JPH01286486A

JPH01286486A - 半導体レーザの製造方法

Info

Publication number: JPH01286486A
Application number: JP11670488A
Authority: JP
Inventors: Yukie Nishikawa; 幸江西川; Yasuhiko Tsuburai; 粒来　保彦; Yoshihiro Kokubu; 国分　義弘
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1988-05-13
Filing date: 1988-05-13
Publication date: 1989-11-17
Anticipated expiration: 2012-08-20
Also published as: JP2642403B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）本発明は、ＩｎＧａＡＩＰ系半導体材料を用いた半導体
レーザに係わり、特に内部電流狭窄型の半導体レーザの
製造方法に関する。

（従来の技術）近年、有機金属を用いた化学気相成長法（以下、ＭＯＣ
ＶＤ法と略記する）によりＧａＡｓ基板上にＩ　ｎ＋−
ｘ−ｙ　Ｇａｚ　Ａ　ＩＹ　Ｐ　（０≦ｘ≦１゜０≦ｙ
≦１）を形成することが可能となっており、この技術を
利用した可視光半導体レーザが注目されている。

第２図はＩ　ｎＧａＡ　Ｉ　Ｐ系材料を用いた内部電流
狭窄型半導体レーザの概略構造を示す断面図である。図
中１１はｎ−ＧａＡｓ基板であり、この基板１１上には
ｎ−ＧａＡｓバッファ層１２．ｎ−ＩｎＧａＡＩＰクラ
ッド層１３．ＩｎＧａＰ活性層１４．ｐ−１ｎＧａＡＩ
Ｐクラッド層１５゜ｐ−１ｎＧａＰキ＋−／プ層１６及
びｎ−ＧａＡｓブロック層（電流阻止層）１７が順次積
層成長された後、ホトリソグラフィ技術によりｎ　−Ｇ
ａＡｓブロック層１７にストライプ部（エツチングによ
る窓部）が形成される。次いで、ストライプ部に露出し
たキャップ層１６及びブロック層１７上にｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８及びｎ＋−ＧａＡｓコンタクト層１９
が再成長され、さらに電極２１．２２が形成されて半導
体レーザが完成する。この半導体レーザに電流を供給す
ると、ストライプ部のみに電流が狭窄されてレーザ発振
することになる。

しかしながら、この種の半導体レーザにあっては次のよ
うな問題があった。即ち、第１回目の結晶成長による成
長層（１２，〜、１７）と第２回目の結晶成長による再
成長層（１８，１９）とのストライプ部での界面、つま
りｐ−ＩｎＧａＰキャップ層１６とｐ−ＧａＡｓコンタ
クト層１８との界面において、ＩｎＧａＰとＧａＡｓと
のバンド不連続に起因する電圧降下が生じる。このため
、半導体レーザの動作電圧が高くなり、従って消費電力
も上がり発熱も大きくなる等、素子特性の劣化や寿命の
低下を招く問題があった。

なお、上記のバンド不連続に起因する電圧降下は、ｐ−
１ｎＧａＰキャップ層のキャリア濃度が低い場合により
顕著となるものであり、従ってｐ−ＩｎＧａＰキャップ
層１６のキャリア濃度を高めることが考えられる。しか
し、ｐ型不純物として亜鉛等を用いた場合、亜鉛の蒸気
圧が高いために、第２回目の結晶成長の際にストライプ
部に露出しているｐ−１ｎＧａＰキャップ層のキャリア
濃度を十分高めることは困難であった。

（発明が解決しようとする課題）このように従来、ＩｎＧａＡＩＰ系半導体材料を用いた
内部電流狭窄型の半導体レーザにおいては、電流狭窄の
ためのストライプ部におけるダブルヘテロ接合部の最上
層（ｐ−１ｎＧａＰ等）と再成長コンタクト層（ｐ−Ｇ
ａＡｓ）との界面でバンド不連続に起因する電圧降下が
生じ、これが素子特性を劣化させる要因となっていた。

