JPH02129095A - マイクロ水晶の製造方法 - Google Patents

マイクロ水晶の製造方法

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JPH02129095A
JPH02129095A JP63282410A JP28241088A JPH02129095A JP H02129095 A JPH02129095 A JP H02129095A JP 63282410 A JP63282410 A JP 63282410A JP 28241088 A JP28241088 A JP 28241088A JP H02129095 A JPH02129095 A JP H02129095A
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JP
Japan
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crystals
cristobalite
quartz
crystal
raw material
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Pending
Application number
JP63282410A
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English (en)
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Koichi Orii
折居 晃一
Iwao Oshima
大島 巌
Mutsuo Owaku
大和久 睦夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Nitto Chemical Industry Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/18Quartz

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はマイクロ水晶の製造方法に関する。本発明でい
うマイクロ水晶とは、長径が1m以下である微小な人工
水晶をいう。
人工水晶は、物理的・化学的に安定で機械的特性が優れ
、振動周波数の安定性が高いことから形状の大きいもの
は、振動子材料として広く用いられている。しかし、形
状が微小なものはほとんど利用されていないのが現状で
ある。
本発明の方法で得られるマイクロ水晶は、単結晶である
人工水晶が有していると同様な強度・透明性・形態の異
方性・熱伝導性等の緒特性を有しており、微小な人工水
晶が容易に得られれば、補強材等のフィラー、スペーサ
ー、あるいは石英ガラス[#4等への利用が期待できる
〔従来の技術] 人工水晶の製法としては、水熱育成法が通常採用されて
いる。水熱育成法については、たとえばX業協会誌: 
7? (4) 1969.P−111〜118 ニ記載
されている。常温では、不溶かまたは著しくM?8の結
晶性物質を、高温・高圧下で適宜の鉱化剤を含む大きな
溶解度をもつ水溶液とし、温度による溶解度差を利用し
て種子結晶の成長を促進する操作は、結晶の水熱育成と
称されている。水晶を育成する場合には、高温高圧の系
において上下に温度差を設け、下部−高温側で原料を溶
解し、上部−低温側で溶質を種子結晶上に析出させて結
晶を成長させる水熱温度差法が用いられている。
人工水晶製造用の原料としては従来、屑水晶やラス力(
1asca)などが用いられている。
〔発明が解決しようとする課題] 従来、人工水晶の製造においては、大型で構造欠陥の少
ない結晶を得ることを目的としており、数本ないし数十
本の限られた数の種水晶を出発物質としてゆっくりした
速度で育成している。従来の人工水晶の製造においては
、形状が微小なものの生成は好ましくないとされ、マイ
クロ水晶を大量に取得するという思想はない。
水晶は単結晶であり、単結晶の生成は結晶核の発生と核
を出発点とする育成過程から成る。多数のマイクロ水晶
を得るには、何らかの方法で多数の結晶核を発生させ、
発生した多数の結晶核をそれぞれ独立に成長させる必要
がある。
本発明は上記の課題を解決し、多数のマイクロ水晶を容
易に取得する方法を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段] 本発明者らは前記課題を解決するため種々の検討を行い
、結晶核の発生ならびに結晶の育成用原料として微粒子
状クリストバライトを用い水熱育成を行うことによって
、驚くべきことにクリストバライトを多数のマイクロ水
晶に変化させることができることを見出し、本発明を完
成させた。
すなわち、本発明は「水熱育成によって人工水晶を製造
するにあたり、原料として微粒子状クリストバライトを
用いることを特徴とするマイクロ水晶の製造方法」を要
旨とする。
以下、本発明について詳述する。
本発明の方法で原料として用いられるクリストバライト
の純度には特に制限はない。ただし、生成するマイクロ
水晶の純度を重視する場合には、できるだけ不純分の少
ないクリストバライトを用いることが望ましい。
用いられるクリストバライトの製法も限定されず、天然
または合成の非晶質シリカを熱処理したもの、あるいは
非晶質シリカにクリストバライト化を促進する物質−例
えばアルカリを予め添加して熱処理し、クリストバライ
ト化したものも使用することができる。
例えば、本発明者らが先に堤案した特願昭631668
31号明細書に記載された方法一実施態様として、比表
面積が5Onf/g以上である非晶質シリカに5〜60
0ppmのアルカリ金属元素を添加し、1000〜13
00°Cの温度で加熱処理することによって、本発明の
方法で用いられるクリストバライトを得ることができる
本発明の方法で原料として用いられるクリストバライト
は、その平均粒径が1m以下、好ましくは0.5mm以
下、更に好ましくは0.3国以下であることが望ましい
、平均粒径が1mを超えると、つの粒子中に多数の結晶
核が生じ、得られた結晶は多結晶となり、単結晶を得難
いので好ましくない。また、たとえ単結晶化しても多数
のマイクロ水晶を得るための原料としては適さない。
平均粒径が111m以下であるクリストバライト微粒子
は、塊状物を粉砕して調製してもよいし、あるいは、平
均粒径がIs以下である非晶質シリカを用い前記の加熱
処理を行って調製することもできる。
