JPH06339084A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPH06339084A JPH06339084A JP5149845A JP14984593A JPH06339084A JP H06339084 A JPH06339084 A JP H06339084A JP 5149845 A JP5149845 A JP 5149845A JP 14984593 A JP14984593 A JP 14984593A JP H06339084 A JPH06339084 A JP H06339084A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- region
- solid
- pixel
- emitter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 21
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 輝度シェーディングのない高感度の固体撮像
素子を実現する。 【構成】 光不透過領域もしくは光半不透過領域２２を
とりかこむように光電変換領域が構成される画素を複数
有し、かつ各画素の上にマイクロレンズが形成されてな
る固体撮像素子において、前記光不透過領域もしくは光
半不透過領域２２を前記マイクロレンズにより光が集光
される領域以外の位置に配置した。
素子を実現する。 【構成】 光不透過領域もしくは光半不透過領域２２を
とりかこむように光電変換領域が構成される画素を複数
有し、かつ各画素の上にマイクロレンズが形成されてな
る固体撮像素子において、前記光不透過領域もしくは光
半不透過領域２２を前記マイクロレンズにより光が集光
される領域以外の位置に配置した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像素子に係り、
光不透過領域もしくは光半不透過領域をとりかこむよう
に光電変換領域が構成される画素を複数有し、かつ各画
素の上にマイクロレンズが形成されてなる固体撮像素子
に関するものである。
光不透過領域もしくは光半不透過領域をとりかこむよう
に光電変換領域が構成される画素を複数有し、かつ各画
素の上にマイクロレンズが形成されてなる固体撮像素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、固体撮像素子としては、ＣＣＤ型
とＸ−Ｙアドレス型の二方式が知られている。
とＸ−Ｙアドレス型の二方式が知られている。
【０００３】図５は、Ｘ−Ｙアドレス型固体撮像素子の
一構成例を示す等価回路図であり、ベース（制御電極領
域となる）に光キャリアを蓄積し、エミッタ（第一の主
電極領域となる）から出力するというバイポーラ型の光
電変換素子（以下、バイポーラ型センサという）を画素
としたＸ−Ｙアドレス型固体撮像素子である。尚、ここ
では便宜的に３×３のセンサとして図示した。
一構成例を示す等価回路図であり、ベース（制御電極領
域となる）に光キャリアを蓄積し、エミッタ（第一の主
電極領域となる）から出力するというバイポーラ型の光
電変換素子（以下、バイポーラ型センサという）を画素
としたＸ−Ｙアドレス型固体撮像素子である。尚、ここ
では便宜的に３×３のセンサとして図示した。
【０００４】図５において、１はバイポーラ型センサ
（等価的にバイポーラトランジスタ）Ｔ、ベースに接続
する容量ＣOX、ＰＭＯＳトランジスタＭから成る画素で
ある。２は画素１のエミッタに接続する垂直出力線、３
は垂直出力線２をリセットするためのＭＯＳトランジス
タ、４は画素１からの出力信号を蓄積するための蓄積容
量、５は出力信号を蓄積容量４へ転送するためのＭＯＳ
トランジスタ、６は水平シフトレジスタの出力を受け、
出力信号を水平出力線７へ転送するためのＭＯＳトラン
ジスタ、８は水平出力線７をリセットするためのＭＯＳ
トランジスタ、９はプリアンプ、１０は水平駆動線、１
１は垂直シフトレジスタの出力を受け、センサ駆動パル
スを通すバッファ用ＭＯＳトランジスタ、１２は画素１
のクランプ動作を行うために、ＰＭＯＳトランジスタＭ
のソース電位を設定するエミッタフォロア回路、１３は
エミッタフォロア回路１２のベース電位を設定するため
のＰＭＯＳトランジスタ、１４はＭＯＳトランジスタ３
のゲートにパルスを印加するための端子、１５は転送用
のＭＯＳトランジスタ５のゲートにパルスを印加するた
めの端子、１６はセンサ駆動パルスを印加するための端
子、１７はＰＭＯＳトランジスタ１３にゲートパルスを
印加するための端子、１８はプリアンプ９に接続される
出力端子である。垂直シフトレジスタは、シフトレジス
タのスタートパルスであるφＶＳと、シフトレジスタ駆
動パルスであるφＶ１、φＶ２とによって動作される。
水平シフトレジスタは、シフトレジスタのスタートパル
スであるφＨＳと、シフトレジスタ駆動パルスであるφ
Ｈ１、φＨ２とによって動作される。
（等価的にバイポーラトランジスタ）Ｔ、ベースに接続
する容量ＣOX、ＰＭＯＳトランジスタＭから成る画素で
ある。２は画素１のエミッタに接続する垂直出力線、３
は垂直出力線２をリセットするためのＭＯＳトランジス
