JPH02124950A - 4,4´−ビス(フタルイミド)ジフェニルスルホン誘導体配合難燃性高分子組成物 - Google Patents

4,4´−ビス(フタルイミド)ジフェニルスルホン誘導体配合難燃性高分子組成物

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JPH02124950A
JPH02124950A JP88307788A JP30778888A JPH02124950A JP H02124950 A JPH02124950 A JP H02124950A JP 88307788 A JP88307788 A JP 88307788A JP 30778888 A JP30778888 A JP 30778888A JP H02124950 A JPH02124950 A JP H02124950A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、4,4′−ビス(フタルイミド)ジフェニル
スルホン誘導体を配合してなる難燃性高分子組成物に関
する。
(従来の技術) 従来より合成高分子用難燃剤として、各種の含ハロゲン
系雌燃剤、含リン系難燃剤、含リン含ハロゲン系難燃剤
、無機代合物等が知られでいる。
しかし一般にこれらの難燃剤は、耐候性、耐熱性に欠点
のあるものが多い。また高分子に配合した際に、高分子
の持っている機械的特性の低下や電気的性質の低下を引
き起こしたり、高分子か着色する等高分子本来の性質を
低下させていた。その他、高分子成形時に難燃剤の熱分
解により成型槽か腐食される等の欠点を有していた。
(発明か解決しようとする問題点) 近年高耐熱性高分子が開発されるに従い、高分子が使用
される温度も上昇してきている。それらの高耐熱性高分
子を難燃化するには、高分子か使用される温度において
も、熱的に安定な難燃剤が必要となる。また、難燃剤を
配合した高分子を屋外で使用することを考えた場合、耐
光性の良い難燃剤が必要になる。そこで本発明の目的は
特に高耐熱性、高耐光性の難燃剤を配合してなる高分子
組成物を提供することにある。
(問題を解決する為の手段) 本発明者は上記事情に鑑み、各種化合物を合成し、高耐
熱性および高耐光性を有する難燃剤として好適に使用し
得る新規化合物について鋭意検討した結果、特定のハロ
ゲン含有化合物が係る条件を満足することを見いだし、
本発明に到達したのである。
すなわち本発明は一般式(1) (式中XはB「又はC1を表わし、 k=0〜4. 1=a〜4、 m=0〜4、n=0〜4、の数、k+l+m+n>りで
表される4、4′−ビス(フタルイミド)ジフェニルス
ルホン誘導体を配合してなる難燃性高分子組成物に関す
るものである。
本発明の難燃剤として一般式(1)で表わされる4、4
′−ビス(フタルイミド)ジフェニルスルホン誘導体は
新規化合物であり、分子内に少なくとも1個の臭素又は
塩素を有するものである。
本発明の一般式(1)で表わされる化合物の具体例をあ
げると、4,4′−ビス(ジブロモフタルイミド)ジフ
ェニルスルホ〉、4,4′−ビス(トリクロロフタルイ
ミド)ジフェニルスルホン、4,4゛−ビス(テトラフ
ロモフタルイミド)ジフェニルスルホン、4,4′−ビ
ス(ジブロモフタルイミド)−2,2’−ジブロモジフ
ェニルスルホン、4,4′−ビス(ジブロモフタルイミ
ド)−2,2’、6,6’−テトラブロモジフェニルス
ルホン、4.4’−ビス(テトラフロモフタルイミド)
−2,2’、6.6’−テトラフロモジフェニルスルホ
ン、4,4″−ビス(ジクロロフタルイミド)−2,2
’−ジブロモジフェニルスルホン、4.4−ビス(ジク
ロロフタルイミド)−2,2’、6.6’−テトラフロ
モジフェニルスルホン、4,4′−ビス(テトラクロロ
フタルイミド)−2,2’、6.6’−テトラブロモジ
フェニルスルホン、4,4′−ビス(ジブロモフタルイ
ミド)−2,2′−ジクロロジフェニルスルホン、4,
4′−ビス(ジブロモフタルイミド)−2,2’、6.
