JPH02146788A - ストライプ型半導体レーザの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 結晶基板上に互いに異なる導電型のエピタキシャル結晶
層を同時に成長させるエピタキシャル結晶層形成方法に
に関し、 ［産業上の利用分野］ 本発明は結晶基板上に互いに異なる導電型のエピタキシ
ャル結晶層を同時に成長させるエピタキシャル結晶層形
成方法に係り、特にストライプ形状の活性領域に電流が
流れるように閉込めたストライプ型半導体レーザの製造
方法に関する。

「従来の技術」 近年、半導体レーザは、高速光通信用の光源やコンパク
トディスクやレーザディスクの記録再生用の光源として
重要視されると共に需要が拡大している。現在使用され
ている半導体レーザはストライプ形状の活性領域に電流
及び光を閉込めたストライプ型が主流である。

ストライプ型半導体レーザでは活性層に光及び電流を閉
込めるための光閉込め層や電流閉込め層を周囲に形成し
なければならないが、従来はｐ型とｎ型のような導電型
の異なる結晶層を同時に成長させることができないため
、複雑な工程によりストライプ型半導体レーザを製造し
ていた。すなわち、基板上に半導体レーザ＃Ｉ造を形成
した後、結晶成長装置から取出して、メサ加工を行って
絶縁膜を堆積し、更にその後イオン注入、不純物拡散、
結晶再成長等のプロセスを行ってストライプ型半導体レ
ーザを製造していた。特に、製造途中で半導体レーザを
結晶成長装置から取出ずことが歩留まり劣化を招いてい
た。

［発明が解決しようとする課題］ このように従来は導電型の異なる結晶層を同時に成長さ
せることができないため、ストライプ型半導体レーザを
製造するのに、極めて複雑な工程を必要とし、歩留まり
の改善が困難であると共に、低コスト化の障害になって
いた。

本発明の目的は、互いに導電型の異なるエピタキシャル
結晶層を同時に成長させることが可能なエピタキシャル
結晶層形成方法を提供することにある。

また、本発明の他の目的は、製造途中で取出すことなく
一貫して結晶成長装置内で製造することができるストラ
イプ型半導体レーザの製造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的は、第１の領域に第１の結晶面方位が、第２の
領域に第２の結晶面方位が面出しされた結晶基板上に、
形成するエピタキシャル結晶層を構成する原子を含んだ
有機金属分子の基板表面での分解反応が成長を支配する
エピタキシャル結晶成長方法によりエピタキシャル結晶
層を成長させる際に、所定の構成原子の圧力を所定値に
することにより、前記第１の領域及び前記第２の領域上
に互いに異なる導電型のエピタキシャル結晶層を同時に
成長させることを特徴とするエピタキシャル結晶層形成
方法によって達成される。

上記的の目的は、活性層が形成される予定のストライプ
領域を（３１，］、　）　Ａ面に面出ししたく１００）
面のＧ　ａ　Ａ　ｓ基板上に、少なくともＧａ、Ａｓ並
びにｎ型ドーパントを供給するガスソース分子線エピタ
キシー法により、Ａｓ圧を第１の所定値として、前記ス
トライプ領域の（３１１）Ａ面上にｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ
層を、（１００）面上にｎをＧａＡｓ層を同時に成長さ
せてバッファ層を形成する工程と、Ａｓ圧を前記第１の
所定値として、更にＡｌｌを供給するガスソースエピタ
キシャル法により、前記バッファ層上の前記ｐ型Ｇ　ａ
　Ａ　ｓ層上にＰ型ＡｆＩ　Ｇａ　　　　Ａｓ層を、前
記ｎ型Ｇｘ　　　　　１−ｘ ａＡｓ層上にｎ型ＡｆＪｘＧａ１−ＸＡＳ層を同時に成
長させて第１のクラッド層を形成する工程と、前記ガス
ソースエピタキシャル法により、前記第１のクラッド層
上にＡｆＪ　Ｇａ　　　　Ａｓを堆積ｘ　　　　　１−
ｘ することにより、前記ｐ型ＡＪ　ＸＧａ□−ＸＡＳ層上
にｐ型活性層を、前記ｎ型ＡＪ！　ＸＧａ□−８Ａｓ層
上にＰ型光閉込め層を形成する工程と、Ａｓ圧を第２の
所定値として、前記ガスソースエピタキシャル法により
、前記ｐ型活性層及び前記ｐ型光閉込め層上にｎ型Ａ、
１ｌＸＧａ１−ＸＡＳ層を成長させて第２のクラッド層
を形成する工程とを有することを特徴とするストライプ
型半導体レーザの製造方法によって達成される。