タ、４は画素１からの出力信号を蓄積するための蓄積容
量、５は出力信号を蓄積容量４へ転送するためのＭＯＳ
トランジスタ、６は水平シフトレジスタの出力を受け、
出力信号を水平出力線７へ転送するためのＭＯＳトラン
ジスタ、８は水平出力線７をリセットするためのＭＯＳ
トランジスタ、９はプリアンプ、１０は水平駆動線、１
１は垂直シフトレジスタの出力を受け、センサ駆動パル
スを通すバッファ用ＭＯＳトランジスタ、１２は画素１
のクランプ動作を行うために、ＰＭＯＳトランジスタＭ
のソース電位を設定するエミッタフォロア回路、１３は
エミッタフォロア回路１２のベース電位を設定するため
のＰＭＯＳトランジスタ、１４はＭＯＳトランジスタ３
のゲートにパルスを印加するための端子、１５は転送用
のＭＯＳトランジスタ５のゲートにパルスを印加するた
めの端子、１６はセンサ駆動パルスを印加するための端
子、１７はＰＭＯＳトランジスタ１３にゲートパルスを
印加するための端子、１８はプリアンプ９に接続される
出力端子である。垂直シフトレジスタは、シフトレジス
タのスタートパルスであるφＶＳと、シフトレジスタ駆
動パルスであるφＶ１、φＶ２とによって動作される。
水平シフトレジスタは、シフトレジスタのスタートパル
スであるφＨＳと、シフトレジスタ駆動パルスであるφ
Ｈ１、φＨ２とによって動作される。
【０００５】図５に示した二次元固体撮像素子は、全画
素が一度にリセットするタイプのものであり、スチルビ
デオ用等に利用することができる。
素が一度にリセットするタイプのものであり、スチルビ
デオ用等に利用することができる。
【０００６】以下、その動作について説明する。
【０００７】最初に、端子１７にＬｏｗレベルの電位を
加えてＰＭＯＳトランジスタ１３をｏｎ状態とし、エミ
ッタフォロア回路１２の出力を正電位にする。このエミ
ッタフォロア回路１２の出力は画素１のＰＭＯＳトラン
ジスタＭのソースに接続されており、ソース電位がゲー
ト電位に比べて、ＰＭＯＳトランジスタＭを充分ｏｎ状
態にするほど高くなれば、ＰＭＯＳトランジスタＭを通
して、画素のバイポーラ型センサＴのベースにホールが
注入される。次に端子１７にＨｉｇｈレベルの電位を加
えて、ＰＭＯＳトランジスタ１３をｏｆｆ状態とし、エ
ミッタフォロア回路１２の出力をＧＮＤとする。この
時、端子１４にＨｉｇｈレベルの電位を加えてトランジ
スタ３をｏｎ状態とし、垂直出力線２をＧＮＤとする。
加えてＰＭＯＳトランジスタ１３をｏｎ状態とし、エミ
ッタフォロア回路１２の出力を正電位にする。このエミ
ッタフォロア回路１２の出力は画素１のＰＭＯＳトラン
ジスタＭのソースに接続されており、ソース電位がゲー
ト電位に比べて、ＰＭＯＳトランジスタＭを充分ｏｎ状
態にするほど高くなれば、ＰＭＯＳトランジスタＭを通
して、画素のバイポーラ型センサＴのベースにホールが
注入される。次に端子１７にＨｉｇｈレベルの電位を加
えて、ＰＭＯＳトランジスタ１３をｏｆｆ状態とし、エ
ミッタフォロア回路１２の出力をＧＮＤとする。この
時、端子１４にＨｉｇｈレベルの電位を加えてトランジ
スタ３をｏｎ状態とし、垂直出力線２をＧＮＤとする。
【０００８】次にこの状態のまま、垂直シフトレジスタ
を駆動し、また端子１６に画素リセットパルスを印加す
ることで、各行毎に順次画素のリセットを行い、すべて
の画素のバイポーラ型センサＴのベースを一定電位、か
つ逆バイアスにする。
を駆動し、また端子１６に画素リセットパルスを印加す
ることで、各行毎に順次画素のリセットを行い、すべて
の画素のバイポーラ型センサＴのベースを一定電位、か
つ逆バイアスにする。
【０００９】次に光キャリアの蓄積動作を行った後、端
子１４にＬｏｗレベルの電位を加えて、トランジスタ３
をｏｆｆ状態にし、垂直シフトレジスタの出力によって
選択された行毎に読み出しパルスを端子１６から印加
し、バイポーラ型センサＴのベース・エミッタ間を順バ
イアスとし、ＭＯＳトランジスタ５を通して、蓄積容量
４に信号出力を蓄積する。蓄積容量４に蓄積された信号
出力は、水平シフトレジスタによって選択された転送用
のＭＯＳトランジスタ６を通して水平出力線７に転送さ
れ、プリアンプ９を通して出力端子１８から出力され
る。
子１４にＬｏｗレベルの電位を加えて、トランジスタ３
をｏｆｆ状態にし、垂直シフトレジスタの出力によって
選択された行毎に読み出しパルスを端子１６から印加
し、バイポーラ型センサＴのベース・エミッタ間を順バ
イアスとし、ＭＯＳトランジスタ５を通して、蓄積容量
４に信号出力を蓄積する。蓄積容量４に蓄積された信号
出力は、水平シフトレジスタによって選択された転送用
のＭＯＳトランジスタ６を通して水平出力線７に転送さ
れ、プリアンプ９を通して出力端子１８から出力され
る。
【００１０】図６は画素の平面図である。ここでは便宜
的に縦４画素、横４画素のみを表わす。図６において、
２１はセンサセルのバイポーラトランジスタのベース領
域であり、入射光によって光電変換がおこなわれ、ホー
ルがこの領域に蓄積される。２２はバイポーラトランジ
スタのエミッタ電極で、アルミで形成され、同様にアル
ミで形成される垂直出力線２５とコンタクトされる。２
３は一部のベース領域上に絶縁層を介して形成されるポ
リシリコン電極で、容量ＣOXを構成し、アルミで形成さ
