JPH02143439A - リード接続構造 - Google Patents
リード接続構造Info
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- JPH02143439A JPH02143439A JP63296016A JP29601688A JPH02143439A JP H02143439 A JPH02143439 A JP H02143439A JP 63296016 A JP63296016 A JP 63296016A JP 29601688 A JP29601688 A JP 29601688A JP H02143439 A JPH02143439 A JP H02143439A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔４既要〕
タブ（ＴＡＢ）方式と呼ばれている半導体装置に於ける
リード接続構造の改良に関し、タブ方式に依るリード接
続構造のリードとバンプとを広い面積で接合することを
可能にし、その機械的強度を大にして、信頼性を向上す
ることを目的とし、 半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部が表出
された配線と、該配線上に形成され且つ前記絶縁膜など
の段差に起因する凹所が表面に生成されているバンプと
、該凹所を埋める肥厚部分を有する導電性リード被覆膜
で覆われたリード線からなっていて前記バンプの表面に
接合されたリード或いは該凹所を埋める形状に予め押圧
整形されて前記バンプの表面に接合されたリードとを備
えてなるよう構成される。
リード接続構造の改良に関し、タブ方式に依るリード接
続構造のリードとバンプとを広い面積で接合することを
可能にし、その機械的強度を大にして、信頼性を向上す
ることを目的とし、 半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部が表出
された配線と、該配線上に形成され且つ前記絶縁膜など
の段差に起因する凹所が表面に生成されているバンプと
、該凹所を埋める肥厚部分を有する導電性リード被覆膜
で覆われたリード線からなっていて前記バンプの表面に
接合されたリード或いは該凹所を埋める形状に予め押圧
整形されて前記バンプの表面に接合されたリードとを備
えてなるよう構成される。
本発明は、タブ（ＴＡＢ）方式と呼ばれている半導体装
置に於けるリード接続構造の改良に関する。
置に於けるリード接続構造の改良に関する。
近年の半導体装置は著しく高集積化されつつあるが、そ
れに伴い、実装もパンケージ方式からタブ方式に移行し
つつある。
れに伴い、実装もパンケージ方式からタブ方式に移行し
つつある。
然しなから、タブ方式に依るリード接続構造はバ・７ケ
一ジ方式に比較して機械的強度が劣っている為、その辺
の問題を解消しなければならない。
一ジ方式に比較して機械的強度が劣っている為、その辺
の問題を解消しなければならない。
第４図はタブ方式に依る従来のリード接続構造を説明す
る為の要部切断側面図を表している（要すれば、米国特
許明細書第４，０６９，４９６号を参照）。
る為の要部切断側面図を表している（要すれば、米国特
許明細書第４，０６９，４９６号を参照）。
図に於いて、１は例えばアルミニウム（Ａｆ）からなる
配線、２はリン珪酸ガラス（ｐ ｈ ｏ ｓ ｐｈｏｓ
ｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：ＰＳＧ）からなるカバ
ー膜、３はポリイミド膜、４はチタン（Ｔ ｉ ）或い
は白金（ｐＨなどからなるバリヤ・メタル膜、５は金（
Ａｕ）からなるバンプ、５Ａは凹所、６は５Ｒ（ｃｕ）
からなるリード線、７は錫（Ｓｎ）からなるリード被覆
膜、Ｌはリード線６並びにリード被覆膜７からなるリー
ドをそれぞれ示している。
配線、２はリン珪酸ガラス（ｐ ｈ ｏ ｓ ｐｈｏｓ
ｉｌｉｃａｔｅ ｇｌａｓｓ：ＰＳＧ）からなるカバ
ー膜、３はポリイミド膜、４はチタン（Ｔ ｉ ）或い
は白金（ｐＨなどからなるバリヤ・メタル膜、５は金（
Ａｕ）からなるバンプ、５Ａは凹所、６は５Ｒ（ｃｕ）
からなるリード線、７は錫（Ｓｎ）からなるリード被覆
膜、Ｌはリード線６並びにリード被覆膜７からなるリー
ドをそれぞれ示している。
このリード接続構造では、Ｃｕからなるリード線６及び
それを覆うＳｎからなるリード被覆膜７で構成されたリ
