JPH0965217A - 固体撮像装置およびその駆動方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその駆動方法Info
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- JPH0965217A JPH0965217A JP7213546A JP21354695A JPH0965217A JP H0965217 A JPH0965217 A JP H0965217A JP 7213546 A JP7213546 A JP 7213546A JP 21354695 A JP21354695 A JP 21354695A JP H0965217 A JPH0965217 A JP H0965217A
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- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/571—Control of the dynamic range involving a non-linear response
- H04N25/575—Control of the dynamic range involving a non-linear response with a response composed of multiple slopes
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/583—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with different integration times
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 消費電力を増大することなくダイナミックレ
ンジの拡大、低雑音化を図ることのできる固体撮像装置
およびその駆動方法を実現すること。 【解決手段】 垂直オーバーフロードレイン構造を有す
る固体撮像装置において、光電変換された電荷をフォト
ダイオードに蓄積している期間内で、半導体基板に印加
された電圧を段階的に下げていく。 【効果】 入射光強度に対するダイナミックレンジの拡
大を、垂直ＣＣＤレジスタにおける高速転送を行なうこ
となく実現できるので、低消費電力化が可能となる。
ンジの拡大、低雑音化を図ることのできる固体撮像装置
およびその駆動方法を実現すること。 【解決手段】 垂直オーバーフロードレイン構造を有す
る固体撮像装置において、光電変換された電荷をフォト
ダイオードに蓄積している期間内で、半導体基板に印加
された電圧を段階的に下げていく。 【効果】 入射光強度に対するダイナミックレンジの拡
大を、垂直ＣＣＤレジスタにおける高速転送を行なうこ
となく実現できるので、低消費電力化が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ型固体撮像装置
およびその駆動方法に関し、特に、入射光強度に対する
ダイナミックレンジを拡大するための半導体基板への電
圧の印加方法とそれに適した固体撮像装置に関する。
およびその駆動方法に関し、特に、入射光強度に対する
ダイナミックレンジを拡大するための半導体基板への電
圧の印加方法とそれに適した固体撮像装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１１は、従来のインターライン転送型
ＣＣＤ撮像装置の構成図である。インターライン転送型
ＣＣＤ撮像装置は、複数のフォトダイオード１０１と、
フォトダイオード１０１からの電荷を受け取って垂直方
向に転送する垂直ＣＣＤレジスタ１０２と、垂直ＣＣＤ
レジスタ１０２からの電荷を受け取って水平方向に転送
する水平ＣＣＤレジスタ１０３と、水平ＣＣＤレジスタ
１０３により転送されてきた電荷を検出する電荷検出部
１０４と、出力増幅器１０５により構成される。一点鎖
線で囲まれた部分は単位画素１０６である。
ＣＣＤ撮像装置の構成図である。インターライン転送型
ＣＣＤ撮像装置は、複数のフォトダイオード１０１と、
フォトダイオード１０１からの電荷を受け取って垂直方
向に転送する垂直ＣＣＤレジスタ１０２と、垂直ＣＣＤ
レジスタ１０２からの電荷を受け取って水平方向に転送
する水平ＣＣＤレジスタ１０３と、水平ＣＣＤレジスタ
１０３により転送されてきた電荷を検出する電荷検出部
１０４と、出力増幅器１０５により構成される。一点鎖
線で囲まれた部分は単位画素１０６である。
【０００３】次に、単位画素１０６の構成を説明する。
図１２は、単位画素１０６を図１１における水平方向に
切断したときの構造を示す断面図である。
図１２は、単位画素１０６を図１１における水平方向に
切断したときの構造を示す断面図である。
【０００４】Ｎ型半導体基板１１１の一主面上にＰ型不
純物ウェル層１１２が形成されている。その内部にフォ
トダイオード１０１を構成するＮ型不純物層１１３、お
よびその表面に暗電流の発生を抑制するためのＰ+型不
純物層１１４が形成されている。また、垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２を構成するＮ型不純物層１１５、およびその
下部にＰ型不純物層１１６が形成されている。
純物ウェル層１１２が形成されている。その内部にフォ
トダイオード１０１を構成するＮ型不純物層１１３、お
よびその表面に暗電流の発生を抑制するためのＰ+型不
純物層１１４が形成されている。また、垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２を構成するＮ型不純物層１１５、およびその
下部にＰ型不純物層１１６が形成されている。
【０００５】フォトダイオード１０１と垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２との間には、Ｐ+型素子分離層１１７、およ
びフォトダイオード１０１から垂直ＣＣＤレジスタ１０
２へ電荷を転送するための読み出しゲート領域１１８が
設けられている。なお、読み出しゲート領域１１８の基
板表面近傍には、しきい値電圧を調節するために追加の
不純物層（図示しない）が形成される場合もある。
スタ１０２との間には、Ｐ+型素子分離層１１７、およ
びフォトダイオード１０１から垂直ＣＣＤレジスタ１０
２へ電荷を転送するための読み出しゲート領域１１８が
設けられている。なお、読み出しゲート領域１１８の基
板表面近傍には、しきい値電圧を調節するために追加の
不純物層（図示しない）が形成される場合もある。
【０００６】半導体基板１１１の一主面上には、二酸化
シリコン膜やシリコン窒化膜などからなる絶縁膜１１９
が形成されており、その上にポリシリコン膜などからな
る垂直転送電極１２０が形成されている。なお、垂直転
送電極１２０の一部は、読み出しゲート領域をオン／オ
フするための制御電極としても機能している。さらにそ
の上には二酸化シリコン膜などからなる絶縁膜（図示し
ない）を介して、タングステン膜やアルミニウム膜など
からなる遮光膜（図示しない）が形成されている。さら
にその上には、二酸化シリコン膜などからなるカバー膜
（図示しない）が形成されている。
シリコン膜やシリコン窒化膜などからなる絶縁膜１１９
が形成されており、その上にポリシリコン膜などからな
る垂直転送電極１２０が形成されている。なお、垂直転
送電極１２０の一部は、読み出しゲート領域をオン／オ
フするための制御電極としても機能している。さらにそ
の上には二酸化シリコン膜などからなる絶縁膜（図示し
ない）を介して、タングステン膜やアルミニウム膜など
からなる遮光膜（図示しない）が形成されている。さら
にその上には、二酸化シリコン膜などからなるカバー膜
（図示しない）が形成されている。
【０００７】ところで、近年の固体撮像装置では、画素
の高密度化に伴うフォトダイオード面積の縮小によるフ
ォトダイオードへの入射光量の減少を補うため、フォト
ダイードの上部にマイクロレンズを形成し、疑似的にフ
ォトダイオードの開口面積を大きくして感度を向上させ
ることが行なわれている。しかし、その反面、フォトダ
イオード容量が同一のもとでは、フォトダイオードがよ
り弱い入射光強度で飽和してしまう。すなわち、入射光
強度に対するダイナミックレンジが狭いという問題があ
る。これを改善する方法として、アイイーイーイー ト
ランザクシヨンズ オン エレクトロン デバイスィー
ズ （ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ Ｅ
ＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ） ＶＯＬ．ＥＤ−３
２，ＮＯ．８， １９８５ の１５１１〜１５１３頁に
記載された方法がある。以下に、上記の文献に基づき、
入射光強度に対するダイナミックレンジを拡大する従来
の駆動方法について説明する。
の高密度化に伴うフォトダイオード面積の縮小によるフ
ォトダイオードへの入射光量の減少を補うため、フォト
ダイードの上部にマイクロレンズを形成し、疑似的にフ
ォトダイオードの開口面積を大きくして感度を向上させ
ることが行なわれている。しかし、その反面、フォトダ
イオード容量が同一のもとでは、フォトダイオードがよ
り弱い入射光強度で飽和してしまう。すなわち、入射光
強度に対するダイナミックレンジが狭いという問題があ
る。これを改善する方法として、アイイーイーイー ト
ランザクシヨンズ オン エレクトロン デバイスィー
ズ （ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ Ｅ
