JPH02141415A - 高シリカ型ゼオライトの製造方法 - Google Patents
高シリカ型ゼオライトの製造方法Info
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- JPH02141415A JPH02141415A JP29470788A JP29470788A JPH02141415A JP H02141415 A JPH02141415 A JP H02141415A JP 29470788 A JP29470788 A JP 29470788A JP 29470788 A JP29470788 A JP 29470788A JP H02141415 A JPH02141415 A JP H02141415A
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Landscapes
- Silicates, Zeolites, And Molecular Sieves (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野]
本発明は、シリカライト等の高シリカ型ゼオライトの製
造方法に関する。このようなゼオライトは触媒あるいは
吸着剤等として有用である。
造方法に関する。このようなゼオライトは触媒あるいは
吸着剤等として有用である。
[従来の技術]
シリカライトやZSH−5等の高シリカ型ゼオライトは
、シリカを第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム
塩等の有機テンプレートの存在下、アルカリ及び水と共
に水熱合成を行なうことによって得られる。シリカライ
トについては特開昭62−38.241号公報、アメリ
カ特許第4,061,724号公報及びネイチャー、第
280巻、664〜665頁等で開示されている。ZS
M−5については、アメリカ特許第3,702,886
号等で開示されている。
、シリカを第四級アンモニウム塩、第四級ホスホニウム
塩等の有機テンプレートの存在下、アルカリ及び水と共
に水熱合成を行なうことによって得られる。シリカライ
トについては特開昭62−38.241号公報、アメリ
カ特許第4,061,724号公報及びネイチャー、第
280巻、664〜665頁等で開示されている。ZS
M−5については、アメリカ特許第3,702,886
号等で開示されている。
このような高シリカ型のゼオライトは、シリカまたはシ
リカと少量のアルミナからなる水和ゲルを原料とし、テ
ンプレートとしての有機塩基及び無機塩基の存在下、1
00〜200℃の条件で、1〜4日間水熱合成を行ない
、結晶化させることによって製造される。通常、このよ
うにして得られたゼオライトの結晶粒径は数ρないし数
10/Jと比較的小さい。結晶粒径は、合成温度、攪拌
や水の量の調整、種結晶の添加等によって制御すること
ができるが、効率良く製造するためには限度がある。
リカと少量のアルミナからなる水和ゲルを原料とし、テ
ンプレートとしての有機塩基及び無機塩基の存在下、1
00〜200℃の条件で、1〜4日間水熱合成を行ない
、結晶化させることによって製造される。通常、このよ
うにして得られたゼオライトの結晶粒径は数ρないし数
10/Jと比較的小さい。結晶粒径は、合成温度、攪拌
や水の量の調整、種結晶の添加等によって制御すること
ができるが、効率良く製造するためには限度がある。
ところで、結晶粒径が触媒としての活性あるいは選択性
に大きな影響を及ぼずことはよく知られていることであ
り、用途によっては大きな粒径のゼオライトが要求され
ることが多い。
に大きな影響を及ぼずことはよく知られていることであ
り、用途によっては大きな粒径のゼオライトが要求され
ることが多い。
[発明が解決しようとする課題]
本発明は、100μs前後と比較的結晶粒径の大きな高
シリカ型のゼオライトを効率良く製造することを目的と
する。
シリカ型のゼオライトを効率良く製造することを目的と
する。
[課題を解決するための手段]
本発明は、珪酸テトラアルキルエステルを有機テンプレ
ートの存在下に加水分解してゲル化させ、乾燥して得ら
れたシリカを原料とし、アルカリ及び水の存在下、水熱
合成を行なって高シリカ型ゼオライトを製造する方法で
ある。
ートの存在下に加水分解してゲル化させ、乾燥して得ら
れたシリカを原料とし、アルカリ及び水の存在下、水熱
合成を行なって高シリカ型ゼオライトを製造する方法で
ある。
珪酸テトラアルキルニスデルとしては、珪酸テトラメチ
ルエステル、珪酸テトラエチルエステル等任意のものを
使用することができる。
ルエステル、珪酸テトラエチルエステル等任意のものを
使用することができる。
有機デンプレートとしては、ジメチルアミン等のアミン
、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム等の水酸化テトラアルキルアンモニウ
ム又はその臭化水素酸塩等の塩、第四級ホスホニウム化
合物、ジメチル尿素等の尿素化合物、ラクトンアミド等
のアミド化合物等の公知の有機デンプレートが使用でき
るが、好ましくは水酸化テトラアルキルアンモニウム又
はその塩である。
、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブ
チルアンモニウム等の水酸化テトラアルキルアンモニウ
ム又はその臭化水素酸塩等の塩、第四級ホスホニウム化
合物、ジメチル尿素等の尿素化合物、ラクトンアミド等
のアミド化合物等の公知の有機デンプレートが使用でき
るが、好ましくは水酸化テトラアルキルアンモニウム又
