣＤ ｎ
＋層（２）へ転送し１画素から排出しクリアする。
積されている電荷を第１のパルスＩにて垂直ＣＣＤ ｎ
＋層（２）へ転送し１画素から排出しクリアする。
次に第１の転送読出しパルスα３４こてＣＣＤよりチッ
プ外部へ除去する。この間光導電膜（９）にて発生した
信号電荷は垂直ＣＣＤ ｎ＋層（２）へは転送されない
ため信号電荷が蓄積されている。次に第１のパルスａυ
と同様な信号電荷を蓄積ダイオード（３）から垂直ＣＣ
Ｄ ｎ＋層（２）へ転送するための第２のパルスａ３を
印加する。そして、転送された信号電荷は第２の転送読
出しパルスＩにより垂直ＣＣＤｎ＋層（２）に沿って転
送され所定の出力部より読み出される。ここでｔａが有
効感光期間となり、ジャツメ速度に相当して可変される
。この固体撮像素子では光電変換が光導電Ｍ（４）にて
行なわれるため前述のような第２の転送読出しパルス０
印加期間でのスミャは無視できる程度に低く押えられる
。だが第１のパルスＩ印加される前に照射される光によ
り発生した信号電荷は全て第１のパルスＩ、第１の転送
読出しパルスαつより除去されない。特に問題なのは光
導電膜（９）内のトラップ準位に入り込んだ電荷で蓄積
期間１．にそのトラップ準位から再発生して本来の信号
電荷に混入してしまう。特に第１のパルス（Ｉυ印加前
に素子上に一様な光が照射されている訳でなく、光強度
のコントラストを有した実際の光像が入射されているた
め各画素での電荷の混入量が異なり再生画像の画質を劣
化させる。
プ外部へ除去する。この間光導電膜（９）にて発生した
信号電荷は垂直ＣＣＤ ｎ＋層（２）へは転送されない
ため信号電荷が蓄積されている。次に第１のパルスａυ
と同様な信号電荷を蓄積ダイオード（３）から垂直ＣＣ
Ｄ ｎ＋層（２）へ転送するための第２のパルスａ３を
印加する。そして、転送された信号電荷は第２の転送読
出しパルスＩにより垂直ＣＣＤｎ＋層（２）に沿って転
送され所定の出力部より読み出される。ここでｔａが有
効感光期間となり、ジャツメ速度に相当して可変される
。この固体撮像素子では光電変換が光導電Ｍ（４）にて
行なわれるため前述のような第２の転送読出しパルス０
印加期間でのスミャは無視できる程度に低く押えられる
。だが第１のパルスＩ印加される前に照射される光によ
り発生した信号電荷は全て第１のパルスＩ、第１の転送
読出しパルスαつより除去されない。特に問題なのは光
導電膜（９）内のトラップ準位に入り込んだ電荷で蓄積
期間１．にそのトラップ準位から再発生して本来の信号
電荷に混入してしまう。特に第１のパルス（Ｉυ印加前
に素子上に一様な光が照射されている訳でなく、光強度
のコントラストを有した実際の光像が入射されているた
め各画素での電荷の混入量が異なり再生画像の画質を劣
化させる。
本発明は信号電荷読出し部とこの上に設けた光導電膜を
光電変換層とした固体撮像素子における感度制御におい
て有効感光期間前の入射光量の素子内での不均一性の影
響を小さくするための前記固体撮像素子の駆動方式を提
供する。
光電変換層とした固体撮像素子における感度制御におい
て有効感光期間前の入射光量の素子内での不均一性の影
響を小さくするための前記固体撮像素子の駆動方式を提
供する。
本発明は例えば信号電荷読出し部と、この上に設けた光
導電膜を光電変換層とし、前記信号電荷読出し部への第
１の電荷読出し動作と該第１の電荷読出し動作により前
記信号電荷読出し部へ移動・ された電荷を該信号電
荷読出し部より外部へ読出す動作と、その後筒２の電荷
読出し動作により信号電荷読出し部に移された信号電荷
を所定の出力部より読み出す動作を有した固体撮像装置
について前記第１の電荷読出しパルス前に前記光導電膜
ｌこ一様なバイアス電荷を注入すること１こより、前記
第１の電荷読出し動作前に装置に不均一に光照射されて
いることによる画質劣化を防止する。
導電膜を光電変換層とし、前記信号電荷読出し部への第
１の電荷読出し動作と該第１の電荷読出し動作により前
記信号電荷読出し部へ移動・ された電荷を該信号電
荷読出し部より外部へ読出す動作と、その後筒２の電荷
読出し動作により信号電荷読出し部に移された信号電荷
を所定の出力部より読み出す動作を有した固体撮像装置
について前記第１の電荷読出しパルス前に前記光導電膜
