JPH02125615A - 半導体装置の形成方法 - Google Patents
半導体装置の形成方法Info
- Publication number
- JPH02125615A JPH02125615A JP27977788A JP27977788A JPH02125615A JP H02125615 A JPH02125615 A JP H02125615A JP 27977788 A JP27977788 A JP 27977788A JP 27977788 A JP27977788 A JP 27977788A JP H02125615 A JPH02125615 A JP H02125615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- contact hole
- single crystal
- selective growth
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の電極の形成方法に関し、特に
埋込みコンタクトホールの形成方法に関する。
埋込みコンタクトホールの形成方法に関する。
従来、この種の埋込みコンタクトの形成方法としては、
第３図に示す様に、シリコン（Ｓｉ）基板表面に形成さ
れた絶縁物からなるコンタクトホールヘタングステンを
選択的に成長させる方法がある。
第３図に示す様に、シリコン（Ｓｉ）基板表面に形成さ
れた絶縁物からなるコンタクトホールヘタングステンを
選択的に成長させる方法がある。
上述した従来方法では、ジャーナル オブ エレクトロ
ケミカル ソサイアティ ソリッドステート サイエン
ス アンド テクノロジー（Ｊ。
ケミカル ソサイアティ ソリッドステート サイエン
ス アンド テクノロジー（Ｊ。
ＥＩｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、Ｓｏｃ、：５ＱＬＩＯ−３Ｔ
ＡＴＥ ５ＣＩＥＮＣＥＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
）の１９８４年１１月号第２７０２ページ〜第２７０８
ページに記載されている様に、選択成長の初期過程では ２ＷＦｓ＋３８ ｉ→２Ｗ＋３８ｉＦ４↑の反応により
Ｗの成長が生ずる結果、第３図に示す様に、ＷＩＪ’ｈ
Ｓｉ基板の深さ方向や絶縁膜下へ侵入した状態で形成さ
れるために、特にコンタクトホール下に浅いＰＮ接合が
形成されている場合には、接合特性の劣化を生じさせる
欠点がある。
ＡＴＥ ５ＣＩＥＮＣＥＡＮＤ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ
）の１９８４年１１月号第２７０２ページ〜第２７０８
ページに記載されている様に、選択成長の初期過程では ２ＷＦｓ＋３８ ｉ→２Ｗ＋３８ｉＦ４↑の反応により
Ｗの成長が生ずる結果、第３図に示す様に、ＷＩＪ’ｈ
Ｓｉ基板の深さ方向や絶縁膜下へ侵入した状態で形成さ
れるために、特にコンタクトホール下に浅いＰＮ接合が
形成されている場合には、接合特性の劣化を生じさせる
欠点がある。
〔課題を解決するための手段丁
本発明は、単結晶Ｓｉ基板表面上に絶縁膜によって形成
されたコンタクトホールへ高融点金属を選択成長法によ
って埋込む方法において、絶縁膜によるコンタクトホー
ルを設ける工程と、選択成長法によりＳｉをコンタクト
ホール内へ選択的に成長させる工程と、高融点金属を選
択成長させることによりコンタクトホールを埋込む工程
とを含む特徴を有している。
されたコンタクトホールへ高融点金属を選択成長法によ
って埋込む方法において、絶縁膜によるコンタクトホー
ルを設ける工程と、選択成長法によりＳｉをコンタクト
ホール内へ選択的に成長させる工程と、高融点金属を選
択成長させることによりコンタクトホールを埋込む工程
とを含む特徴を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の縦断面図である。（１
００）単結晶Ｓｉ基板１０上に０．５ μｍのＳｉＯ＋
膜１２全１２し通常のホトエツチング法によりコンタク
トホールを設け、次にＡｓイオン注入によりｎ型ドープ
層１１を形成する。次に、Ｓｉ選択エピタキシャル法に
よりＳｉ選択成長層１３を０．２μｍ成長させる。次に
、イオン注入法により５ ｘ １０１５ｃｍ−２のＰ又
はＡｓをＳｉ選択成長層ヘドープさせる。次に５００人
の多結晶ＳｉをＣＶＤ法にて形成し、エッチバックを施
し、多結晶Ｓｉ側壁１４を形成する。次に、ＷＦ、とＨ
２との混合ガスを使用し、成長温度３００℃でＷの選択
成長を行って、Ｗ埋込み層１５を形成する。
００）単結晶Ｓｉ基板１０上に０．５ μｍのＳｉＯ＋
膜１２全１２し通常のホトエツチング法によりコンタク
トホールを設け、次にＡｓイオン注入によりｎ型ドープ
層１１を形成する。次に、Ｓｉ選択エピタキシャル法に
よりＳｉ選択成長層１３を０．２μｍ成長させる。次に
、イオン注入法により５ ｘ １０１５ｃｍ−２のＰ又
はＡｓをＳｉ選択成長層ヘドープさせる。次に５００人
の多結晶ＳｉをＣＶＤ法にて形成し、エッチバックを施
し、多結晶Ｓｉ側壁１４を形成する。次に、ＷＦ、とＨ
２との混合ガスを使用し、成長温度３００℃でＷの選択
成長を行って、Ｗ埋込み層１５を形成する。
第２図に本発明の第２の実施例の縦断面図を示す。
（１１１）単結晶Ｓｉ基板を用いて本発明による埋込み
コンタクトの形成方法を実施した場合である。
コンタクトの形成方法を実施した場合である。
第１の実施例と同様な方法でコンタクトホールを形成し
た後、Ｓｉ選択成長により、Ｓｉ選択成長層２３を形成
する。第１の実施例と異なり、Ｓｉ選択成長層２３の端
部においてファセットが生じないために、多結晶Ｓｉ側
壁の形成を省略しうる。
た後、Ｓｉ選択成長により、Ｓｉ選択成長層２３を形成
する。第１の実施例と異なり、Ｓｉ選択成長層２３の端
部においてファセットが生じないために、多結晶Ｓｉ側
壁の形成を省略しうる。
以後のＷ成長工程は第１の実施例と同様に実施される。
以上説明したように本発明のフンタクト埋込み方法では
、コンタクトホール内のＳｉ表面にあらかじめ単結晶Ｓ
ｉ成長層を設けることにより、従来例の欠点であるＷ層
のＳｉ単結晶基板へのくい込み防止できる卓効がある。
、コンタクトホール内のＳｉ表面にあらかじめ単結晶Ｓ
ｉ成長層を設けることにより、従来例の欠点であるＷ層
のＳｉ単結晶基板へのくい込み防止できる卓効がある。
この結果、接合深さが０．３μｍ以下の浅い接合を有し
た高密度集積回路の電極のコンタクトの高融点金属によ
る埋込みが実現できる なお、第１．第２の実施例で高融点金属としてＷの場合
を示したが、Ｗ以外のＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、等の高融点金
属においても同様な卓効がある。また、実施例にて数値
を限定して説明を行ったが、これらの数値は本発明の適
