JPH02116023A - 記録媒体潤滑材および記録媒体 - Google Patents
記録媒体潤滑材および記録媒体Info
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- JPH02116023A JPH02116023A JP26741588A JP26741588A JPH02116023A JP H02116023 A JPH02116023 A JP H02116023A JP 26741588 A JP26741588 A JP 26741588A JP 26741588 A JP26741588 A JP 26741588A JP H02116023 A JPH02116023 A JP H02116023A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、情報産業分野等に応用される記録媒体潤滑材
に関するものである。
に関するものである。
従来の技術
記録媒体は、従来の塗布型に代わり、基板上に直接記録
層をメツキ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
ブレーティング法等によって形成する金属薄膜型記録媒
体の開発が活発である。
層をメツキ法、スパッタリング法、真空蒸着法、イオン
ブレーティング法等によって形成する金属薄膜型記録媒
体の開発が活発である。
前記の金属薄膜型媒体では、信号の記録再生の際、ヘッ
ド等と接触して摩擦や摩耗を生じ、摩耗粉や損傷が発生
する。このため、記録層そのものまたはその表面を処理
することによって、耐摩擦、耐摩耗性の改良を行うなど
の種々の改善がなされている。例えば高級脂肪酸やフッ
素系ポリマー等を単独又は表面処理剤を記録層上に積層
している(特開昭59−172159号公報)。しかし
ながら、スペーシングロスのために潤滑層はそんなに厚
く設けることができない。従って、確かに走行性にやや
改良が見られるものの、やがては剥離したりあるいは変
質するなどの現象が見られるなど不十分な点を有してい
る。
ド等と接触して摩擦や摩耗を生じ、摩耗粉や損傷が発生
する。このため、記録層そのものまたはその表面を処理
することによって、耐摩擦、耐摩耗性の改良を行うなど
の種々の改善がなされている。例えば高級脂肪酸やフッ
素系ポリマー等を単独又は表面処理剤を記録層上に積層
している(特開昭59−172159号公報)。しかし
ながら、スペーシングロスのために潤滑層はそんなに厚
く設けることができない。従って、確かに走行性にやや
改良が見られるものの、やがては剥離したりあるいは変
質するなどの現象が見られるなど不十分な点を有してい
る。
発明が解決しようとする課題
本発明は、記録層と潤滑層との結合力及び潤滑層分子の
結合力を高め、かつ潤滑層分子の密度を高めることによ
り、耐摩擦、耐摩耗性に優れた記録媒体を提供すること
を目的としている。
結合力を高め、かつ潤滑層分子の密度を高めることによ
り、耐摩擦、耐摩耗性に優れた記録媒体を提供すること
を目的としている。
課題を解決するための手段
下記に示す3分岐型アルキルシランを含む記録媒体潤滑
材。
材。
R+ 5i−Ra
(R+は枝状に3つに分岐した、アルキル基、アミノ基
、カルボキシル基、またはエーテル結合を含むアルキル
基、R2〜Rsはハロゲン、アルコキシ基、アセトキシ
基またはヒドロキシ基を含む)作用 前記3分岐型アルキルシランは記録層と強固に結合し、
また3つの分岐したアルキル鎖は膜の表面密度を高める
。
、カルボキシル基、またはエーテル結合を含むアルキル
基、R2〜Rsはハロゲン、アルコキシ基、アセトキシ
基またはヒドロキシ基を含む)作用 前記3分岐型アルキルシランは記録層と強固に結合し、
また3つの分岐したアルキル鎖は膜の表面密度を高める
。
3分岐型アルキルシランは、アルキルシランのSi部が
記録層表面近くに並び、アルキル鎖は記録層表面遠くに
並ぶ。このように形成された3分岐型アルキルシラン膜
は、Si部が記録層表面と共有結合を生じかつ記録層表
面にアルキル鎖の密度が向上した3分岐型アルキルシラ
ンの膜を形成する。
記録層表面近くに並び、アルキル鎖は記録層表面遠くに
並ぶ。このように形成された3分岐型アルキルシラン膜
は、Si部が記録層表面と共有結合を生じかつ記録層表
面にアルキル鎖の密度が向上した3分岐型アルキルシラ
ンの膜を形成する。
また、3分岐型アルキルシランはアルキル鎖の最密充填
が実現しやすくそのため膜密度が飛躍的に向上する。そ
の結果、潤滑層のせん断応力が大きくなって、くりかえ
し回数に対する性能が向上し摺動間での直接接触を防ぐ
作用も極めて大きい。
が実現しやすくそのため膜密度が飛躍的に向上する。そ
の結果、潤滑層のせん断応力が大きくなって、くりかえ
し回数に対する性能が向上し摺動間での直接接触を防ぐ
作用も極めて大きい。
実施例
図は、本発明の記録媒体の断面図である。図に於て1は
基板、2は記録層、3は3分岐型アルキルシラン含有の
潤滑層である。
基板、2は記録層、3は3分岐型アルキルシラン含有の
潤滑層である。
本発明の記録媒体に使用し得る基板1としては、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート
、ポリポロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフ
タタレート、ポリ酢酸セルロース、およびポリ塩化ビニ
ル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス、磁器等の
セラミック材料等周知の材料からなるフィルム、板等が
ある。
ミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポリカーボネート
、ポリポロピレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフ
タタレート、ポリ酢酸セルロース、およびポリ塩化ビニ
ル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス、磁器等の
セラミック材料等周知の材料からなるフィルム、板等が
ある。
また記録層2を形成する磁性材料としては、Fes
Co1 Niから選ばれる少なくとも1種以上の金属、
またはこれらとMn% Cr171% PlYtSrr
bBi等またはこれらの酸化物を組み合わせた合金があ
り中でもCOl Cr1 Niから選ばれる少なくとも
2種以上の元素で構成される記録層は高い磁気異方性エ
ネルギーを有していることや耐食性などで好ましく、こ
れらは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法、メツキ法等の方法で形成させることができる
。なお本発明に述べる記録層2は当然前記以外の組成に
限定されないことは言うまでもない。
Co1 Niから選ばれる少なくとも1種以上の金属、
またはこれらとMn% Cr171% PlYtSrr
bBi等またはこれらの酸化物を組み合わせた合金があ
り中でもCOl Cr1 Niから選ばれる少なくとも
2種以上の元素で構成される記録層は高い磁気異方性エ
ネルギーを有していることや耐食性などで好ましく、こ
れらは真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法、メツキ法等の方法で形成させることができる
。なお本発明に述べる記録層2は当然前記以外の組成に
限定されないことは言うまでもない。
本発明において、潤滑層に用いる3分岐型アルキルシラ
ンは下記に示す一般式で現せる。
ンは下記に示す一般式で現せる。
R+ −S i −Rs
R+は枝状に3つに分岐した、アルキル基、アミノ基、
カルボキシル基またはエーテル結合を含むアルキルL
R2−R4はハロゲン、アルコキシ基、アセトキシ基
、ヒドロキシ基を含む。γ−[N−()リス(へブタテ
゛シルオキシメチル)〕 メチルスクシニルコ ブ吐°
ルトリエトキシシラン、 γ −[N−〔トリス(オク
クテ°シルオキシメチル)〕 メチルスクシニル] フ
。
カルボキシル基またはエーテル結合を含むアルキルL
R2−R4はハロゲン、アルコキシ基、アセトキシ基
、ヒドロキシ基を含む。γ−[N−()リス(へブタテ
゛シルオキシメチル)〕 メチルスクシニルコ ブ吐°
ルトリエトキシシラン、 γ −[N−〔トリス(オク
クテ°シルオキシメチル)〕 メチルスクシニル] フ
。
ロピルトリエト朴シラン等が一例である。なお本発明で
に述べる潤滑層に用いる3分岐型アルキルシランは当然
前記以外に限定されないことは言うまでもない。
に述べる潤滑層に用いる3分岐型アルキルシランは当然
前記以外に限定されないことは言うまでもない。
前記3分岐型アルキルシランは記録層と強固に結合し、
また3つの分岐したアルキル鎖は膜の表面密度を高める
。
また3つの分岐したアルキル鎖は膜の表面密度を高める
。
3分岐型アルキルシランは、アルキルシランのSi部が
記録層表面近くに並び、アルキル鎖は記録層表面遠くに
並ぶ。これはラングミュア−プロジェット法あるいは吸
着法により形成された3分岐型アルキルシランによりこ
の配向を実現し易い。
記録層表面近くに並び、アルキル鎖は記録層表面遠くに
並ぶ。これはラングミュア−プロジェット法あるいは吸
着法により形成された3分岐型アルキルシランによりこ
の配向を実現し易い。
このように形成された3分岐型アルキルシラン膜は、S
1部が記録層表面と共有結合を生じかつ記録層表面にア
ルキル鎖の密度が向上した3分岐型アルキルシランの膜
を形成する。
1部が記録層表面と共有結合を生じかつ記録層表面にア
ルキル鎖の密度が向上した3分岐型アルキルシランの膜
を形成する。
また、3分岐型アルキルシランはアルキル鎖の最密充填
が実現しやすくそのため膜密度が飛跡的に向上する。そ
の結果、潤滑層のせん断応力が大きくなって、くりかえ
し回数に対する性能が向上し摺動間での直接接触を防ぐ
作用も極めて大きい。
が実現しやすくそのため膜密度が飛跡的に向上する。そ
の結果、潤滑層のせん断応力が大きくなって、くりかえ
し回数に対する性能が向上し摺動間での直接接触を防ぐ
作用も極めて大きい。
これもラングミュア−ブロジェット法あるいは吸着法に
より形成された3分岐型アルキルシランは被覆率がより
向上しやすい。
より形成された3分岐型アルキルシランは被覆率がより
向上しやすい。
従って、この3分岐型アルキルシランのLB膜は単分子
層でも十分な効果を得、16〜22までの炭素数のアル
キル基を有する3分岐型アルキルシランはLB膜を作製
し易くその効果も大きい。
層でも十分な効果を得、16〜22までの炭素数のアル
キル基を有する3分岐型アルキルシランはLB膜を作製
し易くその効果も大きい。
なかでも γ −[N−Dリス(へブタテ°シルオキシ
メチル)〕 メチルスクシニル7ミノ] ブUピルトリ
エトキシシラン、 γ −[N−(トリス(1クタテ
゛シルオキシメチル)〕 メチルスクシニルアミノ]
フ゛ロヒ゛ルトリエトキシシラン等はLB膜として取扱
いやすくかつ成膜にすぐれているため効果も大きい。
メチル)〕 メチルスクシニル7ミノ] ブUピルトリ
エトキシシラン、 γ −[N−(トリス(1クタテ
゛シルオキシメチル)〕 メチルスクシニルアミノ]
フ゛ロヒ゛ルトリエトキシシラン等はLB膜として取扱
いやすくかつ成膜にすぐれているため効果も大きい。
以上述べた潤滑層を記録層上に形成することにより走行
性に優れた記録媒体を得る。そしてこれらの厚みは信号
の記録再生からみれば薄ければ薄いほど良い。また、厚
みの上限はスペーシングロスによる記録出力の低下に支
障をきたさない範囲において500A以下が望ましい。
性に優れた記録媒体を得る。そしてこれらの厚みは信号
の記録再生からみれば薄ければ薄いほど良い。また、厚
みの上限はスペーシングロスによる記録出力の低下に支
障をきたさない範囲において500A以下が望ましい。
以下、実施例を詳述する。
実施例1
γ −[N−(:)リス(ヘフ゛クチ゛シルオキシメヂ
ル)〕 メチルスクシニルアミノコプロピルトリIトキ
シシラン (3C) をCo−Crの磁性金属のインゴ
ット上に、表1に示す条件でラングミュア−ブロジェッ
ト(LB)法によって1層累積した。
ル)〕 メチルスクシニルアミノコプロピルトリIトキ
シシラン (3C) をCo−Crの磁性金属のインゴ
ット上に、表1に示す条件でラングミュア−ブロジェッ
ト(LB)法によって1層累積した。
製膜後、80℃、30分加熱乾燥した。参考のために、
従来からよく知られているステアリン酸(St)と比較
した。
従来からよく知られているステアリン酸(St)と比較
した。
表1
これらの試料の走行性を調べるため、摩擦子6R5UJ
2.荷重(W)lOgf、走行速度(v)0.5mm/
sの条件で試験した。
2.荷重(W)lOgf、走行速度(v)0.5mm/
sの条件で試験した。
潤滑層を形成しない未処理の記録媒体は、摩擦係数(μ
に)が初期より0.35と太き(,50pasS後にお
いてはさらに0.85と上昇し摩耗が著しかった。
に)が初期より0.35と太き(,50pasS後にお
いてはさらに0.85と上昇し摩耗が著しかった。
一方Stでは初期のμには確かに0.2と小さくなり潤
滑性が改良されていた。しかしながら50pass走行
をくりかえすとμには0.35と上昇し、あたかもSt
の剥離を示す状態であった。これに対しγ−[N−〔ト
リス(へブタテ゛シルオキシメチル)〕 メチルスグシ
ニルアミノコ フ゛吐°ルトリエトキシシランで潤滑層
を形成した記録媒体は、μにでは0.2でありStと比
較してそれほど差異はないものの、くりかえしの走行に
おいてもμには変化せず摩耗も見られなかった。以上の
ように、記録層上に枝状の2つに分岐したアルキル基を
1つ有しかつ、3つのエトキシ基のようなアルコキシ基
をからなるシラン系化合物を形成すると、潤滑層が記録
層との結合力が強くかつ剥離が小さいため走行性にすぐ
れた耐久性を有する記録媒体が得られることが本実施例
かられかる。
滑性が改良されていた。しかしながら50pass走行
をくりかえすとμには0.35と上昇し、あたかもSt
の剥離を示す状態であった。これに対しγ−[N−〔ト
リス(へブタテ゛シルオキシメチル)〕 メチルスグシ
ニルアミノコ フ゛吐°ルトリエトキシシランで潤滑層
を形成した記録媒体は、μにでは0.2でありStと比
較してそれほど差異はないものの、くりかえしの走行に
おいてもμには変化せず摩耗も見られなかった。以上の
ように、記録層上に枝状の2つに分岐したアルキル基を
1つ有しかつ、3つのエトキシ基のようなアルコキシ基
をからなるシラン系化合物を形成すると、潤滑層が記録
層との結合力が強くかつ剥離が小さいため走行性にすぐ
れた耐久性を有する記録媒体が得られることが本実施例
かられかる。
実施例2
次にアルキル基がヘキサデシル(C1G) 、エイコシ
ル(C20) 、トコシル(C22)の場合の3分岐ア
ルキルシランを用いて1層形成し、摩擦試験機に接触電
気測定法を加えた回路で耐摩耗性を調べた。試験条件は
3R8UJ2、v:5gf1v:1.0mm/Sであり
、この時基板に直接接触するまでの走行回数(pass
)での比較と表面観察をおこなった。
ル(C20) 、トコシル(C22)の場合の3分岐ア
ルキルシランを用いて1層形成し、摩擦試験機に接触電
気測定法を加えた回路で耐摩耗性を調べた。試験条件は
3R8UJ2、v:5gf1v:1.0mm/Sであり
、この時基板に直接接触するまでの走行回数(pass
)での比較と表面観察をおこなった。
その結果を表2に示した。なお、実施例1と同様にSt
と比較した。
と比較した。
表2
上記シラン系化合物の耐摩耗性はStより約15〜20
倍向上していた。また、Stは走行中央部に深い傷が見
られたのに対し、シラン系化合物は傷が走行部分全体に
おいて一様化されて摩耗は軽微であった。このようにく
りかえしの摺動に対し、結合力強化により基板との剥離
が小さく耐摩耗性を向上させていることが分かる。以上
のことから、シラン系化合物を用いると本実施例に示す
ように、耐摩耗性が向上する潤滑膜が得られ、かつその
効果は、炭素数16〜22のアルキル鎖において有効に
発揮されていることがわかる。
倍向上していた。また、Stは走行中央部に深い傷が見
られたのに対し、シラン系化合物は傷が走行部分全体に
おいて一様化されて摩耗は軽微であった。このようにく
りかえしの摺動に対し、結合力強化により基板との剥離
が小さく耐摩耗性を向上させていることが分かる。以上
のことから、シラン系化合物を用いると本実施例に示す
ように、耐摩耗性が向上する潤滑膜が得られ、かつその
効果は、炭素数16〜22のアルキル鎖において有効に
発揮されていることがわかる。
実施例3
γ−(N、N−ジオクタデシルスクシニルアミノ)プロ
ピルトリクロロシランを以下に示す方法で製膜した。
ピルトリクロロシランを以下に示す方法で製膜した。
LB法は実施例1に示す条件のうち、サブフェースのp
Hのみを中性CB、5)に変えて累積した。
Hのみを中性CB、5)に変えて累積した。
吸着法は、上記物質の5 x 10−”Mのベンゼン中
に攪はんしながら基板を浸漬し、20分後に弓き上げた
後、クロロホルムと純水で洗浄した後乾燥させて作製し
た。 スピンコード法は、吸着法に用いた溶液をガラ
スピペットで5cc採取し、塗布工程を200Orpm
、20秒、乾燥工程を3000rpms 20秒で基
板に塗布した後乾燥して作製した。
に攪はんしながら基板を浸漬し、20分後に弓き上げた
後、クロロホルムと純水で洗浄した後乾燥させて作製し
た。 スピンコード法は、吸着法に用いた溶液をガラ
スピペットで5cc採取し、塗布工程を200Orpm
、20秒、乾燥工程を3000rpms 20秒で基
板に塗布した後乾燥して作製した。
以上の試料を初期のμにとその経時変動状態を表3に示
す。スピンコード法で作製した試料は、μにの初期で0
.25と高かったばかりでなく、<りかえしの状態にお
いてもμにの変動が大きく非常に不安定な走行を示して
いた。これに対し、LB法、吸着法ではμにの変動もみ
られず清めらかな走行を示していた。このことはおそら
く、スピンコードだとシラン化合物の配向性がよくない
からであろうと考えられる。
す。スピンコード法で作製した試料は、μにの初期で0
.25と高かったばかりでなく、<りかえしの状態にお
いてもμにの変動が大きく非常に不安定な走行を示して
いた。これに対し、LB法、吸着法ではμにの変動もみ
られず清めらかな走行を示していた。このことはおそら
く、スピンコードだとシラン化合物の配向性がよくない
からであろうと考えられる。
(以下余白)
表3
したがって以上の実施例に見られるように、シラン系化
合物をLB法または吸着法で積層すると、安定した潤滑
性能を有する記録媒体が得られる。
合物をLB法または吸着法で積層すると、安定した潤滑
性能を有する記録媒体が得られる。
実施例4
厚み25μmのポリイミドフィルム上に、連続蒸着法で
Co−Cr(原子吸光法によって確認した組成比、Co
: Cr=8: 2wt%)を厚み1500A形成し
た磁気媒体を作製した。これに、γ−(N、N−ジオク
タデシルスクシニルアミノ)プロピルトリエトキシシラ
ンを表4に示す厚みを変えてLB法で作製した。潤滑材
未処理の媒体は初期から摩擦は高<、50pass後に
おいては傷が激しく生じていたのに対し、上記潤滑材を
積層した記録媒体はμにが小さくかつ走行後も傷がほと
んどないかあっても痕跡程度で摩耗性にすぐれていた。
Co−Cr(原子吸光法によって確認した組成比、Co
: Cr=8: 2wt%)を厚み1500A形成し
た磁気媒体を作製した。これに、γ−(N、N−ジオク
タデシルスクシニルアミノ)プロピルトリエトキシシラ
ンを表4に示す厚みを変えてLB法で作製した。潤滑材
未処理の媒体は初期から摩擦は高<、50pass後に
おいては傷が激しく生じていたのに対し、上記潤滑材を
積層した記録媒体はμにが小さくかつ走行後も傷がほと
んどないかあっても痕跡程度で摩耗性にすぐれていた。
表4
を有することが本実施例かられかり、また厚みも500
A以下でそれが効果的であることも認められる。
A以下でそれが効果的であることも認められる。
発明の効果
本発明の記録媒体潤滑材を用いることにより1、記録層
と強固に結合し、またアルキル基の有する低摩擦性が加
わり、耐久性のすぐれた記録媒体を実現することがいで
きる。
と強固に結合し、またアルキル基の有する低摩擦性が加
わり、耐久性のすぐれた記録媒体を実現することがいで
きる。
図は、本発明の一実施例における記録媒体の断面図であ
る。 1・・・・基板、2・・・・記録層、3・・・・潤滑層
。
る。 1・・・・基板、2・・・・記録層、3・・・・潤滑層
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)下記に示す3分岐型アルキルシランを含むことを
特徴とする記録媒体潤滑材。 ▲数式、化学式、表等があります▼ (R_1は枝状に3つに分岐した、アルキル基、アミノ
基、カルボキシル基、またはエーテル結合を含むアルキ
ル基、R_2〜R_4はハロゲン、アルコキシ基、アセ
トキシ基またはヒドロキシ基を含む)(2)3分岐型ア
ルキルシランのアルキル基が炭素数16〜22であるこ
とを特徴とする請求項1に記載の記録媒体潤滑材。 (3)3分岐型アルキルシランがγ−[N−〔トリス(
ヘプタデシルオキシメチル)メチルスクシニルアミノ]
プロピルトリエトキシシランであることを特徴とする請
求項1に記載の記録媒体潤滑材。 (4)請求項1に記載の記録媒体潤滑材からなる潤滑層
を厚み500A以下に形成したことを特徴とする記録媒
体。 (5)請求項1に記載の記録媒体潤滑材からなる潤滑層
を単分子層で形成したことを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267415A JP2718960B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 記録媒体潤滑材および記録媒体 |
US07/417,483 US5039555A (en) | 1988-10-12 | 1989-10-05 | Method of preparing lubricant for recording media |
EP19890118884 EP0363924A3 (en) | 1988-10-12 | 1989-10-11 | Lubricant for recording media and preparation method of lubricating layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63267415A JP2718960B2 (ja) | 1988-10-24 | 1988-10-24 | 記録媒体潤滑材および記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02116023A true JPH02116023A (ja) | 1990-04-27 |
JP2718960B2 JP2718960B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=17444533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63267415A Expired - Fee Related JP2718960B2 (ja) | 1988-10-12 | 1988-10-24 | 記録媒体潤滑材および記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2718960B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59203239A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスクの製造方法 |
-
1988
- 1988-10-24 JP JP63267415A patent/JP2718960B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59203239A (ja) * | 1983-05-04 | 1984-11-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 磁気デイスクの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2718960B2 (ja) | 1998-02-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |