JPH04168886A - 階調制御機能を有する撮像装置 - Google Patents

階調制御機能を有する撮像装置

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JPH04168886A
JPH04168886A JP2293668A JP29366890A JPH04168886A JP H04168886 A JPH04168886 A JP H04168886A JP 2293668 A JP2293668 A JP 2293668A JP 29366890 A JP29366890 A JP 29366890A JP H04168886 A JPH04168886 A JP H04168886A
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Koji Takahashi
宏爾 高橋
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明は、例えば、映像信号を撮像するもので、特に逆
光補正などに用いて好適な階調制御機能を有する撮像装
置に関するものである。
[従来の技術] ビデオカメラ等で、被写体を撮像するにあたり、照度が
強い逆光撮影の場合など、一画面中の階調は極めて広い
ものとなる。
ビデオカメラ等で用いられる、固体撮像素子等を用いた
撮像装置は、このように広い階調をすべて映像信号に変
換できるほどのダイナミックレンジ幅を有していないた
め、明るさのレベルの上下で各々クリップを発生してし
まう。これが、「白飛び」、「黒つぶれ」と呼ばれる現
象で、一画面中で、極端に明るい部分や暗い部分の階調
が表現できないものである。
特に、逆光撮影の場合などは、背景の明るさに比較して
、主たる被写体が陰になって極端に暗くなるため、「黒
つぶれ」を起こしてしまう。
この対策として、従来、BLC(バック・ライト・コン
トロール)という露光量を増加して逆光補正を行う手法
が用いられていた。以下、図面を参照して、従来の手法
による逆光補正について詳しく説明する。
まず、アイリスを用いた露光量調節機構におけるBLC
の動作について、第15図に示した逆光補正回路構成図
を用いて説明する。
光学系10より入射した被写体よりの光線はアイリス1
1により、光量制限されて、撮像素子12上に結像する
。結像状態に応じた光電変換信号が、撮像素子12より
出力され、信号処理回路13にて、映像信号化され、映
像信号として出力される。
一方、AE回路14にも上述の映像信号は供給されてお
り、AE回路14は、映像信号に応じたアイリス制御信
号を発生する。ドライバー16は、加算器15経由でA
E回路14からのアイリス制御信号を受けてigメータ
17を駆動する駆動信号を発生させ、アイリスによる光
量の自動調節を実現している。
上述した光量の自動調節の考え方においては、一般に、
映像信号の輝度レベルの一画面分の積分値に応じて光量
を調節するようにしているので、一画面全体の平均的な
明るさだけに着目していることになる。そのため、逆光
撮影の場合などは、非常に明るい背景に合わせて撮像素
子12への入射光量の調節が行われるため、主たる被写
体が極端に暗くなって、「黒つぶれ」を起こしてしまう
このような場合には、BLCをONにして、撮影者が逆
光補正指示を出す必要がある。第15図の回路構成図で
は、BLCスイッチ19をONにすることにより、補正
信号発生器18から、アイリスを「開」側へ向ける信号
が、加算器15を経てドライバー16に供給される。ド
ライバー16は、igメータ17を開く方向に駆動し、
撮像素子12への入射光量が増加されて、逆光補正が行
なわれる。
このようにBLCスイッチ19をONにして従来の手法
による逆光補正を行なうことにより、画像は、第16図
(a)に示したBLC−OFF (逆光補正前)の状態
から、(b)に示したBLC−ON (逆光補正後)の
状態に変化する0図を見て分かる通り、BLC−OFF
では、背景は良く写っているが、主たる被写体は「黒つ
ぶれ」を起こして、うまく写っていない、これに対し、
BLC−ONでは、主たる被写体の階調が表現され良く
写っている。
[発明が解決しようとする課題」 しかしながら、上記の従来例の撮像装置においては、第
16図(b)を見れば分かる通り、逆光補正を行なうこ
とにより、撮像素子の受光量が多くなるため、主たる被
