JPH0214551A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置に関するものであり、特に、ウェ
ハにダイシングを実施することによって得たＩＣチップ
と、該ＩＣチップを封止するモールド樹脂と、を備えた
半導体装置に関するものである。

［従来の技術］ 第４図は、従来の半導体装置の構造の断面図である。図
において、１はダイパッドであり、ダイパッド１の上に
ＩＣ（集積回路）チップ２がボンディングされている。

ＩＣチップ２は、外部リードフレーム３と内部リード線
４で電気的接続されている。そして、これらはモールド
樹脂５（プラスチックパッケージともいわれる）で、直
接、固められている。

第５図は、上述の半導体装置の部分拡大図である。図よ
り明らかなように、従来のこの種のタイプの半導体装置
では、ＩＣチップ２の側壁部分２ａは凹凸を多く含み、
その表面積が大きくなっていた。この凹凸ができる理由
を明らかにするために、以下に、この半導体装置の従来
の組立フローを説明する。

第６Ａ図ないし第６Ｃ図は、従来の半導体装置の組立フ
ローを断面図で表わしたものである。第６Ａ図を参照し
て、ＩＣチップ２を多数含むウェハ６を準備する。図中
、参照符号７で示した部分は、ＩＣチップ２をウェハ６
から切り出す場合の切りしろを示している。この切りし
ろ７に、切り離しく以下、ダイシングという）を行なう
ためのダイサの刃８を当てかう。次いで、ダイサの刃８
を回転させながら、切りしろ７に対してダイシングを実
施する。このときに、第６Ｂ図を参照して、ＩＣチップ
２の側壁部分２ａに、多数の凹凸が形成される。

次いで、第６Ｃ図を参照して、側壁部分２ａに多数の凹
凸が形成された、このＩＣチップ２をダイパッド１の上
にボンディングする。次いで、第４図を参照して、外部
リードフレーム３とＩＣチップ２を内部リード線４を使
って接続し、これらをモールド樹脂５に封入すると、半
導体装置が得られる。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の半導体装置は、以上のようにして組立てられるの
で、第５図を参照して、内部のＩＣチップ２の側壁部分
２ａは凹凸を多く含み、その総表面積が大きくなってい
る。それゆえに、モールド樹脂５と接触する部分が多く
なる。そのため、モールド樹脂５へ封入した後に発生す
る、モールド樹脂の収縮応力の縁応力９が、ＩＣチップ
２の側壁部分２ａに非常に大きく加わることとなる。そ
の結果、収縮応力９がＩＣチップ２の内部のデバイス領
域にまで作用し、ＰＮ接合等に異常な歪を与え、最終的
に電気的不良を引き起こす原因になっているという問題
点があった。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、モールド樹脂の収縮応力がＩＣチップに加わ
りにくい構造のものであり、結果的に電気的不良を起こ
しにくく構成された、半導体装置を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係る半導体装置は、ウェハにダイシングを実
施することによって得たＩＣチップと、該ＩＣチップを
封止するモールド樹脂と、を備え、上記ＩＣチップの側
壁部分が鏡面状に研摩されてなるものである。

［作用］ ＩＣチップの側壁部分を鏡面状に研摩しているので、側
壁部分は凹凸を含まなくなる。そのため、モールド樹脂
との接触部分が少なくなり、モールド樹脂の収縮応力が
側壁部分に加わりにくくなる。

その結果、ＩＣチップへ加わる縁応力は減少する。

［実施例］ 以下、この発明の一実施例を図について説明する。

第１図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の構造の
断面図である。図において、１はダイパッドであり、ダ
イパッド１の上にＩＣ（集積回路）チップ２がボンディ
ングされている。ＩＣチップ２は、外部リードフレーム
３と内部リード線４で電気的接続されている。そして、
これらは、モールド樹脂５で、直接、固められている。

第２図は、上述の半導体装置の部分拡大図である。図よ
り明らかなように、実施例に係る半導体装置では、ＩＣ
チップ２の側壁２ａは鏡面状に研摩されており、凹凸を
含まない。それゆえ、その総表面積は、従来のものに比
べて、小さくなっている。

次に、実施例に係る半導体装置の組立フローについて説
明する。

第３Ａ図〜第３Ｃ図は、実施例に係る半導体装置の組立
フローを断面図で表わしたものである。

第３Ａ図を参照して、ＩＣチップ２を多数含むウェハ６
を準備する。図中、参照符号７で示した部分は、ＩＣチ
ップ２をウェハ６から切り出す場合の切りしろを示して
いる。切りしろ７に、ダイシングを実施するためのダイ
サの刃８を当てかう。

次いで、ダイサの刃８を回転させながら、切りしろ７に
対してダイシングを実施する。このときに、ＩＣチップ
２の側壁２ａには、多数の凹凸が形成される。

次いで、第３Ｂ図を参照して、ＩＣチップ２の側壁部分
２ａを研摩し、鏡面状に仕上げる。

次いで、第３Ｃ図を参照して、このように側壁部分２ａ
が鏡面仕上げされたＩＣチップ２を、ダイパッド１の上
にボンディングする。

次いで、第１図を参照して、外部リードフレーム３とＩ
Ｃチップ２を内部リード線４を使って接続し、モールド
樹脂５に封入すると、半導体装置が得られる。

このようにして製造された半導体装置において、ＩＣチ
ップ２の側壁部分２ａは鏡面状に研摩されているので、
その側壁部分２ａには凹凸があまりない。そのためモー
ルド樹脂５との接触部分が少なくなり、モールド樹脂５
の収縮応力が側壁部分２ａに加わりにくくなる。その結
果、内部のＰＮ接合の歪を発生させることが少なくなり
、ひいては電気的不良等の発生も少なくなる。

以上、具体的な実施例を上げて、この発明の半導体装置
について説明したが、本発明は、その精神または主要な
特徴から逸脱することなく、他の色々な形で実施するこ
とができる。それゆえ、前述の実施例はあらゆる点で単
なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発
明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって
、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求
の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、すべて本発明
の範囲内のものである。

［発明の効果］ 以上説明したとおり、この発明によれば、ＩＣチップの
側壁部分を鏡面状に研摩しているので、その側壁部分に
は凹凸があまりない。そのため、モールド樹脂との接触
部分が少なくなり、モールド樹脂の収縮応力が側壁部分
に加わりにくくなっている。その結果、ＩＣチップへ加
わる総応力は減少し、内部のＰＮ接合の歪を発生させる
ことが少なくなり、電気的不良等の発生も少なくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の断面図であ
る。第２図は、実施例に係る半導体装置の部分拡大図で
ある。第３Ａ図、第３Ｂ図および第３Ｃ図は、実施例に
係る半導体装置の組立フローを断面図で表わしたもので
ある。第４図は従来の半導体装置の断面図である。第５
図は従来の半導体装置の部分拡大断面図である。第６Ａ
図、第６Ｂ図および第６Ｃ図は従来の半導体装置の組立
フローを断面図で表わしたものである。 図において、２はＩＣチップ、２ａはＩＣチップの側壁
部分、５はモールド樹脂、６はウェハである。 なお、 各図中、 同一符号は同一または相当部分 を示す。 代 理 人 大音 増 雄 第 ３Ｂ図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ウェハにダイシングを実施することによって得たＩＣチ
   ップと、 前記ＩＣチップを封止するモールド樹脂と、を備え、 前記ＩＣチップの側壁部分が鏡面状に研摩されてなる、
   半導体装置。