ＬＥＣＴＲＯＮ ＤＥＶＩＣＥＳ） ＶＯＬ．ＥＤ−３
２，ＮＯ．８， １９８５ の１５１１〜１５１３頁に
記載された方法がある。以下に、上記の文献に基づき、
入射光強度に対するダイナミックレンジを拡大する従来
の駆動方法について説明する。
【０００８】図１３は、図１２に示した従来の固体撮像
装置における駆動方法を示す図であり、垂直転送電極１
２０に印加されるクロックパルス波形、およびＮ型半導
体基板１１１に印加される電圧波形のタイミング図であ
る。
装置における駆動方法を示す図であり、垂直転送電極１
２０に印加されるクロックパルス波形、およびＮ型半導
体基板１１１に印加される電圧波形のタイミング図であ
る。
【０００９】なお、Ｐ型不純物ウェル層１１２は接地さ
れており、各電圧はこの電位を基準に表されている。ま
た、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、それぞれ図１３の
時刻ｔ１〜ｔ４におけるフォトダイオード１０１および
垂直ＣＣＤレジスタ１０２内の電荷の蓄積状態を示す模
式図である。フォトダイオードで光電変換された電荷を
蓄積している垂直有効期間Ｐｅｆ内の任意の時刻ｔ１で
は、図１４（ａ）に示すように、フォトダイオードのみ
に電荷Ｑ１が蓄積されている。なお、この時、垂直ＣＣ
Ｄレジスタでは、１フィールド前にフォトダイオードか
ら垂直ＣＣＤレジスタに読み出された電荷の転送が行な
われている。この転送は、例えば１５．７ｋＨｚの周波
数で行なわれ、ここではこの転送を標準転送と呼ぶこと
にする。
れており、各電圧はこの電位を基準に表されている。ま
た、図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、それぞれ図１３の
時刻ｔ１〜ｔ４におけるフォトダイオード１０１および
垂直ＣＣＤレジスタ１０２内の電荷の蓄積状態を示す模
式図である。フォトダイオードで光電変換された電荷を
蓄積している垂直有効期間Ｐｅｆ内の任意の時刻ｔ１で
は、図１４（ａ）に示すように、フォトダイオードのみ
に電荷Ｑ１が蓄積されている。なお、この時、垂直ＣＣ
Ｄレジスタでは、１フィールド前にフォトダイオードか
ら垂直ＣＣＤレジスタに読み出された電荷の転送が行な
われている。この転送は、例えば１５．７ｋＨｚの周波
数で行なわれ、ここではこの転送を標準転送と呼ぶこと
にする。
【００１０】垂直ブランキング期間Ｐｂｌの初期ｔ２で
は、図１４（ｂ）に示すように、垂直転送電極１２０に
読み出しパルスＶｒｌが印加され、フォトダイオード内
に蓄積されていた電荷の一部Ｑ２が垂直ＣＣＤレジスタ
へ読み出される。なお、読み出されずにフォトダイオー
ド内に残っている電荷をＱ３とする。その後、垂直ブラ
ンキング期間の読み出しパルスＶｒ１とＶｒ２との間の
期間Ｐｋｎの任意の時刻ｔ３では、図１４（ｃ）に示す
ように、新たに光電変換された電荷Ｑ４がＱ３に重畳し
て蓄積される。なお、この時、垂直ＣＣＤレジスタで
は、時刻ｔ２で読み出された電荷Ｑ２が、イメージ領域
上部や下部に設けられたドレイン（図示しない）に、２
ＭＨｚの高速転送により掃き出される。
は、図１４（ｂ）に示すように、垂直転送電極１２０に
読み出しパルスＶｒｌが印加され、フォトダイオード内
に蓄積されていた電荷の一部Ｑ２が垂直ＣＣＤレジスタ
へ読み出される。なお、読み出されずにフォトダイオー
ド内に残っている電荷をＱ３とする。その後、垂直ブラ
ンキング期間の読み出しパルスＶｒ１とＶｒ２との間の
期間Ｐｋｎの任意の時刻ｔ３では、図１４（ｃ）に示す
ように、新たに光電変換された電荷Ｑ４がＱ３に重畳し
て蓄積される。なお、この時、垂直ＣＣＤレジスタで
は、時刻ｔ２で読み出された電荷Ｑ２が、イメージ領域
上部や下部に設けられたドレイン（図示しない）に、２
ＭＨｚの高速転送により掃き出される。
【００１１】垂直ブランキング期間の末期ｔ４では、図
１４（ｄ）に示すように、垂直転送電極１２０に読み出
しパルスＶｒ２が印加され、フォトダイオード内に蓄積
されていた全ての電荷（Ｑ３＋Ｑ４）が垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２へ読み出される。読み出された電荷は、次の
フィールドの垂直有効期間に順次水平ＣＣＤレジスタ１
０３へ転送され、電荷検出部１０４、および出力増幅器
１０５を経て出力される。
１４（ｄ）に示すように、垂直転送電極１２０に読み出
しパルスＶｒ２が印加され、フォトダイオード内に蓄積
されていた全ての電荷（Ｑ３＋Ｑ４）が垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２へ読み出される。読み出された電荷は、次の
フィールドの垂直有効期間に順次水平ＣＣＤレジスタ１
０３へ転送され、電荷検出部１０４、および出力増幅器
１０５を経て出力される。
【００１２】図１５は、図１３に基づくダイナミックレ
ンジの拡大駆動を行なった場合の光電変換特性の模式図
である。比較のために、一般的な駆動を行なった場合の
特性も合わせて示している。
ンジの拡大駆動を行なった場合の光電変換特性の模式図
である。比較のために、一般的な駆動を行なった場合の
特性も合わせて示している。
【００１３】なお、通常、フォトダイオードの飽和容量
よりも垂直ＣＣＤレジスタの飽和容量の方が多少大きく
設定されるので、本来はフォトダイオードが飽和しても
出力が多少上昇するが、ここでは説明を容易にするため
にフォトダイオードの飽和後は出力が一定値Ｖ１になる
と仮定している。また、図面は省略するが、一般的な駆
動では、垂直ブランキング期間内の任意の時刻に、フォ
トダイオード内のすべての電荷を垂直ＣＣＤレジスタに
一度だけ読み出す。
よりも垂直ＣＣＤレジスタの飽和容量の方が多少大きく
設定されるので、本来はフォトダイオードが飽和しても
出力が多少上昇するが、ここでは説明を容易にするため
にフォトダイオードの飽和後は出力が一定値Ｖ１になる
と仮定している。また、図面は省略するが、一般的な駆
動では、垂直ブランキング期間内の任意の時刻に、フォ
トダイオード内のすべての電荷を垂直ＣＣＤレジスタに
一度だけ読み出す。
【００１４】図１５に示すように、一般的な駆動を行な
った場合には、入射光強度Ｌ１においてフォトダイオー
ドが丁度飽和し、そこをニーポイントＫ１として、それ
以上の光強度領域に対しては一定の出力Ｖ１となってい
る。換言すれば、入射光強度Ｌ１までしか１対１対応の
出力が得られず、Ｌ１以上の入射光強度に対する出力か
ら入射光強度を求めることはできない。つまり、入射光
強度に対するダイナミックレンジはＬ１までしかない。
った場合には、入射光強度Ｌ１においてフォトダイオー
ドが丁度飽和し、そこをニーポイントＫ１として、それ
以上の光強度領域に対しては一定の出力Ｖ１となってい
る。換言すれば、入射光強度Ｌ１までしか１対１対応の
出力が得られず、Ｌ１以上の入射光強度に対する出力か
ら入射光強度を求めることはできない。つまり、入射光
強度に対するダイナミックレンジはＬ１までしかない。
【００１５】一方、ダイナミックレンジの拡大駆動を行
なった場合の曲線のニーポイントＫ２は、一般的な駆動
を行なった場合のニーポイントＫ１よりも、より弱い入
射光強度に対応している。入射光強度Ｌ２に対応した出
力Ｖ２は、読み出しパルスＶｒ１が印加された時にフォ
トダイオードに蓄積できる最大の電荷量に相当する。ま
た、入射光強度Ｌ２〜Ｌ３の範囲の曲線の傾きは、入射
光強度Ｌ２以下の範囲の曲線の傾きに比べて、図１３に
示すＰｋｎ／（Ｐｅｆ＋Ｐｋｎ）の比率分だけ小さくな
る。
なった場合の曲線のニーポイントＫ２は、一般的な駆動
を行なった場合のニーポイントＫ１よりも、より弱い入
射光強度に対応している。入射光強度Ｌ２に対応した出
力Ｖ２は、読み出しパルスＶｒ１が印加された時にフォ
トダイオードに蓄積できる最大の電荷量に相当する。ま
た、入射光強度Ｌ２〜Ｌ３の範囲の曲線の傾きは、入射
光強度Ｌ２以下の範囲の曲線の傾きに比べて、図１３に
示すＰｋｎ／（Ｐｅｆ＋Ｐｋｎ）の比率分だけ小さくな
る。
【００１６】上記のように、入射光強度の大きな範囲に
おける傾きを小さくすることで、一般的な駆動の場合に
比べて、より大きな入射光強度に対しても１対１対応の
出力が得られるようになっている。すなわち、入射光強
度に対するダイナミックレンジが拡大されており、例え
ば、図１５の場合には、入射光強度Ｌ３までダイナミッ
クレンジが拡大されている。
おける傾きを小さくすることで、一般的な駆動の場合に
比べて、より大きな入射光強度に対しても１対１対応の
出力が得られるようになっている。すなわち、入射光強
度に対するダイナミックレンジが拡大されており、例え
ば、図１５の場合には、入射光強度Ｌ３までダイナミッ
クレンジが拡大されている。
【００１７】また、ダイナミックレンジを拡大する他の
方法として、特開平１−２５３９６０号公報に開示され
た方法がある。この方法は、フォトダイオードが飽和す
る入射光強度以上の領域では、飽和以上の出力電圧成分
が基板へ流れる光電流の対数に比例することを利用する
もので、入射光量がフォトダイオード飽和領域以下、飽
和領域以上であるかによって出力の光電変換特性を切り
換えている。
方法として、特開平１−２５３９６０号公報に開示され
た方法がある。この方法は、フォトダイオードが飽和す
る入射光強度以上の領域では、飽和以上の出力電圧成分
が基板へ流れる光電流の対数に比例することを利用する
もので、入射光量がフォトダイオード飽和領域以下、飽
和領域以上であるかによって出力の光電変換特性を切り
換えている。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】上述した、アイイーイ
ーイー トランザクションズ オン エレクトロン デ