れる水平駆動線２４とコンタクトされる。
的に縦４画素、横４画素のみを表わす。図６において、
２１はセンサセルのバイポーラトランジスタのベース領
域であり、入射光によって光電変換がおこなわれ、ホー
ルがこの領域に蓄積される。２２はバイポーラトランジ
スタのエミッタ電極で、アルミで形成され、同様にアル
ミで形成される垂直出力線２５とコンタクトされる。２
３は一部のベース領域上に絶縁層を介して形成されるポ
リシリコン電極で、容量ＣOXを構成し、アルミで形成さ
れる水平駆動線２４とコンタクトされる。
【００１１】一方、固体撮像素子の感度向上の手段とし
て、最近、画素上部にドーム型、もしくはかまぼこ型の
マイクロレンズを形成する方法が用いられている。上記
のバイポーラ型センサにおいても、水平駆動線巾３．５
μｍ、垂直出力線巾２μｍ、画素サイズ１３．５×１
３．５μｍ2 のセンサをつくり、上部にドーム型マイク
ロレンズを形成したところ、感度の大巾な向上が認めら
れた。
て、最近、画素上部にドーム型、もしくはかまぼこ型の
マイクロレンズを形成する方法が用いられている。上記
のバイポーラ型センサにおいても、水平駆動線巾３．５
μｍ、垂直出力線巾２μｍ、画素サイズ１３．５×１
３．５μｍ2 のセンサをつくり、上部にドーム型マイク
ロレンズを形成したところ、感度の大巾な向上が認めら
れた。
【００１２】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記のマイクロレンズ付のバイポーラ型センサ構成の二次
元固体撮像素子においては、センサ前部におかれる光学
レンズによってセンサ周辺領域に入る光が斜めとなり、
一部の方向においては、エミッタ電極２２によって光が
けられ、そのために有効入射光量が低下し輝度シェーデ
ィングが発生していた。
記のマイクロレンズ付のバイポーラ型センサ構成の二次
元固体撮像素子においては、センサ前部におかれる光学
レンズによってセンサ周辺領域に入る光が斜めとなり、
一部の方向においては、エミッタ電極２２によって光が
けられ、そのために有効入射光量が低下し輝度シェーデ
ィングが発生していた。
【００１３】即ち、図６の画素構造で画素上部にドーム
型マイクロレンズを形成した固体撮像素子においては、
図６の左上部の画素は光照射領域Ｌ（Ｌはマイクロレン
ズによって集光され光照射された領域を示す）内にエミ
ッタ電極２２が入り、図７の斜線部に示す領域におい
て、入射光量の低下がみられる。なお、図７において光
学中心とはセンサ前部におかれる光学レンズの光学中心
を示す。図８（ａ）〜（ｄ）は一様輝度面の被写体を写
したときの図７のａ〜ｄのラインにおける出力レベルを
示したものである。
型マイクロレンズを形成した固体撮像素子においては、
図６の左上部の画素は光照射領域Ｌ（Ｌはマイクロレン
ズによって集光され光照射された領域を示す）内にエミ
ッタ電極２２が入り、図７の斜線部に示す領域におい
て、入射光量の低下がみられる。なお、図７において光
学中心とはセンサ前部におかれる光学レンズの光学中心
を示す。図８（ａ）〜（ｄ）は一様輝度面の被写体を写
したときの図７のａ〜ｄのラインにおける出力レベルを
示したものである。
【００１４】また画素上部にかまぼこ型レンズを形成し
た場合では、図９に示した斜線領域における画素の出力
が低下する。
た場合では、図９に示した斜線領域における画素の出力
が低下する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の固体撮像素子
は、光不透過領域もしくは光半不透過領域をとりかこむ
ように光電変換領域が構成される画素を複数有し、かつ
各画素の上にマイクロレンズが形成されてなる固体撮像
素子において、前記光不透過領域もしくは光半不透過領
域を前記マイクロレンズにより光が集光される領域以外
の位置に配置したことを特徴とする。
は、光不透過領域もしくは光半不透過領域をとりかこむ
ように光電変換領域が構成される画素を複数有し、かつ
各画素の上にマイクロレンズが形成されてなる固体撮像
素子において、前記光不透過領域もしくは光半不透過領
域を前記マイクロレンズにより光が集光される領域以外
の位置に配置したことを特徴とする。
【００１６】
【作用】本発明は、画素の光不透過領域もしくは光半不
透過領域をマイクロレンズにより光が集光される領域以
外の位置に配置することで、該光不透過領域もしくは光
半不透過領域によって光がけられないようにし、輝度シ
ェーディングのない高感度の固体撮像素子を実現したも
のである。
透過領域をマイクロレンズにより光が集光される領域以
外の位置に配置することで、該光不透過領域もしくは光
半不透過領域によって光がけられないようにし、輝度シ
ェーディングのない高感度の固体撮像素子を実現したも
のである。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明の固体撮像素子の第１の実施
例の画素構成を示す平面図である。図２（ａ）は図１の
Ｘ部拡大図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′断面図
である。図３（ａ）は図１のＹ部拡大図、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＢ−Ｂ′断面図である。なお、２１〜２５
