JPH02151605A - ヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α―メチルスチレン)化合物およびその製造方法 - Google Patents
ヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α―メチルスチレン)化合物およびその製造方法Info
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- JPH02151605A JPH02151605A JP63305980A JP30598088A JPH02151605A JP H02151605 A JPH02151605 A JP H02151605A JP 63305980 A JP63305980 A JP 63305980A JP 30598088 A JP30598088 A JP 30598088A JP H02151605 A JPH02151605 A JP H02151605A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
- G03G5/071—Polymeric photoconductive materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds
- G03G5/0745—Polymeric photoconductive materials obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds comprising pending hydrazone
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、新規なヒドラゾン基を有するポリスチレン化
合物およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、電荷
発生材料および電荷移動材料を用いた電子写真感光体に
おいて、電荷移動材料として優れた機能を有するヒドラ
ゾン基を有するポリスチレン化合物およびその製造方法
に関するものである。
合物およびその製造方法に関し、さらに詳しくは、電荷
発生材料および電荷移動材料を用いた電子写真感光体に
おいて、電荷移動材料として優れた機能を有するヒドラ
ゾン基を有するポリスチレン化合物およびその製造方法
に関するものである。
[従来の技術およびその課題]
従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電
材料として、セレン(Sea、硫化カドミウム(CdS
)、1化亜鉛(ZnO)、アモルファスシリコン<a−
8i )等の無機物質がある。
材料として、セレン(Sea、硫化カドミウム(CdS
)、1化亜鉛(ZnO)、アモルファスシリコン<a−
8i )等の無機物質がある。
これらの無機系感光体は多くの長所を持っているが、そ
れと同時に種々の欠点、例えば有害であることや、コス
ト高であること等の欠点を持っている。このため、近年
になって、これらの欠点のない有機物質を用いた有機感
光体が数多く提案され、実用化に供されている。
れと同時に種々の欠点、例えば有害であることや、コス
ト高であること等の欠点を持っている。このため、近年
になって、これらの欠点のない有機物質を用いた有機感
光体が数多く提案され、実用化に供されている。
また、これらの感光体の構造としては、電荷担体を発生
する材料(以下、電荷発生材料と呼称する)と、発生し
た電荷担体を受は入れ、これを移動させる材料(以下、
電荷移動材料と呼称する)とを別々の層にした機能分離
型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷移動
とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の巾が大き
く、かつ高感度になることから、多く採用されている。
する材料(以下、電荷発生材料と呼称する)と、発生し
た電荷担体を受は入れ、これを移動させる材料(以下、
電荷移動材料と呼称する)とを別々の層にした機能分離
型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷移動
とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層構造
が挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の巾が大き
く、かつ高感度になることから、多く採用されている。
近年、ノンインパクトプリンティング技術の発展に伴っ
て、レーザ光源を使用した電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。これらの装置においては、装
置サイズの小型化と、高速化に伴って、感光材料につい
ても、電荷発生材料の高感度化および電荷移動材料の高
移動度化が望まれている。
て、レーザ光源を使用した電子写真式プリンタの開発研
究が盛んに行われている。これらの装置においては、装
置サイズの小型化と、高速化に伴って、感光材料につい
ても、電荷発生材料の高感度化および電荷移動材料の高
移動度化が望まれている。
電荷移動材料の場合、その移動度は、バインダ(例えば
ポリカーボネート)中における移動材料(例えばトリフ
ェニルアミン類化合物)の濃度に大きく依存することが
知られている(高橋、岬林、横内、電子写真、 25.
16 (1986))。移動材料の濃度を高くすると移
動度は高くなるが、機械物性が悪くなり、例えばヒビ割
れを起したりする。さらにプリント時の紙の通過の際、
機械的摩耗が激しくなる。そのため、電荷移動材料をバ
インダ中に高濃度で加えることは困難である。
ポリカーボネート)中における移動材料(例えばトリフ
ェニルアミン類化合物)の濃度に大きく依存することが
知られている(高橋、岬林、横内、電子写真、 25.
