JP2725714B2 - Ccd固体撮像素子 - Google Patents

Ccd固体撮像素子

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JP2725714B2 JP3054390A JP5439091A JP2725714B2 JP 2725714 B2 JP2725714 B2 JP 2725714B2 JP 3054390 A JP3054390 A JP 3054390A JP 5439091 A JP5439091 A JP 5439091A JP 2725714 B2 JP2725714 B2 JP 2725714B2
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14887Blooming suppression

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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はビデオカメラ等を作製
するのに用いられるCCD固体撮像素子に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のCCD(電荷転送型)固体撮像素子
としては例えば図2に示すようなものがある。このCC
D固体撮像素子は、半導体基板1上に、行列状に配され
た光電変換部2と、この光電変換部2の各列に隣接して
設けられた垂直転送部3と、この垂直転送部3の各列の
端部につながる水平転送部4と、この水平転送部4の端
部につながる出力回路5を備えている。上記半導体基板
1の表面に入射した光は光電変換部2によって信号電荷
に変換される。各光電変換部2が発生する信号電荷は、
垂直転送部3によって水平転送部4に順次転送され、さ
らにこの水平転送部4によって順次出力回路5に転送さ
れる。上記出力回路5は、水平転送部4からの信号電荷
量に応じて出力信号を出力端子Tへ出力する。この出力
回路5につながるドレイン端子6には、上記信号電荷を
出力するために、素子外部から一定の正電圧(以下「ドレ
イン電圧」という。)が印加される。また、このCCD固
体撮像素子は、オーバーフロードレイン電圧入力端子
(基板1内のオーバーフロードレイン電圧供給部8にそ
のまま接続されている)7に印加された電圧に応じて、
図示しない経路(接合からなる)を通して、上記光電変換
部2に過剰に発生した電荷を基板1中へ逃がすようにな
っている。オーバーフロードレイン電圧入力端子7に対
しては、例えば素子外部の電圧調整部10によって電圧
発生回路9の出力電圧を上記ドレイン電圧を越えないよ
うに調節した電圧(以下「オーバーフロードレイン電圧」
という。)が印加される。これにより、基板1の表面(す
なわち光電変換部2)に過大な光が入射したときに、光
電変換部2の過剰電荷によって生ずるブルーミングすな
わち被写体の周囲に明るい部分が広がる現象を防ぐよう
になっている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記オーバ
ーフロードレイン電圧は、上記光電変換部2に入射する
光の強さをパラメータとして出力回路5の出力信号に基
づいて最適値が求められる。一般に、この値は一定値と
はならず、個々のCCD固体撮像素子毎に異なる。これ
に応じて、従来は、ユーザーが印加すべきオーバーフロ
ー電圧の値が個々の素子毎に指定されていた。このた
め、CCD固体撮像素子を用いてビデオカメラ等を作製
する段階で、個々のCCD固体撮像素子毎にオーバーフ
ロードレイン電圧を調整しなければならないという問題
があった。また、わざわざCCD固体撮像素子の外部に
電圧発生回路9や電圧調整部10を設けねばならず、ビ
デオカメラ等のコスト増大要因となっていた。
【0004】そこで、この発明の目的は、素子内部でオ
ーバーフロードレイン電圧を作成でき、しかもビデオカ
メラ等を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無くす
ことができ、したがってビデオカメラ等のコストを下げ
ることができるCCD固体撮像素子を提供することにあ
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明のCCD固体撮像素子は、基板上に、この
基板表面に入射した光を信号電荷に変換する光電変換部
と、上記光電変換部が発生した信号電荷を転送する電荷
転送部と、上記電荷転送部から受けた信号電荷に応じて
出力電圧を出力する出力回路と、素子外部から所定の入
力電圧が印加される入力端子と、上記基板内のオーバー
フロードレイン電圧供給部に印加されたオーバーフロー
ドレイン電圧に応じて上記光電変換部に過剰に発生した
電荷を上記基板中へ逃がす経路を備えたCCD固体撮像
素子において、上記基板上に、上記入力端子と上記オー
バーフロードレイン電圧供給部とを接続する第1の抵抗
層と、上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基
板内の接地領域とを接続する第2の抵抗層とを設け、上