の各構成部の働きは図６に示した従来例と同様であり、
固体撮像素子の動作についても図５を用いて説明したの
で、ここではその説明を省略する。図１，図２（ａ），
及び図３（ａ）においては簡易化のためマイクロレンズ
を示していない。
例の画素構成を示す平面図である。図２（ａ）は図１の
Ｘ部拡大図、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ′断面図
である。図３（ａ）は図１のＹ部拡大図、図３（ｂ）は
図３（ａ）のＢ−Ｂ′断面図である。なお、２１〜２５
の各構成部の働きは図６に示した従来例と同様であり、
固体撮像素子の動作についても図５を用いて説明したの
で、ここではその説明を省略する。図１，図２（ａ），
及び図３（ａ）においては簡易化のためマイクロレンズ
を示していない。
【００１９】図２（ｂ）、図３（ｂ）において、３１は
半導体基板、３２は保護膜、３３はマイクロレンズであ
る。図２（ｂ）、図３（ｂ）中の破線は入射光線を示
す。また図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ），（ｂ）にお
いて、Ｌは光照射領域を示す。
半導体基板、３２は保護膜、３３はマイクロレンズであ
る。図２（ｂ）、図３（ｂ）中の破線は入射光線を示
す。また図２（ａ），（ｂ）、図３（ａ），（ｂ）にお
いて、Ｌは光照射領域を示す。
【００２０】本実施例においては、図１に示されるよう
に、配列された画素において、光学中心の上下でエミッ
タ電極２２の位置が異なり、センサ前部におかれる光学
レンズの光学中心より上部ではエミッタ電極２２は画素
内の下方に、光学中心より下部ではエミッタ電極２２は
画素内の上方に設けられる。このようにすることで、図
２（ｂ），図３（ｂ）に示されるように、光学中心の上
下のどちらにおいてもマイクロレンズ３３によって集光
された入射光が、周辺部においてもアルミ電極等のエミ
ッタ電極２２によってけられることなく、全て光電変換
領域であるベース領域２１に入射するので、実効入射光
量は各画素でほぼ同一となる。その結果、従来例でみら
れたイメージセンサのエリアの周辺部における光量低下
による輝度シェーディングを防ぐことができる。
に、配列された画素において、光学中心の上下でエミッ
タ電極２２の位置が異なり、センサ前部におかれる光学
レンズの光学中心より上部ではエミッタ電極２２は画素
内の下方に、光学中心より下部ではエミッタ電極２２は
画素内の上方に設けられる。このようにすることで、図
２（ｂ），図３（ｂ）に示されるように、光学中心の上
下のどちらにおいてもマイクロレンズ３３によって集光
された入射光が、周辺部においてもアルミ電極等のエミ
ッタ電極２２によってけられることなく、全て光電変換
領域であるベース領域２１に入射するので、実効入射光
量は各画素でほぼ同一となる。その結果、従来例でみら
れたイメージセンサのエリアの周辺部における光量低下
による輝度シェーディングを防ぐことができる。
【００２１】尚、本実施例では、エミッタ電極の位置を
光学中心に接するラインから変えているが（光学中心よ
り上ではエミッタ電極２２を画素内の下方に配置してい
る）、光学中心から多少離れたラインからエミッタ電極
の位置を変えても充分な効果が得られる。
光学中心に接するラインから変えているが（光学中心よ
り上ではエミッタ電極２２を画素内の下方に配置してい
る）、光学中心から多少離れたラインからエミッタ電極
の位置を変えても充分な効果が得られる。
【００２２】図４は本発明の固体撮像素子の第２の実施
例の画素構成を示す平面図である。本実施例では、セン
サ前部におかれる光学レンズの光学中心の左右でエミッ
タ電極２２の位置が異なるように構成され、光学中心よ
り右部ではエミッタ電極２２は画素内の左に、光学中心
より左部ではエミッタ電極２２は画素内の右に設けられ
る。本実施例においても、第１の実施例と同様の効果を
得ることができる。但し、本実施例においてはエミッタ
電極の方向の切り換わる中間の縦１ライン（図４のＺ、
以下Ｚラインと呼ぶ）が不感領域となるので、この領域
の情報を周辺画素の情報をもとに補間する必要がある。
また、このＺラインのベース領域に光が入射しないよう
にＺライン上部にアルミ等で遮光することが望ましい。
例の画素構成を示す平面図である。本実施例では、セン
サ前部におかれる光学レンズの光学中心の左右でエミッ
タ電極２２の位置が異なるように構成され、光学中心よ
り右部ではエミッタ電極２２は画素内の左に、光学中心
より左部ではエミッタ電極２２は画素内の右に設けられ
る。本実施例においても、第１の実施例と同様の効果を
得ることができる。但し、本実施例においてはエミッタ
電極の方向の切り換わる中間の縦１ライン（図４のＺ、
以下Ｚラインと呼ぶ）が不感領域となるので、この領域
の情報を周辺画素の情報をもとに補間する必要がある。
また、このＺラインのベース領域に光が入射しないよう
にＺライン上部にアルミ等で遮光することが望ましい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光不透過領域もしくは光半不透過領域をマイクロレンズ