ードＬをＡｕからなるバンプ５に温度を例えば４００（
’Ｃ）として熱圧着し、ＳｎとＡｕとを共晶させること
で接合するものである。
それを覆うＳｎからなるリード被覆膜７で構成されたリ
ードＬをＡｕからなるバンプ５に温度を例えば４００（
’Ｃ）として熱圧着し、ＳｎとＡｕとを共晶させること
で接合するものである。
第４図から明らかなように、このリード接続構造では、
カバー膜２やポリイミド膜３の存在で、約２〜５ 〔μ
ｍ〕程度の段差が発生し、その段差形状がバリヤ・メタ
ル膜４及びバンプ５にそのまま現れる。
カバー膜２やポリイミド膜３の存在で、約２〜５ 〔μ
ｍ〕程度の段差が発生し、その段差形状がバリヤ・メタ
ル膜４及びバンプ５にそのまま現れる。
従って、リード線６及びリード被覆膜７からなるリード
Ｌをバンプ５に熱圧着した場合、接合されるのはり一部
Ｌのエツジ部分とバンプ５のエツジ部分のみであって、
その中央部分では接合が行われず、その接合面積は全体
からすると大変に少なく、剥離し易いものとなっている
。
Ｌをバンプ５に熱圧着した場合、接合されるのはり一部
Ｌのエツジ部分とバンプ５のエツジ部分のみであって、
その中央部分では接合が行われず、その接合面積は全体
からすると大変に少なく、剥離し易いものとなっている
。
本発明は、タブ方式に依るリード接続構造のリードとバ
ンプとを広い面積で接合することを可能にし、その機械
的強度を大にして、信軌性を向上しようとする。
ンプとを広い面積で接合することを可能にし、その機械
的強度を大にして、信軌性を向上しようとする。
本発明に依るリード接続構造に於いては、＋１１ 半
導体基板上の絶縁膜（例えばカバー膜２、ポリイミド膜
３など）に形成された開口内に一部が表出された配線（
例えば配６ｍ ｌ ）と、該配線上に形成され且つ前記
絶縁膜などの段差に起因する凹所（例えば凹所５Ａ）が
表面に生成されているバンプ（例えばバンプ５）と、該
凹所を埋める肥厚部分（例えば肥厚部分？Ａ）を有する
導電性リード被覆膜（例えば導電性リード被覆膜７）で
覆われたリード線（例えばリード線６）からなっていて
前記バンプの表面に接合されたリード（例えばリードし
）とを備えているか、或いは、 （２）半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部
が表出された配線と、該配線上に形成され且つ前記絶縁
膜などの段差に起因する凹所が表面に生成されているバ
ンプと、該凹所を埋める形状（例えば突出部分６Ａ）に
予め押圧整形して前記バンプの表面に接合されたリード
とを備えている。
導体基板上の絶縁膜（例えばカバー膜２、ポリイミド膜
３など）に形成された開口内に一部が表出された配線（
例えば配６ｍ ｌ ）と、該配線上に形成され且つ前記
絶縁膜などの段差に起因する凹所（例えば凹所５Ａ）が
表面に生成されているバンプ（例えばバンプ５）と、該
凹所を埋める肥厚部分（例えば肥厚部分？Ａ）を有する
導電性リード被覆膜（例えば導電性リード被覆膜７）で
覆われたリード線（例えばリード線６）からなっていて
前記バンプの表面に接合されたリード（例えばリードし
）とを備えているか、或いは、 （２）半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部
が表出された配線と、該配線上に形成され且つ前記絶縁
膜などの段差に起因する凹所が表面に生成されているバ
ンプと、該凹所を埋める形状（例えば突出部分６Ａ）に
予め押圧整形して前記バンプの表面に接合されたリード
とを備えている。
前記手段を採ることに依り、バンプにリードを熱圧着し
た際には、広い面積、即ち、それ等のエツジは勿論のこ
と、中央部分にまで共晶部分が生成され、機械的強度が
高いリード接合構造が実現される。
た際には、広い面積、即ち、それ等のエツジは勿論のこ
と、中央部分にまで共晶部分が生成され、機械的強度が
高いリード接合構造が実現される。
第１図はリードとバンプとが接合されていない状態の本
発明一実施例を説明する為の要部切断側面図、また、第
２図はリードとバンプとが接合された状態の本発明一実
施例を説明する為の要部切断側面図を表し、第４図に於
いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意
味を持つものとする。
発明一実施例を説明する為の要部切断側面図、また、第
２図はリードとバンプとが接合された状態の本発明一実
