JPH02146103A - 複合磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はギャップ近傍にコア本体よりも飽和磁束密度の
高い金属磁性膜をｈする複合磁気ヘッド及びその製造方
法に関する。

高保磁力の磁気記録媒体に記録再生する磁気ヘッドとし
て、上記の複合磁気ヘッドが使用されている。

この複合磁気ヘッドでは、フェライトコア半体と金属磁
性膜との接合部分に擬似ギャップが形成され、再生出力
の周波数特性に第３図中線■で示すようなリップルが生
ずる問題がある。従って、擬似ギャップが形成されにく
い構成であることが必要である。

なお、擬似ギャップは、フェライトコアと金属磁性膜と
の境界面に、透磁率が低く、また抗磁力が高く磁気特性
の良くない層が出来、これによって形成されると考えら
れている。またこの磁気特性の良くない層の発生要因と
しては、（＋）金属磁性膜の形成初期にできる特性劣化
層、（ｉｉ）フェライトコアと金属磁性層との反応が考
えられている。

従来の技術 従来、フェライトコア半体の突き合せ面に金属磁性膜の
下地として、数百オングストロームの厚さでＳ！０２等
の絶縁膜を形成した構成のものが提案されている。（特
開昭６ｌ−１７２２０３）これは、フェライトコアと金
属磁性膜との反応により生ずる磁気特性が悪化した層の
厚さよりも相当に薄い層であって上記反応を制限しうる
ちのを予め形成しておいて、擬似ギャップを極力小さく
しようとするものである。

発明が解決しようとする課題 しかし、上記の構成では、擬似ギャップを本質的に無く
することは出来ない。

また膜が絶縁性であるため、コアの磁気効率がその分低
下し、磁気ヘッドの再生出力も低下したものとなってし
まう。

本発明は上記課題を解決した複合磁気ヘッド及びその製
造方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、フェライトコア半体の突き合せ面にフェライ
トより飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成してなる複
合フェライトコア半体同士をギャップを形成して接合し
てなる複合磁気ヘッドにおいて、各複合フェライトコア
半体の上記フェライトコア半体と上記金属磁性膜との間
に、パーマロイ膜を有してなり、且つ上記金属磁性膜が
不活性ガスに酸素ガス又は窒素ガスを添加したガスの雰
囲気内でスパッタリングにより成膜したものである構成
としたものである。本発明の製造方法は、パーマロイ膜
を下地膜として形成し、金属磁性膜を酸素ガスを添加し
た雰囲気内で形成するものである。

作用 パーマロイ膜は、センダスト膜の形成初期時に磁気特性
に劣化した層が形成されることを防止し始めから良質の
膜を形成させると共に、センダスト膜とフェライトとの
反応を防止し、擬似ギャップが形成されることが防止さ
れる。

またパーマロイ膜を下地膜としてこの上にセンダスト膜
が形成されることにより、両者の総合の抗磁力が低■す
る。また、センダスト膜を不活性ガスに酸素又は窒素を
添加した混合ガスの雰囲気中でスパッタリングして形成
することにより、抗磁力は更に低下する。

実施例 第１図は本発明の一実施例になる複合磁気ヘッド（メタ
ルインギャップヘッド）１のギャップ近傍を拡大して示
す。

２．２ａは夫々複合コア半体であり、フェライトコア半
体３，３ａと、フェライトより飽和磁束密度の高い金属
磁性膜であるセンダスト（Ｆｅ−ＡＬ−８ｉ　）膜４，
４ａ等よりなる。この複合ロア半体２，２ａがギャップ
形成して接合して、複合磁気ヘッド１を構成している。

５はＳ　ｉｏ２．Ｔａ２０５等の絶縁膜であり、ギャッ
プを規制する。

６．６８は夫々バーＶＯイ（Ｆｅ−Ｎ　ｉ　）ｌ！テあ
り、フェライトコア半体３，３ａの突き合せ面３−１，
３ａ−１に形成しである。

このパーマロイ膜６，６ａはセンダスト膜４゜４ａの下
地膜としての役割を有するものであり、例えばスパッタ
リングにより、約１００人の厚さに形成しである。

センダスト１９４．４８はパーマロイ膜６，６ａ上に形
成しである。

ここで、パーマ０イ膜６，６ａの下地膜としての効果に
ついて説明する。

第２図はパーマロイ膜の膜厚を適宜変えたものの表面に
センダスト膜を約５０００人の厚さに形成した場合の両
方の膜を合わせた全体の抗磁力の特性を示す。

同図中、パーマロイ膜厚Ｏとはパーマロイ膜が無い場合
である。この場合には、抗磁力が３．２０ｅであるが、
パーマロイ膜が下地膜としであると抗磁ツノが１／３程
麿にまで下がっていることが分かる。