バイスイーズ（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮＤＥＶＩＣＥＳ） ＶＯＬ．Ｅ
Ｄ−３２，ＮＯ．８， １９８５ の１５１１〜１５１
３頁に記載された方法では、垂直ブランキング期間内の
初期に読み出した一部の電荷を高速転送によりドレイン
へ掃き出す必要があるため、消費電力が増大するという
問題がある。
ーイー トランザクションズ オン エレクトロン デ
バイスイーズ（ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ
ＯＮ ＥＬＥＣＴＲＯＮＤＥＶＩＣＥＳ） ＶＯＬ．Ｅ
Ｄ−３２，ＮＯ．８， １９８５ の１５１１〜１５１
３頁に記載された方法では、垂直ブランキング期間内の
初期に読み出した一部の電荷を高速転送によりドレイン
へ掃き出す必要があるため、消費電力が増大するという
問題がある。
【００１９】上記文献によれば、高速転送は２ＭＨｚ
で、１フィールド期間（１／６０ｓｅｃ）あたり８００
μｓｅｃの期間行なわれる。また、ＮＴＳＣ対応固体撮
像装置で２：１インターレース駆動を行う場合の標準転
送周波数は約１５．７ｋＨｚであり、１フィールド期間
あたり約１５．５ｍｓｅｃの期間行なわれる。これらを
考慮して、かつ、垂直駆動パルス振幅を標準転送と高速
転送の場合で同一であると仮定した場合、高速転送を行
なった場合の垂直ＣＣＤレジスタにおける消費電力は、
標準転送のみの場合の約７倍となる。例えば、通常の駆
動方法に基づく垂直ＣＣＤレジスタを有する固体撮像装
置において、垂直ＣＣＤレジスタの消費電力が４ｍＷ、
水平ＣＣＤレジスタの消費電力が４０ｍＷ、および出力
増幅器の消費電力が４５ｍＷ程度の固体撮像装置におい
て、上記のような高速転送を行なった場合には、合計の
消費電力は８９ｍＷから１１３ｍＷに増大する。これに
よりデバイス温度が少なからず上昇し、暗電流や白キズ
のレベルが大きくなるという問題も発生する。
で、１フィールド期間（１／６０ｓｅｃ）あたり８００
μｓｅｃの期間行なわれる。また、ＮＴＳＣ対応固体撮
像装置で２：１インターレース駆動を行う場合の標準転
送周波数は約１５．７ｋＨｚであり、１フィールド期間
あたり約１５．５ｍｓｅｃの期間行なわれる。これらを
考慮して、かつ、垂直駆動パルス振幅を標準転送と高速
転送の場合で同一であると仮定した場合、高速転送を行
なった場合の垂直ＣＣＤレジスタにおける消費電力は、
標準転送のみの場合の約７倍となる。例えば、通常の駆
動方法に基づく垂直ＣＣＤレジスタを有する固体撮像装
置において、垂直ＣＣＤレジスタの消費電力が４ｍＷ、
水平ＣＣＤレジスタの消費電力が４０ｍＷ、および出力
増幅器の消費電力が４５ｍＷ程度の固体撮像装置におい
て、上記のような高速転送を行なった場合には、合計の
消費電力は８９ｍＷから１１３ｍＷに増大する。これに
よりデバイス温度が少なからず上昇し、暗電流や白キズ
のレベルが大きくなるという問題も発生する。
【００２０】また、特開平１−２５３９６０号公報に開
示された方法においては、光電流が基板へ流れるため、
図１１に示した固体撮像装置のように各画素の基板が共
通とされている場合には、各画素毎に光電流を検出する
ことが困難であるという問題がある。
示された方法においては、光電流が基板へ流れるため、
図１１に示した固体撮像装置のように各画素の基板が共
通とされている場合には、各画素毎に光電流を検出する
ことが困難であるという問題がある。
【００２１】本発明は上述したような従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、消費電力を増
大することなくダイナミックレンジの拡大、低雑音化を
図ることのできる固体撮像装置およびその駆動方法を実
現することを目的とする。
る問題点に鑑みてなされたものであって、消費電力を増
大することなくダイナミックレンジの拡大、低雑音化を
図ることのできる固体撮像装置およびその駆動方法を実
現することを目的とする。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するに
は、高速転送を行なわないで入射光強度に対するダイナ
ミックレンジを拡大できるようにすればよい。このよう
な観点による上記目的を達成するための本発明の固体撮
像装置の駆動方法は、複数のフォトダイオードと、該フ
ォトダイオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤ
レジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取
って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジ
スタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器と
を具備するとともに各フォトダイオード内で発生した過
剰電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレ
イン構造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、前
記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォトダ
イオードに蓄積されている期間内で、前記半導体基板の
印加電圧を低下させることを特徴とする。
は、高速転送を行なわないで入射光強度に対するダイナ
ミックレンジを拡大できるようにすればよい。このよう
な観点による上記目的を達成するための本発明の固体撮
像装置の駆動方法は、複数のフォトダイオードと、該フ
ォトダイオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤ
レジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取
って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジ
スタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器と
を具備するとともに各フォトダイオード内で発生した過
剰電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレ
イン構造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、前
記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォトダ
イオードに蓄積されている期間内で、前記半導体基板の
印加電圧を低下させることを特徴とする。
【００２３】この場合、前記フォトダイオードで光電変
換された電荷が該フォトダイオードに蓄積されている期
間内で、前記半導体基板の印加電圧を段階的に下げるこ
ととしてもよい。
換された電荷が該フォトダイオードに蓄積されている期
間内で、前記半導体基板の印加電圧を段階的に下げるこ
ととしてもよい。
【００２４】また、前記フォトダイオードで光電変換さ
れた電荷が該フォトダイオードに蓄積されている期間内
で、前記半導体基板に印加された電圧を線形に下げるこ
ととしてもよい。
れた電荷が該フォトダイオードに蓄積されている期間内
で、前記半導体基板に印加された電圧を線形に下げるこ
ととしてもよい。
【００２５】上記のいずれの場合においても、前記半導
体基板の印加電圧を、フォトダイオードブルーミングの
発生を防止するブルーミング抑制電圧まで下げることと
してもよい。
体基板の印加電圧を、フォトダイオードブルーミングの
発生を防止するブルーミング抑制電圧まで下げることと
してもよい。
【００２６】上記のように構成される本発明の作用につ
いて説明する。通常、基板電圧は、フォトダイオードブ
ルーミングを防止できる電圧に設定される。フォトダイ
オードブルーミングというのは、過剰な電荷がフォトダ
イオード内で発生した場合に、本来の読み出し期間より
前に、フォトダイオードから垂直ＣＣＤレジスタへ電荷
が漏れ込む現象である。フォトダイオードブルーミング
の発生を防ぐ方法の１つとして垂直オーバーフロードレ
イン構造がある。この構造は、フォトダイオードで発生
した過剰な電荷が、垂直ＣＣＤレジスタへ漏れ込む前に
Ｎ型半導体基板に掃き出す構造であり、この掃き出し動
作を行うときの基板電圧がブルーミング抑制電圧であ
る。
いて説明する。通常、基板電圧は、フォトダイオードブ
ルーミングを防止できる電圧に設定される。フォトダイ
オードブルーミングというのは、過剰な電荷がフォトダ
イオード内で発生した場合に、本来の読み出し期間より
前に、フォトダイオードから垂直ＣＣＤレジスタへ電荷
が漏れ込む現象である。フォトダイオードブルーミング
の発生を防ぐ方法の１つとして垂直オーバーフロードレ
イン構造がある。この構造は、フォトダイオードで発生
した過剰な電荷が、垂直ＣＣＤレジスタへ漏れ込む前に
Ｎ型半導体基板に掃き出す構造であり、この掃き出し動
作を行うときの基板電圧がブルーミング抑制電圧であ
る。
【００２７】本発明では上記のようにフォトダイオード
内の電荷の一部を除去する動作が蓄積期間内に基板電圧
を変化させ、半導体基板に掃き出すことにより行なわれ
るので、垂直ＣＣＤレジスタの高速転送が不要となり、
消費電力の増大を回避できるものとなっている。
内の電荷の一部を除去する動作が蓄積期間内に基板電圧
を変化させ、半導体基板に掃き出すことにより行なわれ
るので、垂直ＣＣＤレジスタの高速転送が不要となり、
消費電力の増大を回避できるものとなっている。
【００２８】ところで、基板電圧の変化に伴い、再生画
像上において例えば画面の上側の領域が明るく、下側の