・本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その
目的とするところは、ＩｎＧａＡＩＰ系半導体材料から
なるダブルヘテロ接合部の最上層と再成長コンタクト層
との界面におけるバンド不連続による電圧降下を抑制す
ることができ、素子特性の向上をはかり得る半導体レー
ザの製造方法を提供することにある。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）本発明の骨子は、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層と接するダ
ブルヘテロ接合部の最上層（ｐ　−ＩｎＧａＰキャップ
層）に気相中からｐ型不純物を再拡散することにより、
ストライプ部でのｐ−ＩｎＧａＰキャップ層等のキャリ
ア濃度を十分に高めることにある。

即ち本発明は、ｎ型ＧａＡｓ基板上にＩ　ｎｌ−ｘ−ｙ　Ｇａ、（Ａ　ｌｙ　Ｐ　（０≦ｘ≦
１．０≦ｙ≦１）からなるダブルヘテロ接合部及びｎ型
ＧａＡｓ電流阻止層を順次成長した後、電流阻止層をス
トライプ状にエツチングし、次いでｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層を再成長する半導体レーザの製造方法において、
前記コンタクト層の成長温度を前記ダブルヘテロ接合部
の成長温度よりも低く設定し、且つ該コンタクト層を形
成するための結晶成長炉内に再成長開始前からｐ型不純
物を流しておき、成長温度まで昇温したのちに該コンタ
クト層を成長形成するようにした方法である。

また本発明は、前記ｐ型不純物（例えば亜鉛）をホスフ
ィンと共に成長炉内に流して前記コンタクト層の成長温
度まで昇温し、該コンタクト層の成長開始直前にホスフ
ィンをアルシンに切換え、有機金属気相成長法によりｐ
型ＧａＡｓコンタクト層を成長形成するようにした方法
である。

（作　用）本発明によれば、再成長コンタクト層を形成するための
結晶成長炉内に、結晶成長以前（昇温以前）からｐ型不
純物を流しておき、さらに再成長層の成長温度をダブル
ヘテロ接合部の成長温度より低く設定することにより、
ストライプ部におけるダブルヘテロ接合部の最上層（例
えばｐ−ＩｎＧａＰキャップ層）のキャリア濃度を上昇
させることができる。このため、ＩｎＧａＰとＧａＡｓ
とのバンド不連続に起因する電圧降下を低減することが
でき、半導体レーザの電圧−電流特性を大きく改善して
素子特性の向上をはかることが可能となる。また、亜鉛
（Ｚｎ）等のｐ型不純物と共にホスフィン（ＰＨ３）等
を再成長用の結晶成長炉内に流して昇温することにより
、ストライプ部でのＰ抜けを抑制し、良好な再成長界面
を得ることが可能となる。

第５図にｐ−ＧａＡｓとｐ−１ｎＧａＰのへテロ界面の
バンド構造を示す。ｐ−ＧａＡｓのキャリア濃度は５　
Ｘ　１０１８ｃｍ−’であり、ｐ−１ｎＧａＰのキャリ
ア濃度は（ａ）がＩ　Ｘ　１０１７Ｃｆ１１−’、　（
ｂ）が２　Ｘ　Ｉ　Ｑ　１８ａｍ−’の場合である。第
５図（ａ）に示すように、ｐ　　１　ｎ　Ｇ　ａ　Ｐの
キャリア濃度が低い場合には、ｐ−ＧａＡｓからｐ−１
ｎＧａＰ１．ニア電流を流す時にはへテロ界面でのノツ
チが大きいために、これがホールの障壁となり電圧降下
を生じる。これに対して第５図（ｂ）に示すように、ｐ
　−１ｎ　Ｇ　ａ　Ｐのキャリア濃度が高い場合には、
ペテロ界面でのノツチが小さくなるために電圧降下は小
さくなる。つまり、ｐ−ＧａＡｓとｐ−ＩｎＧａＰとの
界面での電圧降下を抑えるためには、ｐ−１ｎＧａＰの
キャリア濃度を高くすれば良いことが判る。

ここで、第１回目の結晶成長工程では、モホロジーが良
好で結晶品質の良いＩｎＧａＡＩＰ系ダブルヘテロ接合
部を得るために、７００℃前後と成長温度を高く設定す
る必要がある（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙ
ｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　７７　（１９８６）　３７４
−３７９）。