ｌこ一様なバイアス電荷を注入すること１こより、前記
第１の電荷読出し動作前に装置に不均一に光照射されて
いることによる画質劣化を防止する。
本発明により固体撮像素子を用いた電子カメラにおいて
カプリの少ない画像を得ることができる。
カプリの少ない画像を得ることができる。
第１図を用いて本発明の１実施例を示す。ａ図に装置の
構成図を示す。例えば第２図従来例で説明した信号電荷
読出し部にＣＣＤを用い、その上に設けた光導電膜（９
）を光電変換層として用いた２階建てＣＣＤ撮像素子（
へ）前面にこの撮像素子α９上に一様光を照射できる例
えばドーナツ状の発光ダイオードによるバイアス光源（
Ｉｅを用いるこのバイアス光源の光オン・オフは前記２
階建てＣＣＤ撮像素子ＣＬ９のドライバ回路αＤからの
パルス電圧に同期して行なわれる。そして、前記バイア
ス光源αＱの前面番こは光学レンズ（ＩＱを設け、 Ｃ
ＣＤ撮偉素子鰻からの信号出力は信号処理回路（１８に
より処理される。ｂ図は第２図従来例で示したポリＳｉ
電極（４）に印加するパルス電圧波形を示す。０図はバ
イアス光源の光オン・オフパルス波形を示す。オンーノ
クルス（イ）によりバイアス光が２階建てＣＣＤ撮像素
子（１５上に照射される。これに見られるように有効感
光期間１、前に蓄積された信号電荷を蓄積ダイオード（
３）から垂直ＣＣＤ ｎ＋層２に転送せしめる第１の・
くルスαυの前の任意の期間バイアス光源αｅをオンさ
せノ（イアス光をＣＣＩ）礒像素子（Ｌ！９上に照射さ
せる。この）（イアス光により発生される信号電荷量は
少なくとも蓄積ダイオード（１３で蓄積される最大蓄積
電荷量以上である必要がある。このバイアス光照射によ
り光導電膜（９）内で発生した電荷でこの光導電膜（９
）内のトラップ準位を不活性にする。このバイアス光に
より発生した電荷量は通常の撮像条件下での前記第１の
パルス圓以前に光導電膜（９）に入射した光学レンズｕ
ｌを介して入射した光により生じた電荷量より多いため
、前記光導電膜（９）内のトラップ準位をＣＣＤ撮像素
子負！９内において一様に発生電荷で埋め込む。次に前
記第１のパルスαυ、第１の転送読出しパルスα２によ
り光導電膜（９）にて発生した過剰の電荷が除去される
。このため第２のノ＜ルスα１印加により読み出される
信号電荷は有効感光期間ｔ＠中に蓄積された信号電荷に
光導電膜（９）内のトラップ準位に一様に捕獲された電
荷の内１．期間内で再発生された電荷が重量されて読み
出される。
構成図を示す。例えば第２図従来例で説明した信号電荷
読出し部にＣＣＤを用い、その上に設けた光導電膜（９
）を光電変換層として用いた２階建てＣＣＤ撮像素子（
へ）前面にこの撮像素子α９上に一様光を照射できる例
えばドーナツ状の発光ダイオードによるバイアス光源（
Ｉｅを用いるこのバイアス光源の光オン・オフは前記２
階建てＣＣＤ撮像素子ＣＬ９のドライバ回路αＤからの
パルス電圧に同期して行なわれる。そして、前記バイア
ス光源αＱの前面番こは光学レンズ（ＩＱを設け、 Ｃ
ＣＤ撮偉素子鰻からの信号出力は信号処理回路（１８に
より処理される。ｂ図は第２図従来例で示したポリＳｉ
電極（４）に印加するパルス電圧波形を示す。０図はバ
イアス光源の光オン・オフパルス波形を示す。オンーノ
クルス（イ）によりバイアス光が２階建てＣＣＤ撮像素
子（１５上に照射される。これに見られるように有効感
光期間１、前に蓄積された信号電荷を蓄積ダイオード（
３）から垂直ＣＣＤ ｎ＋層２に転送せしめる第１の・
くルスαυの前の任意の期間バイアス光源αｅをオンさ
せノ（イアス光をＣＣＩ）礒像素子（Ｌ！９上に照射さ
せる。この）（イアス光により発生される信号電荷量は
少なくとも蓄積ダイオード（１３で蓄積される最大蓄積
電荷量以上である必要がある。このバイアス光照射によ
り光導電膜（９）内で発生した電荷でこの光導電膜（９
）内のトラップ準位を不活性にする。このバイアス光に
より発生した電荷量は通常の撮像条件下での前記第１の
パルス圓以前に光導電膜（９）に入射した光学レンズｕ
ｌを介して入射した光により生じた電荷量より多いため
、前記光導電膜（９）内のトラップ準位をＣＣＤ撮像素
子負！９内において一様に発生電荷で埋め込む。次に前
記第１のパルスαυ、第１の転送読出しパルスα２によ
