JPS62125512A - 複合型磁気ヘツド - Google Patents
複合型磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS62125512A JPS62125512A JP26567885A JP26567885A JPS62125512A JP S62125512 A JPS62125512 A JP S62125512A JP 26567885 A JP26567885 A JP 26567885A JP 26567885 A JP26567885 A JP 26567885A JP S62125512 A JPS62125512 A JP S62125512A
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- Japan
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- alloy thin
- thin film
- thermal expansion
- magnetic head
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波信号の記録再生に適した磁気ヘッドに係
わり、特に高保磁力記録媒体に対して好適な複合型磁気
ヘッドおよびその製造方法に関する。
わり、特に高保磁力記録媒体に対して好適な複合型磁気
ヘッドおよびその製造方法に関する。
高密度磁気記録再生装置においては、磁気記録媒体の保
磁力を大きくすれば有利であることは周知であるが、高
保磁力の媒体に信号全記録するためには強い磁界が必要
となる。しかし現在磁気ヘッドに用いられているフェラ
イト材料は飽和磁束密度が５，０ＯＯＧ程度であるため
、得られる記録磁界の強さに限界がある。このヘッドギ
ャップ先端の磁気的飽和と呼ばれる現象を回避するため
、より飽和磁束密度の大きな合金系磁性材料が使用され
る。この場合狭トラツク、狭ギャップの精密加工を可能
にするため、合金系磁性材料を基板上にスパッタ、メッ
キ等の物理、化学的手段により薄膜として被着する方法
が一般的である。この様な基板上に合金薄膜を被着した
構成の磁気ヘッドについては数多くの試みがある。基板
材料とじては酸化初出性材料であるフェライトや非磁性
酸化物例えばＴｉ Ｏ−ＣａＯ、Ａｌ２０３− Ｔｉ
Ｃｔ ＭｎＯ−ＮｉＯの様な焼結材料さらには結晶化ガ
ラス等のガラス組成物をも用いることが出来る。しかし
ながら得られた磁気ヘッドの全体の磁気抵抗を小さくす
ることが望しく、かかる観点から基板としては磁性材料
が好ましい。中でも特に高周波での軟磁気特性に優れた
Ｍｎ −Ｚｎフェライトが好ましい。
磁力を大きくすれば有利であることは周知であるが、高
保磁力の媒体に信号全記録するためには強い磁界が必要
となる。しかし現在磁気ヘッドに用いられているフェラ
イト材料は飽和磁束密度が５，０ＯＯＧ程度であるため
、得られる記録磁界の強さに限界がある。このヘッドギ
ャップ先端の磁気的飽和と呼ばれる現象を回避するため
、より飽和磁束密度の大きな合金系磁性材料が使用され
る。この場合狭トラツク、狭ギャップの精密加工を可能
にするため、合金系磁性材料を基板上にスパッタ、メッ
キ等の物理、化学的手段により薄膜として被着する方法
が一般的である。この様な基板上に合金薄膜を被着した
構成の磁気ヘッドについては数多くの試みがある。基板
材料とじては酸化初出性材料であるフェライトや非磁性
酸化物例えばＴｉ Ｏ−ＣａＯ、Ａｌ２０３− Ｔｉ
Ｃｔ ＭｎＯ−ＮｉＯの様な焼結材料さらには結晶化ガ
ラス等のガラス組成物をも用いることが出来る。しかし
ながら得られた磁気ヘッドの全体の磁気抵抗を小さくす
ることが望しく、かかる観点から基板としては磁性材料
が好ましい。中でも特に高周波での軟磁気特性に優れた
Ｍｎ −Ｚｎフェライトが好ましい。
また合金薄膜としてはＦｅ Ａｌ５ｔ ＋Ｆｅ Ｎ
ｘ。
ｘ。
Ｆｅ −Ｓｉのごとき結晶質材料あるいはＣｏ −Ｎｂ
−Ｚｒ ＋ Ｃｏ −Ｔａ −Ｚｒ 等のアモルフ
ァス合金を用いることが出来る。これらの内、アモルフ
ァス材料は結晶化温度が高々５５０℃程度に過ぎず、磁
気ヘッド製造工程において５００１：以下の加熱しが許
容し得ない。このため用いる接合用ガラスに著しい制約
を生じることになり、かかる意味では結晶化による磁気
特性の大巾な低下を来さない結晶質材料の方が好ましい