領域が暗いといったコントラスト段差の発生が生じる場
合がある。このような基板電圧変化に伴う再生画像上に
おけるコントラスト段差の発生を防ぐためには、電荷検
出しているときには基板電圧を変化させなければよい。
このような観点による本発明の他の形態による固体撮像
装置の駆動方法は、複数のフォトダイオードと、該フォ
トダイオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレ
ジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取っ
て転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジス
タからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを
具備するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰
電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイ
ン構造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、前記
フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォトダイ
オードに蓄積されている期間内の任意の水平ブランキン
グ期間内で、前記半導体基板にパルス電圧を印加し、フ
ォトダイオード内の電荷の一部を該半導体基板に掃き出
させることを特徴とする。
像上において例えば画面の上側の領域が明るく、下側の
領域が暗いといったコントラスト段差の発生が生じる場
合がある。このような基板電圧変化に伴う再生画像上に
おけるコントラスト段差の発生を防ぐためには、電荷検
出しているときには基板電圧を変化させなければよい。
このような観点による本発明の他の形態による固体撮像
装置の駆動方法は、複数のフォトダイオードと、該フォ
トダイオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレ
ジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取っ
て転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジス
タからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを
具備するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰
電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイ
ン構造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、前記
フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォトダイ
オードに蓄積されている期間内の任意の水平ブランキン
グ期間内で、前記半導体基板にパルス電圧を印加し、フ
ォトダイオード内の電荷の一部を該半導体基板に掃き出
させることを特徴とする。
【００２９】この場合、前記半導体基板の印加されるパ
ルス電圧が、フォトダイオードブルーミングの発生を防
止するブルーミング抑制電圧よりも高いこととしてもよ
い。
ルス電圧が、フォトダイオードブルーミングの発生を防
止するブルーミング抑制電圧よりも高いこととしてもよ
い。
【００３０】上記のように、任意の水平ブランキング期
間内に半導体基板にパルス電圧を印加することで、電荷
検出している最中には基板電圧の変化が生じない。した
がって、基板へのパルス印加によりたとえ出力増幅器の
動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動が
生じたとしても、再生画像上にはコントラスト段差は発
生しない。
間内に半導体基板にパルス電圧を印加することで、電荷
検出している最中には基板電圧の変化が生じない。した
がって、基板へのパルス印加によりたとえ出力増幅器の
動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動が
生じたとしても、再生画像上にはコントラスト段差は発
生しない。
【００３１】また、コントラスト段差の発生を防ぐため
の本発明による固体撮像装置は、複数のフォトダイオー
ドと、該フォトダイオードの電荷を受け取って転送する
垂直ＣＣＤレジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電
荷を受け取って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平
ＣＣＤレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出
力増幅器とを具備するとともに各フォトダイオード内で
発生した過剰電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバー
フロードレイン構造とされた固体撮像装置であって、第
１導電型の前記半導体基板内に設けられた出力増幅器、
および前記電荷検出部が形成されている第２導電型の不
純物ウェル層の接合深さが５〜１０μｍであり、かつ、
その不純物の平均濃度が１Ｅ１５〜１Ｅ１６ｃｍ-3であ
ることを特徴とする。
の本発明による固体撮像装置は、複数のフォトダイオー
ドと、該フォトダイオードの電荷を受け取って転送する
垂直ＣＣＤレジスタと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電
荷を受け取って転送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平
ＣＣＤレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出
力増幅器とを具備するとともに各フォトダイオード内で
発生した過剰電荷を半導体基板に掃き出す垂直オーバー
フロードレイン構造とされた固体撮像装置であって、第
１導電型の前記半導体基板内に設けられた出力増幅器、
および前記電荷検出部が形成されている第２導電型の不
純物ウェル層の接合深さが５〜１０μｍであり、かつ、
その不純物の平均濃度が１Ｅ１５〜１Ｅ１６ｃｍ-3であ
ることを特徴とする。
【００３２】上記のように基板電圧の変化によるウェル
の表面近傍の空乏層形状への影響を排除できるので、出
力増幅器の動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容
量の変動を防止できる。
の表面近傍の空乏層形状への影響を排除できるので、出
力増幅器の動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容
量の変動を防止できる。
【００３３】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施例について図
面を参照して説明する。なお、本実施例は固体撮像装置
の駆動方法に関するものであり、使用する固体撮像装置
の単位画素の構造は、図１１および図１２に示した従来
技術のものと同様であるために、以下の説明においては
図１１および図１２の符号を用いて説明する。
面を参照して説明する。なお、本実施例は固体撮像装置
の駆動方法に関するものであり、使用する固体撮像装置
の単位画素の構造は、図１１および図１２に示した従来
技術のものと同様であるために、以下の説明においては
図１１および図１２の符号を用いて説明する。
【００３４】図１は、本発明の第１の実施例の固体撮像
装置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加さ
れるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図である。なお、Ｐ型
不純物ウェル層１１２は接地されており、各電圧はこの
電位を基準に表されている。また、図２（ａ）〜図２
（ｃ）は、それぞれ図１の時刻ｔａ、ｔｂ、およびｔｒ
におけるフォトダイオード１０１および垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２内の電荷の蓄積状態を示す模式図である。
装置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加さ
れるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図である。なお、Ｐ型
不純物ウェル層１１２は接地されており、各電圧はこの
電位を基準に表されている。また、図２（ａ）〜図２
（ｃ）は、それぞれ図１の時刻ｔａ、ｔｂ、およびｔｒ
におけるフォトダイオード１０１および垂直ＣＣＤレジ
スタ１０２内の電荷の蓄積状態を示す模式図である。
【００３５】期間Ｐａでは基板電圧ＶＳＵＢａが印加さ
れており、期間Ｐａの任意の時刻ｔａでは、図２（ａ）
に示すように、フォトダイオード１０１には光電変換さ
れた電荷のうち、基板に掃き出されない電荷Ｑａが蓄積
されている。なお、この時、垂直ＣＣＤレジスタ１０２
では１フィールド前にフォトダイオード１０１から垂直
ＣＣＤレジスタに読み出された電荷の転送が行なわれて
いる。
れており、期間Ｐａの任意の時刻ｔａでは、図２（ａ）
に示すように、フォトダイオード１０１には光電変換さ
れた電荷のうち、基板に掃き出されない電荷Ｑａが蓄積
されている。なお、この時、垂直ＣＣＤレジスタ１０２
では１フィールド前にフォトダイオード１０１から垂直