施例を説明する為の要部切断側面図を表し、第４図に於
いて用いた記号と同記号は同部分を示すか或いは同じ意
味を持つものとする。
本実施例に於いては、第１図に示しであるように、リー
ドしに於けるＳｎからなるリード被覆膜７に於けるバン
プ５との接合側にＳｎを選択的に鍍金して肥厚部分７Ａ
を形成し、このようなり−ドＬをバンプ５と熱圧着する
と、第２図に示しであるように、段差が転写された形状
の凹凸を有するバンプ５にリードＬの肥厚部分７Ａが馴
染んだ形状で接合される為、リードＬ及びバンプ５のエ
ツジ部分では勿論のこと、それ等の中央部分に於いても
ＳｎとＡｕの共晶が生成され、機械的強度は向上する。
ドしに於けるＳｎからなるリード被覆膜７に於けるバン
プ５との接合側にＳｎを選択的に鍍金して肥厚部分７Ａ
を形成し、このようなり−ドＬをバンプ５と熱圧着する
と、第２図に示しであるように、段差が転写された形状
の凹凸を有するバンプ５にリードＬの肥厚部分７Ａが馴
染んだ形状で接合される為、リードＬ及びバンプ５のエ
ツジ部分では勿論のこと、それ等の中央部分に於いても
ＳｎとＡｕの共晶が生成され、機械的強度は向上する。
図示例に於ける主要データを例示すると次の通りである
。
。
Ａｌｌ純綿１厚さ：８０００ （人〕ＰＳＧカバー膜
２の厚さ：１（μｍ） ポリイミド膜３の厚さ：２〔μｍ〕 Ｔｉ或いはｐｔからなるバリヤ・メタル膜の厚さ：１
〔μｍ〕 Ａｕからなるバンプ５の厚さ：２５ 〔μｍ〕！！１＝
１２０ （μｍ〕 Ｎ２＝１１０（、ｌｊｍ） Ｉｌ ３＝１１０（、ｃｚｍ） １４＝９０ （μｍ〕 である。
２の厚さ：１（μｍ） ポリイミド膜３の厚さ：２〔μｍ〕 Ｔｉ或いはｐｔからなるバリヤ・メタル膜の厚さ：１
〔μｍ〕 Ａｕからなるバンプ５の厚さ：２５ 〔μｍ〕！！１＝
１２０ （μｍ〕 Ｎ２＝１１０（、ｌｊｍ） Ｉｌ ３＝１１０（、ｃｚｍ） １４＝９０ （μｍ〕 である。
第３図は他の実施例を説明する為のり一部Ｌの要部切断
側面図を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
側面図を表し、第１図及び第２図に於いて用いた記号と
同記号は同部分を示すか或いは同じ意味を持つものとす
る。
第３図に見られる実施例が第１図及び第２図について説
明した実施例と相違する点は、リードしのリード被覆膜
７には肥厚部分がなく、その代わり、機械プレス加工に
依って、中央部分がバンプ５の凹凸に馴染むように押圧
整形されて突出部分６Ａをなしていることである。
明した実施例と相違する点は、リードしのリード被覆膜
７には肥厚部分がなく、その代わり、機械プレス加工に
依って、中央部分がバンプ５の凹凸に馴染むように押圧
整形されて突出部分６Ａをなしていることである。
この実施例に於いても、リードＬとバンプ５とを熱圧着
した場合、ＳｎとＡｕとの共晶部分の面積が中央部分に
まで拡がり、第１図及び第２図について説明した実施例
と同じ効果が得られることは云うまでもない。
した場合、ＳｎとＡｕとの共晶部分の面積が中央部分に
まで拡がり、第１図及び第２図について説明した実施例
と同じ効果が得られることは云うまでもない。
本発明に依るリード接続構造に於いては、配線上に形成
され且つ絶縁膜などの段差に起因する凹所が表面に生成
されているバンプと、該凹所を埋める肥厚部分を有する
導電性リード被覆膜で覆われたリード線からなっていて
前記ハンプの表面に接合されたリード或いは該凹所を埋
める形状に予め押圧整形されて前記バンプの表面に接合
されたリードとを備えている。
され且つ絶縁膜などの段差に起因する凹所が表面に生成
されているバンプと、該凹所を埋める肥厚部分を有する
導電性リード被覆膜で覆われたリード線からなっていて
前記ハンプの表面に接合されたリード或いは該凹所を埋
める形状に予め押圧整形されて前記バンプの表面に接合
されたリードとを備えている。
前記構成を採ることに依り、バンプとリードとは広い面
積に亙って接合され、その接合強度は高くなるので剥離
は生じ難くなり、製造歩留り及び信顛性は向上する。
積に亙って接合され、その接合強度は高くなるので剥離
は生じ難くなり、製造歩留り及び信顛性は向上する。
第１図はリードとバンプとが接合されていない状態の本
発明一実施例を説明する為の要部切断側面図、第２図は
リードとバンプとが接合された状態の本発明一実施例を
説明する為の要部切断側面図、第３図は他の実施例を説
明する為のリードＬの要部切断側面図、第４図はタブ方