6’−テトラクロロジフェニルスルホン、4,4′−ビ
ス(テトラクロロフタルイミド)−2,2’、6,6’
−テトラクロロジフェニルスルホン、4.4′−ビス(
ジクロロフタルイミド)−2,2’−ジクロロジフェニ
ルスルホ〉、4,4′−ビス(ジクロロフタルイミド)
−2,2’、6.6’−テトラクロロジフェニルスルホ
ン、4.4’、−ビス(テトラクロロフタルイミド)−
2,2’、6.6’−テトラクロロジフェニルスルホン
、4.4′−ビス(ジクロロフタルイミド)ジフェニル
スルホン、4,4′−ビス(トリクロロフタルイミド)
ジフェニルスルホン、4.4″−ビス(テトラクロロフ
タルイミド)ジフェニルスルホン等をあげることができ
る。
本発明の4,4′−ビス(フタルイミド)ジフェニルス
ルホン誘導体は、ハロゲン化無水フタル酸とハロ’F’
 >化4,4−ジアミノジフエニルスルホンを反応させ
る方法、無水フタル酸と4,4−ジアミノジフェニルス
ルホ〉の反応後にハロゲン化する方法等により得ること
ができる。
本発明において、−数式(1)の新規化合物を合成高分
子用難燃剤として配合するに際し対象となる高分子重合
体は、特に制限されるものではないが、ポリエチレン、
ポリプロピレン、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共
重合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチ
レン−プロピレン共重合体、エチレン−プロビレ〉−ジ
エン共重合体、エチレン−塩化ビニル共重合体、エチレ
ン−酢酸ビニル−グラフト塩化ビニル共重合体、エチレ
ン−エチルアクリレート−グラフト塩化ビニル共重合体
、エチレン−プロピレン−グラフト塩化ビニル共重合体
、塩素化ポリエチレン、塩素化ポリエチレン−グラフト
塩化ビニル共重合体、ポリアミド、アクリル樹脂、ポリ
スチレン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレ
ート、アクリロニトリル−フタジエン−スチレン共重合
体などの熱可塑性樹脂またはエラストマー、ポリエステ
ル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メ
ラミン樹脂、尿素樹脂なとの熱硬化性樹脂、およびフチ
ルゴム、クロロプレンゴム、ニトリルコム、天然コム、
シリコンゴム、クロロスルホン化ポリエチレン、スチレ
ン−ブタジェンゴム、ポリエステル−エーテルエラスト
マーなどか例示される。これらの高分子は一種単独で用
いても、二種以上を併用してもよい。
一般式(1)で示す化合物を合成高分子用難燃剤として
利用する場合の添加量は、合成高分子100重量部に対
して3〜100重1部好ましくは10〜50重量部か選
はれる。その理由は3重量部より少ない場合は、難燃効
果か不十分てあり、100重量部を越える場合はその増
量効果かほとんど見られないことによる。
数式(1)で示す化合物を合成高分子用難燃剤として利
用する場合の高分子への添加方法は特に規定されないが
、例えば高分子と難燃剤を混練りフレンドする方法、高
分子と難燃剤の混合物を溶融成型する方法、高分子の重
合終期に添加する方法、あるいは高分子と難燃剤をそれ
ぞれ溶滴状態にしたあと混合し、ついで貧溶媒で再沈さ
せたり、溶媒を蒸発せしめる方法等があけられる。
また、−数式(1)で示す化合物を合成高分子用難燃剤
として利用する場合、難燃効果を高める目的で難燃助剤
(例えは三酸化アンチモン)や他の公知の難燃剤を併用
してもよい。また他の公知の添加剤(例えは、着色剤、
紫外線吸収剤、酸化防止剤、充填剤、滑剤、界面活性剤
、架橋剤等)を必要に応じて配合しても差しつかえない
(発明の効果) 本発明の新規化合物を配合した高分子組成物は、加工時
に難燃剤の蒸発飛散もなく、さらに耐光性、耐熱性に特
に優れている。また表1に示される様に、従来のイミド
系化合物に比べ白色度にも優れている。
(実施例)1 以下、実施例に従って本発明を更に詳しく説明するか本
発明はこれらのみにより限定されるものてはない1゜ 実施例 1 塩化カルシウム管付き冷却コンデンサーDean−5t
ark トラップ、パワースターラーを装備した31の
平底四つロセパラフルフラスコに、テトラフロ千フタル
酸無水物268.0g (577,9mmoZ)、4,
4′ジアミノジフエニルスルホ> 71.8g(289
,0mmol)、ジメチルアセトアミド1100ml、
エチルベ〉ゼ〉500m1を順次添加した。次にオイル
バス上で撹はんしながら80°Cまて昇温し、均一溶液
とした。さらに1時間かけて136°Cまで昇温し、エ
チルベンゼン水共沸条件として系内の生成水を除去した
。水の留出に伴い結晶が析出した。4時間後に水の留出
か終了し、撹はんを止め室温まで放冷した。析出した結
晶をろ過し、ジメチルアセトアミド200m1、イソプ
ロピルアルコール500m1で順次適法後、乾燥(20
0°Cx2時間)することにより淡黄色の結晶を得た。
結晶の融点は300°C以上であった。得られた物質の
IRスペクトルを測定したところ、1760cm’の酸
無水物のC=O伸縮振動か消失し、新たに1712cm
’にフタルイミドのC=O伸縮振動か生成したことより
、フタルイミド骨格が形成されたことがわかった。また
1340cm’にQ=5=Qの伸縮振動、1120cm
−’に0=S=Oの逆対称伸縮振動が見られた。また元
素分析値はC:29.6%、H:0.8%、Br:56
.3%、N:2.5% (計算値C:29.51%、H
:0.71%、Br:56.09%、N:2.46%)
であり一致していた。またTSK GEL G−100
0H(東ソー株式会社製)のカラム(溶離液テトラヒド
ロフラン)による高速ゲル浸透クロマトグラフィーによ
る分析で、純粋であることを確認した。以上の事より、