。中でも磁束密度の大きいかつ耐摩耗性に優れたＦｅ
−Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜が望ましい。従ってＭｎ Ｚ
ｎ７エライト基板上にＦｅ −Ａｌ−Ｓ ｉ合金薄膜を
被着した磁気ヘッドが最も良好な磁気ヘッドを提供する
に際して好ましい組合せであり、該磁気ヘッドをいかな
る方法で製造するかについて数多くの努力が払われてき
たことも事実である。しかしながら該組合せでは、基板
材であるＭｎ −Ｚｎフェライトと薄膜のＦｅ−Ａｌ−
３ｉとの熱膨張係数に著しい差があり、磁気ヘッド製造
時に基板に大きな応力を生じ、基板のクラック、結晶粒
の脱落等の問題を生じ易い。これらの問題点は接合すべ
きガラスの熱膨張係数を変えることである程度解決し得
るが、実用に供し得る程度の磁気ヘラドラ大造し得る段
階に迄は到っていない。
−Ｚｒ ＋ Ｃｏ −Ｔａ −Ｚｒ 等のアモルフ
ァス合金を用いることが出来る。これらの内、アモルフ
ァス材料は結晶化温度が高々５５０℃程度に過ぎず、磁
気ヘッド製造工程において５００１：以下の加熱しが許
容し得ない。このため用いる接合用ガラスに著しい制約
を生じることになり、かかる意味では結晶化による磁気
特性の大巾な低下を来さない結晶質材料の方が好ましい
。中でも磁束密度の大きいかつ耐摩耗性に優れたＦｅ
−Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜が望ましい。従ってＭｎ Ｚ
ｎ７エライト基板上にＦｅ −Ａｌ−Ｓ ｉ合金薄膜を
被着した磁気ヘッドが最も良好な磁気ヘッドを提供する
に際して好ましい組合せであり、該磁気ヘッドをいかな
る方法で製造するかについて数多くの努力が払われてき
たことも事実である。しかしながら該組合せでは、基板
材であるＭｎ −Ｚｎフェライトと薄膜のＦｅ−Ａｌ−
３ｉとの熱膨張係数に著しい差があり、磁気ヘッド製造
時に基板に大きな応力を生じ、基板のクラック、結晶粒
の脱落等の問題を生じ易い。これらの問題点は接合すべ
きガラスの熱膨張係数を変えることである程度解決し得
るが、実用に供し得る程度の磁気ヘラドラ大造し得る段
階に迄は到っていない。
本発明の目的は上記Ｍｎ −Ｚｎフェライト基板上にＦ
ｅ −ｋｌ −Ｓｉ合金薄膜を被着した磁気ヘッドの製
造における基板に加わる応力を緩和し実用に供し得る磁
気ヘッドを得る事を目的とする。
ｅ −ｋｌ −Ｓｉ合金薄膜を被着した磁気ヘッドの製
造における基板に加わる応力を緩和し実用に供し得る磁
気ヘッドを得る事を目的とする。
本発明はＭｎ −Ｚｎフェライト基板上に直接Ｆｅ −
Ａｌ−８ｔ合金薄膜を被着する従来の方法に代え、基板
上に適切な熱膨張係数を有するＦｅ −Ｎｉ合金薄膜を
適切な淳ざで被着させ、該Ｆｅ −Ｎｔ合合金膜膜上Ｆ
ｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜を被着することにより問題点
の解決を図るものである０ 本発明に係わる基板材料としてのＭｎ −Ｚｎフェライ
トは、磁束密度のなるべく大きいこと、高周波特性の良
好ｆ！事を考慮するとその組成はほぼ限定され、Ｆｉｌ
！２０３５２〜５６．Ｍｎ０２５〜３５ 、Ｚｎ Ｏ９
〜２３ ｍａｔ％である０該組成範囲で磁界１００ｅに
おける磁束密度は４５００〜５５００Ｇと胤−Ｚｎフェ
ライトとしては大きな値を有する。該組成範囲での熱膨
張係数は室温より５００℃の範囲で測定すると１１０〜
１２０ Ｘ １０１０−７ｄｅ’である〇一方金合金薄
膜材料してのＦｅ −Ａｌ−ＳｉはＦｅ ８２〜９０
ｒＡｌ５〜７．Ｓｉ７〜１１ａｔ％好ましくはＦｅ８３
〜８７ 、 Ａｌ４．５〜６．５ 、 Ｓｔ ８．０〜
１０．５ ａｔ％であり、該組Ｆｖ、範囲で飽和磁束密
度〜ｉｏ、０００ Ｇが得られ、合金薄膜材として高保
磁力記録媒体に対して充分記録可能な大きさである。し
かしながら金属磁性材のため熱膨張係数がＭｎ −Ｚｎ
フェライトより大きく、１４５〜１６０ Ｘ １０−’
ｄｅｇ−’である０ 上述のごとく熱膨張係数が著しく異なるＭｎ −Ｚｎフ
ェライト基板上にＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜を直接
被着させる際には、被着後薄膜の剥離は認められないも
のの、ガラスによる接合工程で基板にクランクあるいは
基板材の結晶粒脱落を生じる。この問題点を解決するた