ＣＣＤレジスタに読み出された電荷の転送が行なわれて
いる。
【００３６】続く期間Ｐｂでは基板電圧ＶＳＵＢａより
も低い基板電圧ＶＳＵＢｂが印加されており、期間Ｐｂ
の任意の時刻ｔｂでは、図２（ｂ）に示すように、フォ
トダイオード１０１には、期間Ｐｂの開始時刻から時刻
ｔｂまでに光電変換された電荷のうち、基板に掃き出さ
れない電荷Ｑｂが、電荷Ｑａに重畳して蓄積されてい
る。
も低い基板電圧ＶＳＵＢｂが印加されており、期間Ｐｂ
の任意の時刻ｔｂでは、図２（ｂ）に示すように、フォ
トダイオード１０１には、期間Ｐｂの開始時刻から時刻
ｔｂまでに光電変換された電荷のうち、基板に掃き出さ
れない電荷Ｑｂが、電荷Ｑａに重畳して蓄積されてい
る。
【００３７】垂直ブランキング期間Ｐｂｌの任意の時刻
ｔｒでは、図２（ｃ）に示すように、垂直転送電極１２
０に読み出しパルスＶｒが印加され、フォトダイオード
１０１内に蓄積されていた全ての電荷（Ｑａ＋Ｑｂ）が
垂直ＣＣＤレジスタ１０２へ読み出される。なお、読み
出しパルスＶｒの電圧は図１３における読み出しパルス
Ｖｒ２の電圧と同様である。読み出された電荷は、次の
フィールドの垂直有効期間に順次水平ＣＣＤレジスタ１
０３へ転送され、電荷検出部１０４、および出力増幅器
１０５を経て出力される。
ｔｒでは、図２（ｃ）に示すように、垂直転送電極１２
０に読み出しパルスＶｒが印加され、フォトダイオード
１０１内に蓄積されていた全ての電荷（Ｑａ＋Ｑｂ）が
垂直ＣＣＤレジスタ１０２へ読み出される。なお、読み
出しパルスＶｒの電圧は図１３における読み出しパルス
Ｖｒ２の電圧と同様である。読み出された電荷は、次の
フィールドの垂直有効期間に順次水平ＣＣＤレジスタ１
０３へ転送され、電荷検出部１０４、および出力増幅器
１０５を経て出力される。
【００３８】ここで、基板電圧ＶＳＵＢａおよびＶＳＵ
Ｂｂと、電荷ＱａおよびＱｂとの関係を説明する。図３
は、フォトダイオードに蓄積可能な電荷量の基板電圧依
存性である。通常、基板電圧は、フォトダイオードブル
ーミングを防止できる電圧に設定される。フォトダイオ
ードブルーミングというのは、過剰な電荷がフォトダイ
オード内で発生した場合に、本来の読み出し期間より前
に、フォトダイオードから垂直ＣＣＤレジスタへ電荷が
漏れ込む現象であり、再生画面上では、縦方向の白線と
して観測される。
Ｂｂと、電荷ＱａおよびＱｂとの関係を説明する。図３
は、フォトダイオードに蓄積可能な電荷量の基板電圧依
存性である。通常、基板電圧は、フォトダイオードブル
ーミングを防止できる電圧に設定される。フォトダイオ
ードブルーミングというのは、過剰な電荷がフォトダイ
オード内で発生した場合に、本来の読み出し期間より前
に、フォトダイオードから垂直ＣＣＤレジスタへ電荷が
漏れ込む現象であり、再生画面上では、縦方向の白線と
して観測される。
【００３９】フォトダイオードブルーミングの発生を防
ぐ方法の１つとして垂直オーバーフロードレイン構造が
ある。この構造は、フォトダイオード１０１で過剰な電
荷が発生した場合に、電荷が垂直ＣＣＤレジスタ１０２
へ漏れ込む前にＮ型半導体基板１１１に掃き出されるよ
うに、基板電圧を上げてフォトダイオード１０１を構成
するＮ型不純物層１１３下部のＰ型不純物ウェル層１１
２部分の電位障壁を低くするというものである。本実施
例では、このブルーミング抑制電圧がＶＳＵＢｂとな
る。なお、図１３で示した従来の固体撮像装置における
ＶＳＵＢ１はＶＳＵＢｂと同様である。
ぐ方法の１つとして垂直オーバーフロードレイン構造が
ある。この構造は、フォトダイオード１０１で過剰な電
荷が発生した場合に、電荷が垂直ＣＣＤレジスタ１０２
へ漏れ込む前にＮ型半導体基板１１１に掃き出されるよ
うに、基板電圧を上げてフォトダイオード１０１を構成
するＮ型不純物層１１３下部のＰ型不純物ウェル層１１
２部分の電位障壁を低くするというものである。本実施
例では、このブルーミング抑制電圧がＶＳＵＢｂとな
る。なお、図１３で示した従来の固体撮像装置における
ＶＳＵＢ１はＶＳＵＢｂと同様である。
【００４０】図３からわかるように、基板電圧を高くす
るとフォトダイオードに蓄積可能な電荷量が減少する。
期間ＰａではＶＳＵＢａが印加されているので、最大で
Ｑｍａの電荷が蓄積でき、光電変換されたそれ以上の電
荷は基板に掃き出される。つまり、Ｑａ≦Ｑｍａであ
る。期間ＰｂではＶＳＵＢｂが印加されているので、最
大でＱｍｂの電荷が蓄積できる。つまり、Ｑａ＋Ｑｂ≦
Ｑｍｂである。なお、ＶＳＵＢａおよびＶＳＵＢｂの具
体的な値としては、例えばそれぞれ１０Ｖ前後、５Ｖ前
後である。
るとフォトダイオードに蓄積可能な電荷量が減少する。
期間ＰａではＶＳＵＢａが印加されているので、最大で
Ｑｍａの電荷が蓄積でき、光電変換されたそれ以上の電
荷は基板に掃き出される。つまり、Ｑａ≦Ｑｍａであ
る。期間ＰｂではＶＳＵＢｂが印加されているので、最
大でＱｍｂの電荷が蓄積できる。つまり、Ｑａ＋Ｑｂ≦
Ｑｍｂである。なお、ＶＳＵＢａおよびＶＳＵＢｂの具
体的な値としては、例えばそれぞれ１０Ｖ前後、５Ｖ前
後である。
【００４１】図４は、本発明の第１の実施例の固体撮像
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
比較のために、図１５と同様に、一般的な駆動を行なっ
た場合の特性もあわせて示している。本実施例の固体撮
像装置の駆動を行なった場合の曲線のニーポイントＫａ
は、一般的な駆動を行なった場合のニーポイントＫ１よ
りも、より弱い入射光強度に対応している。入射光強度
Ｌａに対応した出力Ｖａは、基板電圧ＶＳＵＢａが印加
された時にフォトダイオードに蓄積可能な最大の電荷量
Ｑｍａに相当する。また、入射光強度Ｌａ〜Ｌｂの範囲
の曲線の傾きは、Ｌａ以下の範囲の曲線の傾きに比べ
て、図１に示すＰｂ／（Ｐａ＋Ｐｂ）の比率分だけ小さ
くなる。したがって、入射光強度に対するダイナミック
レンジを拡大する従来の駆動方法と同様に、一般的な駆
動の場合に比べて、より大きな入射光強度に対しても１
対１対応の出力が得られる。例えば図４の場合には、入
射光強度に対するダイナミックレンジがＬｂまで拡大さ
れている。
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
比較のために、図１５と同様に、一般的な駆動を行なっ
た場合の特性もあわせて示している。本実施例の固体撮
像装置の駆動を行なった場合の曲線のニーポイントＫａ
は、一般的な駆動を行なった場合のニーポイントＫ１よ
りも、より弱い入射光強度に対応している。入射光強度
Ｌａに対応した出力Ｖａは、基板電圧ＶＳＵＢａが印加
された時にフォトダイオードに蓄積可能な最大の電荷量
Ｑｍａに相当する。また、入射光強度Ｌａ〜Ｌｂの範囲
の曲線の傾きは、Ｌａ以下の範囲の曲線の傾きに比べ
て、図１に示すＰｂ／（Ｐａ＋Ｐｂ）の比率分だけ小さ
くなる。したがって、入射光強度に対するダイナミック
レンジを拡大する従来の駆動方法と同様に、一般的な駆
動の場合に比べて、より大きな入射光強度に対しても１
対１対応の出力が得られる。例えば図４の場合には、入
射光強度に対するダイナミックレンジがＬｂまで拡大さ
れている。
【００４２】上記のように、本実施例に基づく駆動方法
によれば、高速転送をすることなく入射光強度に対する
ダイナミックレンジを拡大することが可能となる。
によれば、高速転送をすることなく入射光強度に対する
ダイナミックレンジを拡大することが可能となる。
【００４３】図１〜図４を用いて説明した実施例では、
基板電圧をＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂに２通りに変化さ
せる場合を説明したが、本発明による方法は２つの基板
電圧に特に限定されるものではない。
基板電圧をＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂに２通りに変化さ
せる場合を説明したが、本発明による方法は２つの基板
電圧に特に限定されるものではない。
【００４４】図５は、本発明の第２の実施例の固体撮像
装置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加さ
れるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図である。期間Ｐｃ、
Ｐｄ、およびＰｅでは、それぞれ基板電圧ＶＳＵＢｃ、
ＶＳＵＢｄ、ＶＳＵＢｅが印加されている。
装置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加さ
れるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図である。期間Ｐｃ、
Ｐｄ、およびＰｅでは、それぞれ基板電圧ＶＳＵＢｃ、
ＶＳＵＢｄ、ＶＳＵＢｅが印加されている。
【００４５】図６は、本発明の第２の実施例の固体撮像
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
入射光強度ＬｃおよびＬｄにおいて、２つのニーポイン
トＫｃおよびＫｄが形成される。入射光強度Ｌｃ〜Ｌｄ
の範囲の曲線の傾きは、Ｌｃ以下の範囲の曲線の傾きに
比べて、図５に示す（Ｐｄ＋Ｐｅ）／（Ｐｃ＋Ｐｄ＋Ｐ
ｅ）の比率分だけ小さくなる。また、入射光強度Ｌｄ〜
Ｌｅの範囲の曲線の傾きは、Ｌｃ以下の範囲の曲線の傾
きに比べて、図５に示すＰｅ／（Ｐｃ＋Ｐｄ＋Ｐｅ）の
比率分だけ小さくなる。
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
入射光強度ＬｃおよびＬｄにおいて、２つのニーポイン
トＫｃおよびＫｄが形成される。入射光強度Ｌｃ〜Ｌｄ
の範囲の曲線の傾きは、Ｌｃ以下の範囲の曲線の傾きに