１作用」 本発明によれは、結晶基板に互いに異なる結晶面方位を
面出しして、構成原子の圧力比を所定値にしてエピタキ
シャル結晶成長させると、互いに異なる導電型のエピタ
キシャル結晶層を同時に成長させることかできる。この
ため、活性層に電流を閉込めるストライプ型半導体レー
ザを、製造途中で結晶成長装置内から取出ずことなく製
造することができる。

［実施例］ 本発明の一実施例によるエピタキシャル結晶層形成方法
について第１図乃至第３図を用いて説明する。

第１図は本発明において用いられるガスソース分子線エ
ピタキシー装置を示す。結晶成長が行われるチャンバ１
０には排気管１２が設けられ、この排気管１２から拡散
ポンプ（図示せず）によりチャンバ１０が高真空にされ
る。チャンバ１０内にはモリブデンで作られたホルダ１
４が設けられ、このホルダ１４に結晶を成長させるＧａ
Ａｓ基板１６が保持される。ホルダ１４にはヒータ１８
が埋込まれ、このヒータ１８に流ず電流を制御すること
により、ＧａＡｓ基板１６の温度を制御することができ
る。また、チャンバ１０上部にはＲＨＥＥＤ銃２０が下
部にはＲＨＥＥＤスクリーン２２が設けられている。

結晶成長させるソースとして各材料を供給するために、
本実施例ではチャンバ１０に４つのセル２４．２５．２
６．２７が設けられている。１番上のセル２４にはｐ型
ドーパントとしての固体のＢｅが格納されている。２番
目のセル２５には、Ａ、ＩｌのソースであるＴＥＡ（）
リエチルアルニウム）とＧａのソースであるＴＥＧ（ト
リエチルガリウム）を供給するためのガス導入管２５ａ
、２５ｂか設けられている。’Ｉ”　Ｅ　Ａ及びＴＥＧ
！７）導入量は、カス導入管２５ａ、２５ｂに設けられ
たバルブ２５ｃ、２５ｄにより調節できる。３番目のセ
ル２６には固体のＡｓが格納されている。４番目のセル
にはｎ型及びｐ型ドーパントとしての固体のＳｉか格納
されている。セル２４．２５．２６．２７にはそれぞれ
シャッタ２８．２９．３０．３１が設けられ、各材料の
供給を制御できる。

なお、チャンバ１０内面の排気管１２、ＲＨＥＥＤ銃２
０、ＲＨＥＥＤスクリーン２２、セル２４．２５．２６
．２７以外の部分は液体窒素シュラウド３２により覆わ
れている。

本願発明者は第１図に示すガスソース分子線エピタキシ
ー装置を用いてＧａＡｓ基板にＧａＡｓやＡ、Ｑ　　Ｇ
ａ　　　　Ａｓをエピタキシャル成長さｘ　　　１−ｘ せる実験を行った結果、第２図及び第３図に示すような
興味のある実験結果を得た。この実験結果について説明
する。

まず、第２図について説明する。第２図の実験は種々の
面のＧａＡｓ基板上にＳｉをドーパントとじて加えて種
々のＡｓ圧でＧａＡｓを堆積させ、導電型と不純物濃度
を測定したものである。

第２図の実験では（１００）面、（１１０）面、（１１
１）Ａ面、（１１１）Ｂ面、（３１１）Ａ面、（３１１
）Ｂ面のＧ　ａ　Ａ　ｓ基板を用いる。

結晶成長させるためのＧ　ａ　Ａ　ｓ基板１６を第１図
のガスソース分子線エピタキシー装置のホルダ１４に保
持する。シャッタ２９．３０．３１を開くと共にバルブ
２５ａを開きセル２６．２７を加熱する。その結果チャ
ンバ１０内のＧａＡｓ基板１６にＧ　ａ　Ａ　ｓが結晶
成長する。なお、このときの基板温度は約５８０℃であ
り、ＴＥＧのガス導入流量は一定である。