め本発明で提案するＦｅ −Ｎｉ合金薄膜は前記Ｍｎ−
ＺｎフェライトとＦｅ −Ａｌ−Ｓｉとの中間の熱膨張
係数を有する。Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜はそれ自体磁気回
路の一部を担う。従ってＦｅ−Ａｌ −Ｓｉよシ磁束密
度、耐摩耗性の点で劣ることがら被着させて差し支えな
い厚さには上限が生じる。Ｆｅ −Ａｌ−Ｓｉ膜は単層
あるいは高周波特性の一層の改良のため０．１μｍ程度
の５ｉＣ）ｚ等の絶縁層を介して８Ｍしても良い。上記
上限はＦｅ −Ａｌ−８ｔの全膜厚に対して１／２の厚
さである。さらにＦｅ −Ｎｉ合金薄膜を被着させた効
果を発揮するには最低の膜厚の下限があり０．５μｍ以
上である〇被着ずべきＦｅ −Ｎｉ合金薄膜としては飽
和磁束密度をなるべく大きくするため、組成としては良
く知られているＮｉ７８〜８２ ａｔ％残部Ｆｅよりな
る材料が望ましい。以下に実施例を示す。
Ａｌ−８ｔ合金薄膜を被着する従来の方法に代え、基板
上に適切な熱膨張係数を有するＦｅ −Ｎｉ合金薄膜を
適切な淳ざで被着させ、該Ｆｅ −Ｎｔ合合金膜膜上Ｆ
ｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜を被着することにより問題点
の解決を図るものである０ 本発明に係わる基板材料としてのＭｎ −Ｚｎフェライ
トは、磁束密度のなるべく大きいこと、高周波特性の良
好ｆ！事を考慮するとその組成はほぼ限定され、Ｆｉｌ
！２０３５２〜５６．Ｍｎ０２５〜３５ 、Ｚｎ Ｏ９
〜２３ ｍａｔ％である０該組成範囲で磁界１００ｅに
おける磁束密度は４５００〜５５００Ｇと胤−Ｚｎフェ
ライトとしては大きな値を有する。該組成範囲での熱膨
張係数は室温より５００℃の範囲で測定すると１１０〜
１２０ Ｘ １０１０−７ｄｅ’である〇一方金合金薄
膜材料してのＦｅ −Ａｌ−ＳｉはＦｅ ８２〜９０
ｒＡｌ５〜７．Ｓｉ７〜１１ａｔ％好ましくはＦｅ８３
〜８７ 、 Ａｌ４．５〜６．５ 、 Ｓｔ ８．０〜
１０．５ ａｔ％であり、該組Ｆｖ、範囲で飽和磁束密
度〜ｉｏ、０００ Ｇが得られ、合金薄膜材として高保
磁力記録媒体に対して充分記録可能な大きさである。し
かしながら金属磁性材のため熱膨張係数がＭｎ −Ｚｎ
フェライトより大きく、１４５〜１６０ Ｘ １０−’
ｄｅｇ−’である０ 上述のごとく熱膨張係数が著しく異なるＭｎ −Ｚｎフ
ェライト基板上にＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜を直接
被着させる際には、被着後薄膜の剥離は認められないも
のの、ガラスによる接合工程で基板にクランクあるいは
基板材の結晶粒脱落を生じる。この問題点を解決するた
め本発明で提案するＦｅ −Ｎｉ合金薄膜は前記Ｍｎ−
ＺｎフェライトとＦｅ −Ａｌ−Ｓｉとの中間の熱膨張
係数を有する。Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜はそれ自体磁気回
路の一部を担う。従ってＦｅ−Ａｌ −Ｓｉよシ磁束密
度、耐摩耗性の点で劣ることがら被着させて差し支えな
い厚さには上限が生じる。Ｆｅ −Ａｌ−Ｓｉ膜は単層
あるいは高周波特性の一層の改良のため０．１μｍ程度
の５ｉＣ）ｚ等の絶縁層を介して８Ｍしても良い。上記
上限はＦｅ −Ａｌ−８ｔの全膜厚に対して１／２の厚
さである。さらにＦｅ −Ｎｉ合金薄膜を被着させた効
果を発揮するには最低の膜厚の下限があり０．５μｍ以
上である〇被着ずべきＦｅ −Ｎｉ合金薄膜としては飽
和磁束密度をなるべく大きくするため、組成としては良
く知られているＮｉ７８〜８２ ａｔ％残部Ｆｅよりな
る材料が望ましい。以下に実施例を示す。
第２図は従来の磁気ヘッドの構成を示す概略図であり、
６，６はＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜、９，９がＭｎ
−Ｚｎフェライトである。かかる磁気ヘッドはＭｎ
−Ｚｎフェライトは１型コア９上にＦｅ −Ａｌ−Ｓｉ
合金薄膜６を被着し、他のＣ型コア９上に被着されたＦ
ｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜６の一対を磁気ギャップ７を
介してガラス８，８で接合することにより得られる。参
考例として従来構成による磁気ヘッドを作成した場合の
結果について以下に記す。