用範囲を限定するものではない。
た高密度集積回路の電極のコンタクトの高融点金属によ
る埋込みが実現できる なお、第１．第２の実施例で高融点金属としてＷの場合
を示したが、Ｗ以外のＭｏ、Ｔｉ、Ｔａ、等の高融点金
属においても同様な卓効がある。また、実施例にて数値
を限定して説明を行ったが、これらの数値は本発明の適
用範囲を限定するものではない。
第１図及び第２図は本発明の縦断面図、第３図は従来技
術の縦断面図である。 １０．２０．３０・・・・・・単結晶Ｓｉ基板、１１゜
２１・・・・・・ｎ型ドープ層、１２，２２．３２・・
・・・・５ｉＯｚ膜、１３．２３・・・・・・Ｓｉ選択
成長層、１４・・・・・・多結晶Ｓｉ側壁、１５，２５
．３５・・・・・・Ｗ埋込み層。 代理人 弁理士 内 原 音 茅 ■ 茅 図
術の縦断面図である。 １０．２０．３０・・・・・・単結晶Ｓｉ基板、１１゜
２１・・・・・・ｎ型ドープ層、１２，２２．３２・・
・・・・５ｉＯｚ膜、１３．２３・・・・・・Ｓｉ選択
成長層、１４・・・・・・多結晶Ｓｉ側壁、１５，２５
．３５・・・・・・Ｗ埋込み層。 代理人 弁理士 内 原 音 茅 ■ 茅 図
Claims (1)
- 単結晶半導体基板表面上に絶縁膜によって形成されたコ
ンタクトホールへ高融点金属を選択成長法によって埋込
む方法において、絶縁膜によるコンタクトホールを設け
る工程と、選択成長法によりシリコンをコンタクトホー
ル内へ選択的に成長させる工程と、高融点金属を選択成
長させることによりコンタクトホールを埋込む工程とを
含むことを特徴とする半導体装置の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977788A JPH02125615A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977788A JPH02125615A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125615A true JPH02125615A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17615776
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27977788A Pending JPH02125615A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 半導体装置の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125615A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354029A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Hynix Semiconductor Inc | 低いコンタクト抵抗を有する半導体素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP27977788A patent/JPH02125615A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005354029A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Hynix Semiconductor Inc | 低いコンタクト抵抗を有する半導体素子及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4211582A (en) | Process for making large area isolation trenches utilizing a two-step selective etching technique | |
| US4749441A (en) | Semiconductor mushroom structure fabrication | |
| JPH0384961A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH04320330A (ja) | 半導体装置のコンタクト部の形成方法 | |
| JPS6050920A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6252963A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPH02125615A (ja) | 半導体装置の形成方法 | |
| KR940004450B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2000183302A (ja) | トレンチ・コンデンサ及びトレンチ・コンデンサの製造方法 | |
| JPS5852843A (ja) | 半導体集積回路装置の製造法 | |
| JPH043455A (ja) | Ｓｏｉトランジスタ積層半導体装置とその製造方法 | |
| JPH04221821A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2757358B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0430421A (ja) | 選択メタル成長法 | |
| JPH02246159A (ja) | 半導体装置の配線構造及びその形成方法 | |
| JP2736371B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59188936A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2876612B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60244036A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPS6025247A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5893344A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2762447B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03127825A (ja) | コンタクトホールの埋め込み方法 | |
| JP3196716B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2659798B2 (ja) | 半導体装置 |