得られたクリストバライト微粒子を原料として人工水晶
の育成を行なう。
一般に、人工水晶の育成は、縦型の耐圧容器の底部−溶
解域にけい酸質原料を充填し、上部−成長域には種子水
晶を懸垂して、溶媒として容器内容積の75〜85%に
相当する量のアルカリ水)8液を充填し、密閉状態で加
熱して容器の上下に温度差を設け、溶解域を高温に、成
長域を低温に保持する水熱温度差法によって行われる。
本発明の方法においては、種子水晶を用いてもよいが、
種子水晶は必要でない。また、前記アルカリ水溶液の充
填量は、容器内容積の65%程度に相当する量でもよい
容器内部は高温・高圧状態になるので、1000〜15
00気圧の圧力を保持できる容器を用いることが望まし
い。
熔解域においてけい酸質原料がアルカリ水溶液に溶解し
て生成したSiJの飽和溶液は、容器上下の温度差によ
る対流によって上昇し、容器上部の低温域に入るとSi
O□の過飽和溶液となる。
本発明の方法における結晶核の生成機構は不明であるが
、クリストバライト粒子の一部が結晶転移によってα石
英化し、これが成長する機構と、上記過飽和溶液から析
出したSin、が結晶槙となり成長する機構が考えられ
る。
水熱育成の温度は通常、300〜400°Cの範囲で選
定され、容器上下の温度差は通常、20〜40°Cの範
囲で選定される。育成の温度が400°Cを超えて高過
ぎると均質な製品が得られ難くなる。
なお、本発明の方法においては、上記温度範囲よりも更
に低温の300°C未満250°C程度の領域でも育成
することができ、また、容器上下の温度差を設けること
は必須要件ではない。
育成時間は、1〜14日間程度である。
育成工程においてけい酸質原料を溶解させるために用い
られる溶媒としてのアルカリ水溶液の溶t(鉱化剤)と
しては、Li、 Na、になどのアルカリ金属の水酸化
物、炭酸塩1重炭酸塩、硼酸塩燐酸塩、酢酸塩、ハロゲ
ン化物および脂肪酸塩からなる群から選ばれた少なくと
も1種を用いることができる。
なお、クリストバライトを得るに際して、原料非晶質シ
リカの結晶化工程においてアルカリ成分を添加して加熱
処理を行った場合には、添加したアルカリ成分が得られ
たクリストバライト中に残存しているので、結晶化工程
において添加したアルカリ成分と同一種類のアルカリ水
溶液を溶媒として用いることが好ましい。
〔発明の効果〕
本発明の方法によってマイクロ水晶を容易かつ大量に得
ることができる。
本発明の方法によれば、粉砕処理を施すことなくマイク
ロ水晶を得ることができ、不純分の混入を避けることが
できる。
〔実施例] 以下、実施例および比較例によって本発明の方法を具体
的に説明する。
実施例−1 平均粒径: 200 p m、 Na含有率: 110
0pp、AlTi、Li、にの含有率がそれぞれ19p
−以下、密度:2.33g/c−d、 X線回折によっ
てクリストバライトであることが確認されたシリカ10
gを原料として水熱温度差法により人工水晶の育成を行
った。
種子水晶は用いず、原料クリストバライトの溶媒として
はオートクレーブ内容積に対して75%相当量のNa1
CO= l規定水溶液を充填した。
容器下部−原料溶解域の温度280″C1上部−過飽和
域の温度270°Cとして7日間保持した。
得られた生成物を通常の方法によって固液分離し、粉末
状固体5.6gを得た。
得られた粒子は、X線回折によって水晶であることが確
認され、これらを光学類@鏡で観察したところ、短径:
tO〜40.c+m、長径:100un前後であるマイ
クロ水晶であった。
比較例−1゜ 平均粒径がlOi*である塊状のクリストバライトを原
料とし、実施例−1に準じて人工水晶の育成を行った。
得られた生成物は、α−水晶の多結晶体であって、単結
晶体はほとんど認められなかった。
実施例−2゜ 平均粒径: 100 /7 m、 Na含有率: 40
 ppm、AlTi、LiJの含有率がそれぞれl p
p−以下、密度:2.33 g / c+ll 、 X
線回折によってクリストバライトであることが確認され
たシリカ20gを原料として水熱温度差法により人工水
晶の育成を行った。
種子水晶は用いず、原料クリストバライトの溶媒として
はオートクレーブ内容積に対して60%相当量のNa0
tl 1規定水溶液を充填した。
原料溶解域の温度380°C1過飽和部の温度350°
Cとして10日間保持した。
得られた生成物を通常の方法によって固液分離し、粉末
状固体を得た。
得られた粒子は、X線回折によって水晶であることが確
認され、これらを光学顕微鏡で観察したところ、短径=
20〜50μm、長径:100μm前後であるマイクロ
水晶であった。
特許出願人   日東化学工業株式会社手 続 補 正 書(自発) 平成元年12月22日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)水熱育成によって人工水晶を製造するにあたり、原
    料として微粒子状クリストバライトを用いることを特徴
    とするマイクロ水晶の製造方法。
JP63282410A 1988-11-10 1988-11-10 マイクロ水晶の製造方法 Pending JPH02129095A (ja)

Priority Applications (2)

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JP63282410A JPH02129095A (ja) 1988-11-10 1988-11-10 マイクロ水晶の製造方法
EP19890120789 EP0368311A3 (en) 1988-11-10 1989-11-09 Process for producing micro cultured quartz

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JP63282410A JPH02129095A (ja) 1988-11-10 1988-11-10 マイクロ水晶の製造方法

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JPH02129095A true JPH02129095A (ja) 1990-05-17

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ID=17652049

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