写体は良く写る様になるものの、背景は、「白飛び」を
起こしてうまく写すことができない。
つまり、従来の手法による逆光補正では、撮像素子のダ
イナミックレンジの制約から、上下どちらか一方のレベ
ルで、クリップしてしまい、主たる被写体と背景の双方
を良好に撮像することができないという問題点があった
従って、本発明の撮像装置は、上述の問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、主たる被
写体と背景の双方に良好な露光を実現でき、見かけ上、
広い階調表現の可能な階調制御機能を有する撮像装置を
提供することにある。
[課題を解決するための手段] 上述の課題を解決し目的を達成するために、本発明の階
調制御機能を有する撮像装置は、光信号を受けて光電変
換を行い情報の蓄積を行うセンシング手段と、該センシ
ング手段の蓄積可能電荷量を変化させる制御手段とを有
し、該制御手段により、1画面を構成するための単位光
蓄積期間中に前記蓄積可能電荷量を変化させる様にした
ものである。
[作用] 上記の構成において、本発明の階調制御機能を有する撮
像装置は、単位光蓄積期間中に、蓄積可能電荷量を少く
設定して低輝度の被写体に適した露光を行わせる動作と
、蓄積可能電荷量を多く設定して高輝度の被写体に適し
た露光を行わせる動作を、各々行わせ、それらを合成す
ることにより、1画面内の低輝度の被写体と高輝度の被
写体の双方に良好な露光を実現する様に働(。
[実施例] 以下、本発明の好適な一実施例について図面を参照して
、詳細に説明する。
第1図は、一実施例の構成を示したブロック図である0
図中、中心より下側半分は、第15図に示した従来例の
回路構成と同様である。第1図をもとに、本実施例の動
作の概念を説明する。
光学系10より入射した被写体よりの光線は、アイリス
11により光量を調節され、撮像素子1上に被写体像を
結像する。撮像素子1にて光電変換され出力された信号
は、信号処理回路13にて映像信号に変換処理され、映
像信号として外部へ出力される一方で、AE回路14及
び、画像分析回路2へ供給される。
画像分析回路2は、映像信号の輝度情報等の分析を行い
、例えば輝度ヒストグラム等をコントローラ3に供給す
る。被写体の条件に応じて、モード切り替えスイッチ5
を切り譬えることにより、NORMAL−MODE (
通常撮影モード)とBLC−ON−MODE (逆光補
正モード)のうち一方の撮影モードが選択される。コン
トローラ3は、モード切り替えスイッチ5からの撮影モ
ード選択信号と、画像分析回路2からの輝度ヒストグラ
ム等の情報を受けて、それらの情報に応じて撮像素子1
の駆動制御を行う。
一方、AE回路14からは、映像信号に応じてアイリス
制御信号が発生され、加算器15経由で、ドライバー1
6に加えられる。ドライバー16は、アイリス制御信号
を受けて、igメータ17を駆動する駆動信号を発生さ
せ、アイリスによる光量自動調節を行う。
逆光等の状態で使用される補正信号は、補正信号発生器
4にて生成される。BLCスイッチ19は、前述したモ
ード切り替えスイッチ5と連動しており、被写体が逆光
状態のとき、つまりモード切り替えスイッチ5により、
BLC−ON−MODE(逆光補正モード)が選択され
たとき、ON状態となる。BLCスイッチ19がONに
なると、従来の逆光補正の場合と同様に、補正信号発生
器4からの補正信号が加算器15に加えられ、アイリス
11が開く方向にAE回路14のaカをシフトさせる。
従って、本実施例は、逆光状態のときに従来の逆光補正
と同様のアイリス制御を行い、撮像素子1への入射光量
を増加させた状態(BLCスイッチ19がONの状態)
で、コントローラ3により、撮像素子1に所定の駆動制
御を加えて、第2図(b)に示したような、主たる被写
体と背景の双方に良好な露光状態を得ようとするもので
ある。
ちなみに、B L C’−OF Fの場合には、従来技
術で説明したBLC−OFFの場合と同様に、第2図(
a)に示す、「黒つぶれ」が発生している。
次に、コントローラ3により制御される撮像素子1につ
いて、以下説明する。
撮像素子としては、CCD、MOS、BASIS等、光
電変換の原理により、多くの方式がある。現在ビデオカ
メラ用としてもっとも一般的に用いられているCODを
例にとり説明を進める。
CCDの中でもFT型(フレームトランスファー型)、
IT型(インターライントランスファー型)、FIT型