６，６はＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜、９，９がＭｎ
−Ｚｎフェライトである。かかる磁気ヘッドはＭｎ
−Ｚｎフェライトは１型コア９上にＦｅ −Ａｌ−Ｓｉ
合金薄膜６を被着し、他のＣ型コア９上に被着されたＦ
ｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜６の一対を磁気ギャップ７を
介してガラス８，８で接合することにより得られる。参
考例として従来構成による磁気ヘッドを作成した場合の
結果について以下に記す。
第１表はＦｅｚＯ３５２，５，Ｍｎ０３０、ＺｎＯ１７
．５ｍｏｔチよりなる熱膨張係数１１５ ｘ １０−’
ｄｅｇ−’（室温より５００℃の値）のＭｎ −Ｚｎ
フェライト基板上にＦｅ８４ 、Ａｌ６ 、 Ｓｔ １
０ａｔ％で熱膨張係数１５６Ｘ１０’ｄｅｌｉ”の合金
薄膜を０．１μｍの厚さのＳｔ ０２層を介して５μｒ
ＩＬ３Ｎ計１５μｍ被着した。該Ｃ，Ｉコア一対を熱膨
張係数の異なるガラスを用いて接合した場合のクラック
およびＭｎ −Ｚｎフェライトの結晶粒脱落の様子を示
す。接合ば１５＋ｅｗの長さのブロック状試料を用いた
ので、２ｔｓ厚さに切断後両端面をダイヤモンド３μｍ
の砥粒を用い研摩した後観察した。
．５ｍｏｔチよりなる熱膨張係数１１５ ｘ １０−’
ｄｅｇ−’（室温より５００℃の値）のＭｎ −Ｚｎ
フェライト基板上にＦｅ８４ 、Ａｌ６ 、 Ｓｔ １
０ａｔ％で熱膨張係数１５６Ｘ１０’ｄｅｌｉ”の合金
薄膜を０．１μｍの厚さのＳｔ ０２層を介して５μｒ
ＩＬ３Ｎ計１５μｍ被着した。該Ｃ，Ｉコア一対を熱膨
張係数の異なるガラスを用いて接合した場合のクラック
およびＭｎ −Ｚｎフェライトの結晶粒脱落の様子を示
す。接合ば１５＋ｅｗの長さのブロック状試料を用いた
ので、２ｔｓ厚さに切断後両端面をダイヤモンド３μｍ
の砥粒を用い研摩した後観察した。
第 １ 表
第１表のごとくガラスとして熱膨張係数１２０×１０”
−’ｄｅｇ−’のものを用いて接合することにより胤−
Ｚｎフェライト基板に発生したクラック１１．１１は防
止出来るがいずれの試料においてもフェライト結晶粒（
１回が平均１０μｍの大きさ）の脱落１０．１０は解消
されない。従って従来の構成では結晶粒の脱落を防止出
来ない事が明白である。
−’ｄｅｇ−’のものを用いて接合することにより胤−
Ｚｎフェライト基板に発生したクラック１１．１１は防
止出来るがいずれの試料においてもフェライト結晶粒（
１回が平均１０μｍの大きさ）の脱落１０．１０は解消
されない。従って従来の構成では結晶粒の脱落を防止出
来ない事が明白である。
第１図は、本発明による磁気ヘッドの構成を示す図で、
５，５のＭｎ −Ｚｎフェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−
３ｔ膜を直接被着せずＦｅ−Ｎｉ合金薄膜２゜２を被着
し該合金膜上にＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜１゜で接
合（７たものである。上述の熱膨張係数１１５×１０”
−’ｄｅｇ ’のＭｎ −Ｚｎフェライト基板上にＮｉ
８０ａｔ％残部Ｆｅより成るＦｅ−Ｎｉ合金薄膜（熱膨
張係数１５７ Ｘ １０−’ｄｅｇ−’ ）を厚さを変
えて被着し、該Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜上に上記Ｆｅ −
Ａｌ−Ｓｉ合合金金０ 、１ ｔｔｍのＳｔ ０２層を
介して５μｆｆｉ５７ｇＩ積層したる後、第１表に示す
１２０ Ｘ １０−’ ｄｅｇ−’の熱膨張係数のガラ
スを用いて接合した。該ブロックを切断。
５，５のＭｎ −Ｚｎフェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−
３ｔ膜を直接被着せずＦｅ−Ｎｉ合金薄膜２゜２を被着
し該合金膜上にＦｅ −Ａｌ −Ｓｉ合金薄膜１゜で接
合（７たものである。上述の熱膨張係数１１５×１０”
−’ｄｅｇ ’のＭｎ −Ｚｎフェライト基板上にＮｉ
８０ａｔ％残部Ｆｅより成るＦｅ−Ｎｉ合金薄膜（熱膨
張係数１５７ Ｘ １０−’ｄｅｇ−’ ）を厚さを変
えて被着し、該Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜上に上記Ｆｅ −
Ａｌ−Ｓｉ合合金金０ 、１ ｔｔｍのＳｔ ０２層を