はその塩である。
珪酸テ1〜ルアルキルエステルの加水分解は、塩酸等の
酸又はアンモニア等の塩基を加える公知の方法によって
行なうことができるが、この際に有機テンプレートを存
在させることが重要である。
酸又はアンモニア等の塩基を加える公知の方法によって
行なうことができるが、この際に有機テンプレートを存
在させることが重要である。
有機テンブレー1〜を存在させることにより、生成した
シリカゲル中にこれが取り込まれる。そして、このシリ
カを原料として使用することにより、比較的結晶粒径の
大きいしかも粒径の揃った高シリカ型しオライドを得る
ことが可能となる。
シリカゲル中にこれが取り込まれる。そして、このシリ
カを原料として使用することにより、比較的結晶粒径の
大きいしかも粒径の揃った高シリカ型しオライドを得る
ことが可能となる。
加水分解の条件は任意であるが、例えば珪酸テトラアル
キルエステル1モルに対し、水1〜20モル、モノアル
コール0〜10モル、テ1〜ラプロピルアンモニウムブ
ロマイド等の有機テンプレート0.1〜2モル及び酸又
は塩基0.02〜1モルを添加し、60℃前後で行なう
方法がある。ゲル化が終了した後は、乾燥を行なってエ
ヂルアルコール等のアルコール及び水の一部又は全部を
除去するが、ここで水を完全に除去する必要はない。
キルエステル1モルに対し、水1〜20モル、モノアル
コール0〜10モル、テ1〜ラプロピルアンモニウムブ
ロマイド等の有機テンプレート0.1〜2モル及び酸又
は塩基0.02〜1モルを添加し、60℃前後で行なう
方法がある。ゲル化が終了した後は、乾燥を行なってエ
ヂルアルコール等のアルコール及び水の一部又は全部を
除去するが、ここで水を完全に除去する必要はない。
乾燥は常圧又は減圧下、30〜60℃程度で行なうこと
が好ましい。
が好ましい。
水熱台或は、高シリカ型ゼオライトを製造する公知の条
件で行なうことができる。ここで、本発明でいう高シリ
カ型ゼオライトは、シリカ対アルミナの比が5:1より
大ぎいアルミノリケ−1〜又はシリカライトであり、例
えばZS)l−5、ZSM−11、ZSH−12、ZS
)f−23、ZSH−35、ZSH−38、ZSM−4
8、シリカライト■及びシリカライト■等が挙げられる
が、好適にはシリカライト■又はシリカライt−nであ
る。
件で行なうことができる。ここで、本発明でいう高シリ
カ型ゼオライトは、シリカ対アルミナの比が5:1より
大ぎいアルミノリケ−1〜又はシリカライトであり、例
えばZS)l−5、ZSM−11、ZSH−12、ZS
)f−23、ZSH−35、ZSH−38、ZSM−4
8、シリカライト■及びシリカライト■等が挙げられる
が、好適にはシリカライト■又はシリカライt−nであ
る。
原料のシリカとアルカリ及び水の割合の一例を示せば、
シリカ1gに対して水10g、水酸化ナトリウム1g、
NaCρ1g程度である。有機テンプレートはシリカ1
gに対して0.1〜2g程度原料シリカ中に含まれてい
るので、特に添加する必要はないが、必要により少檄添
加してもよい。
シリカ1gに対して水10g、水酸化ナトリウム1g、
NaCρ1g程度である。有機テンプレートはシリカ1
gに対して0.1〜2g程度原料シリカ中に含まれてい
るので、特に添加する必要はないが、必要により少檄添
加してもよい。
なお、アルミナは少量加えてもあるいは全く加えなくと
もよいが、不純物量のアルミナの存在を防ぐことは困難
であるので、通常は微量以上のアルミナを含有する。
もよいが、不純物量のアルミナの存在を防ぐことは困難
であるので、通常は微量以上のアルミナを含有する。
水熱台或は、好ましくは加圧下にオートクレーブ中で1
00〜200’C,より好−ましくは120〜180℃
で1〜4日間反応さけることにより行ねれる。水熱合成
終了後、洗浄及び乾燥並びに焼成して高シリカ型ゼオラ
イトを得る。
00〜200’C,より好−ましくは120〜180℃
で1〜4日間反応さけることにより行ねれる。水熱合成
終了後、洗浄及び乾燥並びに焼成して高シリカ型ゼオラ
イトを得る。
[作 用]
本発明方法では、シリカ原料として有機テンプレートが
均一に分散した珪酸テトラアルキルエステルを加水分解
して得られたシリカゲルを使用するので、水熱合成時に
均一な核生成が起こると共に、結晶成長が促進され、粒
度が揃った結晶粒径の大きい高シリカ型ゼオライト型が
生成するものと考えられる。
均一に分散した珪酸テトラアルキルエステルを加水分解
して得られたシリカゲルを使用するので、水熱合成時に
均一な核生成が起こると共に、結晶成長が促進され、粒
度が揃った結晶粒径の大きい高シリカ型ゼオライト型が
生成するものと考えられる。
[実施例]
以下、実施例及び比較例に基いて、本発明方法を具体的
に説明する。
に説明する。
実施例1〜8
第1表に示す割合でエタノール4−しル部にデ1〜ラブ
口ピルアンモニウムブロマイド(TPA−Br) 0゜
1モル部を溶解した後、珪酸テトラエチルエステル(丁
EO3) 1モル部と、第1表に示す割合で水と塩酸又
はアンモニアを添加して60℃でゲル化させ、得られた
ゲルを30℃で充分に乾燥して原料シリカとした。
口ピルアンモニウムブロマイド(TPA−Br) 0゜
1モル部を溶解した後、珪酸テトラエチルエステル(丁
EO3) 1モル部と、第1表に示す割合で水と塩酸又
はアンモニアを添加して60℃でゲル化させ、得られた
ゲルを30℃で充分に乾燥して原料シリカとした。
次に、石英ガラス容器内に上記シリカ0.673並びに
Na0HO,oag、NaCjl 0.88び及び水6
.95gを装入して溶封し、高圧容器内で180℃、9
atlllの条件で2日間水熱合成を行なった。得ら