(フレームインターライントランスファー型)等の電荷
読み出し方式の違いや、VOD型等の不要電荷処理の違
いによる半導体デバイス構造での分類がなされている。
ここで、VODとは縦形オーバーフロードレイン(Ve
rtical  Overflow  Drain)の
略称である。
まず、インターライントランスファ型(IT型)CCD
の基本構造について説明すると同時に、CCDの基本動
作のひとつである高速シャッター動作について説明する
第4図(a)はインターライントランスファ型(IT型
)CCDの概念図で、41は光電変換をするセンサ部(
センシング手段)、42は垂直転送レジスタ、44は水
平転送レジスタ、45は出力アンプである。図中のA−
A’線に沿った断面図及びポテンシャル図が第4図(b
)である。
第4図(b)中、46は画素分離用のチャネルストップ
(CS)、47はセンサ部41に蓄積された電荷を垂直
転送レジスタ42に移すためのリードアウトゲート(R
OG)、48はサブストレート、49は酸化膜である。
高速シャッター時の動作を第4図及び第5図を用いて説
明する。第5図は、標準テレビジョン信号の1フイ一ル
ド分(例えばNTSCでは約1/60秒)における図で
あり、φROGはリードアウトゲート47に印加される
パルスで、論理レベル“H”のときに、リードアウトゲ
ート47のポテンシャルが下がり、センサ部41の電荷
を垂直転送レジスタ42に移す、除去パルスφSUBは
、サブストレート48に印加されるパルスであり、“H
”のときにセンサ部41に蓄積された電荷を、φSUB
端子を通して外部に掃き出す(除去する)。
この例では第5図において、φROGが垂直帰線期間中
にあり、φSUBは、水平帰線期間中にある。時刻to
でセンサ部41の電荷を読み出した後、次の期間が始ま
るが、時刻t1での水平帰線期間中に、φ5UB=“H
”となるので、t。
からtlまでの電荷はセンサ部41には残っていない0
時刻tlからtlまでの間はψ5UB=”L”なので、
この期間の電荷はセンサ部41に蓄積され、時刻t2の
φROG=“H”パルスで、垂直転送レジスタ2に移さ
れる。結局、この場合の露光時間は(tl −tl )
となる。
このようにして、IT型CCDの高速シャッター動作が
実現される。
次に、フレームインターライントランスファ型(F I
 T型)CCDの動作について説明する。
第6図が、フレームインターライントランスファ型(F
IT型)CCDの概念図である。第4図(a)に示した
インターライントランスファ型(IT型)CCDとの相
違点は記憶部63があることである。記憶部63の記憶
セルの数は、センサ部(センシング手段)61のセルの
数と同じである。センサ部61からの電荷は垂直転送レ
ジスタ62に移された後、垂直帰線期間中に記憶部63
に転送され、その後、所定のタイミングで水平転送レジ
スタ64に移され、出力アンプ65を通して読み出され
て行(。
また、第6図のA−A’線に沿う断面図及びポテンシャ
ル図は、第4図(b)と同様であり、前述の電荷掃き出
しの機構及びセンサ部61から垂直転送レジスタ62へ
の電荷読出しの機構も同様である。
以上がFIT型CCDの動作である。
次に、第3図に示すVOD型CODイメージセンサ−の
動作について説明する。上部矢印で示す被写体光を酸化
層(Si Oオ)32及び暗電流低減のためのホール蓄
積層経由でセンサ一部33のフォトダイオード(PD)
で受は取る。センサー部以外へは不要光が入射しないよ
うアルミ層(Al)36にて遮光している。この遮光に
より、CCDとしての受光面積が有効活用されず、開口
率が低下する0本実施例では、開口率低下を補うための
集光レンズ31を、各画素ごとに設けである。
光電変換により発生した電荷は、垂直転送用V−CCD
 (垂直転送レジスタ)38に移され、二次元平面で、
順次転送され、読み圧しアンプより、電圧値として出力
される。
各画素ごとにチャネルストップ部39が設けられており
、各画素で発生された電荷が混入しないように分離され
る。センサ一部33の下方に2層34、N−5UB層3
5があり、この両層にかけるサブストレート・バイアス
電位Vsub30により、不要電荷の処理を行う。
第7図は、VOD型CCDの電荷排出動作をポテンシャ
ル電位で示した概念図である。rCHARGEJと示し
た線が光電荷の蓄積状態におけるポテンシャル電位図で
、rDI 5CHARGEJと示した線が不要電荷排出
状態におけるポテンシャル電位図である。rCHARG
EJ状態で電位図上部の凹部に電荷を蓄積する。rD 
I 5CHARGEJ状態で、ΔV subをサブスト
レート電圧V subに更に印加し、V sub+ΔV
 subとして、前述の凹部な消滅させ、蓄積された電
荷を下部へ排出する。
ちなみに、不要電荷排出時に、再結合時間の長い不要電
荷が下部より回り込んで垂直転送レジスタ38へノイズ
として混入するのを防ぐために2層をN型V−CCD下
層に配しである。
第8図は、前述の高速シャッター動作時のVsub電位
の変化をタイミングチャートに示したものである。まず
、標準テレビジョン信号の1フイ一ルド期間内において
、(C)に示すように、所定の時間間隔でV sub電
位をパルス的に変化させ、センサ部61に蓄積された不
要電荷の排出を所定の時間までくり返す。その後、1フ
イ一ルド期間(1画面)の後半において光電荷蓄積を時
間tだけ行い、(b)に示した読み出しパルスにて、「
HIGHJと示された蓄積電荷を画像情報として読み出
す。このようにして、時間tの蓄積を行う高速シャッタ
ー効果が得られる。また、通常蓄積時をrNoRMAL
J 、高速シャッター動作時をrHI GHJとして、
電荷の蓄積の様子の違いを(a)に示した。
以上説明したCCDの基本動作を元に、本実施例の特徴
的動作について以下に述べる。
VOD型CODにおいてサブストレート電圧Vsubを
変化させることで、ポテンシャル電位の凹部の形状を可
変できることをすでに述べたが、パルス的にΔV su
bを大幅に変化させるだけでなく、微小な電位変化を与
えることで、凹部の光電荷の蓄積可能量を制御すること
ができる。第10図に、V sub電位のレベルを複数
設定し、選択的に制御する様子を示す。LEVELIに
比べてLEVEL2ではポテンシャル電位の凹部を深く
設定し、LEVELlよりも多くの電荷を蓄積可能とし
ている。
概念的には、V sub電位を制御することで電荷のあ
ふれやすさを制御し、図の黒丸がLEVELlとLEV
EL2の差となり、あふれ出している様子がわかる。蓄
積可能量は、LEVEL 1では白丸で示す電荷で、L
EVEL2では白丸で示す電荷に加え黒丸で示す電荷の
合計となる。このように、V sub電位を制御するこ
とで、意図的に飽和電荷レベル(蓄積可能電荷量)を可
変とすることができる。
上述のV sub電位の制御を行い、1画面内の所定の
タイミングで、LEVEL 1の状態とLEVEL2の
状態を切り替えた例を第11図のタイミングチャートで
示す。
不要電荷排出後、LEVEL1状態にて、時間t1だけ
光電荷蓄積をMAX■の飽和電荷レベルまで行い、次に
LEVEL2状態にて、時間t2だけMAX■のレベル
引き上げ状態の飽和電荷レベルまで光電荷蓄積を行い、
読み出す、ここで、■は、V subの電位がLEVE
LIの状態のときの飽和電荷レベル(蓄積可能電荷量)
であり、■は、LEVEL2の状態のときの飽和電荷レ
ベルである。
上述の動作によれば、1画面内の初めのtlの時間内で
は、飽和電荷レベル■を上回る電荷は、あふれ出し、第
11図(a)の実線で示すフラット部分の特性のように
、高輝度部分で、クリップが発生する。例えば飽和電荷
レベル■を100%とすると、これ以上の輝度を持つ被
写体光は、すべてクリップされる0次に1画面内の後半
で制御を切り替え、V sub電位をLEVEL2状態
とし、飽和電荷レベルも■まで引き上げ、蓄積余裕をも
たせた状態でtlの時間だけ、光電荷の蓄積を継続して
行う。
ここで、例えばNTSC方式のテレビジョン信号として
、t1+tz =1/60秒とすると、t2=1150
0秒の場合、tl =1/60−11500師1/60
秒とみなせる。
これは、カメラの露光では、通常、176゜秒、1/1
25秒、1/250秒、17500秒という段階が、絞
り換算で各々1ステツプ(−絞り)に対応していること
から考えると、tlで適正露光の被写体に対して、3絞
り分だけ高輝度の被写体に対して適正な露光がtlによ
り与えられることを示している。
ここで仮に、逆光状態において主たる被写体と背景部の
間に、3絞り分の輝度差があるとする。
t1時間中では、従来例のBLC−ONの状態(逆光補
正状態)に相当する画面が撮像され、主たる被写体は適
正露光となり、背景部は、高輝度のためクリップしてし
まう、t2時間中の露光では、従来例のBLC−OFF