−数式(1)のXがSr、 k=n=4、l=m=0の
ビス(テトラフロモフタルイミド)ジフェニルスルホン
(以下TBPSと略す)が合成されたことを確認した。
上記で得られた化合物の熱安定性を、熱重量分析により
以下に示す条件で分析した結果と、結晶の色を測定しハ
ンター白色度(W)とイエローインデックス(Yl)を
計算した結果を表1に示した。
比較例 1〜2 比較例1はDBDE(デカプロ干ジフェニルエーテル)
。比較例2はBT−93(ビス(テトラフロモフタルイ
ミド)エタン)に関するものである。これらにつき、実
施例1と同様な方法で評価し、その結果をまとめて表1
に示した。
実施例 2〜5 高耐衝撃性ポリスチレ〉樹脂(出光スチロールHT 5
0  以下HIPSと略す)に、表2−1に示した配合
(各重量部)の組成物を、東洋精機製作所ラボプラスト
ミルでD20−25押出機を用い、押出し温度220°
Cで押出しペレット化した。ベレットを230°C5分
間加熱プレス(100kg/cm2)I、、30°C加
圧下(100kg/cm2)で5分間冷却し、厚さ3m
mのシートを得た。そのシートからJIS K−700
1−1972に従い、酸素指数(01)測定用の試験片
を作成し01をそれぞれ測定した。また厚さ3mmのU
L94燃焼性試験用の試験片を作成し、垂直燃焼試験を
それぞれ実施した。フリートアウトについては、成型後
のシー1〜を30日間放置した後、表面状態を目視で判
断した。以上の結果をまとめて表2−1に示した。また
プレス成型後の3mm厚のシートを120°〔で50時
間と100時間放置し、放置後のΔEの値(色差)を測
定することで、耐熱性を評価した。さらに、プレス成型
後の3mm厚のシートに、UV光(290〜450nm
、紫外強度100mW/cm2)を63°(で5時間、
10時間照射し、照射前後のΔεの値(色差)を測定す
ることで、耐光性を評価した。これらの結果をまとめて
表3に示した。
比較例 3〜11 HIPS(出光スチロール HT−50)のみ、又は表
2−2に示した配合の組成物を東洋精機製作所ラボブラ
ストミルでD20−25押出槻を用い、押出し温度22
0°Cで押出しペレット化した。その後、実施例2〜5
と同様な方法で評価した結果を表2−2、表3に示した
実施例 6〜9 ポリプロピレジ(チッソに7014、耐衝撃グレート)
のペレットに、表4に示した割合(各重量部)の化合物
を180°Cで12分間ロール混練りした。ロール混練
り性については、樹脂または難燃剤のロールへの付着が
なく難燃剤の分解がないものについてのみ良とした。混
練り物を200°Cで2分間加熱プレス(100kg/
cm勺し、30°C加圧下(100kg/cm勺で5分
間冷却し厚さ3mmのシートを得た。このシートからJ
ISK−7201−1972に従い酸素指数(01)測
定用の試験片を作成し、01を測定した結果を表4に示
した。。
またプレス成型後のシートに、UV光 (290〜450nm、紫外強度100mW/cm2)
を63°Cで50時間照射し9照射前後のΔEの値(色
差)も合わせて表4に示した。
比較例 12 ポリプロピレン(チッソに7014、耐衝撃グレード)
のベレットのみを180°Cで12分間ロール上で溶融
させ、200’Cで2分間加熱プレス(100kg/c
m勺し、300C加圧下(100kg/cm勺で5分間
冷却し厚さ3mmのボップロピレンシートを得た。実施
例6と同様の方法で評価した結果を表4に示した。。
比較例 13.14 ポリプロピレン(チッソに7014、耐衝撃クレート)
のベレットに、表4に示した割合の化合物を180°C
で12分間ロール混練りした。混練り物を200°Cで
2分間加熱プレス(100kg/cm2) l、、30
°C加圧下(100kg/cm2)で5分間冷却し厚さ
3mmのシートを得た1、実施例6と同様の方法で評価
した結果を表4に示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 高分子重合体に一般式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中XはBr又はClを表わし、k=0〜4、l=0
    〜4、m=0〜4、n=0〜4、の数、k+l+m+n
    >1)で表される4,4′−ビス(フタルイミド)ジフ
    ェニルスルホン誘導体を高分子重合体に配合してなるこ
    とを特徴とする難燃性高分子組成物。
JP63307788A 1987-12-08 1988-12-07 4,4´−ビス(フタルイミド)ジフェニルスルホン誘導体配合難燃性高分子組成物 Expired - Lifetime JP2653142B2 (ja)

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JP18538788 1988-07-27
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008120569A (ja) * 2006-11-15 2008-05-29 Canon Inc シート給送装置及び画像形成装置
JP2008265192A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Tohoku Ricoh Co Ltd 両面印刷装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008120569A (ja) * 2006-11-15 2008-05-29 Canon Inc シート給送装置及び画像形成装置
JP2008265192A (ja) * 2007-04-23 2008-11-06 Tohoku Ricoh Co Ltd 両面印刷装置

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