しかし、ｐ型不純物としてＺｎを用いた場合には、Ｚｎ
は蒸気圧が高いので成長温度が高い場合にはｐ−１ｎＧ
ａＰのキャリア濃度を十分に高くすることはできない。

そこで、ｐ−ＧａＡｓ再成長コンタクト層を形成すると
きの成長温度をダブルヘテロ接合部の成長温度よりも低
く設定し、成長以前からＺｎを流しておき、再成長層の
成長温度まで昇温する工程により、ストライプ部のｐ−
ＩｎＧａＰにＺｎを拡散し、キャリア濃度を上昇させる
ことができる。これは、再成長温度をダブルヘテロ接合
部の成長温度よりも低く設定することにより、再成長前
の結晶成長炉内のＺｎ供給量がダブルヘテロ接合部のｐ
−１ｎＧａＰを成長させたときのＺｎ供給量と同量であ
っても、結晶成長炉内のＺｎ分圧がｐ−１ｎＧａＰ中の
Ｚｎの蒸気圧より高くなるためである。この後、ｐ−Ｇ
ａＡｓコンタクト層を再成長させると、再成長界面での
電圧降下は非常に小さくなる。

また、再成長コンタクト層の成長温度まで温度を上昇さ
せる際に、ｐ型不純物と共にＰＨ３を結晶成長炉内に流
しておくことにより、ストライプ部のｐ−１ｎＧａＰか
らのＰの蒸発を防ぐことができる。そして、ｐ−ＧａＡ
ｓの成長開始直前にＰＨ，をＡｓＨ，に切換えて再成長
を行うことにより、良好な再成長界面を形成することが
できる。

（実施例）以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。

第１図は本発明の一実施例に係わる半導体レーザの製造
工程を示す断面図である。まず、第１図（ａ）に示す如
く、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上にＭ　ＯＣＶ　Ｄ法により
、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１２、厚さ１μｍのｎ−１ｎ
ＧａＡＩＰクラッド層１３．厚さ０．１μｍのＩｎＧａ
Ｐ活性層１４゜厚さ１μｍのｐ−１ｎＧａＡＩＰクラッ
ド層１５゜厚さ０．０５μｍのｐ−１ｎＧａＰキャップ
層１６及び厚さ１μｍのｎ−ＧａＡｓブロック層（電流
阻止層）１７を連続成長する。この第１回目の結晶成長
工程における成長温度は、ダブルヘテロ接合部（１２，
〜、１６）の良好な結晶性を得るために　７００℃とし
た。

次いで、ホトリソグラフィ技術を用い、第１図（ｂ）に
示す如く、電流ブロック層１７にストライプ状の溝を形
成する。この際、ストライプ部ではｎ−ＧａＡｓは全て
エツチングされ、ｐ−Ｉ　ｎＧａＰが表面に露出するこ
とになる。

次いで、第１図（ｂ）に示す構造の加工基板を、第３図
に示す如き結晶成長炉内に配置し、ＭＯＣＶＤ法により
第１図（ｅ）に示す如くｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８
及びｐ”　−ＧａＡｓコンタクト層１９を連続成長する
。なお、第３図において２０は上記の加工基板、３１は
石英反応管、３２はサセプタ、３３は高周波加熱コイル
を示している。

この第２回目の結晶成長工程に際しては、反応管３１内
に再成長コンタクト層の成長開始前（昇温以前）から不
純物原料であるジメチル亜鉛（ＤＭＺ）とＰＨ，を流し
ておき、再成長層の成長温度まで昇温する。ここで、再
成長層の成長温度は、第１回目の結晶成長工程における
ダブルヘテロ接合部の成長温度よりも　１００℃低い８
００℃に設定した。また、ＤＭＺの供給量は第１回目の
結晶成長工程でｐ−１ｎＧａＰを成長した際のＤＭＺの
供給量と同量にした。６００℃まで昇温後、ＰＨ，をＡ
ｓＨ３に切換えて、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１８とｐ
”−ＧａＡｓコンタクト層１９を順次成長形成した。