り光導電膜（９）にて発生した過剰の電荷が除去される
。このため第２のノ＜ルスα１印加により読み出される
信号電荷は有効感光期間ｔ＠中に蓄積された信号電荷に
光導電膜（９）内のトラップ準位に一様に捕獲された電
荷の内１．期間内で再発生された電荷が重量されて読み
出される。
従来では第１のパルスαυ印加前の入射ノくターンが再
生画像上に重なっていたが１本発明ではそれが実用上問
題ない程度に軽減される。
生画像上に重なっていたが１本発明ではそれが実用上問
題ない程度に軽減される。
なお、第１図の実施例ではバイアス光にて行なったが、
光導電膜（９）へのバイアス電荷注入は該光導電膜（９
）上の透明電極部自体から注入せしめても良い。又、該
透明電極ＣＩＩにはバイアス電荷注入後。
光導電膜（９）へのバイアス電荷注入は該光導電膜（９
）上の透明電極部自体から注入せしめても良い。又、該
透明電極ＣＩＩにはバイアス電荷注入後。
パルス電圧を印加してＫｒ１肥過！！！１′ｒＩＬ荷の
多くを該透明電極α１より除去せしめた後、第１のパル
スαυを印加せしめてもよい。
多くを該透明電極α１より除去せしめた後、第１のパル
スαυを印加せしめてもよい。
また、第１のパルスαυ、第１の転送読出しパルスｃ１
４による電荷除去を、透明電極α１自体への除去暑とよ
って行なってもよい。又１本発明での説明では第２図の
ごとき構造の２階建てＣＣＤ撮像素子を例として説明し
たが、他の構造でバイアス電荷注入後筒１のパルスＩ印
加に相当する続出しパルスにより各画素の蓄積部に蓄積
された°電荷を読み出し部へ転送できるものであれば本
発明は適用できる。
４による電荷除去を、透明電極α１自体への除去暑とよ
って行なってもよい。又１本発明での説明では第２図の
ごとき構造の２階建てＣＣＤ撮像素子を例として説明し
たが、他の構造でバイアス電荷注入後筒１のパルスＩ印
加に相当する続出しパルスにより各画素の蓄積部に蓄積
された°電荷を読み出し部へ転送できるものであれば本
発明は適用できる。
第１図は本発明の駆動方式と駆動パルス・メイミングを
示す図、第２図は従来例を説明するための２１ｖ建てＣ
ＣＤ撮像素子と読出しパルス波形を示す図である。 図に？いて。 １・・・Ｐ形８１基板、 ２・・・垂直ＣＣＤ
ｎ＋層。 ３・・・蓄積ダイオード、 ４・・・ポリ５ｔ１
１１極。 ５・・・第１酸化膜、 ６・・・第１電極。 ７・・・第２酸化膜、 ８・・・＄２電極。 ９・・・光導電膜、１０・・・透明電極。 １１・・・ｇｔのパルス。 戎・・・ｆｓｌの転送続出しパルス。 １３・・・１ｇ２のパルス。 １４・・・第２の転送続出しパルス。 １５・・・２階建てＣＣＤｇ＆像素子。 １６・・・バイアス光源、１７・・・ドライバ回路。 １８・・・信号処理回路、１９・・・光学レンズ。 加・・・バイアス光源オンパルス。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 Ｄ ｗＥ１図
示す図、第２図は従来例を説明するための２１ｖ建てＣ
ＣＤ撮像素子と読出しパルス波形を示す図である。 図に？いて。 １・・・Ｐ形８１基板、 ２・・・垂直ＣＣＤ
ｎ＋層。 ３・・・蓄積ダイオード、 ４・・・ポリ５ｔ１
１１極。 ５・・・第１酸化膜、 ６・・・第１電極。 ７・・・第２酸化膜、 ８・・・＄２電極。 ９・・・光導電膜、１０・・・透明電極。 １１・・・ｇｔのパルス。 戎・・・ｆｓｌの転送続出しパルス。 １３・・・１ｇ２のパルス。 １４・・・第２の転送続出しパルス。 １５・・・２階建てＣＣＤｇ＆像素子。 １６・・・バイアス光源、１７・・・ドライバ回路。 １８・・・信号処理回路、１９・・・光学レンズ。 加・・・バイアス光源オンパルス。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 Ｄ ｗＥ１図
Claims (1)
- 回路基板上に光導電層を積層した固体撮像装置の駆動方
式において、各画素の信号電荷を掃き出しクリアする第
１の動作と、所定の有効感光期間各画素に蓄積された信
号電荷を読み出す第２の動作を備え、前記第１の動作に
先立って前記光導電層に信号電荷と同じ極性の電荷を注
入するようにした事を特徴とする固体撮像装置の駆動方
式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60188682A JPH0783456B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 固体撮像装置の駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60188682A JPH0783456B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 固体撮像装置の駆動方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6249787A true JPS6249787A (ja) | 1987-03-04 |
| JPH0783456B2 JPH0783456B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=16227991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60188682A Expired - Lifetime JPH0783456B2 (ja) | 1985-08-29 | 1985-08-29 | 固体撮像装置の駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783456B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252078A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH05301746A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
| JPH05301744A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
| JPH05301745A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335317A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Shaken Kk | System for taking pattern generating camera tube |
| JPS58115980A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像素子の駆動方法 |
-
1985
- 1985-08-29 JP JP60188682A patent/JPH0783456B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS5335317A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Shaken Kk | System for taking pattern generating camera tube |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01252078A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
| JPH05301746A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
| JPH05301744A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
| JPH05301745A (ja) * | 1992-04-27 | 1993-11-16 | Natl House Ind Co Ltd | 合わせガラスの製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0783456B2 (ja) | 1995-09-06 |
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