結晶成長したＧａＡｓの導電型及び不純物密度と結晶成
長時のＡｓ圧との関係を示したのが第２図のグラフであ
る。

第２図において興味深いのは導電型がＡｓ圧により変化
する点にある。いずれの面においてもＡｓ圧が高い方か
ｎ型になりやすいが、面方位によりｐ型か′らｎ型に変
わるＡｓ圧が異なる。理解を容易にするなめ、第２図（
ｂ）に各面におけるＡｓ圧に対する導電型の変化を表わ
す。これがらゎがるように、＜１００）面、（１１０）
面、（１１１）Ａ面ではＡｓ圧が約ｌＸｌ０−５Ｔｏｒ
ｒを境にｐ型とｎ型に変化し、（１１１）Ｂ面、（３１
１）Ｂ面ではＡｓ圧を変えても常にｎ型であり、（３１
１）Ａ面ではＡｓ圧が約３Ｘ１０−５Ｔｏｒｒを境にＰ
型とｎ型に変化する。

なお、以上の説明はＡｓ圧を基準に説明したが、より本
質的にはＡｓ圧とＧａ流量の比に依存すると思われる。

次に、第３図について説明する。第３図の実験は（Ｚｏ
ｏ）面、（３１１）Ａ面、（３１１）Ｂ面のＧ　ａ　Ａ
　ｓ基板を用意し、各Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板上に種々のＧ
ａＡｓ基板温度でＡ、Ｇ　　Ｇａ　　　　Ａｓｘ　　　
　　１−ｘ を堆積させ、ＡＪ［ｌ酸比Ｘを測定したものである。

結晶成長させるためのＧａＡｓ基板１６を第１図のガス
ソース分子線エピタキシー装置のホルダ１４に保持する
。ヒータ１８によりホルダ１４を加熱して温度を調節し
ながら、シャッタ２９．３０を開くと共にバルブ２５ｃ
、２５ｄを開きセル２６を加熱する。その結果チャンバ
１０内のＧａＡｓ基板１６にＡ　ｊ　ｘ　Ｇ　ａ　１　
　ｘ　Ａ　ｓが結晶成長する。結晶成長したＡｊ　Ｇａ
　　　　ＡｓのＡｌｘ　　　ｌ−ｘ 組成比Ｘと結晶成長時のＧ　ａ　Ａ　ｓ基板１６の温度
との関係を示したの第３図のグラフである。なお、この
ときのＡｓ圧は１．７Ｘ１０−５Ｔｏｒｒである。

第３図から分かるように、（１００）面の場合には結晶
成長したＡ１ＸＧａ１−ＸＡｓのＡ」組成比ＸがＧａＡ
ｓ基板温度によって余り変化しないが、（３１１）Ａ面
と（３１１）Ｂ面の場合には、ＡＪ）　　Ｇａ　　　　
ＡｓのＡＩ！組成比酸比Ｇａｘ　　　１−ｘ Ａｓ基板の温度との間に強い相関関係があることがわか
った。すなわち、（３１１）Ａ面の場合ＧａＡｓ基板の
温度が上がるとＡＩ！組成比酸比増大し、（３１１）Ｂ
面の場合ＧａＡｓ基板の温度が上がるとＡｆＪ組成比酸
比逆に減少する。

本実施例は第２図の実験結果を利用してなされたもので
ある。第２図（ｂ）によれば同じＡｓ圧でも形成面の結
晶面方位が異なると導電型が異なる場合がある。すなわ
ち、Ａｓ圧が約１〜２×１０５１Ｏｒ「ノ場合は、（３
１１）Ａ面にはｐ型が形成されるが、（１００）面、（
１１０）面、（１１１）Ａ面、（１１１）Ｂ面、（３１
１）８面上にはｎ型が形成される。但し、（１１１）Ａ
面には高抵抗層が形成される場合がある。また、Ａｓ圧
が約１　ｘ　１０　　”　Ｔｏｒｒより低い場合は、（
１００）面、（１１０）面、（１１１）Ａ面、（３１１
）Ａ面にはｐ型ＧａＡｓ層が形成されるが、（１１１）
Ｂ面、（３１１）８面上にはｎ型ＧａＡｓ層が形成され
る。