れた生成物を脱イオン水で洗浄後、130℃で1日乾燥
し、さらに630 ’Cで1日焼成して結晶物質を得た
。
Na0HO,oag、NaCjl 0.88び及び水6
.95gを装入して溶封し、高圧容器内で180℃、9
atlllの条件で2日間水熱合成を行なった。得ら
れた生成物を脱イオン水で洗浄後、130℃で1日乾燥
し、さらに630 ’Cで1日焼成して結晶物質を得た
。
得られた結晶物質をX線回折及び走査型電子顕微鏡で調
べたところ、シリカライトであることが確認された。結
晶の粒径はいずれも100〜150IJIlであり、粒
度も揃っていた。
べたところ、シリカライトであることが確認された。結
晶の粒径はいずれも100〜150IJIlであり、粒
度も揃っていた。
第1表
比較例1〜2
TPA−Brを存在させなかった以外は実施例7と同様
にして得られたシリカ(a−8i 02 >又はTE0
1をシリカ原料とし、実施例と同様にして水熱合成を行
ない、シリカライトを製造した。但し、比較例2の場合
は生成速度が遅いため3日間反応を行なった。そのとき
の条件は第2表に示す通りであり、得られた結晶の平均
粒径はいずれも100μm以下であり、また、粒度も不
揃いであった。
にして得られたシリカ(a−8i 02 >又はTE0
1をシリカ原料とし、実施例と同様にして水熱合成を行
ない、シリカライトを製造した。但し、比較例2の場合
は生成速度が遅いため3日間反応を行なった。そのとき
の条件は第2表に示す通りであり、得られた結晶の平均
粒径はいずれも100μm以下であり、また、粒度も不
揃いであった。
第2表
[発明の効果]
本発明の製造方法によれば、比較的結晶粒径が大きく、
粒度の揃ったシリカライト等の高シリカ型ゼオライトを
効率良く製造することができる。
粒度の揃ったシリカライト等の高シリカ型ゼオライトを
効率良く製造することができる。
このような高シリカ型ゼオライトは各種触媒材料あるい
は吸着剤等として有用である。
は吸着剤等として有用である。
特許出願人 新日鐵化学株式会社
Claims (3)
- (1)珪酸テトラアルキルエステルを有機テンプレート
の存在下に加水分解してゲル化させ、乾燥して得られた
シリカを原料とし、アルカリ及び水の存在下、水熱合成
を行なうことを特徴とする高シリカ型ゼオライトの製造
方法。 - (2)高シリカ型ゼオライトがシリカライトである請求
項1記載の製造方法。 - (3)珪酸テトラエステルを、テトラプロピルアンモニ
ウム塩の存在下に加水分解してゲル化させ、エチルアル
コールを除去して得られた水酸化テトラプロピルアンモ
ニウム又はその塩を含有するシリカを原料とし、アルカ
リ及び水の存在下、水熱合成を行なうことを特徴とする
シリカライトの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29470788A JPH02141415A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 高シリカ型ゼオライトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29470788A JPH02141415A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 高シリカ型ゼオライトの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02141415A true JPH02141415A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17811263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29470788A Pending JPH02141415A (ja) | 1988-11-24 | 1988-11-24 | 高シリカ型ゼオライトの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02141415A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07118010A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-09 | Nok Corp | 合成ゼオライト結晶およびその製造法 |
CZ299372B6 (cs) * | 2005-09-23 | 2008-07-09 | Výzkumný ústav anorganické chemie, a. s. | Zpusob výroby zeolitu ZSM-5 s rízenou velikostí krystalu |
-
1988
- 1988-11-24 JP JP29470788A patent/JPH02141415A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07118010A (ja) * | 1993-10-15 | 1995-05-09 | Nok Corp | 合成ゼオライト結晶およびその製造法 |
CZ299372B6 (cs) * | 2005-09-23 | 2008-07-09 | Výzkumný ústav anorganické chemie, a. s. | Zpusob výroby zeolitu ZSM-5 s rízenou velikostí krystalu |
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