比べて、図５に示す（Ｐｄ＋Ｐｅ）／（Ｐｃ＋Ｐｄ＋Ｐ
ｅ）の比率分だけ小さくなる。また、入射光強度Ｌｄ〜
Ｌｅの範囲の曲線の傾きは、Ｌｃ以下の範囲の曲線の傾
きに比べて、図５に示すＰｅ／（Ｐｃ＋Ｐｄ＋Ｐｅ）の
比率分だけ小さくなる。
【００４６】上記のように、入射光強度が大きくなるに
つれて傾きを徐々に小さくすることが可能であり、各々
の入射光強度範囲に対する感度を個別に調整できるとい
う利点がある。
つれて傾きを徐々に小さくすることが可能であり、各々
の入射光強度範囲に対する感度を個別に調整できるとい
う利点がある。
【００４７】次に、電荷蓄積期間を無限個の期間にわけ
た場合を考える。これは、近似的に、電荷蓄積期間にお
いて基板電圧を線形に変化させた場合と等価である。図
７は、本発明の第３の実施例の固体撮像装置の駆動方法
における、垂直転送電極１２０に印加されるクロックパ
ルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電圧
波形のタイミング図である。基板電圧は、時刻ｔｆから
時刻ｔｇにかけて、ＶＳＵＢｆからＶＳＵＢｇまで線形
に変化している。なお、読み出しパルスＶｒの印加され
ている期間は、基板にはＶＳＵＢｇが印加されている。
た場合を考える。これは、近似的に、電荷蓄積期間にお
いて基板電圧を線形に変化させた場合と等価である。図
７は、本発明の第３の実施例の固体撮像装置の駆動方法
における、垂直転送電極１２０に印加されるクロックパ
ルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電圧
波形のタイミング図である。基板電圧は、時刻ｔｆから
時刻ｔｇにかけて、ＶＳＵＢｆからＶＳＵＢｇまで線形
に変化している。なお、読み出しパルスＶｒの印加され
ている期間は、基板にはＶＳＵＢｇが印加されている。
【００４８】図８は、本発明の第３の実施例の固体撮像
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
入射光強度がＬｆ以下では一般的な駆動の場合と同様な
傾きを有する直線となっており、入射光強度がＬｆから
Ｌｇの範囲では無限個のニーポイントが存在するため、
滑らかな曲線となっている。このように、入射光強度が
大きくなるにつれて傾きを滑らかにに小さくすることが
可能であり、入射光強度に対する感度を滑らかに調整で
きるという利点がある。
装置の駆動方法における光電変換特性の模式図である。
入射光強度がＬｆ以下では一般的な駆動の場合と同様な
傾きを有する直線となっており、入射光強度がＬｆから
Ｌｇの範囲では無限個のニーポイントが存在するため、
滑らかな曲線となっている。このように、入射光強度が
大きくなるにつれて傾きを滑らかにに小さくすることが
可能であり、入射光強度に対する感度を滑らかに調整で
きるという利点がある。
【００４９】ところで、例えば第１の実施例に基づく駆
動方法では、図１に示すように、蓄積期間中の任意の時
刻ｔｂにおいて基板電圧がＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂに
変化している。フォトダイオードで電荷を蓄積している
期間では、１フィールド前にフォトダイオードから読み
出された電荷の検出が、水平ＣＣＤレジスタ、電荷検出
部、および出力増幅器を介して行なわれているので、基
板電圧の変化により出力増幅器の動作点が変動したり、
電荷検出部の容量が変動することもありうる。
動方法では、図１に示すように、蓄積期間中の任意の時
刻ｔｂにおいて基板電圧がＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂに
変化している。フォトダイオードで電荷を蓄積している
期間では、１フィールド前にフォトダイオードから読み
出された電荷の検出が、水平ＣＣＤレジスタ、電荷検出
部、および出力増幅器を介して行なわれているので、基
板電圧の変化により出力増幅器の動作点が変動したり、
電荷検出部の容量が変動することもありうる。
【００５０】例えば、出力増幅器の動作点の電圧が低く
なった場合には、再生画像上においては像が暗くなるた
めにコントラスト段差が発生し、著しく画質を劣化させ
る。このような画像劣化を防ぐには、基板電圧が変化し
ても、出力増幅器、および電荷検出部のチャネル部近傍
の空乏層の形状に変化が生じないようにすればよい。
なった場合には、再生画像上においては像が暗くなるた
めにコントラスト段差が発生し、著しく画質を劣化させ
る。このような画像劣化を防ぐには、基板電圧が変化し
ても、出力増幅器、および電荷検出部のチャネル部近傍
の空乏層の形状に変化が生じないようにすればよい。
【００５１】図９（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の
第４の実施例の固体撮像装置における出力増幅器を構成
する任意のトランジスタ部分の構造を示す断面図、およ
び電荷検出部近傍の構造を示す断面図である。
第４の実施例の固体撮像装置における出力増幅器を構成
する任意のトランジスタ部分の構造を示す断面図、およ
び電荷検出部近傍の構造を示す断面図である。
【００５２】まず、それぞれの構成を説明する。図９
（ａ）において、Ｎ型半導体基板１１１の一主面上にＰ
型不純物ウェル層１２１が形成されており、その内部に
は、ソースおよびドレインとなるＮ+型不純物層１２２
が形成されている。さらに、二酸化シリコン膜やシリコ
ン窒化膜などからなる絶縁膜１１９を介して、ポリシリ
コン膜などからなるゲート電極１２３が形成されてい
る。なお、ゲート電極１２３の下部のチャネルには、し
きい値電圧調節のための不純物層（図示しない）が形成
される場合もある。
（ａ）において、Ｎ型半導体基板１１１の一主面上にＰ
型不純物ウェル層１２１が形成されており、その内部に
は、ソースおよびドレインとなるＮ+型不純物層１２２
が形成されている。さらに、二酸化シリコン膜やシリコ
ン窒化膜などからなる絶縁膜１１９を介して、ポリシリ
コン膜などからなるゲート電極１２３が形成されてい
る。なお、ゲート電極１２３の下部のチャネルには、し
きい値電圧調節のための不純物層（図示しない）が形成
される場合もある。
【００５３】図９（ｂ）において、Ｎ型半導体基板１１
１の一主面上にＰ型不純物ウェル層１２１が形成されて
おり、その内部には、チャネルとなるＮ型不純物層１２
４、およびＮ+型不純物層からなるリセットドレイン１
２５が形成されている。さらに、二酸化シリコン膜やシ
リコン窒化膜などからなる絶縁膜１１９を介して、ポリ
シリコン膜などからなる水平転送電極１２６、出力ゲー
ト電極１２７、およびリセットゲート電極１２８が形成
されている。出力ゲート電極１２７とリセットゲート電
極１２８との間のチャネル部分が浮遊拡散層１２９とな
る。なお、浮遊拡散層１２９と出力増幅器の初段ドライ
バ用トランジスタのゲートとの間の配線は省略されてい
る。なお、これら以外の部分の構成、および駆動方法
は、第１の実施例と同様である。
１の一主面上にＰ型不純物ウェル層１２１が形成されて
おり、その内部には、チャネルとなるＮ型不純物層１２
４、およびＮ+型不純物層からなるリセットドレイン１
２５が形成されている。さらに、二酸化シリコン膜やシ
リコン窒化膜などからなる絶縁膜１１９を介して、ポリ
シリコン膜などからなる水平転送電極１２６、出力ゲー
ト電極１２７、およびリセットゲート電極１２８が形成
されている。出力ゲート電極１２７とリセットゲート電
極１２８との間のチャネル部分が浮遊拡散層１２９とな
る。なお、浮遊拡散層１２９と出力増幅器の初段ドライ
バ用トランジスタのゲートとの間の配線は省略されてい
る。なお、これら以外の部分の構成、および駆動方法
は、第１の実施例と同様である。
【００５４】図９（ａ）、（ｂ）において、例えばＮ型
半導体基板１１１の不純物濃度が１Ｅ１４ｃｍ-3程度、
Ｎ型不純物層１２４の接合深さ、および不純物濃度が、
それぞれ０．５μｍ、および５Ｅ１６ｃｍ-3程度である
場合、Ｐ型不純物ウェル層１２１の深さを５〜１０μ
ｍ、かつ、その不純物の平均濃度を１Ｅ１５〜１Ｅ１６
ｃｍ-3とすることで、例えば、基板電圧が２０Ｖ程度ま
で変化したとしても、Ｐ型不純物ウェル層１２１が完全
に空乏化することはなく、出力増幅器の動作点の変動
や、電荷検出部１０４の容量の変動は生じない。なお、
通常、水平ＣＣＤレジスタ１０３と電荷検出部１０４と
は共通のＰ型不純物ウェル層１２１内に形成されること
を考慮すると、Ｐ型不純物ウェル層１２１の不純物の平
均濃度を１Ｅ１６ｃｍ-3より大きくすることは、水平Ｃ
ＣＤレジスタ１０３の転送効率の劣化をまねく恐れがあ
ること、および電荷検出容量が増大することから好まし
くない。
半導体基板１１１の不純物濃度が１Ｅ１４ｃｍ-3程度、
Ｎ型不純物層１２４の接合深さ、および不純物濃度が、
それぞれ０．５μｍ、および５Ｅ１６ｃｍ-3程度である
場合、Ｐ型不純物ウェル層１２１の深さを５〜１０μ
ｍ、かつ、その不純物の平均濃度を１Ｅ１５〜１Ｅ１６
ｃｍ-3とすることで、例えば、基板電圧が２０Ｖ程度ま
で変化したとしても、Ｐ型不純物ウェル層１２１が完全
に空乏化することはなく、出力増幅器の動作点の変動
や、電荷検出部１０４の容量の変動は生じない。なお、
通常、水平ＣＣＤレジスタ１０３と電荷検出部１０４と
は共通のＰ型不純物ウェル層１２１内に形成されること
を考慮すると、Ｐ型不純物ウェル層１２１の不純物の平
均濃度を１Ｅ１６ｃｍ-3より大きくすることは、水平Ｃ
ＣＤレジスタ１０３の転送効率の劣化をまねく恐れがあ
ること、および電荷検出容量が増大することから好まし
くない。
【００５５】次に、基板電圧の変化による再生画像上に
おけるコントラスト段差を防止する他の方法を示す。図