第１回目の結晶成長を終わった段階ではｐ−ＩｎＧａＰ
キャップ層１６のキャリア濃度は３Ｘ１０１７ｃｍ−’
であったが、第２回目の結晶成長を行った後は、ストラ
イプ部でのｐ−１ｎＧａＰキャップ層１６のキャリア濃
度が２　Ｘ　１０１８ａｍ−３まで上昇していることが
確かめられた。また、再成長開始前にＤＭＺと共にＰＨ
，流すことにより、ストライプ部でのｐ−１ｎＧａＰか
らのＰの蒸発が抑えられて良好な再成長界面が得られた
。なお、これ以降は基板側及びコンタクト層側にそれぞ
れ電極２１．２２を被着することにより、第２図に示す
如き内部電流狭窄型の半導体レーザが完成することにな
る。

第６図はＩｎＧａＰのキャリア濃度の成長温度依存性を
示す特性図である。横軸は■族原料のモル流量とＤＭＺ
のモル流量の比であり、ＤＭＺ供給量を示す。成長温度
Ｔｇが高くなるとＺｎの成長表面からの蒸発が多くなる
ためにキャリア濃度が低下する。成長温度を６００℃か
ら７００℃に上昇させるとキャリア濃度は約５分の１に
減少する。

ｎ　、　　ｐ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ　／　ｐ　−１ｎ　Ｇ
　ａ　Ｐのへテロ界面での電圧効果を十分に抑制するた
めにはｐ−１ｎＧａＰのキャリア濃度が少なくとも１×
１０１１０ｌ８’以上であることが必要である。しかし
、第１回目の成長は良好な結晶品質を有するダブルヘテ
ロ構造を得るために７００℃以上で行う必要があるため
、ｐ−ＩｎＧａＰのキャリア濃度を１×１０１１０１ｌ
１’以上とすることは難しい。このために、再成長時に
Ｚｎ拡散を行いストライプ部のｐ−１ｎＧａＰのキャリ
ア濃度を上昇させることが重要となる。

本発明による再成長方法においては、再成長温度と昇温
時のｐ型不純物の流量が非常に重要なパラメータとなっ
てくる。再成長時にストライプ部にＺｎを拡散してキャ
リア濃度をＩ　Ｘ　１０１８ｃ１１−’以上にするため
には、図に示したＩｎＧａＰのキャリア濃度の成長温度
依存性の関係において、ＩＸ　１０１８ｃ１１−’以上
のキャリア濃度が得られる成長温度とＤＭＺ供給量の範
囲に再成長時の成長温度と昇温中のＤＭＺ供給量を設定
すればよいことが実験より判った。つまり、再成長時の
成長温度を６５０℃にした場合には、［ＤＭＺ／ＩＩ　
＞１であればよい。Ｔｇを６００℃とした場合には、Ｉ
Ｘｌ　０１８ｃ＋ｉ−’というキャリア濃度が［ＤＭＺ
／ｍコ〉０．４で得られる。つまり、６５０℃でもＩ　
Ｘ　１０１１０ｌ８’以上のキャリア濃度は得られるが
、Ｔｇ８００℃とすることで、Ｉ　Ｘ　１０１８ｃｍ−
’というキャリア濃度が得られるＺｎ供給量範囲が広が
るために、Ｚｎ拡散層形成時の再現性が向上する。逆に
、再成長時の温度を６００℃より低い温度にすると、■
族原料の分解効率が低下し、良好な結晶品質を有する再
成長層を形成することができないのである。

かくして本実施例方法によれば、ｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層１８を再成長する際に、その成長温度をダブルヘテ
ロ接合部の成長温度よりも低く設定し、再成長用の結晶
成長炉内に昇温以前からＤＭＺを流すことによって、ダ
ブルヘテロ接合部の最上層であるｐ−１ｎＧａＰキャッ
プ層１６のキャリア濃度を十分高めることができる。こ
のため、ｐ−１ｎＧａＰキャップ層１６とｐ−ＧａＡｓ
コンタクト層１８とのバンド不連続に起因する電圧降下
を抑制することができ、半導体レーザの電圧−電流特性
を大きく改善して素子特性の向上をはかることが可能と
なる。

