JP4619647B2 - 化合物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
GaAs基板上に、InGaAsP層が形成されており、このInGaAsP層上に、部分的に窓を有する少なくともAlとGaとAsとを含む第1のIII‐V族化合物半導体層が形成されて成る化合物半導体装置の製造方法であって、
少なくとも上記窓内に、上記InGaAsP層に含まれているP元素が抜けない550℃以上且つ600℃以下の成長温度によって、III族元素中におけるAlの混晶比が10%以下である第2のIII‐V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層上に、酸素が取り込まれてAl元素が酸化しない650℃以上の成長温度によって、少なくともAlを含む第3のIII‐V族化合物半導体層を成長させる工程
を含み、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層および上記第3のIII‐V族化合物半導体層の成長を、MOCVD法を用いて行い、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層の成長を開始する直前まで、AsH3ガスおよびPH3ガスをフローさせると共に、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層の成長温度を、当該第2のIII‐V族化合物半導体層の成長中に上昇させる
ことを特徴としている。
図1は、本実施の形態の化合物半導体装置の製造方法によって製造された半導体レーザ素子における概略構造を示す断面図である。尚、本実施の形態においては、上記第1の導電型はp型であり、上記第2の導電型はn型である。
本実施の形態は、この発明を、高周波信号を増幅して高出力動作する際に好適に用いられる上記HBTに適用した場合に関するものである。図6は、本実施の形態の化合物半導体装置の製造方法によって製造されたHBTにおける概略構造を示す断面図である。尚、以下の説明において、「n‐」および「n+‐」は上記第2の導電型としてのn型を表し、「p‐」および「p+‐」は上記第1の導電型としてのp型を表す。
本実施の形態は、上記第1実施の形態における半導体レーザ素子を用いた光伝送モジュールおよびこの光伝送モジュールを用いた光伝送システムに関する。図12は、光伝送モジュール51を示す断面図である。また、図13は、図12における光源の部分を示す斜視図である。
本実施の形態は、上記第1実施の形態における半導体レーザ素子を用いた光ディスク装置に関する。図15は、本実施の形態における光ディスク装置の構成図である。この光ディスク装置は、光ディスク81にデータを書き込んだり、光ディスク81に書き込まれたデータを再生したりするものであり、その際に用いる発光素子として、上記第1実施の形態における半導体レーザ素子82を備えている。
12…n型GaAsバッファ層、
13…n型GaAlAs第1クラッド層、
14…n型GaAlAs第1光ガイド層、
15…多重量子井戸活性層、
16…p型GaAlAs第2光ガイド層、
17…p型GaAlAs第2クラッド層、
18…InGaAsPエッチストップ層、
19…n型GaAlAs電流ブロック層、
20…n型GaAs保護層、
21…GaAs半導体(低温成長)層、
22…p型GaAlAs第3クラッド層、
23,24…p型GaAsコンタクト層、
25…n型電極、
26…p型電極、
31…半絶縁性GaAs基板、
32…n+‐GaAsサブコレクタ層、
33…n‐GaAsコレクタ層、
34…p+‐GaAsベース層、
35…InGaPエッチストップ層、
36…n‐AlGaAsエミッタ層、
37…n+‐GaAsエミッタ第1コンタクト層、
38…n+‐InGaAsエミッタ第2コンタクト層、
39…InGaP半導体層、
40…p‐AlGaAsバラスト抵抗層、
41…p+‐GaAsベースコンタクト層、
42…コレクタ電極、
43…ベース電極、
44…エミッタ電極、
51…光伝送モジュール、
52…InGaAs系半導体レーザ素子(レーザチップ)、
53…受光素子、
54…回路基板、
55…レーザマウント、
56…正電極、
60…シリコン樹脂、
61…エポキシ樹脂モールド、
62,63…レンズ部、
64…ヒートシンク、
65…レーザビーム、
71…パーソナルコンピュータ、
72…基地局、
81…光ディスク、
82…半導体レーザ素子、
83…コリメートレンズ、
84…ビームスプリッタ、
85…λ/4偏光板、
86…レーザ光照射用対物レンズ、
87…再生光用対物レンズ、
88…信号検出用受光素子、
89…信号光再生回路。
Claims (3)
- GaAs基板上に、InGaAsP層が形成されており、このInGaAsP層上に、部分的に窓を有する少なくともAlとGaとAsとを含む第1のIII‐V族化合物半導体層が形成されて成る化合物半導体装置の製造方法であって、
少なくとも上記窓内に、上記InGaAsP層に含まれているP元素が抜けない550℃以上且つ600℃以下の成長温度によって、III族元素中におけるAlの混晶比が10%以下である第2のIII‐V族化合物半導体層を成長させる工程と、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層上に、酸素が取り込まれてAl元素が酸化しない650℃以上の成長温度によって、少なくともAlを含む第3のIII‐V族化合物半導体層を成長させる工程
を含み、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層および上記第3のIII‐V族化合物半導体層の成長を、有機金属化学気相成長法を用いて行い、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層の成長を開始する直前まで、AsH3ガスおよびPH3ガスをフローさせると共に、
上記第2のIII‐V族化合物半導体層の成長温度を、当該第2のIII‐V族化合物半導体層の成長中に上昇させる
ことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の化合物半導体装置の製造方法において、
上記窓内に上記第2のIII‐V族化合物半導体層を成長させるに先立って、上記窓から露出している上記InGaAsP層の表面を硫酸によって洗浄する工程を含むことを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の化合物半導体装置の製造方法において、
上記GaAs基板上に、少なくとも第1クラッド層と活性層と第2クラッド層とを形成する工程を備えると共に、
上記InGaAsP層は、上記第2クラッド層上に形成されたエッチストップ層あるいは光ガイド層であり、
上記窓を有する第1のIII‐V族化合物半導体層は電流ブロック層であり、
上記第3のIII‐V族化合物半導体層は第3クラッド層であって、
半導体レーザ素子が形成されることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
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JP2005159204A JP2005159204A (ja) | 2005-06-16 |
JP4619647B2 true JP4619647B2 (ja) | 2011-01-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP (1) | JP4619647B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017122032A1 (de) | 2017-09-22 | 2019-03-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiode |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57109327A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH01286486A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JPH0677588A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0684805A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体結晶成長方法 |
JP2001257431A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2002043618A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法 |
-
2003
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPS57109327A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-07 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH01286486A (ja) * | 1988-05-13 | 1989-11-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザの製造方法 |
JPH0677588A (ja) * | 1992-08-25 | 1994-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0684805A (ja) * | 1992-09-01 | 1994-03-25 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体結晶成長方法 |
JP2001257431A (ja) * | 2000-03-09 | 2001-09-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体レーザ |
JP2002043618A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体の製造方法 |
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---|---|
JP2005159204A (ja) | 2005-06-16 |
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