により光が集光される領域以外の位置に配置すること
で、輝度シェーディングをなくすことができ、画像を輝
度ムラのない高品位の画質とすることができる。またこ
のような固体撮像素子を測定用とした場合、正確な輝度
情報を得ることができる。
光不透過領域もしくは光半不透過領域をマイクロレンズ
により光が集光される領域以外の位置に配置すること
で、輝度シェーディングをなくすことができ、画像を輝
度ムラのない高品位の画質とすることができる。またこ
のような固体撮像素子を測定用とした場合、正確な輝度
情報を得ることができる。
【図１】本発明の固体撮像素子の第１の実施例の画素構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】（ａ）は図１のＸ部拡大図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ′断面図である。
Ａ−Ａ′断面図である。
【図３】（ａ）は図１のＹ部拡大図、（ｂ）は（ａ）の
Ｂ−Ｂ′断面図である。
Ｂ−Ｂ′断面図である。
【図４】本発明の固体撮像素子の第２の実施例の画素構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図５】Ｘ−Ｙアドレス型固体撮像素子の一構成例を示
す等価回路図である。
す等価回路図である。
【図６】従来例の固体撮像素子の画素平面図である。
【図７】従来例のイメージエリア内の感度低下領域を示
す図である。
す図である。
【図８】従来例の一様輝度面を撮影したときの各ライン
出力である。
出力である。
【図９】従来例のイメージエリア内の感度低下領域を示
す図である。
す図である。
２１ ベース領域 ２２ エミッタ電極 ２３ ポリシリコン電極 ２４ 水平駆動線 ２５ 垂直出力線 ３１ 半導体基板 ３２ 保護膜 ３３ マイクロレンズ
Claims (2)
- 【請求項１】 光不透過領域もしくは光半不透過領域を
とりかこむように光電変換領域が構成される画素を複数
有し、かつ各画素の上にマイクロレンズが形成されてな
る固体撮像素子において、 前記光不透過領域もしくは光半不透過領域を前記マイク
ロレンズにより光が集光される領域以外の位置に配置し
たことを特徴とする固体撮像素子。 - 【請求項２】 前記画素は、第一導電型の半導体からな
る制御電極領域と、前記第一導電型とは異なる第二導電
型の半導体からなる第一の主電極領域と、前記第二導電
型の半導体からなる第二の主電極領域と、を有し、光エ
ネルギーを受けることにより生成されるキャリアを前記
制御電極領域に蓄積し、該第一の主電極領域から蓄積さ
れたキャリアに基づく信号を読み出すトランジスタを具
備し、前記光不透過領域もしくは光半不透過領域は該第
一の主電極領域と電気的に接続される電極である請求項
１記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14984593A JP3466660B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14984593A JP3466660B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 固体撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06339084A true JPH06339084A (ja) | 1994-12-06 |
| JP3466660B2 JP3466660B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=15483916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14984593A Expired - Fee Related JP3466660B2 (ja) | 1993-05-31 | 1993-05-31 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3466660B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027875A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Sony Corporation | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
-
1993
- 1993-05-31 JP JP14984593A patent/JP3466660B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004027875A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Sony Corporation | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2004134790A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法並びに電子機器 |