記第1,第2の抵抗層の双方またはいずれか一方をレー
ザトリミング加工して、上記第1,第2の抵抗層の抵抗
比を調節していることを特徴としている。
【0006】
【作用】素子外部から入力端子に所定の入力電圧を印加
することにより、基板内のオーバーフロードレイン電圧
供給部に対して、上記ドレイン電圧を第1の抵抗層と第
2の抵抗層とで抵抗分割した電圧がオーバーフロードレ
イン電圧として印加される。すなわち、素子内部でオー
バーフロードレイン電圧が作成される。
【0007】また、上記第1,第2の抵抗層の双方また
はいずれか一方をレーザトリミング加工して、上記第
1,第2の抵抗層の抵抗比を調節しているので、このC
CD固体撮像素子の製造段階で上記オーバーフロードレ
イン電圧が最適値となるように設定される。したがっ
て、ビデオカメラ等の作製段階で煩雑な電圧調整作業を
しなくても済ませられる。したがって、このCCD固体
撮像素子を用いて作製されるビデオカメラ等のコストダ
ウンが可能となる。
【0008】
【実施例】以下、この発明のCCD固体撮像素子を図示
の実施例により詳細に説明する。
【0009】図1に示すように、このCCD固体撮像素
子は、従来と同様に、半導体基板11上に、行列状に配
された光電変換部12と、この光電変換部12の各列に
隣接して設けられた垂直転送部13と、この垂直転送部
13の各列の端部につながる水平転送部14と、この水
平転送部14の端部につながる出力回路15を備えてい
る。また、入力端子として、外部から所定のドレイン電
圧(正電圧)が印加されるドレイン端子16を備えてい
る。上記基板11の表面に入射した光は光電変換部12
によって信号電荷に変換される。各光電変換部12が発
生する信号電荷は、垂直転送部13によって水平転送部
14に順次転送され、さらにこの水平転送部14によっ
て順次出力回路15に転送される。出力回路15は、水
平転送部14からの信号電荷量に応じて出力信号を出力
端子Tへ出力する。また、このCCD固体撮像素子は、
半導体基板11内のオーバーフロードレイン電圧供給部
17に印加される電圧に応じて、図示しない経路(接合
からなる)を通して、上記光電変換部12に過剰に発生
した電荷を基板1中へ逃がすようになっている。
【0010】また、この半導体基板11上には第1の抵
抗層19と第2の抵抗層18とが直列に設けられてい
る。上記第1の抵抗層19はドレイン端子16とオーバ
ーフロードレイン電圧供給部17とを接続し、第2抵抗
層18はオーバーフロードレイン電圧供給部17と半導
体基板11内の接地領域とを接続している。したがっ
て、CCD固体撮像素子の外部からドレイン端子16に
ドレイン電圧を印加することにより、オーバーフロード
レイン電圧供給部17に対して、上記ドレイン電圧を抵
抗層19と抵抗層18とで抵抗分割した電圧をオーバー
フロードレイン電圧として印加することができる。すな
わち、素子内部でオーバーフロードレイン電圧を作成す
ることができる。また、上記抵抗層19,18は、この
CCD固体撮像素子の製造段階で、例えばレーザトリミ
ング法により、上記オーバーフロードレイン電圧が最適
値となるように加工する。これにより、ビデオカメラ等
の作製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことができ
る。したがって、このCCD固体撮像素子を用いて作製
されるビデオカメラ等のコストを下げることができる。
【0011】なお、上に述べた例では、ドレイン端子1
6に印加されたドレイン電圧に基づいてオーバーフロー
ドレイン電圧が作成されるものとしたが、これに限られ
るものではない。図3に示すように、ドレイン端子16
とは別個に入力端子20を設けて、ドレイン電圧とは別
個の入力電圧に基づいてオーバーフロードレイン電圧を
作成しても良い。このようにした場合も、ビデオカメラ
等の作製段階での煩雑な電圧調整作業を無くすことがで
き、したがってビデオカメラ等のコストを下げることが
できる。
【0012】
【発明の効果】以上より明らかなように、この発明のC
CD固体撮像素子は、基板上に、入力端子とオーバーフ
ロードレイン電圧供給部とを接続する第1の抵抗層と、
上記オーバーフロードレイン電圧供給部と上記基板内の
接地領域とを接続する第2の抵抗層とを設けているの
で、抵抗分割によって、素子内部でオーバーフロードレ
イン電圧を作成することができる。
【0013】また、上記第1,第2の抵抗層の双方また
はいずれか一方をレーザトリミング加工して、上記第
1,第2の抵抗層の抵抗比を調節しているので、ビデオ
カメラ等を作製する段階での煩雑な電圧調整作業を無く
すことができ、したがってビデオカメラ等のコストを下
げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例のCCD固体撮像素子を
示す図である。
【図2】 従来のCCD固体撮像素子を示す図である。
【図3】 この発明の別の実施例のCCD固体撮像素子
を示す図である。
【符号の説明】
11 半導体基板 12 光電変換部 13 垂直転送部 14 水平転送部 15 出力回路 16 ドレイン端子 17 オーバーフロードレイン電圧供給部 18 第2の抵抗層 19 第1の抵抗層