例えば、（１００）面のＧａＡｓ基板をエツチングして
一部に（３１１）Ａ面を面出しして、（１００）面及び
（３１１）Ａ面のＧａＡｓ基板上にＧａＡｓを結晶成長
さぜることにより、Ｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓとｎ型Ｇ　ａ　
Ａ　ｓを同時に形成する。

Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板の面出し加工について第４図を用い
て説明する。

先ず、ＧａＡｓ基板４０上に酸化シリコン、窒化シリコ
ン等のマスク層４２を全面に形成する（第４図（ａ））
。次に、フォトリソグラフィ技術により面出しする予定
の領域のマスク層４２を除去する（第４図（ｂ））。次
に（３１１）面出し用エツチング液（リン酸＜　Ｈ３Ｐ
　Ｏ４）と過酸化水素水（ＨＯ）と水（Ｈ２０）の５０
　＋　１　：　５０の混合液）により露出されなＧａＡ
ｓ基板４０表面をエツチングする。すると、第４図［Ｃ
）に示すようにエツチングされた領域の中火部分が（１
００）面で周囲が（３１１）Ａ面又は（３１１）Ｂ面と
なる。その後、マスク層４２を除去して面出し加工が終
了する（第４図（ｄ））。

このようにして（１００）面と（３１１）Ａ面が面出し
されたＧａＡｓ基板４０上に、ガスソース分子線エピタ
キシー法によりドーパントとしてＳｉを加えてＧ　ａ　
Ａ　ｓ層を堆積する。そのとき、Ａｓ圧を約１〜２×１
Ｏ−５１Ｏｒｒの値、例えば１゜７　Ｘ　１０−５Ｔｏ
ｒｒにすると、（１００）面上にはｎ型ＧａＡｓ層が形
成され、（３１１）Ａ面上にはＰ型ＧａＡｓ層か形成さ
れる。

上記実施例は（１００）面と（３１１）Ａ面が面出しさ
れたＧ　ａ　Ａ　ｓ基板であったが、他の結晶面の組合
わせについても同様であるので説明を省略する。

なお、第３図の実験結果を利用すれば、ＧａＡｓ基板温
度を所定値にしてＡ１組成比Ｘの異なるＡ、ＩＩ　　Ｇ
ａ　　　　Ａｓを同時に形成できる。例えｘ　　　１−
ｘ ば、（１００）面のＧ　ａ　Ａ　ｓ基板をエツチングし
て一部に（３１１）Ａ面又は（３１１）Ｂ面を面出しし
て、＜１００）面及び（３１１）Ａ面又は（３１１）Ｂ
面のＧａＡｓ基板上にＡｆＪＸＧａ１ｘＡＳを結晶成長
させる。ＧａＡｓ基板の温度を制御するとＧａＡｓ基板
上にＡ、Ｉ！組成酸比が異なるＡ、１ｉｘＧａ１−ｘＡ
Ｓ層が同時に形成される。

すなわち、（１００）面と（３１１）Ａ面が面出しされ
たＧａＡｓ基板の場合には、ＧａＡｓ基板温度を例えば
５２０°Ｃにすれば、（１００）面上にはＡ１組酸比Ｘ
が約０．２５のＡ　、Ｉｌｏ、　２５Ｇ　ａＯ，７ＳＡ
ｓ層が形成され、（３１１＞Ａ面上にはへ１組成比Ｘが
約０．１のＡ　ｊ　　　Ｇ　ａ　　　Ａ　ｓ層０．１　
　０．９ が形成される。また、（１００）面と（３１１）Ｂ面が
面出しされたＧａＡｓ基板の場合には、ＧａＡｓ基板温
度を例えば６３０℃にすれば、（１００）面上にはＡ、
ｌ１組成比Ｘが約０．３２のＡ、ｌ！０．３２ＧａＯ，
６８Ａ”層が形成され、（３１１）８面上にはＡ、Ｉ１
組成比Ｘが約０．０５のＡＩｏ、０５ＧａＯ，９ＳＡＳ
層が形成される。