16 (1986))。移動材料の濃度を高くすると移
動度は高くなるが、機械物性が悪くなり、例えばヒビ割
れを起したりする。さらにプリント時の紙の通過の際、
機械的摩耗が激しくなる。そのため、電荷移動材料をバ
インダ中に高濃度で加えることは困難である。
本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、高濃度で使用しても、ヒビ割れなどを起こさず
、機械的に優れた物性を有し、しかも高い移動度を有す
る電荷移動材料として有用な新規な化合物およびその製
造方法を提供することを目的とする。
もので、高濃度で使用しても、ヒビ割れなどを起こさず
、機械的に優れた物性を有し、しかも高い移動度を有す
る電荷移動材料として有用な新規な化合物およびその製
造方法を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明者らは、このような従来の状況に鑑みて研究を続
けた結果、ポリマーの側鎖に電荷移動剤を導入すること
により、電荷移動剤が高濃度になり、高移動度を示すこ
とを見出した。
けた結果、ポリマーの側鎖に電荷移動剤を導入すること
により、電荷移動剤が高濃度になり、高移動度を示すこ
とを見出した。
すなわち本発明は、−数式[■]:
・・・[I]
(式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位よりなることを特徴とする重合度1
0〜s、oooのヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α
−メチルスチレン)化合物である。
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位よりなることを特徴とする重合度1
0〜s、oooのヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α
−メチルスチレン)化合物である。
また、その製造方法は、式[■]:
で示される構造単位よりなるポリ(4−ホルミル−α−
メチルスチレン)と、 (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラジン化合物とを反応させることよりな
るか、あるいは−数式[IV]:・・・[IV] (式中、Rは前記と同一意味) で示されるヒドラゾン基含有α−メチルスチレン化合物
を重合させることよりなることを特徴とする。
メチルスチレン)と、 (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラジン化合物とを反応させることよりな
るか、あるいは−数式[IV]:・・・[IV] (式中、Rは前記と同一意味) で示されるヒドラゾン基含有α−メチルスチレン化合物
を重合させることよりなることを特徴とする。
本発明によるヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α−メ
チルスチレン)化合物は、例えば次のようにして製造す
ることができる。
チルスチレン)化合物は、例えば次のようにして製造す
ることができる。
即ち、その第1の方法は、まず4−クロロ−α−メチル
スチレンのグリニヤール試薬を製造した後、ジメチルホ
ルムアミド(DMF>を加えて4−ホルミル−α−メチ
ルスチレンを製造する( W、 J、 Dale 、
L、 5tarr and C,W。
スチレンのグリニヤール試薬を製造した後、ジメチルホ
ルムアミド(DMF>を加えて4−ホルミル−α−メチ
ルスチレンを製造する( W、 J、 Dale 、
L、 5tarr and C,W。
5trobel、 J、 Org、 Chem、、
26.1965.2225)。
26.1965.2225)。
次いで、4−ホルミル−α−メチルスチレンのアルデヒ
ド基をアセタールとして保護した後、適当な重合開始剤
の存在下で重合させ、次いで酸性溶液中で加水分解して
アセタール基をはずすことにより、前記−数式[■]で
示される構造単位よりなるポリ(4−ホルミル−α−メ
チルスチレン)を製造する。次いでこの重合体と、前記
−数式[111]で示されるヒドラジン化合物とを反応
させることにより、本発明のポリ(α−メチルスチレン
)化合物を得ることができる。
ド基をアセタールとして保護した後、適当な重合開始剤
の存在下で重合させ、次いで酸性溶液中で加水分解して
アセタール基をはずすことにより、前記−数式[■]で
示される構造単位よりなるポリ(4−ホルミル−α−メ
チルスチレン)を製造する。次いでこの重合体と、前記
−数式[111]で示されるヒドラジン化合物とを反応
させることにより、本発明のポリ(α−メチルスチレン
)化合物を得ることができる。
また、その第2の方法は、上記と同様にして4−ホルミ
ル−α−メチルスチレンを製造した後、4−ホルミル−
α−メチルスチレンに、所望の1.1−ジアリールヒド
ラジン化合物を加え、酸性触媒の存在下で縮合させて、
前記−数式[1v]で示されるヒドラゾン基含有α−メ
チルスチレン化合物を製造する。この単量体を低温ラジ
カル重合開始剤、例えば過酸化ベンゾイルとジメチルア
ニリンとの混合物を用いて重合させることによっても本
発明のポリ(α−メチルスチレン)化合物を得ることが
できる。
ル−α−メチルスチレンを製造した後、4−ホルミル−
α−メチルスチレンに、所望の1.1−ジアリールヒド
ラジン化合物を加え、酸性触媒の存在下で縮合させて、
前記−数式[1v]で示されるヒドラゾン基含有α−メ
チルスチレン化合物を製造する。この単量体を低温ラジ
カル重合開始剤、例えば過酸化ベンゾイルとジメチルア
ニリンとの混合物を用いて重合させることによっても本
発明のポリ(α−メチルスチレン)化合物を得ることが
できる。
本発明の重合体は、ベンゼン、クロロホルム、塩化メチ
レンなどの溶剤に可溶で、メタノール、エタノールには
不溶である。また、塩化メチレンに溶解させた溶液をキ
ャストすることによって、硬いフィルムを製造すること
ができ、しかも何らとビ割れ等が認められないものであ
り、電子写真感光体の電荷移動剤として極めて有用なも
のである。
レンなどの溶剤に可溶で、メタノール、エタノールには
不溶である。また、塩化メチレンに溶解させた溶液をキ
ャストすることによって、硬いフィルムを製造すること
ができ、しかも何らとビ割れ等が認められないものであ
り、電子写真感光体の電荷移動剤として極めて有用なも
のである。
[実施例]
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
実施例1
本実施例では、次の一連の反応式で示される方法によっ
て、式(3)で示されるポリ(α−メチルスチレン)化
合物を製造した。
て、式(3)で示されるポリ(α−メチルスチレン)化
合物を製造した。
とJ IIMi
低温ラジカル
CH3
(式中、nは10〜5,000の整数を表す)監a奥エ
ユエ五五L 12フラスコ中に、金属マグネシウム14.7 g、エ
チルエーテル20 mおよび少量の臭化エチルを加え、
加熱してマグネシウムを活性化させた。ざらに、4−ク
ロロ−α−メチルスチレン82.3 g/テトラヒドロ
フラン(THF>600mの溶液を4時間を要して加え
た。反応中、発熱を起して高温になるので、水浴で冷却
して反応溶液を50℃以下に保持した。滴下終了後、さ
らに2時間室温で反応を続けた。ざらに、ジメチルホル
ムアミド(DMF)43.8 gを1時間を要して滴下
し、ざらに室温で一昼夜放置した。エチルエーテル50
0dを加え、反応溶液を希塩酸中に投入した。抽出を行
い、エーテル層を純水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾
燥した。エーテルを留出後、蒸溜して化合物(1)を得
た(沸点70℃/ 0.8mmHg)。
ユエ五五L 12フラスコ中に、金属マグネシウム14.7 g、エ
チルエーテル20 mおよび少量の臭化エチルを加え、
加熱してマグネシウムを活性化させた。ざらに、4−ク
ロロ−α−メチルスチレン82.3 g/テトラヒドロ
フラン(THF>600mの溶液を4時間を要して加え
た。反応中、発熱を起して高温になるので、水浴で冷却
して反応溶液を50℃以下に保持した。滴下終了後、さ
らに2時間室温で反応を続けた。ざらに、ジメチルホル
ムアミド(DMF)43.8 gを1時間を要して滴下
し、ざらに室温で一昼夜放置した。エチルエーテル50
0dを加え、反応溶液を希塩酸中に投入した。抽出を行
い、エーテル層を純水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾
燥した。エーテルを留出後、蒸溜して化合物(1)を得
た(沸点70℃/ 0.8mmHg)。
48g(65%)の収量であった。
監艷血工λLの1走
上記方法にて製造した化合物(1)67.29.1.1
−ジフェニルヒドラジン92,5 (j、THF300
mおよび少量の濃塩酸を500mのフラスコに仕込んだ
。室温で4時間反応させた後、減圧下でTHFを除去し
た。メタノールで再結晶を行って″、融点82℃の淡黄
色の固体として化合物(2)を106g得た。
−ジフェニルヒドラジン92,5 (j、THF300
mおよび少量の濃塩酸を500mのフラスコに仕込んだ
。室温で4時間反応させた後、減圧下でTHFを除去し
た。メタノールで再結晶を行って″、融点82℃の淡黄
色の固体として化合物(2)を106g得た。
上皇貴ユ旦工五l童
50 dフラスコ中に化合物(2>15g、ベンゼン1
5rIdlを仕込み、ざらに過酸化ベンゾイル0.7g
t−jよびジメチルアニリン1.09を仕込んだ。
5rIdlを仕込み、ざらに過酸化ベンゾイル0.7g
t−jよびジメチルアニリン1.09を仕込んだ。
室温で24時間反応後、重合溶液を多量のメタノール中
に投入した。収量4.2g、@量平均分子量36.00
0 、数平均分子量19,000 (7)化合物(3)
を得た。
に投入した。収量4.2g、@量平均分子量36.00
0 、数平均分子量19,000 (7)化合物(3)
を得た。
実施例2
本実施例では、次の一連の反応式で示される方法によっ
て式(7)で示されるポリ(α−メチルスチレン)化合
物を製造した。
て式(7)で示されるポリ(α−メチルスチレン)化合
物を製造した。
CH3
(式中、nは10〜5,000の整数を表す)を念嵐工
土と久1是 実施例1で合成した化合物(1)4.2g、エチレング
リコール2.5g、ベンゼン40 d、さらに触媒とし
てp−トルエンスルホン酸0,04 g、重合禁止剤と
してp −tert−力テコール0.059を仕込み、
1.5時間還流した。反応の際、生成する水はディージ
・スタルクトラップを用いて除去した。反応終了後、反
応溶液を炭酸ナトリウム水溶液、続いて水で抽出を行い
、ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶液
を濾過した後、ベンゼンを沼出し、残留物を減圧蒸溜し
て化合物(4)を製造した。
土と久1是 実施例1で合成した化合物(1)4.2g、エチレング
リコール2.5g、ベンゼン40 d、さらに触媒とし
てp−トルエンスルホン酸0,04 g、重合禁止剤と
してp −tert−力テコール0.059を仕込み、
1.5時間還流した。反応の際、生成する水はディージ
・スタルクトラップを用いて除去した。反応終了後、反
応溶液を炭酸ナトリウム水溶液、続いて水で抽出を行い
、ベンゼン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶液
を濾過した後、ベンゼンを沼出し、残留物を減圧蒸溜し
て化合物(4)を製造した。
bl)92°G/ 0.7mmHg、収量11.5gで
あった。
あった。
匿九血ユ旦1五1L
上記方法で製造した化合物(4) 2.0g、ベンゼ
ン10rIdlおよび重合開始剤として過酸化ベンゾイ
ル0.1gを重合管に仕込んだ。この重合管に高圧水銀
ランプ(500W)を10cm離した所から室温で10
時間照射した。重合終了後、多量のメタノール中に投入
して化合物(5)を単離した。
ン10rIdlおよび重合開始剤として過酸化ベンゾイ
ル0.1gを重合管に仕込んだ。この重合管に高圧水銀
ランプ(500W)を10cm離した所から室温で10
時間照射した。重合終了後、多量のメタノール中に投入
して化合物(5)を単離した。
得られた化合物(5)は、収量1.2g、重量平均分子
量86,000 、数平均分子母41,000の白色粉
末であった。
量86,000 、数平均分子母41,000の白色粉
末であった。
化合物(6)の製造
上記方法で製造した化合物(5)3.5gおよびTHF
75.gを100dフラスコに仕込み、ざらに2N−H
CRを1.5d加え、室温で3時間随伴した。THEを
留出後、塩化メチレン150dを加えて、その溶液を炭
酸ナトリウム、水の順で抽出した。塩化メチレン層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過し、濾液を濃縮して
多量のメタノール中に投入した。析出物を濾過し、乾燥
した。
75.gを100dフラスコに仕込み、ざらに2N−H
CRを1.5d加え、室温で3時間随伴した。THEを
留出後、塩化メチレン150dを加えて、その溶液を炭
酸ナトリウム、水の順で抽出した。塩化メチレン層を無
水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過し、濾液を濃縮して
多量のメタノール中に投入した。析出物を濾過し、乾燥
した。
得られた化合物(6)は、収量1.2gの白色粉末であ
った。
った。
主]曳エフ)Ω1り
上記方法で製造した化合物(6)3.0g、ジフェニル
ヒドラジン9、Og、THF60mおよび1N−HCf
fi3滴を100rr11フラスコに仕込み、室温で5
時間反応させた。反応終了後、多量のメタノール中に投
入し、析出物を濾過後、乾燥した。
ヒドラジン9、Og、THF60mおよび1N−HCf
fi3滴を100rr11フラスコに仕込み、室温で5
時間反応させた。反応終了後、多量のメタノール中に投
入し、析出物を濾過後、乾燥した。
得られた化合物(7)は、収量3.6gの淡黄色固体で
あった。
あった。
応用例1
へ!基板上にナイロンよりなる下地層が形成され、該下
地層上に電荷発生層として金属フタロシアニンを含むブ
チラールフィルム(0,1期厚)が塗布されているAI
t基板上に、化合物(7)/塩化メチレン(1:1重間
比)溶液を塗布し、80℃、30分間焼き付けて15塵
厚の電荷移動層を形成せしめた。
地層上に電荷発生層として金属フタロシアニンを含むブ
チラールフィルム(0,1期厚)が塗布されているAI
t基板上に、化合物(7)/塩化メチレン(1:1重間
比)溶液を塗布し、80℃、30分間焼き付けて15塵
厚の電荷移動層を形成せしめた。
静電複写試験装置を用いて一5kVのコロナ放電で表面
電位−1054Vにせしめた後、照度5ルツクスになる
ようにして光照射し、その表面電位が1/2になるまで
の時間(秒)を求め、半減露光量El/2(ルックス・
秒)を得た。その結果はV =1023ボルト、E1
/2 = 0.32ルツクス・秒O と非常に高い移動度を示した。また機械的物性も非常に
良好であった。
電位−1054Vにせしめた後、照度5ルツクスになる
ようにして光照射し、その表面電位が1/2になるまで
の時間(秒)を求め、半減露光量El/2(ルックス・
秒)を得た。その結果はV =1023ボルト、E1
/2 = 0.32ルツクス・秒O と非常に高い移動度を示した。また機械的物性も非常に
良好であった。
第1図は本応用例にて製造した感光体の概略断面図で、
図中、1はへ2基板、2は電荷発生層、3は電荷移動層
、4は下地層である。
図中、1はへ2基板、2は電荷発生層、3は電荷移動層
、4は下地層である。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明による新規なポリ(α−メ
チルスチレン)化合物は、電子写真感光体における電荷
移動材料として用いた場合、機械的に優れた物性を有し
、かつ高い移動度を有しており、優れた機能を有する材
料としてその有用性が期待される。
チルスチレン)化合物は、電子写真感光体における電荷
移動材料として用いた場合、機械的に優れた物性を有し
、かつ高い移動度を有しており、優れた機能を有する材
料としてその有用性が期待される。
第1図は本発明の一実施例で得られる化合物を用いた電
子写真感光体の概略断面図である。 1・・・Aβ基板 2・・・電荷発生層 3・・・電荷移動層 4・・・下地層
子写真感光体の概略断面図である。 1・・・Aβ基板 2・・・電荷発生層 3・・・電荷移動層 4・・・下地層
Claims (3)
- (1)一般式: ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示される構造単位よりなることを特徴とする重合度1
0〜5,000のヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α
−メチルスチレン)化合物。 - (2)式; ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される構造単位よりなるポリ(4−ホルミル−α−
メチルスチレン)と、 一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラジン化合物とを反応させることを特徴
とする一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前記と同一意味) で示される構造単位よりなる重合度10〜 5,000のヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α−メ
チルスチレン)化合物の製造方法。 - (3)一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは水素原子、炭素原子数が1〜4の低級アル
キル基、アルコキシル基またはジアルキルアミノ基を表
す) で示されるヒドラゾン基含有α−メチルス チレン化合物を重合させることを特徴とする一般式; ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、Rは前記と同一意味) で示される構造単位よりなる重合度10〜 5,000のヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α−メ
チルスチレン)化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305980A JPH02151605A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α―メチルスチレン)化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63305980A JPH02151605A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α―メチルスチレン)化合物およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02151605A true JPH02151605A (ja) | 1990-06-11 |
Family
ID=17951619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63305980A Pending JPH02151605A (ja) | 1988-12-05 | 1988-12-05 | ヒドラゾン基を側鎖に有するポリ(α―メチルスチレン)化合物およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02151605A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1584987A2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(hydrazone)-based charge transport materials |
-
1988
- 1988-12-05 JP JP63305980A patent/JPH02151605A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1584987A2 (en) * | 2004-03-31 | 2005-10-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(hydrazone)-based charge transport materials |
EP1584987A3 (en) * | 2004-03-31 | 2005-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(hydrazone)-based charge transport materials |
US7291433B2 (en) | 2004-03-31 | 2007-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Poly(hydrazone)-based charge transport materials |
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