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に、この基板表面に入射した光を
    信号電荷に変換する光電変換部と、上記光電変換部が発
    生した信号電荷を転送する電荷転送部と、上記電荷転送
    部から受けた信号電荷に応じて出力電圧を出力する出力
    回路と、素子外部から所定の入力電圧が印加される入力
    端子と、上記基板内のオーバーフロードレイン電圧供給
    部に印加されたオーバーフロードレイン電圧に応じて上
    記光電変換部に過剰に発生した電荷を上記基板中へ逃が
    す経路を備えたCCD固体撮像素子において、 上記基板上に、上記入力端子と上記オーバーフロードレ
    イン電圧供給部とを接続する第1の抵抗層と、上記オー
    バーフロードレイン電圧供給部と上記基板内の接地領域
    とを接続する第2の抵抗層とを設け、上記第1,第2の
    抵抗層の双方またはいずれか一方をレーザトリミング加
    工して、上記第1,第2の抵抗層の抵抗比を調節してい
    ることを特徴とするCCD固体撮像素子。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW364238B (en) * 1995-06-08 1999-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor device containing an adjustable voltage generator
EP0747956A3 (en) * 1995-06-08 1999-03-24 Matsushita Electronics Corporation Semiconductor device containing an adjustable voltage generator
US6329272B1 (en) 1999-06-14 2001-12-11 Technologies Ltrim Inc. Method and apparatus for iteratively, selectively tuning the impedance of integrated semiconductor devices using a focussed heating source
CA2533225C (en) * 2006-01-19 2016-03-22 Technologies Ltrim Inc. A tunable semiconductor component provided with a current barrier
US7508432B2 (en) * 2006-07-19 2009-03-24 Eastman Kodak Company CCD with improved substrate voltage setting circuit

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5833708B2 (ja) * 1977-01-31 1983-07-21 株式会社東芝 集積回路装置
JPS5917581B2 (ja) * 1978-01-13 1984-04-21 株式会社東芝 固体撮像装置
US4178519A (en) * 1978-08-16 1979-12-11 General Electric Company Input circuit for charge transfer apparatus
US4225877A (en) * 1978-09-05 1980-09-30 Sprague Electric Company Integrated circuit with C-Mos logic, and a bipolar driver with polysilicon resistors
JPS6155962A (ja) * 1984-08-27 1986-03-20 Oki Electric Ind Co Ltd 電荷結合素子
JPH0294555A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Toshiba Corp トリミング抵抗体
JPH02155378A (ja) * 1988-12-07 1990-06-14 Nec Corp 固体撮像素子の駆動方法
JPH0775405B2 (ja) * 1989-04-17 1995-08-09 三洋電機株式会社 固体撮像素子の駆動方法
JP2601933B2 (ja) * 1990-04-13 1997-04-23 株式会社東芝 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5159418A (en) 1992-10-27
EP0494104B1 (en) 1997-06-18
EP0494104A3 (en) 1992-12-30
JPH04261282A (ja) 1992-09-17
DE69220386T2 (de) 1998-01-22
DE69220386D1 (de) 1997-07-24
EP0494104A2 (en) 1992-07-08

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