また本発明者等は、上記の工程により作成したレーザ索
子（実施例素子）と、第１及び第２回目の結晶成長工程
における成長温度を共に７００℃にし、再成長コンタク
ト層の成長前にはＤＭＺを流さずに作成したレーザ索子
（従来素子）とで、その特性を比較した。まず、従来素
子の３ｍＷ。

２５℃の動作電圧は２．８〜３．５Ｖであり、素子間や
ウェハ間のバラツキが大きかった。これに対し実施例素
子では、動作電圧は約２，３Ｖであり、従来素子よりも
０．５〜１．２　Ｖ程度低くなった。また、素子間やウ
ェハ間での動作電圧のバラツキも小さく、良好な再現性
を示した。さらに、レーザ素子の温度特性も大幅に改善
され、寿命特性も飛躍的に向上した。

第４図は本発明の他の実施例に係わる半導体レーザの製
造工程を示す断面図である。この方法では、まず第４図
（ａ）に示す如く、ｎ−ＧａＡｓ基板４１上にＭＯＣＶ
Ｄ法によりｎ−１ｎＧａＡＩＰクラッド層４２．ＩｎＧ
ａＰ活性層４３．ｐ−１ｎＧａＡＩＦ第１クラッド層４
４、ｐ−１ｎＧａＰｚッチング停止層４５゜ｐ−１ｎＧ
ａＡＩＰ第２クラッド層４６．ｐ−ＩｎＧａＰキ＋　ツ
ブ層４７及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層４８を成長形成
し、コンタクト層４８上にＳ　ｉ　Ｏ２膜４９を形成す
る。

次いで、エツチング液（Ｂ　ｒ２　＋ＨＢ　ｒ＋Ｈ２０
）を用い、第４図（ｂ）に示す如く、ＳｉＯ２膜４９を
マスクにコンタクト層４８及びキャップ層４７をクラッ
ド層４６に達するまでエツチングする。さらに、熱燐酸
による選択エツチングを行い、第４図（Ｃ）に示す如く
コンタクト層４６をエツチング除去する。

次いで、第４図（ｄ）に示す如＜、ＭＯＣＶＤ法により
ｎ−ＱａＡｓブロック層５１を再成長する。

このブロック層５１の成長に際しては、トリメチルガリ
ウムとアルシンを原料ガスとして用いた。

その結果、ＳｉＯ□膜４９上にはＧａＡｓの成長は全く
見られなかった。その後、第４図（ｅ）に示す如く、５
ｉｎ２膜４９を除去し、さらにコンタクト層４８を除去
する。

次いで、第４図（ｆ）に示す如＜、ＭＯＣＶＤ法により
ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５２を再成長する。このとき
、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層５２の成長に際しては、先
の実施例と同様に成長開始前に成長炉内にｐ型不純物を
流しておき、再成長温度はダブルヘテロ接合部（４２，
〜、４８）の成長温度よりも低く設定する。

このようにして作成された半導体レーザにおいても、先
の実施例と同様にｐ−１ｎＧａＰキャップ層４７のキャ
リア濃度を十分高めることができ、ＩｎＧａＰとＧａＡ
ｓとのバンド不連続に起因する電圧降下を低減すること
ができる。従って、先の実施例と同様の効果が得られる
。

なお、本発明は上述した各実施例方法に限定されるもの
ではない。実施例では、ｐ型不純物としてＺｎを用いた
が、これ以外にマグネシウムやカドミウム等の■族元素
を用いることもできる。また、素子構造は第２図や第４
図に限るものではなく、ダブルヘテロ接合部を形成した
後に再成長層の形成が必要なものに適用することができ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変
形して実施することができる。