これはセンダスト膜が最初から磁気特性が安定した状態
で成膜され、初期劣化層が無くなっているためと考えら
れる。

パーマロイ膜の膜厚によっても抗磁力は変わり、膜厚が
１００人付近で抗磁力が最も小さ（０，５Ｑｅであるこ
とが分かる。これに基づいて、上記のパーマロイ膜６，
６ａの厚さは１００人としである。

次にパーマロイ膜を下地膜としてセンダスト膜をスパッ
タリングにより形成した場合の、スパッタリングガスの
抗磁力に対する影響について説明する。

第２図中、縮重はアルゴンガスだけでスパッタリングし
たときの特性である。

アルゴンガスに窒素ガスを添加した混合ガスの雰囲気で
スパッタリングを行ってセンダスト膜を形成した場合の
パーマロイ膜とセンダスト膜との総合の抗磁力は、線■
で示すようになった。即ち抗磁力は更に下がり、パーマ
ロイ膜が１００人の付近では約０．３０　ｅとなった。

アルゴンガスに酸素ガスを添加した混合ガスの雰囲気で
スパッタリングを行ってセンダスト膜を形成した場合の
パーマロイ膜とセンダスト膜との総合の抗磁力は、線■
で示すようになった。即ち抗磁力は更に下がり、パーマ
ロイ膜が１００人の付近では約０．２０ｅとなった。

そこで、上記のセンダスト膜４，４ａは、アルゴンガス
にＭ県ガスを添加した混合ガスの雰囲気内でスパッタリ
ングにより成膜したものである。

これにより、上記の複合磁気ヘッド１において、パーマ
ロイ１１６．６ａとセンダスト膜４，４ａの総合の磁気
特性は優れたものとなる。

また上記の条件で成膜されたセンダスト膜４゜４ａは膜
中に酸素を含んでいるため、複合コア半体２，２ａをガ
ラスを溶融して接合する際に高温に加熱された場合の、
酸化物ガラスとの相互拡散反応が起きない。

また、上記のパーマロイ膜６，６ａの存在により上記加
熱時においても、センダスト膜４，４ａとフェライトと
の反応も起きない。

従って、センダスト膜４，４ａは複合磁気ヘッド１の製
造過程でも劣化しない。以上より分かるように、■セン
ダストＩｔ！Ｊ４．４ａには初期劣化層が無く、これに
因る擬似ギャップは生ぜず、■センダスト１４．４８は
フェライトとの反応による特性劣化層は生ぜず、これに
因る擬似ギャップも生じない。

これにより複合磁気ヘッド１の再生出力の周波数特性は
第３図中線Ｖで示す如くになり、従来のものに比べてリ
ップルが抑制されたものとなる。

また、■パーマロイ膜６．６ａは磁性膜であり、絶縁膜
のように複合磁気ヘッドの磁気特性を低下させることは
無く、■パーマロイ膜６，６ａの存在によりパーマロイ
ｍ６．６ａとセンダストｇ！４゜４ａとの総合の抗磁力
が低下し、■センダスト膜４．４ａを酸素ガスを含んだ
混合ガス内で形成したことにより、センダスト１１！４
．４ａ自体の膜質が安定すると共に、パーマロイ１１！
６，６ａとセンダストｇ！４．４ａとの総合の抗磁力が
低下する。

これにより、複合磁気ヘッド１の再生出力は第３図に示
すように従来のものに比べて高いものとなる。

なお、センダスト膜４．４ａは、アルゴンガス中に窒素
ガスを添加した混合ガス内で形成したものでもよい。こ
のセンダスト膜を有する複合磁気ヘッドも上記実施例の
複合磁気ヘッド１と略同様の再生出力−周波数特性を有
する。

次に上記の複合磁気ヘッド１の￥Ｊ造方法について、第
４図、第５図を参照して説明する。

まず、第４図（Ａ＞に示すように、フェライトコアブロ
ック半体１０に巻線のための溝１１と溶着のためのガラ
スを入れるための溝１２を形成する。

次に同図（Ｂ）に示すように、トラック幅を規制する溝
１３を形成する。

次いで、第４図（Ｃ）及び第５図（Ａ）に示すように、
フェライトコアブロック半体１０の突き合せ面３−１上
にパーマロイ膜６をスパッタリングにより厚さ１００人
程度に成膜する。

