JPH06210563A - ウェハー研磨装置 - Google Patents
ウェハー研磨装置Info
- Publication number
- JPH06210563A JPH06210563A JP493293A JP493293A JPH06210563A JP H06210563 A JPH06210563 A JP H06210563A JP 493293 A JP493293 A JP 493293A JP 493293 A JP493293 A JP 493293A JP H06210563 A JPH06210563 A JP H06210563A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plate
- surface plate
- polishing
- contact surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】定盤上面やウェハー接触面の不均質性、押圧体
による荷重の偏りなどの影響を受けることなく、ウェハ
ーを均質な鏡面状に研磨することのできる研磨装置を提
供する。 【構成】複数のウェハーＷを接着したガラスプレート２
を回転自在な定盤１上に載置する。ガラスプレート２上
に押圧体６を載せる。定盤１上面に接着剤３を介して研
磨用クロス４を張る。定盤１上面にテープ５を貼ってウ
ェハー接触面ａを凹凸形状とする。押圧体６により各ウ
ェハーＷ全面にほぼ均等な荷重をかけながら定盤１を回
転させてウェハーＷを研磨する。この時、ウェハー接触
面ａの凸状部a1のエッジa3による研磨作用によって研磨
の方向むらや部分的なくもり現象を吸収して、ヘイズむ
らの発生を防ぐ。
による荷重の偏りなどの影響を受けることなく、ウェハ
ーを均質な鏡面状に研磨することのできる研磨装置を提
供する。 【構成】複数のウェハーＷを接着したガラスプレート２
を回転自在な定盤１上に載置する。ガラスプレート２上
に押圧体６を載せる。定盤１上面に接着剤３を介して研
磨用クロス４を張る。定盤１上面にテープ５を貼ってウ
ェハー接触面ａを凹凸形状とする。押圧体６により各ウ
ェハーＷ全面にほぼ均等な荷重をかけながら定盤１を回
転させてウェハーＷを研磨する。この時、ウェハー接触
面ａの凸状部a1のエッジa3による研磨作用によって研磨
の方向むらや部分的なくもり現象を吸収して、ヘイズむ
らの発生を防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェハーなど
電子材料の最終研磨を行うウェハー研磨装置に関する。
電子材料の最終研磨を行うウェハー研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のウェハー研磨装置には図
６に示すものが知られている。この研磨装置は、定盤１
上面に接着剤３を介して研磨用クロス４を張り、複数の
ウェハーＷを接着したガラスプレート２を、ウェハーＷ
がクロス４に接するようにして定盤１上に載置し、この
ガラスプレート２上に押圧体６を密着状に載せて構成す
る。そうして、押圧体６の荷重をガラスプレート２のウ
ェハーＷ上方部分に作用させ、この状態でクロス４上に
砥粒液を供給しながらこの定盤１を回転させてウェハー
Ｗを研磨する。これにより各ウェハーＷは全面に均等な
荷重がかかった状態で研磨され、従って平滑度の高い高
品質なウェハーＷを得ることができるようになってい
る。
６に示すものが知られている。この研磨装置は、定盤１
上面に接着剤３を介して研磨用クロス４を張り、複数の
ウェハーＷを接着したガラスプレート２を、ウェハーＷ
がクロス４に接するようにして定盤１上に載置し、この
ガラスプレート２上に押圧体６を密着状に載せて構成す
る。そうして、押圧体６の荷重をガラスプレート２のウ
ェハーＷ上方部分に作用させ、この状態でクロス４上に
砥粒液を供給しながらこの定盤１を回転させてウェハー
Ｗを研磨する。これにより各ウェハーＷは全面に均等な
荷重がかかった状態で研磨され、従って平滑度の高い高
品質なウェハーＷを得ることができるようになってい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし乍ら上記従来の
研磨装置によれば、定盤１上面を完全な平滑面とするの
は不可能であると共に、定盤１上面のウェハー接触面
（クロス４面）に多様な方向性があること、押圧体６に
よる荷重の偏りなどの影響から、ウェハーＷの研磨面を
均質な鏡面仕上げとすることは困難であり、ウェハーＷ