次に、本発明の他の実施例によるストライプ型半導体レ
ーザの製造方法について第１図乃至第５図を用いて説明
する。

本実施例により製造するストライプ型半導体し一部の断
面を第５図に示す。

先ず、第４図に示す方法により（１００）のＧａＡｓ基
板４０に（３１１）　Ａ面を面出し加工する。すると、
第４図（ｄ）に−点鎖線で囲んで示したように（１００
）面の中央部分にストライプ形状の（３１１）Ａ面が面
出しされたストライプ型半導体レーザ製造用のＧａＡｓ
基板が作られる。

（１００）面と（３１１）Ａ面が面出しされたＧ　ａ　
Ａ　ｓ基板上にストライプ型半導体レーザを形成する場
合について説明する。

Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板５０を第１図に示すカスソース分子
線エピタキシー装置内に収納してホルタ１４にて保持す
る。ヒータ１８によりＧａＡｓ基板５０の温度が約６３
０℃にして、シャッタ２９．３０．３１を開くと共にバ
ルブ２５ｄのみを開いて結晶成長させる。このときＧａ
Ａｓ基板５０上にバッファ層として厚さが約２μｍのＧ
ａＡｓ層５２が形成されるが、Ａｓ圧が約１．７Ｘ１０
　５Ｔｏｒｒにすると、第２図から（１００）面上には
ｎ型ＧａＡｓ層５２ａが形成され、（３１１）Ａ面上に
はｐ型ＧａＡｓ層５２ｂが形成され、される。

引き続いて、Ａｓ圧は１．７ｘｌＯ５Ｔｏ口゛、Ｇ　ａ
　Ａ　ｓ基板温度は６３０℃のｉｔでバルブ２５Ｃを開
き、Ａ１ＸＧａ１−ＸＡＳ層５４を形成する。Ｇ　ａ　
Ａ　ｓ基板温度は６３０℃であるので、第３図から（Ｚ
ｏｏ）面にも（３１１）Ａ面にもＡオ組成比Ｘが約０．
２５の厚さ約１．５μｍのＡｊ　　　Ｇ　ａ　　　Ａ　
ｓ屑５４が形成される。また、０．３２　　０．６８ Ａｓ圧か１．７Ｘ１０　　”’ＴＯｒｒであるので第２
図から、（１００）面上にはｎ型Ａ！Ｊ０．３２ＧａＯ
，６８Ａｓ層５４ａか形成され、（３１１）Ａ面上には
ｐ型Ａｊ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層５４ｂが形成される。

０．３２　　０．６８ 次に、Ａｓ圧は１．７Ｘ１０−５ＴＯｒｒ（７）ままで
、シャッタ２８を開いてｐ型ドーパントであるＢｅを導
入すると共に、ヒータ１８によりＧａＡｓ基板５０を冷
却して基板温度を約５２０℃にする。

そして結晶成長を行い、Ａ、ＩＩ　　　Ｇａ　　　Ａｓ
層０．３２　　０．６８ ５４上に約０．１μｍのＡｌｌ　　Ｇａ　　　　Ａｓ層
ｘ　　　１−ｘ ５６を形成する。すると、Ａ　ｆＪ　　Ｇ　ａ　１−Ｘ
Ａ　ｓ層５６は、導電型は同じｐ型であるが、下地のＧ
ａ　Ａ　ｓ基板５０の面か（１００）面であるか（３１
１）Ａ面であるかによりＡ、Ｉ１組成比Ｘか異なる。

すなわち、（１００）面上には、１組成比Ｘか約０．２
５のｐ型Ａ、ＩＩ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層５６ａが、０
．２５　　　０．７５ （３１１）Ａ面上にはＡ」組成比Ｘか約０．１のｐ型Ａ
ｊ　　　Ｇａ　　　層５６ｂか同時に形成され０．１　
　　　０．９ る。したがって、屈折率の高い活性層であるストライプ
形状のｐ型Ａｊ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層５６ｂＯ，１０
，９ が屈折率の低い光閉込め層であるｐ型Ａｊｏ、２ｓＧａ
　ｏ、　７５Ａ−５層５６ａにより囲われるストライプ
構造が一度に完成する。