１０（ａ）は、本発明の第５の実施例の固体撮像装置の
駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加されるク
ロックパルス波形、およびＮ型半導体基板１１１に印加
される電圧波形のタイミング図であり、図１０（ｂ）は
Ｎ型半導体基板１１１に印加される電圧波形の拡大図で
ある。
おけるコントラスト段差を防止する他の方法を示す。図
１０（ａ）は、本発明の第５の実施例の固体撮像装置の
駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加されるク
ロックパルス波形、およびＮ型半導体基板１１１に印加
される電圧波形のタイミング図であり、図１０（ｂ）は
Ｎ型半導体基板１１１に印加される電圧波形の拡大図で
ある。
【００５６】フォトダイオード１０１内の一部の電荷の
掃き出しは、電荷蓄積期間内の時刻ｔｈに半導体基板１
１１にパルス電圧ＶＳＵＢｈを印加することにより行な
う。ただし、図１０（ａ）に示すようにこのパルスは水
平ブランキング期間内に印加する。これにより、電荷検
出の行なわれる水平有効期間には常に一定の基板電圧Ｖ
ＳＵＢｉが印加されることになる。したがって、基板へ
のパルス印加により出力増幅器の動作点の変動および電
荷検出部の電荷検出容量の変動がたとえ生じたとして
も、原理的に再生画像上にはコントラスト段差は発生し
ない。ここで、基板電圧ＶＳＵＢｈおよびＶＳＵＢｉの
値を、それぞれ図１におけるＶＳＵＢａおよびＶＳＵＢ
ｂと同一にし、かつ、パルスを印加する時刻ｔｈを、図
１における基板電圧がＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂへ遷移
する時刻と同時刻とすることで、図４と同様な光電変換
特性が得られる。
掃き出しは、電荷蓄積期間内の時刻ｔｈに半導体基板１
１１にパルス電圧ＶＳＵＢｈを印加することにより行な
う。ただし、図１０（ａ）に示すようにこのパルスは水
平ブランキング期間内に印加する。これにより、電荷検
出の行なわれる水平有効期間には常に一定の基板電圧Ｖ
ＳＵＢｉが印加されることになる。したがって、基板へ
のパルス印加により出力増幅器の動作点の変動および電
荷検出部の電荷検出容量の変動がたとえ生じたとして
も、原理的に再生画像上にはコントラスト段差は発生し
ない。ここで、基板電圧ＶＳＵＢｈおよびＶＳＵＢｉの
値を、それぞれ図１におけるＶＳＵＢａおよびＶＳＵＢ
ｂと同一にし、かつ、パルスを印加する時刻ｔｈを、図
１における基板電圧がＶＳＵＢａからＶＳＵＢｂへ遷移
する時刻と同時刻とすることで、図４と同様な光電変換
特性が得られる。
【００５７】なお、本実施例と類似する技術としては特
開昭６３−１０５５７９号公報に開示された技術があ
る。該公報に開示される電子シャッターという技術は電
気的な露出時間を制御するという目的からフォトダイオ
ード内のすべての電荷を基板に掃き出すのに対し、本実
施例はダイナミックレンジを拡大するという目的から電
荷の一部のみ基板に掃き出すという点で異なっている。
開昭６３−１０５５７９号公報に開示された技術があ
る。該公報に開示される電子シャッターという技術は電
気的な露出時間を制御するという目的からフォトダイオ
ード内のすべての電荷を基板に掃き出すのに対し、本実
施例はダイナミックレンジを拡大するという目的から電
荷の一部のみ基板に掃き出すという点で異なっている。
【００５８】
【発明の効果】本発明によれば、フォトダイオード内の
電荷の一部を除去する動作を、フォトダイオードにおけ
る電荷蓄積期間内で基板電圧を変化させ、半導体基板に
掃き出すことにより行なうことにより、垂直ＣＣＤレジ
スタの高速転送は不要となるので消費電力の増大を回避
でき、デバイスの発熱による暗電流や白キズレベルの上
昇は生じることなくダイナミックレンジを拡大すること
ができる効果がある。
電荷の一部を除去する動作を、フォトダイオードにおけ
る電荷蓄積期間内で基板電圧を変化させ、半導体基板に
掃き出すことにより行なうことにより、垂直ＣＣＤレジ
スタの高速転送は不要となるので消費電力の増大を回避
でき、デバイスの発熱による暗電流や白キズレベルの上
昇は生じることなくダイナミックレンジを拡大すること
ができる効果がある。
【００５９】また、電荷蓄積期間中の任意の水平ブラン
キング期間内で半導体基板にパルス電圧を印加して一部
の電荷を掃き出すことで、電荷検出しているときには基
板電圧の変化が生じないものとすることができる。した
がって、基板へのパルス印加によりたとえ出力増幅器の
動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動が
生じても、再生画像上にはコントラスト段差は発生しな
いものとすることができる効果がある。
キング期間内で半導体基板にパルス電圧を印加して一部
の電荷を掃き出すことで、電荷検出しているときには基
板電圧の変化が生じないものとすることができる。した
がって、基板へのパルス印加によりたとえ出力増幅器の
動作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動が
生じても、再生画像上にはコントラスト段差は発生しな
いものとすることができる効果がある。
【００６０】さらに、出力増幅器、および電荷検出部の
設けられたウェルの深さを５〜１０μｍとし、かつ、そ
の不純物の平均濃度を１Ｅ１５〜１Ｅ１６ｃｍ-3とする
ことで、基板電圧の変化によるチャネル部近傍の空乏層
の形状への影響を排除することができ、出力増幅器の動
作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動を防
止できる。これにより再生画像上にコントラスト段差が
発生しないものとすることができる効果がある。
設けられたウェルの深さを５〜１０μｍとし、かつ、そ
の不純物の平均濃度を１Ｅ１５〜１Ｅ１６ｃｍ-3とする
ことで、基板電圧の変化によるチャネル部近傍の空乏層
の形状への影響を排除することができ、出力増幅器の動
作点の変動および電荷検出部の電荷検出容量の変動を防
止できる。これにより再生画像上にコントラスト段差が
発生しないものとすることができる効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の固体撮像装置の駆動方
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
【図２】図１の時刻ｔａ、ｔｂ、およびｔｒにおけるフ
ォトダイオード１０１および垂直ＣＣＤレジスタ１０２
内の電荷の蓄積状態を示す模式図である。
ォトダイオード１０１および垂直ＣＣＤレジスタ１０２
内の電荷の蓄積状態を示す模式図である。
【図３】フォトダイオードに蓄積可能な電荷量の基板電
圧依存性を示す図である。
圧依存性を示す図である。
【図４】本発明の一実施例の固体撮像装置の駆動方法に
おける、光電変換特性の模式図である。
おける、光電変換特性の模式図である。
【図５】本発明の第２の実施例の固体撮像装置の駆動方
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
【図６】本発明の第２の実施例の固体撮像装置の駆動方
法における、光電変換特性の模式図である。
法における、光電変換特性の模式図である。
【図７】本発明の第３の実施例の固体撮像装置の駆動方
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
法における、垂直転送電極１２０に印加されるクロック
パルス波形およびＮ型半導体基板１１１に印加される電
圧波形のタイミング図である。
【図８】本発明の第３の実施例の固体撮像装置の駆動方
法における、光電変換特性の模式図である。
法における、光電変換特性の模式図である。
【図９】本発明の第４の実施例の固体撮像装置におけ
る、出力増幅器を構成する任意のトランジスタの断面
図、および電荷検出部近傍の断面図である。
る、出力増幅器を構成する任意のトランジスタの断面
図、および電荷検出部近傍の断面図である。
【図１０】（ａ）は本発明の第５の実施例の固体撮像装
置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加され
るクロックパルス波形、およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図、（ｂ）はクロック
パルス波形の拡大図である。
置の駆動方法における、垂直転送電極１２０に印加され
るクロックパルス波形、およびＮ型半導体基板１１１に
印加される電圧波形のタイミング図、（ｂ）はクロック
パルス波形の拡大図である。
【図１１】従来のインターライン転送型ＣＣＤ撮像像装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図１２】単位画素１０６の水平方向の断面図である。
【図１３】従来の駆動方法における垂直転送電極１２０
に印加されるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板
１１１に印加される電圧波形のタイミング図である。
に印加されるクロックパルス波形およびＮ型半導体基板
１１１に印加される電圧波形のタイミング図である。
【図１４】図１３の時刻ｔ１〜ｔ４におけるフォトダイ
オード１０１および垂直ＣＣＤレジスタ１０２内の電荷
の蓄積状態を示す模式図である。
オード１０１および垂直ＣＣＤレジスタ１０２内の電荷
の蓄積状態を示す模式図である。
【図１５】図１３に基づくダイナミックレンジの拡大駆
動を行なった場合の光電変換特性の模式図である。
動を行なった場合の光電変換特性の模式図である。