次に、センダストをアルゴンガスに酸素ガスを添加した
混合ガスの雰囲気中でスパッタリングし、第４図（Ｃ）
及び第５図（Ｂ）に示すように、パーマロイ膜６上に酸
素を含んだセンダスト膜４を成膜し、複合フェライトコ
アブロック半体１４を得る。

センダスト膜４はフェライト面上ではなくパーマロイ膜
６上に形成されるため、初期劣化層が形成されることな
く最初から良質の膜が形成される。

次にセンダスト１４上に、ヘッドギャップを規制するた
めのＳ　！　０２　、Ｔａ２０５等の絶縁膜５をスパッ
タリングにより成膜する。

次に、第４図（Ｄ）に示すように、一対の複合フェライ
トコアブロック半体１４を突き合せ、溝１１．１２内に
ガラス１５を入れて加熱し、ガラス１５を溶かして、複
合フェライトコアブロック半体１４同士を接合し、ブロ
ック１６を得る。

センダスト膜４は酸素を含んでおり膜質が安定したもの
であるため、上記接合の際に加熱されるが膜質は変化し
ない。またパーマロイｗＡ６の存在によりフェライトと
の反応は起きず、特性劣化層は形成されない。

次に、同図（Ｅ）に示すように、ブロック１６の上面を
所定形状に加工し、二点鎖線に沿ってスライス加工し、
同図（Ｆ）、（Ｇ）に示す複合磁気ヘッド１が得られる
。

なお、金属磁性膜はセンダストに限るものではなく、フ
ェライトよりも飽和磁束密度の高いものであればよい。

発明の詳細 な説明した様に、本発明によれば、金属磁性膜形成時の
初期の磁気特性劣化層が無く、且つ金属磁性膜のフェラ
イトとの反応による磁気特性劣化層も無いため、擬似ギ
ャップが形成されることを効果的に防止することが出来
、これによりリップルが抑制された良好な再生出力−・
周波数特性を得ることが出来る。

またパーマロイ膜は絶縁膜ではなく磁性膜であるため、
パーマロイ膜が存在しても複合コア半体の磁気効果が低
下することはなく、しかもセンダスト膜はパーマロイ膜
を下地膜とし且つ不活性ガスに酸素ガス又は窒素ガスを
添加した混合ガスにより形成したものであるため、セン
ダスト膜とパーマロイ膜との総合の抗磁力を低くするこ
とが出来る。これにより再生出力の向上を図ることが出
来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の複合磁気ヘッドのギャップ
近傍を拡大して示す図、第２図はセンダスト膜とパーマ
ロイ膜との総合の抗磁力とパーマロイ膜厚との関係を示
す図、第３図は第１図の複合磁気ヘッドの再生出力の周
波数特性を示す図、第４図は本発明の複合磁気ヘッドの
製造方法を説明する図、第５図は第４図中一部の工程の
突き合せ部分を拡大して示す図である。 １・・・複合磁気ヘッド、２，２ａ・・・複合コア半体
、３．３ａ・・・フェライトコア半体、３−Ｌ　３ａ−
１・・・突き合せ面、４，４ａ・・・センダスト膜、５
・・・絶縁１１Ｑ、６．６８・・・パーマロイ膜、１０
・・・フェライトコアブロック半体、１４・・・複合フ
ェライトコアブロック半体、１５・・・ガラス。 特許出願人　ミツミ電機株式会社 第１図 第 図 第２図 第 図 （Ａ） ノ（シマ１コイＦｌ［４（ム） 第４図 （Ａ） （Ｅ） （Ｆ） （Ｃ） （Ｇ） （Ｄ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）フェライトコア半体の突き合せ面にフェライトよ
   り飽和磁束密度の高い金属磁性膜を形成してなる複合フ
   ェライトコア半体同士をギャップを形成して接合してな
   る複合磁気ヘッドにおいて、 各複合フェライトコア半体の上記フェライトコア半体と
   上記金属磁性膜との間に、パーマロイ膜を有してなり、 且つ上記金属磁性膜が不活性ガスに酸素ガス又は窒素ガ
   スを添加したガスの雰囲気内でスパッタリングにより成
   膜したものであることを特徴とする複合磁気ヘッド。
2. （２）フェライトコア半体の突き合せ面に金属磁性膜の
   下地膜としてのパーマロイ膜を形成する工程と、 該パーマロイ膜上にフェライトより飽和磁束密度の高い
   金属磁性膜を不活性ガスに酸素ガス又は窒素ガスを添加
   したガスの雰囲気内でスパッタリングして成膜する工程
   と、 上記パーマロイ膜及び金属磁性膜が形成された複合フェ
   ライトコア半体同士を間にギャップを形成して接合する
   工程とよりなることを特徴とする複合磁気ヘッドの製造
   方法。