次に、Ａｓ圧を約４．５Ｘ１０−５Ｔｏｒｒに上げ、Ｇ
ａＡｓ基板５０の基板温度を約６３０℃に戻して、ｎ型
Ａ、ＩＩ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層５６ａ及びｐ型０．２
５　　０．７５ Ａ　Ｉ　　　Ｇ　ａ　　　Ａ　ｓ層５６ｂ上にｎ型Ａ、
Ｑ　　Ｇｏｌ　　　　　０．９　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　ｘａｌ−ｘＡＳ層５８を形成す
る。Ａｓ圧を約４゜５　ｘ　１０−５Ｔｏｒｒであり、
基板温度が６３０°Ｃであるので、第２図及び第３図か
ら（１，ＯＯ）面上にも（３１１）Ａ面上にも同じｎ型
でＡ、Ｑ組成比Ｘも同じ約０．３２のｎ型Ａ　、Ｑ　ｏ
、　３２Ｇ　ａ　ｏ、　ｅａＡ　Ｓ層５８が形成される
。このｎ型”　０．３２ＧａＯ，６ａＡｓ層５８の厚さ
は約１．５μｍである。

引き続いて、Ａｓ圧は約４．５Ｘ１０　５Ｔｏｒｒ、Ｇ
ａＡｓ基板温度は６３０℃のままでバルブ２５Ｃを閉じ
、ｎ型Ａｌ　　Ｇａ　　　Ａｓ層５８上に０．３２　　
０．６８ ｎ型ＧａＡｓ層６０を形成する。このｎ型ＧａＡｓ層６
０の厚さは約１μｍである。このようにしてストライプ
型半導体レーザの主要部分の製造を終了する。

このように本実施例によれば導電型の異なる層やＡ、Ｉ
１組成比の異なる層を同時に形成できるので、第５図に
示すような電流及び光狭窄用ストライブ構造の半導体レ
ーザをカスソース分子線エピタキシー装置から一度も取
出すことなく製造することかでき、歩留まり率が向上す
ると共に低コスト化が可能である。

本発明は上記実施例に限らず種々の変形が可能である。

例えは、上記実施例ではソースとして固体Ａｓを用いた
が、Ａｓをガスにより導入するようにしてもよい。

また、上記実施例では本発明をストライプ型半導体レー
ザを製造するのに適用したが、同時にｐｎ接合を同時に
形成する他の半導体装置の製造にも本発明を適用できる
。

更に、上記実施例に限らず、互いに異なる結晶面方位か
面出しされた結晶基板上に有機金属分子の基板表面での
分解反応が成長を支配するエピタキシャル結晶成長方法
によりエピタキシャル結晶層を成長させる場合でもよい
。

［発明の効果］ 以上の通り、本発明によれば結晶基板に互いに異なる結
晶面方位を面出しして特定の構成原子の圧力を選択して
エピタキシャル結晶成長させるだけで、互いに異なる導
電型のエピタキシャル結晶層を同時に成長させることが
可能である。したがって、電流狭窄ストライプ構造の半
導体レーザを、製造途中で結晶成長装置内から取出すこ
となく製造することができ、歩留まりの改善と低コスト
化が可能である。

【図面の簡単な説明】 第１図は本発明で用いられるカスソース分子線エピタキ
シー装置の断面図、 第２図は本発明の製造方法によるＡｓ圧力と不純物濃度
及び導電型の関係を示す図、 第３図は本発明の製造方法によるＧａＡｓ基板温度とＡ
ｆＪ組成率の関係を示すグラフ、第４図は本発明の製造
方法によるＧａＡｓ基板の面出し方法の工程図、 第５図は本発明の製造方法により製造されるストライプ
型半導体レーザの断面図 である。 図において、 １０・・・チャンバ、 １２・・・排気管、 １４・・・ホルダ、 １６・・−ＧａＡｓ基板、 １８・・・ヒータ、 ６０−−−　ｎ型ＧａＡｓ層。 ２０・・・ＲＨＥＥＤ銃、 ２２・・・ＲＨＦ、ＥＤスクリーン、 ２４　２５．２６．２７・・・セル、 ２５ａ、２５ｂ・・・ガス導入管、 ２５ｃ、２５ｄ・・・バルブ、 ２８　２９　３０．３１・・・シャッタ、３２・・・液
体窒素シュラウド、 ４０−＝　Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板、 ４２・・・マスク層、 ５０−！・ｐ十型ＧａＡｓ基板、 ５２−・−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層、 ５２ａ、・−ｎ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層、 ５２　ｂ　・Ｐ型Ｇ　ａ　Ａ　ｓ層、 ５４−＝Ａ、Ｑ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層、０．３２　　
０．６８ ５４　ａ　−−−ｐ型Ａ、Ｑ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層、
０．３２　　０．６８ ５４　ｂ−ｐ型Ａ、Ｑ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層、０．３
２　　０．６８ ５６−＝Ａ、Ｑ　　Ｇａ　　　　Ａｓ層、ｘ　　　１−
ｘ ５６ａ−ｎ型Ａ、ＯＧａ　　　Ａｓ層、０．２５　　０
．７５ ５６　ｂ−ｐ型Ａｊ　　　Ｇａ　　　Ａｓ層、０．１　
　０．９ ５８−−−　ｎ型Ａ　、ｌＩ　　　Ｇ　ａ　　　Ａ　ｓ
層、０．３２　　０．６８ （、−力りつ）　ミｄ１ｒ酩往棲虫 プ型牛導４し−ザのｙｆＵ面図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１の領域に第１の結晶面方位が、第２の領域に第
   ２の結晶面方位が面出しされた結晶基板上に、形成する
   エピタキシャル結晶層を構成する原子を含んだ有機金属
   分子の基板表面での分解反応が成長を支配するエピタキ
   シャル結晶成長方法によりエピタキシャル結晶層を成長
   させる際に、所定の構成原子の圧力を所定値にすること
   により、前記第１の領域及び前記第２の領域上に互いに
   異なる導電型のエピタキシャル結晶層を同時に成長させ
   ることを特徴とするエピタキシャル結晶層形成方法。 ２、所定領域に（３１１）Ａ面が面出しされた（１００
   ）面のＧａＡｓ基板上に、少なくともＧａ及びＡｓ並び
   にｎ型ドーパントを供給するガスソース分子線エピタキ
   シー法により少なくともＧａとＡｓを構成原子とする結
   晶層を成長させる際に、Ａｓ圧を所定値にすることによ
   り、（１００）面上にｎ型の結晶層を（３１１）Ａ面上
   にｐ型の結晶層を同時に形成することを特徴とするエピ
   タキシャル結晶層形成方法。 ３、活性層が形成される予定のストライプ領域を（３１
   １）Ａ面に面出しした（１００）面のＧａＡｓ基板上に
   、少なくともＧａ、Ａｓ並びにｎ型ドーパントを供給す
   るガスソース分子線エピタキシー法により、Ａｓ圧を第
   １の所定値として、前記ストライプ領域の（３１１）Ａ
   面上にｐ型ＧａＡｓ層を、（１００）面上にｎ型ＧａＡ
   ｓ層を同時に成長させてバッファ層を形成する工程と、
   Ａｓ圧を前記第１の所定値として、更にＡｌを供給する
   ガスソースエピタキシャル法により、前記バッファ層上
   の前記ｐ型ＧａＡｓ層上にＰ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿
   ｘＡｓ層を、前記ｎ型ＧａＡｓ層上にｎ型Ａｌ＿ｘＧａ
   ＿１＿−＿ｘＡｓ層を同時に成長させて第１のクラッド
   層を形成する工程と、 前記ガスソースエピタキシャル法により、前記第１のク
   ラッド層上にＡｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓを堆積する
   ことにより、前記ｐ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層
   上にｐ型活性層を、前記ｎ型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ
   Ａｓ層上にｐ型光閉込め層を形成する工程と、Ａｓ圧を
   第２の所定値として、前記ガスソースエピタキシャル法
   により、前記ｐ型活性層及び前記ｐ型光閉込め層上にｎ
   型Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘＡｓ層を成長させて第２の
   クラッド層を形成する工程と を有することを特徴とするストライプ型半導体レーザの
   製造方法。