式に依る従来のリード接続構造を説明する為の要部切断
側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は例えばＡｌからなる配線、２はＰＳＧ
からなるカバー膜、３はポリイミド膜、４はＴｉ或いは
ｐｔなどからなるバリヤ・メタル膜、５はＡｕからなる
バンプ、５Ａは凹所、６はＣｕからなるリード線、７は
Ｓｎからなるリード被覆膜、Ｌはリード線６並びにリー
ド被覆膜７からなるリードをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第２図
発明一実施例を説明する為の要部切断側面図、第２図は
リードとバンプとが接合された状態の本発明一実施例を
説明する為の要部切断側面図、第３図は他の実施例を説
明する為のリードＬの要部切断側面図、第４図はタブ方
式に依る従来のリード接続構造を説明する為の要部切断
側面図をそれぞれ表している。 図に於いて、１は例えばＡｌからなる配線、２はＰＳＧ
からなるカバー膜、３はポリイミド膜、４はＴｉ或いは
ｐｔなどからなるバリヤ・メタル膜、５はＡｕからなる
バンプ、５Ａは凹所、６はＣｕからなるリード線、７は
Ｓｎからなるリード被覆膜、Ｌはリード線６並びにリー
ド被覆膜７からなるリードをそれぞれ示している。 特許出願人 富士通株式会社 代理人弁理士 相 谷 昭 司 代理人弁理士 渡 邊 弘 − 第２図
Claims (2)
- （１）半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部
が表出された配線と、 該配線上に形成され且つ前記絶縁膜などの段差に起因す
る凹所が表面に生成されているバンプと、 該凹所を埋める肥厚部分を有する導電性リード被覆膜で
覆われたリード線からなっていて前記バンプの表面に接
合されたリードと を備えてなることを特徴とするリード接続構造。 - （２）半導体基板上の絶縁膜に形成された開口内に一部
が表出された配線と、 該配線上に形成され且つ前記絶縁膜などの段差に起因す
る凹所が表面に生成されているバンプと、 該凹所を埋める形状に予め押圧整形されて前記バンプの
表面に接合されたリードと を備えてなることを特徴とするリード接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296016A JPH02143439A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | リード接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296016A JPH02143439A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | リード接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02143439A true JPH02143439A (ja) | 1990-06-01 |
Family
ID=17828028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296016A Pending JPH02143439A (ja) | 1988-11-25 | 1988-11-25 | リード接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02143439A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160015841A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
-
1988
- 1988-11-25 JP JP63296016A patent/JPH02143439A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160015841A (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-15 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 |
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