介して５μｆｆｉ５７ｇＩ積層したる後、第１表に示す
１２０ Ｘ １０−’ ｄｅｇ−’の熱膨張係数のガラ
スを用いて接合した。該ブロックを切断。
研摩した後の状態を第２表に示す。
第 ２ 表
第２表に示すごとく、結晶粒脱落は０．５μｍ以上のＦ
ｅ −Ｎｉ合金薄膜を被着させた場合に効果を発揮する
。しかし、前述のごとく磁気特性、耐摩耗性の関係から
Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜の厚さはＦｅ −Ａｌ−Ｓｉのぞ
れに比べ１／２以下に留めるのが望ましい。なお、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜の組成としてＦｅ８３〜８７
、Ａｌ４．５〜６．５ 、Ｓｔ ８．０〜１０．５ａｔ
％の熱膨張係数は、１５０〜１６０Ｘ １０−’ｄｅｇ
−’であり、フェライト基板上に被着されるべきＦｅ
−Ｎｉ合金薄膜としてＮｉ７８〜８２ａｔ％残部Ｆｅよ
りなる組成の熱膨張係数は１３５〜１５０ Ｘ １０−
’ｄｅｇ−’の範囲であり、これらいずれの範囲内でも
同様の効を有する。
ｅ −Ｎｉ合金薄膜を被着させた場合に効果を発揮する
。しかし、前述のごとく磁気特性、耐摩耗性の関係から
Ｆｅ −Ｎｉ合金薄膜の厚さはＦｅ −Ａｌ−Ｓｉのぞ
れに比べ１／２以下に留めるのが望ましい。なお、Ｆｅ
−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜の組成としてＦｅ８３〜８７
、Ａｌ４．５〜６．５ 、Ｓｔ ８．０〜１０．５ａｔ
％の熱膨張係数は、１５０〜１６０Ｘ １０−’ｄｅｇ
−’であり、フェライト基板上に被着されるべきＦｅ
−Ｎｉ合金薄膜としてＮｉ７８〜８２ａｔ％残部Ｆｅよ
りなる組成の熱膨張係数は１３５〜１５０ Ｘ １０−
’ｄｅｇ−’の範囲であり、これらいずれの範囲内でも
同様の効を有する。
なおＦｅ−Ｎｉ合金薄膜としてＮｉ７８−８２ ａｔ％
残部Ｆｅについて述べたがＦｅ −Ｎｉ合金の磁気特性
を向上させたＮｉ７９ ｒ Ｍｏ ５ ｒ Ｆｅ １５
ｒ ）Ｖｌｎ Ｏ，５ａ ｔ％のスーバーマロイと称
される合金薄膜についても同様である□ ４、発明の効果 以上述べた様に本発明による複合型磁気ヘッドはガラス
接合において基板のクラック、結晶粒脱落のない充分実
用に供し得る磁気ヘッドを得るに効果が著しく、工業的
実用価値大である。
残部Ｆｅについて述べたがＦｅ −Ｎｉ合金の磁気特性
を向上させたＮｉ７９ ｒ Ｍｏ ５ ｒ Ｆｅ １５
ｒ ）Ｖｌｎ Ｏ，５ａ ｔ％のスーバーマロイと称
される合金薄膜についても同様である□ ４、発明の効果 以上述べた様に本発明による複合型磁気ヘッドはガラス
接合において基板のクラック、結晶粒脱落のない充分実
用に供し得る磁気ヘッドを得るに効果が著しく、工業的
実用価値大である。
第１図は本発明の磁気ヘッド、第２図は従来の磁気ヘッ
ドの概観図を示す０５，５，９．９は胤＝Ｚｎフェライ
ト基板、ｉ、１，６．６はＦｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜
、２，２はＦｅ −Ｎｉ合金薄膜、１０゜Ｙ／面 Ｙ２回
ドの概観図を示す０５，５，９．９は胤＝Ｚｎフェライ
ト基板、ｉ、１，６．６はＦｅ −Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜
、２，２はＦｅ −Ｎｉ合金薄膜、１０゜Ｙ／面 Ｙ２回
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合
金薄膜を被着させガラスで接合して成る磁気ヘッドにお
いて該基板とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金薄膜との中間にＦｅ
−Ｎｉ合金薄膜を０．５μｍ以上でかつＦｅ−Ａｌ−Ｓ
ｉ合金薄膜の全厚さの１／２以下被着させた事を特徴と
する磁気ヘッド。 ２）特許請求範囲第１項においてＦｅ＿２Ｏ＿３５２〜
５６、ＭｎＯ２５〜３５、ＺｎＯ９〜２３ｍｏｌ％、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉの組成Ｆｅ８３〜８７、Ａｌ４．５〜６
．５、Ｓｉ８．０〜１０．５ａｔ％、Ｆｅ−Ｎｉの組成
Ｎｉ７８〜８２ａｔ％で熱膨張係数がＭｎ−Ｚｎフェラ
イト１１０〜１２０×１０＾−＾７ｄｅｇ＾−＾１、Ｆ