| US7420231B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-09-02 | Sony Corporation | Solid state imaging pick-up device and method of manufacturing the same |
| CN100456483C (zh) * | 2002-09-20 | 2009-01-28 | 索尼株式会社 | 固态摄像器件及其制作方法 |
| KR101036290B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-05-23 | 소니 주식회사 | 고체촬상장치 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3466660B2 (ja) | 2003-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5986297A (en) | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross-talk | |
| US7105371B2 (en) | Method of acquiring an image from an optical structure having pixels with dedicated readout circuits | |
| JP5641287B2 (ja) | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、および、電子機器 | |
| JP6003291B2 (ja) | 固体撮像装置及び電子機器 | |
| US20010002848A1 (en) | Active pixel sensor pixel having a photodetector whose output is coupled to an output transistor gate | |
| JPS60130274A (ja) | 固体撮像装置 | |
| CN1156147C (zh) | 固态图象拾取器件及其驱动方法 | |
| US20240007764A1 (en) | Solid-state imaging element and electronic device | |
| JP2021097241A (ja) | 固体撮像素子および電子機器 | |
| JPH1070262A (ja) | パンチスルーリセットとクロストーク抑制を持つ能動画素センサー | |
| JPH077677A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH1041493A (ja) | 固体撮像素子 | |
| US6218692B1 (en) | Color active pixel sensor with electronic shuttering, anti-blooming and low cross talk | |
| JPH04281681A (ja) | Ｘ‐ｙアドレス型固体撮像装置 | |
| JP3466660B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH0799297A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH03240379A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP3424360B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2003153084A (ja) | 固体撮像素子の制御装置および制御方法 | |
| JPH06104418A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPH05243546A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP2699895B2 (ja) | イメージセンサの駆動方法 | |
| JPH06283695A (ja) | ２次元固体撮像装置および撮像方式 | |
| JPH0191579A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JP2000188387A (ja) | Ｃｃｄ型固体撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070829 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080829 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090829 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100829 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |