JPH02114694A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH02114694A JPH02114694A JP26867688A JP26867688A JPH02114694A JP H02114694 A JPH02114694 A JP H02114694A JP 26867688 A JP26867688 A JP 26867688A JP 26867688 A JP26867688 A JP 26867688A JP H02114694 A JPH02114694 A JP H02114694A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3473—Plating of solder
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、はんだを付与した回路基板の製造方法に関す
るものである。
るものである。
[従来の技術]
第3図(a)〜(g)は、例えば刊行物(沖電気研究開
発 第138号 Vol、55 No、2 第45
−50頁)に示されている従来の回路基板の製造方法を
工程順に示す新面図である0図において(1)は例えば
ガラスエポキシ、金属、セラミックスからなるノ5板、
(2)は活性ペースト層、(3)は絶縁層、(4)は導
体7L(8)は金属層、(9b)は厚膜めつきレジスト
層、(7a)ははんだめっき層、(7b)ははんだ層で
ある。即ち、厚みの大きいはんだ層(はんだバンプ)を
形成する場合、絶縁層(3)と導体#(4)を有する基
板(1)(第3図(a))に電気めっき用の金属層(8
)を形成しく第3図(b))所望のはんだの厚みに相当
する厚膜めっきレジストrgj(9b)を形成する。
(第3図(C))次にめっきによりはんだめっき層(7
a)を形成後。
発 第138号 Vol、55 No、2 第45
−50頁)に示されている従来の回路基板の製造方法を
工程順に示す新面図である0図において(1)は例えば
ガラスエポキシ、金属、セラミックスからなるノ5板、
(2)は活性ペースト層、(3)は絶縁層、(4)は導
体7L(8)は金属層、(9b)は厚膜めつきレジスト
層、(7a)ははんだめっき層、(7b)ははんだ層で
ある。即ち、厚みの大きいはんだ層(はんだバンプ)を
形成する場合、絶縁層(3)と導体#(4)を有する基
板(1)(第3図(a))に電気めっき用の金属層(8
)を形成しく第3図(b))所望のはんだの厚みに相当
する厚膜めっきレジストrgj(9b)を形成する。
(第3図(C))次にめっきによりはんだめっき層(7
a)を形成後。
(第3図(d))上記めっきレジスト層(9b)を剥離
し、(第3図(e))露出した金属N(8)をエツチン
グにより除去し、 (第3図(f))上記はんだめっき
層(7a)をリフローして、導体層(4)にはんだ層(
7b)を形成する。 (第3図(g)) [発明が解決しようとする課題] しかし従来の回路基板の製造方法の導体M(4)にはん
だを付与する場合において、はんだ層の厚みに相当する
厚膜めつきレジスト層(9b)が必要であるので、厚塗
りによるレジスト材のコスト高、高精度な微少ファイン
パターン形成が困難であると言う課題があった。
し、(第3図(e))露出した金属N(8)をエツチン
グにより除去し、 (第3図(f))上記はんだめっき
層(7a)をリフローして、導体層(4)にはんだ層(
7b)を形成する。 (第3図(g)) [発明が解決しようとする課題] しかし従来の回路基板の製造方法の導体M(4)にはん
だを付与する場合において、はんだ層の厚みに相当する
厚膜めつきレジスト層(9b)が必要であるので、厚塗
りによるレジスト材のコスト高、高精度な微少ファイン
パターン形成が困難であると言う課題があった。
本発明はかかる課題を解決するためになされたものでコ
ストが低下し、作業性が向上した回路基板の製造方法を
得ることを目的としており、さらに高精度な微少ファイ
ンパターン形成できる回路基板の製造方法を得ることを
目的とする。
ストが低下し、作業性が向上した回路基板の製造方法を
得ることを目的としており、さらに高精度な微少ファイ
ンパターン形成できる回路基板の製造方法を得ることを
目的とする。
[課題を解決するための手段]
本発明の回路基板の製造方法は、絶a層を有し、所定領
域に導体層を有する基板において、上記絶mFAと導体
層にはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層
を形成し、この金属薄膜層にはんだを電気めっきしては
んだめっき層を形成し。
域に導体層を有する基板において、上記絶mFAと導体
層にはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層
を形成し、この金属薄膜層にはんだを電気めっきしては
んだめっき層を形成し。
上記はんだめっき層をリフローして上記導体層にはんだ
I曽を形成するものである。
I曽を形成するものである。
また本発明の別の発明の回路基板の製造方法は、絶縁層
を有し、所定領域に導体層を有する基板において、上記
絶縁層と導体層にはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好
な金属源膜層を形成し、この金属薄膜層に、導体層領域
を囲んでその領域より広い開口を有するレジスト層を形
成し、レジストIJ#口内の金属源膜層にはんだを電気
めっきしてはんだめっき層を形成し、上記レジスト層を
除去し露出した金属薄膜層をエツチングにより除去し上
記はんだめっき層をリフローして導体層にはんだ層を形
成するものである。
を有し、所定領域に導体層を有する基板において、上記
絶縁層と導体層にはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好
な金属源膜層を形成し、この金属薄膜層に、導体層領域
を囲んでその領域より広い開口を有するレジスト層を形
成し、レジストIJ#口内の金属源膜層にはんだを電気
めっきしてはんだめっき層を形成し、上記レジスト層を
除去し露出した金属薄膜層をエツチングにより除去し上
記はんだめっき層をリフローして導体層にはんだ層を形
成するものである。
[作用]
本発明において、はんだめっき層をリフローすると、は
んだぬれ作用とともに、絶縁層上の金属薄膜ははんだに
くわれて消失するが、過剰な基板上のはんだはその表面
張力により、導体層のはんだと一体となり、導体層のめ
つき厚以上のはんだwJ(はんだバンプ)が形成される
。そのため、同じ体積のはんだ層を得るのに、はんだめ
っき層が従来より薄くても良いのでめっき工程が短時間
で良くコストが低下し1作業性が向上する。
んだぬれ作用とともに、絶縁層上の金属薄膜ははんだに
くわれて消失するが、過剰な基板上のはんだはその表面
張力により、導体層のはんだと一体となり、導体層のめ
つき厚以上のはんだwJ(はんだバンプ)が形成される
。そのため、同じ体積のはんだ層を得るのに、はんだめ
っき層が従来より薄くても良いのでめっき工程が短時間
で良くコストが低下し1作業性が向上する。
又、本発明において、めっきレジスト層形成と、そのエ
ツチング工程が省略できるので、コストが低下し作業性
が向上する。
ツチング工程が省略できるので、コストが低下し作業性
が向上する。
さらに、本発明の別の発明において、はんだレジスト層
が従来より薄くても良いので、高精度な微少ファインパ
ターン形成が可能となり、コストも低下する。
が従来より薄くても良いので、高精度な微少ファインパ
ターン形成が可能となり、コストも低下する。
[実施例]
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例の回路基板の
製造方法を工程順に示す断面図である1図において(5
)ははんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄g層
である。
製造方法を工程順に示す断面図である1図において(5
)ははんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄g層
である。
即ち、基板(1)上に、印刷により活性ペースト層(2
)を形成した後感光性ポリイミド樹脂を塗布し写真製版
技術を用いて所望のパターン形状を有する絶縁層(3)
を形成する。次にこの絶縁M(3)以外の基板(1)上
に選択的に例えば無電解銅メツキによる銅導体層(4)
を形成し回路基板を得る。 (第1図(a))さらに、
この回路基板の絶縁PI(3)導体層(4)の全面上に
はんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属例えば錫、
銀、銅等の金属薄膜層(5)を例えば無電解メツキによ
り形成する。(第1図(b))次に、この金属薄膜層(
5)にはんだを電気めっきしてはんだめっき層(7a)
を形成し、 (第1図(C))このはんだめっき層(7
a)をリフローして導体F9(4)にはんだ層(7b)
を形成する。 (m1図(d))即ち、はんだめっき層
をリフローすると、はんだぬれ作用とともに、絶M層上
の金属薄膜ははんだにくわれて消失するが、過剰な基板
上のはんだはその表面張力により、導体上のはんだと一
体となり、導体層のめつき厚以上のはんだN(はんだバ
ンプ)が形成される。
)を形成した後感光性ポリイミド樹脂を塗布し写真製版
技術を用いて所望のパターン形状を有する絶縁層(3)
を形成する。次にこの絶縁M(3)以外の基板(1)上
に選択的に例えば無電解銅メツキによる銅導体層(4)
を形成し回路基板を得る。 (第1図(a))さらに、
この回路基板の絶縁PI(3)導体層(4)の全面上に
はんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属例えば錫、
銀、銅等の金属薄膜層(5)を例えば無電解メツキによ
り形成する。(第1図(b))次に、この金属薄膜層(
5)にはんだを電気めっきしてはんだめっき層(7a)
を形成し、 (第1図(C))このはんだめっき層(7
a)をリフローして導体F9(4)にはんだ層(7b)
を形成する。 (m1図(d))即ち、はんだめっき層
をリフローすると、はんだぬれ作用とともに、絶M層上
の金属薄膜ははんだにくわれて消失するが、過剰な基板
上のはんだはその表面張力により、導体上のはんだと一
体となり、導体層のめつき厚以上のはんだN(はんだバ
ンプ)が形成される。
第2図(a)〜(g)は本発明の別の発明の一実施例の
回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である、即ち
、厚みの大きいはんだM (はんだバンプ)を形成する
場合、上記のようにして形成した絶縁層(3)と導体層
(4)を有する基板(1)(第2図(a))に電気めっ
き用のはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜
N(5)を上記のように形成しく第2図(b))この金
属薄膜N(5)に、導体層領域を囲んでその領域より広
い開口を有する薄膜めっきレジスト層(9a)を形成す
る。 (第2図(C))次にはんだを電気めっきしては
んだめつきN(7a)を形成後、(第2図(d))薄膜
めっきレジスト層(9a)を剥離し。
回路基板の製造方法を工程順に示す断面図である、即ち
、厚みの大きいはんだM (はんだバンプ)を形成する
場合、上記のようにして形成した絶縁層(3)と導体層
(4)を有する基板(1)(第2図(a))に電気めっ
き用のはんだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜
N(5)を上記のように形成しく第2図(b))この金
属薄膜N(5)に、導体層領域を囲んでその領域より広
い開口を有する薄膜めっきレジスト層(9a)を形成す
る。 (第2図(C))次にはんだを電気めっきしては
んだめつきN(7a)を形成後、(第2図(d))薄膜
めっきレジスト層(9a)を剥離し。
(第2図(e))露出した金KjL薄膜層(5)をエツ
チングにより除去し、 (第2図(f))上記はんだめ
っき層(7a)をリフローして、導体層(4)にはんだ
層(7b)を形成する。 (第2図(g))なお、この
方法では、はんだ層形成後、基板に過剰のはんだが残ら
ない。
チングにより除去し、 (第2図(f))上記はんだめ
っき層(7a)をリフローして、導体層(4)にはんだ
層(7b)を形成する。 (第2図(g))なお、この
方法では、はんだ層形成後、基板に過剰のはんだが残ら
ない。
また、上記実施例では、絶aFI(3)に感光性ポリイ
ミド樹脂を用いたが、感光性でなくてもよく。
ミド樹脂を用いたが、感光性でなくてもよく。
通常の熱硬化型のポリイミド樹脂を印刷法により形成し
てもよく、またプリント基板に用いるソルダーレジスト
でも良い。
てもよく、またプリント基板に用いるソルダーレジスト
でも良い。
また、金属薄膜層(5)の形成において、無電解メツキ
法を用いたが、蒸着法、スパッタ法等を用いてもよく、
その目的とするところは、溶融はんだ摺に浸漬した時に
、絶縁層(3)上の金属薄膜層(5)がはんだぬれ作用
を促進しながら、はんだにくわれて消失し、導体層(4
)上にのみ確実に付与するものであれば良い。金属薄膜
層の膜厚は1μm以下が望ましく、1μm以上でははん
だくわれ性が低下する。
法を用いたが、蒸着法、スパッタ法等を用いてもよく、
その目的とするところは、溶融はんだ摺に浸漬した時に
、絶縁層(3)上の金属薄膜層(5)がはんだぬれ作用
を促進しながら、はんだにくわれて消失し、導体層(4
)上にのみ確実に付与するものであれば良い。金属薄膜
層の膜厚は1μm以下が望ましく、1μm以上でははん
だくわれ性が低下する。
[発明の効果]
以上説明した通り本発明は、絶縁層を有し、所定領域に
導体層を有する基板において、上記絶縁層と導体層には
んだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層にはんだを電気めっきしてはんだめ
っき層を形成し、上記はんだめっき層をリフローして上
記導体層にはんだ層を形成することにより、コストが低
下し、作業性が向上した回路基板の製造方法を得ること
ができる。
導体層を有する基板において、上記絶縁層と導体層には
んだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層にはんだを電気めっきしてはんだめ
っき層を形成し、上記はんだめっき層をリフローして上
記導体層にはんだ層を形成することにより、コストが低
下し、作業性が向上した回路基板の製造方法を得ること
ができる。
また1本発明の別の発明は、絶縁層を有し、所定領域に
導体層を有する基板において、上記絶縁層と導体層には
んだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層に、導体層領域を囲んでその領域よ
り広い開口を有するレジスト層を形成し、レジスト開口
内の金属薄膜層にはんだを電気めっきしてはんだめっき
層を形成し、上記レジスト層を除去し露出した金属薄膜
層をエツチングにより除去し上記はんだめっき層をリフ
ローして導体層にはんだ層を形成することにより、上記
効果に加えて、さらに高精度な微少ファインパターン形
成のできる回路基板の製造方法を得ることができる。
導体層を有する基板において、上記絶縁層と導体層には
んだぬれ性とはんだくわれ性の良好な金属薄膜層を形成
し、この金属薄膜層に、導体層領域を囲んでその領域よ
り広い開口を有するレジスト層を形成し、レジスト開口
内の金属薄膜層にはんだを電気めっきしてはんだめっき
層を形成し、上記レジスト層を除去し露出した金属薄膜
層をエツチングにより除去し上記はんだめっき層をリフ
ローして導体層にはんだ層を形成することにより、上記
効果に加えて、さらに高精度な微少ファインパターン形
成のできる回路基板の製造方法を得ることができる。
第1図(a)〜(d)は本発明の一実施例の回路基板の
製造方法を工程順に示す新面図、第2図(a)〜(g)
は本発明の別の発明の一実施例の回路基板の製造方法を
工程順に示す新面図、第3図(a)〜(g)は、従来の
回路基板のWi遣方法を工程順に示す断面図である。 図において、(1)は基板、(3)は絶a層、(4)は
導体1LIJ、(5)ははんだぬれ性とはんだくわれ性
の良好な金属薄膜層、(7a)はんだめっき層、(7b
)ははんだ層。 (9a)は薄膜めっきレジスト層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
製造方法を工程順に示す新面図、第2図(a)〜(g)
は本発明の別の発明の一実施例の回路基板の製造方法を
工程順に示す新面図、第3図(a)〜(g)は、従来の
回路基板のWi遣方法を工程順に示す断面図である。 図において、(1)は基板、(3)は絶a層、(4)は
導体1LIJ、(5)ははんだぬれ性とはんだくわれ性
の良好な金属薄膜層、(7a)はんだめっき層、(7b
)ははんだ層。 (9a)は薄膜めっきレジスト層である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1) 絶縁層を有し、所定領域に導体層を有する基板
において、上記絶縁層と導体層にはんだぬれ性とはんだ
くわれ性の良好な金属薄膜層を形成し、この金属薄膜層
にはんだを電気めつきしてはんだめつき層を形成し、上
記はんだめつき層をリフローして上記導体層にはんだ層
を形成する回路基板の製造方法。 - (2) 絶縁層を有し、所定領域に導体層を有する基板
において、上記絶縁層と導体層にはんだぬれ性とはんだ
くわれ性の良好な金属薄膜層を形成し、この金属薄膜層
に、導体層領域を囲んでその領域より広い開口を有する
レジスト層を形成し、レジスト開口内の金属薄膜層には
んだを電気めつきしてはんだめつき層を形成し、上記レ
ジスト層を除去し露出した金属薄膜層をエッチングによ
り除去し上記はんだめつき層をリフローして上記導体層
にはんだ層を形成する回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26867688A JPH02114694A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26867688A JPH02114694A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02114694A true JPH02114694A (ja) | 1990-04-26 |
Family
ID=17461845
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26867688A Pending JPH02114694A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02114694A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1322146A1 (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | Phoenix Precision Technology Corporation | Method of electroplating solder bumps on an organic circuit board |
JP2009278017A (ja) * | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Sanko:Kk | プリント配線板及びその製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49129479A (ja) * | 1973-04-11 | 1974-12-11 | ||
JPS63252455A (ja) * | 1987-04-09 | 1988-10-19 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26867688A patent/JPH02114694A/ja active Pending
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