ｅ−Ａｌ−Ｓｉ１４５〜１６０×１０＾−＾７ｄｅｇ＾
−＾１、Ｆｅ−Ｎｉで１３５〜１５０×１０＾−＾７ｄ
ｅｇ＾−＾１である事を特徴とする特許請求範囲第１項
に記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26567885A JPS62125512A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 複合型磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26567885A JPS62125512A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 複合型磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62125512A true JPS62125512A (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=17420478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26567885A Pending JPS62125512A (ja) | 1985-11-26 | 1985-11-26 | 複合型磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62125512A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332709A (ja) * | 1986-05-21 | 1988-02-12 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気変換ヘッド |
| JPH02146103A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 複合磁気ヘッド及びその製造方法 |
| EP0379248A2 (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of producing a magnetic head as well as a magnetic head produceable in accordance with the method |
| JPH02220210A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-26 JP JP26567885A patent/JPS62125512A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332709A (ja) * | 1986-05-21 | 1988-02-12 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気変換ヘッド |
| JPH02146103A (ja) * | 1988-11-28 | 1990-06-05 | Mitsumi Electric Co Ltd | 複合磁気ヘッド及びその製造方法 |
| EP0379248A2 (en) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of producing a magnetic head as well as a magnetic head produceable in accordance with the method |
| EP0379248A3 (en) * | 1989-01-18 | 1991-11-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A method of producing a magnetic head as well as a magnetic head produceable in accordance with the method |
| JPH02220210A (ja) * | 1989-02-20 | 1990-09-03 | Nec Kansai Ltd | 磁気ヘッドの製造方法 |
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