に部分的なヘイズむらが生じる不具合があった。
研磨装置によれば、定盤１上面を完全な平滑面とするの
は不可能であると共に、定盤１上面のウェハー接触面
（クロス４面）に多様な方向性があること、押圧体６に
よる荷重の偏りなどの影響から、ウェハーＷの研磨面を
均質な鏡面仕上げとすることは困難であり、ウェハーＷ
に部分的なヘイズむらが生じる不具合があった。
【０００４】ヘイズとはウェハー研磨面の微細な表面粗
さであり、ウェハー研磨面に強い光を当てたとき、光の
乱反射によるくもりとして見える。研磨において定盤上
面やウェハー接触面の不均質性、押圧体による荷重の偏
りなどがあると、ウェハー研磨面の表面粗さを均一に仕
上げることができず、方向性を持ったむらや部分的なく
もり現象をともなったヘイズむらを生じてしまうことが
あった。
さであり、ウェハー研磨面に強い光を当てたとき、光の
乱反射によるくもりとして見える。研磨において定盤上
面やウェハー接触面の不均質性、押圧体による荷重の偏
りなどがあると、ウェハー研磨面の表面粗さを均一に仕
上げることができず、方向性を持ったむらや部分的なく
もり現象をともなったヘイズむらを生じてしまうことが
あった。
【０００５】本発明はこのような従来事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、定盤上面や
ウェハー接触面の不均質性、押圧体による荷重の偏りな
どの影響を受けることなく、ウェハーを均質な鏡面状に
研磨することのできる研磨装置を提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、定盤上面や
ウェハー接触面の不均質性、押圧体による荷重の偏りな
どの影響を受けることなく、ウェハーを均質な鏡面状に
研磨することのできる研磨装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前述の目的を達成するた
めに、本発明に係るウェハー研磨装置は、複数のウェハ
ーを接着したプレートを回転自在な定盤上に載置し、該
プレート上に押圧体を載せ、各ウェハー全面にほぼ均等
な荷重をかけながら定盤を回転させてウェハーを研磨す
る装置において、定盤上面のウェハー接触面を凹凸形状
としたことを特徴とする（請求項１）。
めに、本発明に係るウェハー研磨装置は、複数のウェハ
ーを接着したプレートを回転自在な定盤上に載置し、該
プレート上に押圧体を載せ、各ウェハー全面にほぼ均等
な荷重をかけながら定盤を回転させてウェハーを研磨す
る装置において、定盤上面のウェハー接触面を凹凸形状
としたことを特徴とする（請求項１）。
【０００７】また請求項２では、定盤上面にテープを貼
って上記ウェハー接触面の凹凸形状を形成することを特
徴とし、請求項３では、定盤上面に凹凸を設けて上記ウ
ェハー接触面の凹凸形状を形成することを特徴とする。
って上記ウェハー接触面の凹凸形状を形成することを特
徴とし、請求項３では、定盤上面に凹凸を設けて上記ウ
ェハー接触面の凹凸形状を形成することを特徴とする。
【０００８】
【作用】上述の構成によれば、ウェハー接触面における
凸状部のエッジによる研磨作用によって研磨面における
方向むらや部分的なくもり現象を吸収してヘイズむらの
発生を防ぎ、ウェハーを均質な鏡面状に研磨することが
できる。
凸状部のエッジによる研磨作用によって研磨面における
方向むらや部分的なくもり現象を吸収してヘイズむらの
発生を防ぎ、ウェハーを均質な鏡面状に研磨することが
できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明に係るウェハー研磨装置の一実
施例を図面を参照して説明する。図中、Ｗはウェハー、
１は定盤、２はガラスプレートで、定盤１は駆動モータ
（図示せず）に連係して回転するよう構成する。
施例を図面を参照して説明する。図中、Ｗはウェハー、
１は定盤、２はガラスプレートで、定盤１は駆動モータ
（図示せず）に連係して回転するよう構成する。
【００１０】定盤１は所定の硬度を備えた金属材を用い
て円盤状に作製し、その上面は接着剤３を介して研磨用
クロス４を張り付けるをもってウェハー接触面ａとす
る。
て円盤状に作製し、その上面は接着剤３を介して研磨用
クロス４を張り付けるをもってウェハー接触面ａとす
る。
【００１１】定盤１上面と接着剤３の間には、前記ウェ
ハー接触面ａを凹凸形状とするべく、薄肉状（例えば50
μｍ程度）のテープ５を介在させる。
ハー接触面ａを凹凸形状とするべく、薄肉状（例えば50
μｍ程度）のテープ５を介在させる。
【００１２】テープ５は例えば図２に示すような四角形
状，図４に示すような円形状等に作製し、片面に備えた
接着層（不図示）により定盤１上面に複数貼り付ける。
これにより、ウェハー接触面ａが凹凸形状となり、複数
の凸状部a1と凹状部a2が所定の間隔をおいて形成され
る。
状，図４に示すような円形状等に作製し、片面に備えた
接着層（不図示）により定盤１上面に複数貼り付ける。
これにより、ウェハー接触面ａが凹凸形状となり、複数
の凸状部a1と凹状部a2が所定の間隔をおいて形成され
る。
【００１３】尚、テープ５の平面形状（即ち、凸状部a1
の平面形状）及びその配置は図示のものに限定されず、
定盤１の回転によるウェハーＷの回動軌跡上に、ウェハ
ーＷを横断する凸状部a1を形成可能な範囲内で、各種の
変更が可能である。
の平面形状）及びその配置は図示のものに限定されず、
定盤１の回転によるウェハーＷの回動軌跡上に、ウェハ
ーＷを横断する凸状部a1を形成可能な範囲内で、各種の
変更が可能である。
【００１４】ガラスプレート２はその下面に複数のウェ
ハーＷを間隔をおいて接着し、このウェハーＷが定盤１
に接するようにして定盤１上に載置し、このガラスプレ
ート２上に押圧体６を載置する。
ハーＷを間隔をおいて接着し、このウェハーＷが定盤１
に接するようにして定盤１上に載置し、このガラスプレ
ート２上に押圧体６を載置する。
【００１５】そうして、押圧体６によりガラスプレート
２の全面にほぼ均等に荷重がかかり、その状態で定盤１
上に砥粒液を供給すると共に、定盤１を回転させると、
ウェハーＷの回動軌跡上に多数突出する凸状部a1によっ
てウェハーＷを研磨する。
２の全面にほぼ均等に荷重がかかり、その状態で定盤１
上に砥粒液を供給すると共に、定盤１を回転させると、
ウェハーＷの回動軌跡上に多数突出する凸状部a1によっ
てウェハーＷを研磨する。
【００１６】この時、夫々の凸状部a1のエッジa3による
研磨作用によって研磨面（クロス上面）における方向む
らや部分的なくもり現象を吸収してヘイズむらの発生を
防ぎ、ウェハーＷを均質な鏡面状に研磨する。
研磨作用によって研磨面（クロス上面）における方向む
らや部分的なくもり現象を吸収してヘイズむらの発生を
防ぎ、ウェハーＷを均質な鏡面状に研磨する。
【００１７】尚、上記実施例においてはウェハー接触面
ａの凹凸形状を、定盤１上面にテープ５を貼ることで形
成したが、該テープ５に代えて、定盤１上面に凸状部a1
を直接形成することも可能であり、この場合の凸状部a1
の形状及び配置はテープ５同様、定盤１の回転によるウ
ェハーＷの回動軌跡上に、ウェハーＷを横断する凸状部
a1を形成可能な範囲内で、各種の変更が可能である。
ａの凹凸形状を、定盤１上面にテープ５を貼ることで形
成したが、該テープ５に代えて、定盤１上面に凸状部a1
を直接形成することも可能であり、この場合の凸状部a1
の形状及び配置はテープ５同様、定盤１の回転によるウ
ェハーＷの回動軌跡上に、ウェハーＷを横断する凸状部
a1を形成可能な範囲内で、各種の変更が可能である。
【００１８】
【発明の効果】本発明に係るウェハー研磨装置は以上説
明したように構成したので、ウェハー接触面の凸状部の
エッジ作用によって研磨面における方向むらや部分的な
くもり現象を吸収してヘイズむらの発生を防ぎ、ウェハ
ーを均質な鏡面状に研磨することができる。
明したように構成したので、ウェハー接触面の凸状部の
エッジ作用によって研磨面における方向むらや部分的な
くもり現象を吸収してヘイズむらの発生を防ぎ、ウェハ
ーを均質な鏡面状に研磨することができる。
【００１９】従って、定盤上面やウェハー接触面の不均
質性、押圧体による荷重の偏りなどの影響を受けること
なく、ウェハーを均質な鏡面状に研磨でき、高品質なウ
ェハーを確実に提供できる。
質性、押圧体による荷重の偏りなどの影響を受けること
なく、ウェハーを均質な鏡面状に研磨でき、高品質なウ
ェハーを確実に提供できる。
【図１】本発明に係るウェハー研磨装置の一実施例を示
す縦断正面図。
す縦断正面図。
【図２】図１の（２）−（２）線に沿う断面図。
【図３】図２の（３）−（３）線に沿う断面図。
【図４】凹凸形状（テープ）の変形例を表す横断平面
図。
図。
【図５】図４の（５）−（５）線に沿う断面図。
【図６】従来装置を表す縦断正面図。
１：定盤 ２：ガラスプレート
３：接着剤 ４：研磨用クロス ５：テープ
６：押圧体 ａ：ウェハー接触面 a1：凸状部 a
2：凹状部 a3：エッジ Ｗ：ウェハー