の状態(逆光補正されていない状態)に相当する画面が
撮像され、主たる被写体よりも3絞り分明るい背景部が
適正露光となり、主たる被写体はほとんど撮像されない
。このt1時間中に蓄積される電荷とt2時間中に蓄積
される電荷が、各画素の光電荷蓄積部にて加算され、結
果として、第2図(b)に示すような画面が得られる。
次に、第1図において説明したコントローラ3の構成例
を第9図に示す、前述したように、コントローラ3は、
画像分析回路2より、例えば輝度ヒストグラム情報など
を供給され、これに加えて、モード切り替えスイッチ5
により選択されたモード状態に応じて、撮像素子lの駆
動制御を行う。
モード切り替えスイッチ5の選択信号を受けて、制御モ
ード切り替え器301はコントローラ3の駆動モードを
NORMAL−MODE (通常撮影モード)とBLC
−ON−MODE (逆光補正モード)のうちの一方に
設定する。
NORMAL−MODE (通常撮影モード)の場合に
は、V sub電位(サブストレート電圧値)を撮像素
子1自身の性能で決まる飽和電荷レベルの最大値となる
よう、第10図のLEVEL2で示した状態に設定する
BLC−ON−MODE (逆光補正モード)の場合ニ
ハ、V subを第10図(7)LEVELIとLEV
EL2の間で、1画面撮影途中で切り替える。
ここで、切り替えのタイミング(tlとt2)の設定及
びLEVELIの飽和電荷レベルの設定は、前述の輝度
ヒストグラム等の画像分析結果に基づき、それぞれ、タ
イミング制御回路303と、レベル制御回路302にて
行われる。レベルとタイミングの設定により変化する総
合の光電変換特性は、第12図に示すごとく、非線形特
性となる。レベル設定により変化する様子を白矢印で、
タイミング設定により変化する様子を黒矢印でそれぞれ
示す。
次に、輝度ヒストグラムの例を示した第13図を用いて
、本実施例による逆光補正効果と画像分析の関連につい
て説明する。
ビデオカメラ等の自動露光調節機構は、通常、映像信号
1画面分の輝度信号の積分値を、所定の値に近づけるよ
うにアイリス等を制御している。
そのため、第13図(a)に示す輝度ヒストグラムの曲
線イと口のように1画面内での明るさの分布が違ってい
ても、1画面分の輝度信号の積分値が同じになる場合に
は、アイリス11は同じ様に制御される1曲線イは、逆
光撮影時に発生しやすい輝度発生頻度分布パターンで、
曲線口は、順光撮影時に発生しやすい輝度発生頻度分布
パターンである。
逆光補正のためにモード切替スイッチ5により、BLC
−ON−MODE (逆光補正モード)が選択されると
、BLCスイッチ19がONになり、曲線イから、(b
)に示すような曲線へへと変化する。「黒つぶれ」して
いた撮像信号の底上げをして全体に適正露光の目安であ
る前述の所定の値(−点鎖線で示す)に近づけたため、
明部の撮像信号は高輝度クリップを起こし、発生頻度と
しては、明部へ偏ったパターンになっている。
次に、曲線への白飛び部分を第12図の非線形処理によ
り、適正露光状態へ変換する。その結果、(b)の斜線
部は不感帯のごと(、(a)の曲線口における明部の斜
線部へと変換され、結果として、順光状態に近い画像が
得られることとなる。
したがって、上述のような画像分析の特徴を利用し、タ
イミング制御回路303及びレベル制御回路302内で
、所定の演算処理を適宜行えば、前述+7)LEVEL
IとLEVEL2(7)切替ノタイミング、及びLEV
ELIの飽和電荷レベルの設定が可能となる。
逆光補正後、輝度レベルの不連続あるいはレベル反転が
一部で発生する可能性もあるが、逆光時には、極めて発
生確率が低いので問題にならない。
以上説明した様に、一画面中の前部に比べ後部でセンサ
部の飽和電荷レベルを高くして、光電荷があふれにくく
することにより、tiでオーバーフローした後に、従来
クリップして再現できなかった高輝度部分の画像が再現
できるようになる。
つまり、現在主流になりつつあるVOD型CCDに簡単
な制御処理回路を付加することで、ビデオカメラ撮影時
の大きな問題点とされている逆光補正を効果的に行うこ
とが可能となる。
特に、従来の補正時に白(飛んでしまい再現のできなか
った背景部分までも主たる被写体と同時に撮像可能とな
るもので、この効果は絶大なものである。
また、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で上記実施