［発明の効果］以上詳述したように本発明によれば、再成長コンタクト
層を形成する際に、再成長層の成長温度をダブルヘテロ
接合部の成長温度よりも低く設定し、再成長用の結晶成
長炉内に昇温以前からｐ型不純物を流すことによって、
ダブルヘテロ接合部の最上層のキャリア濃度を上昇させ
ることができ、半導体レーザの素子特性向上をはかるこ
とが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第３図は本発明の一実施例方法を説明するた
めのもので、第１図は半導体レーザの製造工程を示す断
面図、第２図は該工程により形成された半導体レーザの
概略構造を示す断面図、第３図は結晶成長炉の概略構成
を示す断面図、第４図は本発明の他の実施例方法を説明
するための工程断面図、第５図は本発明の詳細な説明す
るための模式図、第６図はＩｎＧａＰのキャリア濃度の
成長温度依存性を示す特性図である。１１−＝　ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓ基板、１２−ｎ　−Ｇ
　ａ　Ａ　ｓバッファ層、１３　＝・ｎ　−１ｎ　Ｇ　
ａ　Ａ　Ｉ　Ｐクララド層、１４　＝−１ｎ　Ｇ　ａ　
Ｐ活性層、１５−・−ｐ　−１ｎ　Ｇ　ａ　Ａ　Ｉ　Ｐクララド層
、１６−ｐ　−１ｎ　Ｇ　ａ　Ｐキャップ層、１７　・
ｎ　−Ｇ　ａ　Ａ　ｓブＯツク層、１８・・・ｐ−Ｇａ
Ａｓコンタクト層、１９・・・ｐ”−ＧａＡｓコンタク
ト層、２０・・・加工基板、２１．２２・・・電極、３
１・・・石英反応管、３２・・・サセプタ、３３・・・
高周波加熱コイル。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図（ａ）第５図、−ｂｏ。０ＯＯ（ａ）（ｂ）（Ｃ）（ｄ）（ｆ）図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ｎ型ＧａＡｓ基板上にＩｎ＿１＿−＿Ｘ＿−＿ＹＧａ＿ｘＡｌ＿ＹＰ（０≦ｘ
≦１．０≦ｙ≦１）からなるダブルヘテロ接合部及びｎ
型ＧａＡｓ電流阻止層を順次成長した後、電流阻止層を
ストライプ状にエッチングし、次いでｐ型ＧａＡｓコン
タクト層を再成長して半導体レーザを製造する方法にお
いて、前記コンタクト層の成長温度を前記ダブルヘテロ接合部
の成長温度よりも低く設定し、且つ該コンタクト層を形
成するための結晶成長炉内に再成長開始前からｐ型不純
物を流しておき、成長温度まで昇温したのちに該コンタ
クト層を成長形成することを特徴とする半導体レーザの
製造方法。
（２）ｎ型ＧａＡｓ基板上にＩｎ＿１＿−＿Ｘ＿−＿ＹＧａ＿ｘＡｌ＿ＹＰ（０≦ｘ
≦１．０≦ｙ≦１）からなるダブルヘテロ接合部を成長
した後、ダブルヘテロ接合部をエッチングしてメサスト
ライプを形成し、次いでメサストライプの側部にｎ型Ｇ
ａＡｓ電流阻止層を成長し、しかるのちｐ型ＧａＡｓコ
ンタクト層を再成長して半導体レーザを製造する方法に
おいて、前記コンタクト層の成長温度を前記ダブルヘテロ接合部
の成長温度よりも低く設定し、且つ該コンタクト層を形
成するための結晶成長炉内に再成長開始前からｐ型不純
物を流しておき、成長温度まで昇温したのちに該コンタ
クト層を成長形成することを特徴とする半導体レーザの
製造方法。
（３）前記ｐ型不純物をホスフィンと共に結晶成長炉内
に流して前記コンタクト層の成長温度まで昇温し、該コ
ンタクト層の成長開始直前にホスフィンをアルシンに切
換え、有機金属気相成長法によりｐ型ＧａＡｓコンタク
ト層を成長形成することを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体レーザの製造方法。
（４）前記ｐ型不純物として、亜鉛を用いたことを特徴
とする請求項１、２又は３記載の半導体レーザの製造方
法。
（５）前記ダブルヘテロ接合部の最上層は、ｐ型ＩｎＧ
ａＰキャップ層であることを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体レーザの製造方法。