３：接着剤 ４：研磨用クロス ５：テープ
６：押圧体 ａ：ウェハー接触面 a1：凸状部 a
2：凹状部 a3：エッジ Ｗ：ウェハー
Claims (3)
- 【請求項１】 複数のウェハーを接着したプレートを回
転自在な定盤上に載置し、該プレート上に押圧体を載せ
ると共に、各ウェハー全面にほぼ均等な荷重をかけなが
ら定盤を回転させてウェハーを研磨する装置において、
定盤上面のウェハー接触面を凹凸形状としたことを特徴
とするウェハー研磨装置。 - 【請求項２】 定盤上面にテープを貼って上記ウェハー
接触面の凹凸形状を形成したことを特徴とする請求項１
記載のウェハー研磨装置。 - 【請求項３】 定盤上面に凹凸を設けて上記ウェハー接
触面の凹凸形状を形成したことを特徴とする請求項１記
載のウェハー研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP493293A JPH06210563A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | ウェハー研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP493293A JPH06210563A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | ウェハー研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06210563A true JPH06210563A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=11597361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP493293A Pending JPH06210563A (ja) | 1993-01-14 | 1993-01-14 | ウェハー研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06210563A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6102780A (en) * | 1998-04-09 | 2000-08-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Substrate polishing apparatus and method for polishing semiconductor substrate |
| JP2013010169A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 研磨装置及び研磨パッド |
| KR20210090911A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-21 | (주)제이쓰리 | 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술 |
-
1993
- 1993-01-14 JP JP493293A patent/JPH06210563A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6102780A (en) * | 1998-04-09 | 2000-08-15 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Substrate polishing apparatus and method for polishing semiconductor substrate |
| JP2013010169A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-17 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 研磨装置及び研磨パッド |
| KR20210090911A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-21 | (주)제이쓰리 | 반도체 웨이퍼 형상을 제어하는 웨이퍼 가공기술 |
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