JPH02125428A - 結晶基板研磨装置 - Google Patents
結晶基板研磨装置Info
- Publication number
- JPH02125428A JPH02125428A JP63278696A JP27869688A JPH02125428A JP H02125428 A JPH02125428 A JP H02125428A JP 63278696 A JP63278696 A JP 63278696A JP 27869688 A JP27869688 A JP 27869688A JP H02125428 A JPH02125428 A JP H02125428A
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- Japan
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- crystal substrate
- polishing
- groove
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 50
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体結晶基板を均一な結晶基板厚まで研磨す
ることを目的とした結晶基板研磨装置に関するものであ
る。
ることを目的とした結晶基板研磨装置に関するものであ
る。
従来の技術
半導体素子作成プロセス、特に化合物半導体レーザ素子
作製プロセスにおいては、結晶へき開を利用して半導体
レーザ素子のへき開面を作成するため、結晶へき開が可
能な結晶基板厚まで結晶基板の研磨を実施している。
作製プロセスにおいては、結晶へき開を利用して半導体
レーザ素子のへき開面を作成するため、結晶へき開が可
能な結晶基板厚まで結晶基板の研磨を実施している。
以下、第５図、第６図を用いて従来の結晶基板研磨装置
の構成を簡単に説明する。
の構成を簡単に説明する。
第５図、第６図において１１は結晶基板研磨治具本体、
１２は結晶基板、１３は厚み制御盤、１６は荷重、１６
．１７は荷重１６を固定するボルト、ナツト、１８は接
着用ワックスである。
１２は結晶基板、１３は厚み制御盤、１６は荷重、１６
．１７は荷重１６を固定するボルト、ナツト、１８は接
着用ワックスである。
結晶基板１２は研磨治具１１にワックス１８を用いて固
定し、その後、研磨剤が注入しである研磨板（図示せず
）上で、硬度の高い厚み制御板１３と結晶基板接着面と
の厚みまで、自動又は手動で研磨が実施される。又、荷
重１６は、結晶基板の研磨状態、研磨時間によってあら
かじめ決定されている調整用荷重である。
定し、その後、研磨剤が注入しである研磨板（図示せず
）上で、硬度の高い厚み制御板１３と結晶基板接着面と
の厚みまで、自動又は手動で研磨が実施される。又、荷
重１６は、結晶基板の研磨状態、研磨時間によってあら
かじめ決定されている調整用荷重である。
発明が解決しようとする課題
しかし、従来の結晶基板研磨装置では、研磨状態を良好
にし、かつ研磨時間を短縮するためには、研磨の途中で
、調整用荷重を取シ付ける手間を要し、そのために研磨
を完全に自動化することができないという課題があった
。
にし、かつ研磨時間を短縮するためには、研磨の途中で
、調整用荷重を取シ付ける手間を要し、そのために研磨
を完全に自動化することができないという課題があった
。
本発明は、以上のような調整用荷重の取υ付けという煩
しさに鑑み、第１の目的は、調整用の荷重が自動的に取
り外せるようにしたものである。
しさに鑑み、第１の目的は、調整用の荷重が自動的に取
り外せるようにしたものである。
また、第２の目的は、調整用の荷重が自動的にかかり、
かつ、その制御を容易にできるようにしたものである。
かつ、その制御を容易にできるようにしたものである。
課題を解決するための手段
上記目的を達成するため、本発明の技術的解決手段は、
第１に、上部に斜めの溝と下部に隙間を有する調整用の
第１の荷重と、前記溝に合致する突起を有する前記第１
の荷重にはめ込まれた第２の荷重を用いたものである。
第１に、上部に斜めの溝と下部に隙間を有する調整用の
第１の荷重と、前記溝に合致する突起を有する前記第１
の荷重にはめ込まれた第２の荷重を用いたものである。
また第２には、結晶基板を取り付ける面の周囲に斜面を
有する荷重と、前記斜面を支える斜面と前記荷重を支え
るバネを有する保持体を用いたものである。
有する荷重と、前記斜面を支える斜面と前記荷重を支え
るバネを有する保持体を用いたものである。
作用
本発明は第１に、結晶基板が厚い時は、第１の荷重の溝
と第２の荷重の突起が合致し、第１の荷重と第２の荷重
の両方が、結晶基板にかかり、短時間で荒く速く研磨で
き、結晶基板が薄くなるにつれ、突起が溝を下っていき
、所望の結晶基板の厚さに近づくと、突起が第１の調整
用の荷重の隙間に位置し、調整用の第１の荷重が自動的
に第２の荷重に合致しなくなり、第２の荷重のみが結晶
基板にかかり、研磨状態を良好に保ちながら研磨でき、
隙間の底面に第２の荷重の底面が位置する厚さで、研磨
が終了するものである。
と第２の荷重の突起が合致し、第１の荷重と第２の荷重
の両方が、結晶基板にかかり、短時間で荒く速く研磨で
き、結晶基板が薄くなるにつれ、突起が溝を下っていき
、所望の結晶基板の厚さに近づくと、突起が第１の調整
用の荷重の隙間に位置し、調整用の第１の荷重が自動的
に第２の荷重に合致しなくなり、第２の荷重のみが結晶
基板にかかり、研磨状態を良好に保ちながら研磨でき、
隙間の底面に第２の荷重の底面が位置する厚さで、研磨
が終了するものである。
また、第２に、斜面とバネを有する保持体に、結晶基板
の周囲の斜面で荷重を支え、結晶基板が厚い時はバネの
力は加わらず、荷重が結晶基板にかかり、短時間で荒く
速く研磨でき、結晶基板が薄くなシ斜面を下るにつれ、
荷重を押し戻す力がバネにより加わシ結晶基板を押す力
が減少して、研磨状態を良好に保ちながら研磨でき、バ
ネの力と荷重の力がつり合った時点の厚さで研磨が終了
し、さらに斜面の角度で、研磨状態と、研磨時間を容易
に制御できるものである。
の周囲の斜面で荷重を支え、結晶基板が厚い時はバネの
力は加わらず、荷重が結晶基板にかかり、短時間で荒く
速く研磨でき、結晶基板が薄くなシ斜面を下るにつれ、
荷重を押し戻す力がバネにより加わシ結晶基板を押す力
が減少して、研磨状態を良好に保ちながら研磨でき、バ
ネの力と荷重の力がつり合った時点の厚さで研磨が終了
し、さらに斜面の角度で、研磨状態と、研磨時間を容易
に制御できるものである。
実施例
以下、第１図、第２図を参照しながら本発明の第１の実
施例について説明する。
施例について説明する。
第１図、第２図において、６は調整用の第１の荷重、１
は第１の荷重の上部に円状に斜めに刻まれた溝、３は第
１の荷重の下部の隙間、４は前記隙間の底面、６は溝１
に合致する突起を有する第２の荷重で、結晶基板１２を
ワンクス１８を用いて固定されている。１９は荷重６，
６が結晶基板１２に対し傾かないように支える保持体で
ある。
は第１の荷重の上部に円状に斜めに刻まれた溝、３は第
１の荷重の下部の隙間、４は前記隙間の底面、６は溝１
に合致する突起を有する第２の荷重で、結晶基板１２を
ワンクス１８を用いて固定されている。１９は荷重６，
６が結晶基板１２に対し傾かないように支える保持体で
ある。
結晶基板１２が厚い時は、溝１に突起２が合致し、第１
の荷重６と第２の荷重６の両方が結晶基板にかかシ短時
間で荒へく速く研磨できる。結晶基板１２が薄くなるに
つれ、突起２は、円状に斜めに刻まれた溝１内を回転し
ながら下り、隙間３に達すると調整用の第１の荷重６が
第２の荷重６と合致しなくなり、結晶基板１２には第２
の荷重６のみがかかり、第２の荷重６の底面２ｏが第１
の荷重６の底面４に達するまで、研磨状態を良好に保ち
ながら研磨される。この過程で、第１の荷重６と第２の
荷重６の着脱は自動的に行われ、自動的に短い研磨時間
で良好な研磨状態で結晶基板が研磨される。
の荷重６と第２の荷重６の両方が結晶基板にかかシ短時
間で荒へく速く研磨できる。結晶基板１２が薄くなるに
つれ、突起２は、円状に斜めに刻まれた溝１内を回転し
ながら下り、隙間３に達すると調整用の第１の荷重６が
第２の荷重６と合致しなくなり、結晶基板１２には第２
の荷重６のみがかかり、第２の荷重６の底面２ｏが第１
の荷重６の底面４に達するまで、研磨状態を良好に保ち
ながら研磨される。この過程で、第１の荷重６と第２の
荷重６の着脱は自動的に行われ、自動的に短い研磨時間
で良好な研磨状態で結晶基板が研磨される。
以下、第３図、第４図を参照しながら本発明の第２の実
施例について説明する。
施例について説明する。
第３図、第４図において、１０は、内側の底面が中央の
溝の外側で斜面９を形成し、バネ７を有する保持体、８
は、結晶基板１２をワックス１８で底面に固定し、結晶
基板を固定する保持体６の内側の底面の中央の溝にはめ
込まれた面の両脇の面が、斜面９に支えられる斜面とな
っている荷重である。結晶基板が厚い時は、荷重８は保
持体１ｏのバネ７と遠距離にあシ、バネの復元力は加わ
らず、荷重が全て結晶基板にかかシ、短時間で荒く速く
研磨される。結晶基板が薄くなると、荷重８は、斜面９
を下り、荷重８を押し戻す力がバネ７よシ加わシ、結晶
基板を押す力が減少して、研磨状態を良好に保ちながら
研磨でき、バネ７の復元力が荷重８の力とつり合った時
点の厚さで研磨が終了する。この過程で、結晶基板を押
す力は、バネの復元力が徐々に増大するにつれ、減少す
るので、自動的に短い時間で良好な研磨状態で結晶基板
が研磨される。さらに、ＩｎＰ基板とＧＩＬＡ！！基板
のように、硬度の異なる結晶基板に対しても、斜面の角
度およびバネの強さを変えることによシ、最適な研磨状
態と研磨時間が得られる。
溝の外側で斜面９を形成し、バネ７を有する保持体、８
は、結晶基板１２をワックス１８で底面に固定し、結晶
基板を固定する保持体６の内側の底面の中央の溝にはめ
込まれた面の両脇の面が、斜面９に支えられる斜面とな
っている荷重である。結晶基板が厚い時は、荷重８は保
持体１ｏのバネ７と遠距離にあシ、バネの復元力は加わ
らず、荷重が全て結晶基板にかかシ、短時間で荒く速く
研磨される。結晶基板が薄くなると、荷重８は、斜面９
を下り、荷重８を押し戻す力がバネ７よシ加わシ、結晶
基板を押す力が減少して、研磨状態を良好に保ちながら
研磨でき、バネ７の復元力が荷重８の力とつり合った時
点の厚さで研磨が終了する。この過程で、結晶基板を押
す力は、バネの復元力が徐々に増大するにつれ、減少す
るので、自動的に短い時間で良好な研磨状態で結晶基板
が研磨される。さらに、ＩｎＰ基板とＧＩＬＡ！！基板
のように、硬度の異なる結晶基板に対しても、斜面の角
度およびバネの強さを変えることによシ、最適な研磨状
態と研磨時間が得られる。
発明の効果
以上のように、本発明の効果としては、自動的に調整用
の荷重がはずれることで研磨状態を良好に保ちながら短
い研磨時間で結晶基板を研磨できる。また、結晶基板に
加わる力が自動的に徐々に減少することで、研磨状態を
良好に保ちながら短い研磨時間で結晶基板を研磨でき、
さらに、その制御は容易にできる。
の荷重がはずれることで研磨状態を良好に保ちながら短
い研磨時間で結晶基板を研磨できる。また、結晶基板に
加わる力が自動的に徐々に減少することで、研磨状態を
良好に保ちながら短い研磨時間で結晶基板を研磨でき、
さらに、その制御は容易にできる。
第１図は本発明の第１の実施例における結晶基板研磨装
置の上面図、第２図は第１図の装置の側面の断面図、第
３図は本発明の第２の実施例における結晶基板研磨装置
の側面の断面図、第４図は第３図の装置の上面図、第６
図は従来の結晶基板１・・・・・・溝、２・・・・・・
突起、３・・・・・・隙間、４・・・川底面、６・・・
・・・第１の荷重、６・・・・・・第２の荷重、７・・
・・・・バネ、８・・・・・・荷重、９・・・・・・斜
面、１０・・・・・・保持体、１１・・・・・・結晶基
板研磨治具本体、１２・・・・・・結晶基板、１３・・
・・・・厚み制御板、１６・・・・・・荷重、１６・・
・・・・ナツト、１７・・・・・・ボルト、１８・・・
・・・ワックス、１９・・・・・・保持体。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名県 図 第 第 図 第 図
置の上面図、第２図は第１図の装置の側面の断面図、第
３図は本発明の第２の実施例における結晶基板研磨装置
の側面の断面図、第４図は第３図の装置の上面図、第６
図は従来の結晶基板１・・・・・・溝、２・・・・・・
突起、３・・・・・・隙間、４・・・川底面、６・・・
・・・第１の荷重、６・・・・・・第２の荷重、７・・
・・・・バネ、８・・・・・・荷重、９・・・・・・斜
面、１０・・・・・・保持体、１１・・・・・・結晶基
板研磨治具本体、１２・・・・・・結晶基板、１３・・
・・・・厚み制御板、１６・・・・・・荷重、１６・・
・・・・ナツト、１７・・・・・・ボルト、１８・・・
・・・ワックス、１９・・・・・・保持体。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名県 図 第 第 図 第 図
Claims (2)
- （１）上部に斜めの溝と下部に隙間を有する第１の荷重
と、前記溝に合致する突起を有する前記第１の荷重内部
にはめ込まれ下部に被研磨結晶基板が取付られた第２の
荷重とを備えてなる結晶基板研磨装置。 - （２）結晶基板を取り付ける面の周囲に第１の斜面を有
する荷重と、前記第１の斜面を支える第２の斜面と前記
荷重を支えるバネを有する保持体とを備えてなる結晶基
板研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278696A JPH02125428A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 結晶基板研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63278696A JPH02125428A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 結晶基板研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02125428A true JPH02125428A (ja) | 1990-05-14 |
Family
ID=17600908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278696A Pending JPH02125428A (ja) | 1988-11-04 | 1988-11-04 | 結晶基板研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02125428A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110434703A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-12 | 浙江浦江环通机械科技有限公司 | 一种全自动循环数控黏胶类水晶平磨机 |
| CN114641369A (zh) * | 2019-11-15 | 2022-06-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
-
1988
- 1988-11-04 JP JP63278696A patent/JPH02125428A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110434703A (zh) * | 2019-08-22 | 2019-11-12 | 浙江浦江环通机械科技有限公司 | 一种全自动循环数控黏胶类水晶平磨机 |
| CN114641369A (zh) * | 2019-11-15 | 2022-06-17 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
| CN114641369B (zh) * | 2019-11-15 | 2023-06-30 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
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