１０１ フォトダイオード １０２ 垂直ＣＣＤレジスタ １０３ 水平ＣＣＤレジスタ １０４ 電荷検出部 １０５ 出力増幅器 １０６ 単位画素 １１１ Ｎ型半導体基板 １１２、１２１ Ｐ型不純物ウェル層 １１３ Ｎ型不純物層 １１４ Ｐ+型不純物層 １１５、１２４ Ｎ型不純物層 １１６ Ｐ型不純物層 １１７ Ｐ+型素子分離層 １１８ 読み出しゲート領域 １１９ 絶縁膜 １２０ 垂直転送電極 １２２ Ｎ+型不純物層 １２３ ゲート電極 １２５ リセットドレイン １２６ 水平転送電極 １２７ 出力ゲート電極 １２８ リセットゲート電極 １２９ 浮遊拡散層
Claims (7)
- 【請求項１】 複数のフォトダイオードと、該フォトダ
イオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレジス
タと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転
送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタか
らの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを具備
するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰電荷
を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイン構
造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、 前記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォト
ダイオードに蓄積されている期間内で、前記半導体基板
の印加電圧を低下させることを特徴とする固体撮像装置
の駆動方法。 - 【請求項２】 複数のフォトダイオードと、該フォトダ
イオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレジス
タと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転
送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタか
らの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを具備
するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰電荷
を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイン構
造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、 前記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォト
ダイオードに蓄積されている期間内で、前記半導体基板
の印加電圧を段階的に下げていくことを特徴とする固体
撮像装置の駆動方法。 - 【請求項３】 複数のフォトダイオードと、該フォトダ
イオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレジス
タと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転
送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタか
らの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを具備
するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰電荷
を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイン構
造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、 前記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォト
ダイオードに蓄積されている期間内で、前記半導体基板
に印加された電圧を線形に下げていくことを特徴とする
固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の固体撮
像装置の駆動方法において、 前記半導体基板の印加電圧を、フォトダイオードブルー
ミングの発生を防止するブルーミング抑制電圧まで下げ
ることを特徴とする固体撮像装置の駆動方法。 - 【請求項５】 複数のフォトダイオードと、該フォトダ
イオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレジス
タと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転
送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタか
らの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを具備
するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰電荷
を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイン構
造とされた固体撮像装置の駆動方法であって、 前記フォトダイオードで光電変換された電荷が該フォト
ダイオードに蓄積されている期間内の任意の水平ブラン
キング期間内で、前記半導体基板にパルス電圧を印加
し、フォトダイオード内の電荷の一部を該半導体基板に
掃き出させることを特徴とする固体撮像装置の駆動方
法。 - 【請求項６】 請求項５に記載の固体撮像装置の駆動方
法において、 前記半導体基板の印加されるパルス電圧が、フォトダイ
オードブルーミングの発生を防止するブルーミング抑制
電圧よりも高いことを特徴とする固体撮像装置の駆動方
法。 - 【請求項７】 複数のフォトダイオードと、該フォトダ
イオードの電荷を受け取って転送する垂直ＣＣＤレジス
タと、該垂直ＣＣＤレジスタからの電荷を受け取って転
送する水平ＣＣＤレジスタと、該水平ＣＣＤレジスタか
らの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを具備
するとともに各フォトダイオード内で発生した過剰電荷
を半導体基板に掃き出す垂直オーバーフロードレイン構
造とされた固体撮像装置であって、 第１導電型の前記半導体基板内に設けられた出力増幅
器、および前記電荷検出部が形成されている第２導電型
の不純物ウェル層の接合深さが５〜１０μｍであり、か
つ、その不純物の平均濃度が１Ｅ１５〜１Ｅ１６ｃｍ-3
であることを特徴とする固体撮像装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213546A JPH0965217A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
| US08/699,389 US5729287A (en) | 1995-08-22 | 1996-08-19 | Driving method for driving a solid state image pick-up device |
| KR1019960034785A KR100255531B1 (ko) | 1995-08-22 | 1996-08-22 | 고체 촬상 장치 및 구동 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7213546A JPH0965217A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0965217A true JPH0965217A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16640995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7213546A Pending JPH0965217A (ja) | 1995-08-22 | 1995-08-22 | 固体撮像装置およびその駆動方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5729287A (ja) |
| JP (1) | JPH0965217A (ja) |
| KR (1) | KR100255531B1 (ja) |
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| EP0986816A4 (en) * | 1997-06-02 | 2000-03-22 | Sarnoff Corp | IMAGING SYSTEM AND METHOD WITH INCREASED DYNAMIC RANGE |
| US7709863B2 (en) | 2004-10-05 | 2010-05-04 | Sony Corporation | Solid state imaging device |
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1995
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1996
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