例を修正もしくは変形したものに適用可能である。
例えば、本実施例においては、第11図に示したように
、V subの電位をLEVEL 1とLEVEL2の
2段階に分けて切り替える方法について説明したが、第
14図(a)に示したように、Vsubの電位及び切り
替え時間を細かい段階に分けて、1画面内で階段状に切
り替えるようにしても良い。さらには、V subの電
位及び切り替え時間を連続可変として、第14図(b)
に示したようなスィーブ状にしても良い。
[発明の効果] 以上述べた様に、本発明の階調制御機能を有する撮像装
置においては、単位光蓄積期間中に、蓄積可能電荷量を
少く設定して低輝度の被写体に適した露光を行わせる動
作と、蓄積可能電荷量を多く設定して高輝度の被写体に
適した露光を行わせる動作を、各々行わせ、それらを合
成することにより、1画面内の低輝度の被写体と高輝度
の被写体の双方に良好な露光を実現することができると
いう効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の構成を示したブロック図、 第2図(a)、(b)は逆光状態での撮像例を示した図
、 第3図はVOD型CODの構成例を示した図、第4図は
インターライントランスファ型CODの概念図、 第5図は高速シャッター動作を示した図、第6図はフレ
ームインターライントランスファ型CODの概念図、 第7図はVOD型CODの縦抜きリセット動作概念図、 第8図はVOD型CODの縦抜きリセット動作のタイミ
ングチャート、 第9図はコントローラの詳細構成図、 第10図はポテンシャル・レベル制御の概念図、 第11図はポテンシャル・レベル制御のタイミングチャ
ートを示した図、 第12図は光電変換の非線形特性図、 第13図(a)、(b)は輝度ヒストグラムの例を示し
た図、 第14図は他の実施例のポテンシャル・レベル制御のタ
イミングチャートを示した図、第15図は従来の逆光補
正回路の構成図、第16図は従来の逆光補正の効果を示
した概念図である。 図中、5・・・モード切り替えスイッチ、10・・・光
学系、11・・・アイリス、15・・・加算器、17・
・・1gメータ、19・・・BLCスイッチである。 巳昼因 第1図 BLC−OFF 第 2 図(Q) ントy方1ヨイ万“11ニーごろ雛コ〔ニイ夛゛)第 
2 図(b) 第 4 図(Q) 第8図 コ 第9図 @ 10図 $ 11図 鴎−→明 $13図 第14図 (0) 第14図 (b) 第15図 BLC−0FF 第16図(0) BLC−ON 第16v!J(b)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光信号を受けて光電変換を行い情報の蓄積を行う
    センシング手段と、該センシング手段の蓄積可能電荷量
    を変化させる制御手段とを有し、該制御手段により、1
    画面を構成するための単位光蓄積期間中に前記蓄積可能
    電荷量を変化させることを特徴とする階調制御機能を有
    する撮像装置。
  2. (2)前記蓄積可能電荷量を、前記単位光蓄積期間中の
    前部で少く、後部で多くなる様に変化させることを特徴
    とする請求項第1項に記載の階調制御機能を有する撮像
    装置。
JP2293668A 1990-11-01 1990-11-01 階調制御機能を有する撮像装置 Pending JPH04168886A (ja)

Priority Applications (5)

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JP2293668A JPH04168886A (ja) 1990-11-01 1990-11-01 階調制御機能を有する撮像装置
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH0965217A (ja) * 1995-08-22 1997-03-07 Nec Corp 固体撮像装置およびその駆動方法
US6486460B1 (en) 1998-09-11 2002-11-26 Nec Corporation Solid-state image sensing device and method of driving the same

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