JPH0211235B2 - - Google Patents

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JPH0211235B2
JPH0211235B2 JP21234581A JP21234581A JPH0211235B2 JP H0211235 B2 JPH0211235 B2 JP H0211235B2 JP 21234581 A JP21234581 A JP 21234581A JP 21234581 A JP21234581 A JP 21234581A JP H0211235 B2 JPH0211235 B2 JP H0211235B2
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JP
Japan
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phenylalanine
strain
corynebacterium
brevibacterium
resistance
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Expired
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JP21234581A
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English (en)
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JPS58116693A (ja
Inventor
Yasuhiko Yoshihara
Hidekazu Nakano
Shigeo Ikeda
Takashi Tanaka
Katsuaki Sato
Hitoshi Ei
Hiroi Yoshii
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ajinomoto Co Inc
Original Assignee
Ajinomoto Co Inc
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Publication date
Application filed by Ajinomoto Co Inc filed Critical Ajinomoto Co Inc
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Publication of JPS58116693A publication Critical patent/JPS58116693A/ja
Publication of JPH0211235B2 publication Critical patent/JPH0211235B2/ja
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  • Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
  • Micro-Organisms Or Cultivation Processes Thereof (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は発酵法によるL−フエニルアラニン
(以下、単にフエニルアラニンという。)の製造法
に関する。 従来、発酵法によるフエニルアラニンの製造法
としては、ブレビバクテリウム属、又はミクロコ
ツカス属細菌のチロシン要求菌を使用する方法
(特公昭37−6345)、生育にチロシンを要求しかつ
5−メチルトリプトフアンに耐性を有するフエニ
ルアラニン生産菌を使用する方法(特公昭51−
21079)、フエニルアラニンアナログ耐性変異株を
使用する方法(特公昭51−28712)、更にはデコイ
ニン感受性変異株を使用する方法(特公昭56−
64793)等が知られている。 本発明者等は更に効率よくフエニルアラニンを
発酵生産する方法を開発することを目的として研
究を重ねた結果、ブレビバクテリウム又はコリネ
バクテリウム属のフエニルアラニン生産菌にロイ
シンアナログ耐性、あるいはロイシンアナログ耐
性に更にサルフアグアニジン耐性を付与した変異
株の中により多量のフエニルアラニンを生成する
菌株が存在することを見い出した。 本発明はこの知見に基づいて完成されたもので
ある。 本発明において使用される変異株はブレビバク
テリウム属又はコリネバクテリウム属に属しロイ
シンアナログに耐性を有し、更に従来知られてい
るフエニルアラニン生産の為に必要な性質、例え
ば、L−チロシン要求性、フエニルアラニンアナ
ログ耐性、L−チロシン要求性でかつトリプトフ
アンもしくはフエニルアラニンアナログ耐性、即
ちフエニルアラニン生産能を有するものである。 本発明でいうロイシンアナログとはブレビバク
テリウム及びコリネバクテリウム属の微生物の生
育を阻害し、この生育阻害がL−ロイシンの存在
で回復されるようなものをいい、例えばβ−ヒド
ロキシルロイシン、4−アザロイシン、ノルロイ
シン、5′,5′,5′−トリフルオロロイシン、D−
ロイシン、メタアリルグリシン、β−ハイドロキ
シノルロイシン、シクロペンテアラニン等があ
る。 本発明でいうフエニルアラニンアナログとは、
O−、m−又はp−フルオロフエニルアラニン、
O−、m−又はp−アミノフエニルアラニン、β
−フエニルセリン、シクロヘキシルアラニン、α
−アミノ−α−フエニルエタンスルホン酸、O
−、m−又はp−プロモフエニルアラニン、β−
2−チエニルアラニン、β−3−チエニルアラニ
ン、β−2−フリルアラニン、β−2−ピロール
アラニン、1−シクロペンテン−1−アラニン、
1−シクロヘキセン−1−アラニン、2−アミノ
−4−メチル−4−ヘキセン酸、S−(1.2−ジク
ロロビニル)−システイン、β−4−ピリジルア
ラニン、β−2−ピリジルアラニン、β−4−ピ
ラゾルアラニン、p−ニトロ−フエニルアラニン
等をいう。 又、本発明でいうトリプトフアンアナログと
は、5−フルオロトリプトフアン、6−フルオロ
トリプトフアン、7−アザトリプトフアン、メチ
ルトリプトフアン、ナフチルアラニン、インドー
ルアクリル酸、ナフチルアクリル酸、β−(2−
ベンゾチエニル)アラニン、インドール、スチリ
ル−酢酸、トリプタゾン等をいう。 本発明の方法において用いられる微生物は、具
体的には、例えば ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 11764 FERM−P6287(Tyγ-、βHL〓) ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 11758 FERM−P6283(Tyγ-、5MT〓、
βHL〓) ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 11759 FERM−P6284(Tyγ-、5MT〓、p−
F−phe〓、βHL〓) ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 11760 FERM−P6285(Tyγ-、5MT〓、p−
F−phe〓、4−AL〓、SG〓) コリネバクテリウム・アセトアシドフイラム
AJ 11761 FERM−P6286(p−F−phe〓、Decs
βHL〓) (注)Tyγ-:L−チロシン要求性 5MT〓:5−メチルトリプトフアン
耐性 p−F−phe〓:P−フルオロフエニルアラ
ニン耐性 β−HL〓:β−ヒドロキシルロイシン
耐性 8AG〓:8−アザグアニン耐性 SG〓:サルフアグアニジン耐性 Decs:デコイニン感受性 4AL〓:4−アザロイシン耐性 これら本発明の変異株は、ブレビバクテリウム
属又はコリネバクテリウム属のフエニルアラニン
生産菌を親株とし、これに通常の変異誘導操作、
例えば紫外線、X線照射あるいはN−メチル−
N′−ニトロ−N−ニトロソグアニジン(NGと略
す)、亜硝酸等の化学薬剤処理を施し、変異処理
した菌体を親株が生育できないような量のβ−ヒ
ドロキシルロイシンを含有する寒天平板培地で培
養し、該平板培地上に生育するコロニーを分離す
ることによつて得られる。 サルフアグアニジン耐性も同様の操作によつて
付与される。 上記ブレビバクテリウム又はコリネバクテリウ
ム属のフエニルアラニン生産菌は公知のものを使
用すれば良いが、具体例としては次のような変異
株が使用される。 ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 3435 FERM−P1912(Tyγ-) ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 3432 FERM−P1844(Tyγ-、5MT〓) ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
AJ 3437 FERM−P1914(Tyγ-、5MT〓、p−F
−phe〓) コリネバクテリウム・アセトアシドフイルム
AJ 11477 FERM−P5250(p−F−phe〓、Decs) 親株としてはこの他、ブレビバクテリウム又は
コリネバクテリウム属の微生物、特にグルタミン
酸生産性細菌として知られている微生物を使用
し、β−ヒドロキシルロイシン耐性及びフエニル
アラニン生産性を付与することによつて誘導する
ことができる。このような親株の例としては、ブ
レビバクテリウム・デバリカタムATCC14020、
ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
ATCC13869、ブレビバクテリウム・ロゼウム
ATCC13825、ブレビバクテリウム・サツカロリ
テイカムATCC14066、コリネバクテリウム・ア
セトアシドフイルムATCC13870、コリネバクテ
リウム・アセトグルタミクムATCC15806、コリ
ネバクテリウム・グルタミクムATCC13032等が
使用される。 次の本発明で使用する変異株の変異誘導法及び
薬剤に対する耐性度を以下の実験例にて示す。 実験例 1 ブレビバクテリウム・ラクトフエルメンタム
ATCC13869より誘導したチロシン要求性のフエ
ニルアラニン生産菌AJ 3435 FERM−P1912を
イーストブイヨン寒天斜面培地で培養し、生育し
た菌体を集めてM/30リン酸緩衝液(PH7.0)に
懸濁し(1ml当り108〜109個の菌体を含む)、こ
れにNGを加え(NG濃度は250μg/ml)室温に
30分間保持した。このようにしてNG処理した菌
体を同リン酸緩衝液で充分洗滌した後β−ヒドロ
キルロイシンを含む最少寒天平板培地(第1表)
に塗布し、31.5℃で4〜10日間培養した。 第1表 最少培地の組成(PH7.0) 成 分 含 量 グルコース 2.0g/dl 尿 素 0.2 硫酸アンモニウム 1.5 KH2PO4 1.0 K2HPO4 0.3 MgSO4・7H2O 0.01 ビオチン 50μg/ サイアミン塩酸塩 100 〃 ※ L−チロシン 30mg/ L−メチオニン 40 〃 Fe、Mnイオン 各2ppm 平板上に上育したコロニーのうち大きなものを
β−ヒドロキシロイシン耐性株として採取した。
このようにして得られた耐性株の内には親株より
フエニルアラニン生産能の優れたものが多く見い
出された。この内生産能の最も高い菌株AJ
11764を選んだ。同様の変異誘導操作により、AJ
11764を親株として5−メチルトリプトフアン耐
性株AJ 11758、5−メチルトリプトフアン及び
p−フルオロフエニルアラニン耐性を付与した
AJ 11759を誘導した。更に同様の方法でAJ
3437を親株として4−アザロイシン及びサルフア
グアニジン耐性のAJ 11760、コリネバクテリウ
ム・アセトアシドフイルムAJ 11477(p−F−
phe〓、Decs)を親株として、β−ヒドロキシル
ロイシン耐性株AJ 11761を夫々誘導した。この
ようにして得られた変異株のβ−ヒドロキシルロ
イシン又はサルフアグアニジンへの耐性度を調べ
た。 その結果を第2表に示す。
【表】
【表】 実験方法は、各変異株の菌体を第1表の最少培
地で良く洗滌した後、大型試験管に入れた第2表
に示す所定量の薬剤を含む最少寒培地(30ml)に
一定量接種し、31.5℃で24時間振盪培養を行い、
培養液の560nmに放る吸光度を測定して生育度
を求めた。第2表にはその相対生育値を示した。 本発明で使用する培地は炭素源、窒素源、無機
塩類、その他必要に応じてアミノ酸、ビタミン、
核酸等の有機微量栄養素を含有する通常の栄養培
地が使用される。炭素源としては使用する変異株
の利用可能なものであれば良く、例えばグルコー
ス、フラクトース、シユークロース、マルトー
ス、澱粉分解物糖蜜等の糖類が使用され、その
他、エタノール、プロパノール等のアルコール
類、酢酸、クエン酸等の有機酸類、更に菌株によ
つてはノルマルパラフイン等も単独あるいは他の
炭素源と併用して使用される。 窒素源としては硫酸アンモニウム、塩化アンモ
ニウム、リン酸アンモニウム等のアンモニウム
塩、硝酸塩、尿素、アンモニア、肉エキス等無機
あるいは有機の窒素源が使用される。有機微量栄
養素としてはアミノ酸、ビタミン、脂肪酸、核
酸、更にこれらのものを含有するペプトン、カザ
ミノ酸、酵母エキス、蛋白分解物等が使用され、
生育にアミノ酸等を要求する栄養要求性変異株を
使用する場合には要求される栄養素を補添するこ
とが必要である。 培養は好気的条件で行うことが望ましく、培養
期間中培地のPHを5ないし9、温度を20℃ないし
40℃に制御しつつ1日ないし4日間振盪培養又は
通気撹拌培養することによりフエニルアラニンが
著量培養液中に蓄積される。培養液からフエニル
アラニンを採取する方法は公知の方法に従つて行
えば良く、培養液から菌体を分離除去した後、濃
縮晶析する方法あるいはイオン交換樹脂を用いる
方法等により採取される。 以下、実施例にて説明する。 実施例 1 下記第3表に示すフエニルアラニン生産用培地
を調製し、500ml容振盪フラスコに20ml宛分注し、
120℃で10分間加熱滅菌した。これに別途加熱殺
菌した炭酸カルシウム粉末1.0gを補添した。
【表】 この培地に第4表に示すフエニルアラニン生産
菌を1白金耳接種し、30℃で72時間振盪培養し
た。培養液中のフエニルアラニン生成量を測定
し、その結果を第4表に示した。 第4表 フエニルアラニンの蓄積量 菌 株 g/dl AJ 3435(親株) 0.42 AJ 11764 1.70 AJ 11758 2.01 AJ 11759 2.25 AJ 11760 2.46 AJ 11477(親株) 1.70 AJ 11761 1.95

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ブレビバクテリウム属又はコリネバクテリウ
    ム属に属し、ロイシンアナログに耐性を有しL−
    フエニルアラニン生産能を有する微生物を培地中
    で培養してL−フエニルアラニンを生成・蓄積せ
    しめ、これを採取することを特徴とする発酵法に
    よるL−フエニルアラニンの製造法。
JP21234581A 1981-12-29 1981-12-29 発酵法によるl−フエニルアラニンの製造法 Granted JPS58116693A (ja)

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JPS58116693A JPS58116693A (ja) 1983-07-11
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