JPH0210827A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0210827A JPH0210827A JP16175288A JP16175288A JPH0210827A JP H0210827 A JPH0210827 A JP H0210827A JP 16175288 A JP16175288 A JP 16175288A JP 16175288 A JP16175288 A JP 16175288A JP H0210827 A JPH0210827 A JP H0210827A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、シリコン基板
と、シリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層
とのコンタクト形成方法に関するものである。
と、シリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層
とのコンタクト形成方法に関するものである。
従来の技術
従来の技術の一例を第２図を用いて説明する。
Ｎ型シリコン基板１表面ＫＰ型拡散層を形成したものが
、第２図ａである。次いで、絶縁膜３を形成し、公知の
フォトエツチング技術にてコンタクト形成領域を開孔し
第２図すとなる。シリコンを含みかつアルミニウムを主
材料とする層を被着し、４６００Ｃ程度の熱処理を加え
てコンタクトを形成し第２図ＯＫ示す如きシリコン基板
とシリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層と
のコンタクトを形成する。
、第２図ａである。次いで、絶縁膜３を形成し、公知の
フォトエツチング技術にてコンタクト形成領域を開孔し
第２図すとなる。シリコンを含みかつアルミニウムを主
材料とする層を被着し、４６００Ｃ程度の熱処理を加え
てコンタクトを形成し第２図ＯＫ示す如きシリコン基板
とシリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層と
のコンタクトを形成する。
発明が解決しようとする課題
上記従来の技術では、コンタクト領域の面積が微細化し
た場合、特に面積が１．６μＲ以下となると、基板とシ
リコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層との界
面において、シリコンの固相エピタキシャル成長が起り
、コンタクト部での抵抗が増大するという問題点を有し
ていた。
た場合、特に面積が１．６μＲ以下となると、基板とシ
リコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層との界
面において、シリコンの固相エピタキシャル成長が起り
、コンタクト部での抵抗が増大するという問題点を有し
ていた。
また、上記固相エピタキシャル成長を防ぐため、高融点
金属（Ｔｉ、Ｗなど）を材料とする膜を基板とシリコン
を含みかつアルミニウムを主材料とする層との間に形成
する技術もある。しかしながら、シリコンを含みかつア
ルミニウムを主材料とする層をパターニングする際に、
高融点金属を材料とする層との２層構造となるため、エ
ツチングが非常に難しい。
金属（Ｔｉ、Ｗなど）を材料とする膜を基板とシリコン
を含みかつアルミニウムを主材料とする層との間に形成
する技術もある。しかしながら、シリコンを含みかつア
ルミニウムを主材料とする層をパターニングする際に、
高融点金属を材料とする層との２層構造となるため、エ
ツチングが非常に難しい。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために、本発明では、シリコンを含
みかつアルミニウムを主材料とする層を被着する前に、
コンタクト形成領域の基板表面の状態をイオン注入およ
び熱処理により変化させた。
みかつアルミニウムを主材料とする層を被着する前に、
コンタクト形成領域の基板表面の状態をイオン注入およ
び熱処理により変化させた。
作用
固相エピタキシャル成長は、コンタクト界面の状態に影
響を受ける。例えば、同じコンタクト径でも、下地拡散
層の濃度により析出の度合が異なる。本発明によれば、
シリコン原子あるいはアルゴン原子等の不活性原子をコ
ンタクト界面に注入するため、界面状態が変化する。特
にドーズ量を１×１０１１０１５ｔ以上とした場合には
１．６μ扉以上のコンタクト面積においても固相エピタ
キシャル成長に起因するコンタクト抵抗の増加は認めら
れない。
響を受ける。例えば、同じコンタクト径でも、下地拡散
層の濃度により析出の度合が異なる。本発明によれば、
シリコン原子あるいはアルゴン原子等の不活性原子をコ
ンタクト界面に注入するため、界面状態が変化する。特
にドーズ量を１×１０１１０１５ｔ以上とした場合には
１．６μ扉以上のコンタクト面積においても固相エピタ
キシャル成長に起因するコンタクト抵抗の増加は認めら
れない。
また、高融点金属等を使用しないため、従来のシリコン
を含むアルミニウムを主材料とする層のエツチング技術
でパターニングが可能となる。
を含むアルミニウムを主材料とする層のエツチング技術
でパターニングが可能となる。
実施例
本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。
Ｎ型シリコン基板１表面ＫＰ型拡散層２を形成し、絶縁
膜の所定域を開孔しコンタクト形成領域を形成したもの
が、第１図ａである。次いでシリコンイオンを２０Ｋｅ
Ｖ、 ５Ｘ１０ ｃｙｎ の条件で注入し第１図す
となる。第１図すのままでは、結晶欠陥が発生し接合リ
ークをもたらすため、９００°Ｃ３ｏ分Ｎ２雰囲気の熱
処理を加えて注入層６を形成した（第１図Ｃ）。シリコ
ンを含みかつアルミニウムを主材料とする層７として、
２％のシリコンを含むアルミニウムを、スパッタ蒸着法
によυ被着し、４５０°０．３０分、フォーミングガス
（Ｈ２／Ｎ ２＝’ｋ）雰囲気で熱処理を加えた。この
場合、コンタクト面積が１μ７どのものとしたが、コン
タクト抵抗は４μ扉のものと同等であり、第１図ｄＫ示
す如く、固相エピタキシャル成長は認められなかった。
膜の所定域を開孔しコンタクト形成領域を形成したもの
が、第１図ａである。次いでシリコンイオンを２０Ｋｅ
Ｖ、 ５Ｘ１０ ｃｙｎ の条件で注入し第１図す
となる。第１図すのままでは、結晶欠陥が発生し接合リ
ークをもたらすため、９００°Ｃ３ｏ分Ｎ２雰囲気の熱
処理を加えて注入層６を形成した（第１図Ｃ）。シリコ
ンを含みかつアルミニウムを主材料とする層７として、
２％のシリコンを含むアルミニウムを、スパッタ蒸着法
によυ被着し、４５０°０．３０分、フォーミングガス
（Ｈ２／Ｎ ２＝’ｋ）雰囲気で熱処理を加えた。この
場合、コンタクト面積が１μ７どのものとしたが、コン
タクト抵抗は４μ扉のものと同等であり、第１図ｄＫ示
す如く、固相エピタキシャル成長は認められなかった。
なお、本実施例では、Ｎ型基板上のＰ凰拡散層とのコン
タクトについて述べたが、Ｐ型基板上のＮ型拡散層や、
ウヱル形成領域についても適応できることは言うまでも
ない。
タクトについて述べたが、Ｐ型基板上のＮ型拡散層や、
ウヱル形成領域についても適応できることは言うまでも
ない。
発明の効果
本発明によれば、微小面積においてもコンタクト抵抗の
増大のない、シリコン基板とシリコンを含むアルミニウ
ムを主材料とする層とのコンタクトが形成できた。
増大のない、シリコン基板とシリコンを含むアルミニウ
ムを主材料とする層とのコンタクトが形成できた。
第１図は本発明の一実施例を示す工程順の断面図、第２
図は従来の技術を示す工程順の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２・・・・・・Ｐ型
拡散層、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコ
ンイオン、５．６・・・・・・注入層、７・・・・・・
シリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層、８
・・・・・・固相エピタキシャル成長層。
図は従来の技術を示す工程順の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型シリコン基板、２・・・・・・Ｐ型
拡散層、３・・・・・・絶縁膜、４・・・・・・シリコ
ンイオン、５．６・・・・・・注入層、７・・・・・・
シリコンを含みかつアルミニウムを主材料とする層、８
・・・・・・固相エピタキシャル成長層。
Claims (1)
- 一導電型シリコン半導体基板の所定域に、シリコンを含
みかつアルミニウムを主材料とする層と前記基板とのコ
ンタクトを形成する工程においてコンタクト形成領域の
前記基板表面状態をイオン注入および熱処理により変化
させたのち、前記層を被着することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175288A JPH0210827A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16175288A JPH0210827A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210827A true JPH0210827A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15741215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16175288A Pending JPH0210827A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210827A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7342043B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-03-11 | Toyama Chemical Co., Ltd. | Medicinal compositions improving brain function and method for improving brain function |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP16175288A patent/JPH0210827A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7342043B2 (en) | 2002-06-14 | 2008-03-11 | Toyama Chemical Co., Ltd. | Medicinal compositions improving brain function and method for improving brain function |
| US7834053B2 (en) | 2002-06-14 | 2010-11-16 | Toyama Chemical Co., Ltd. | Medicinal compositions improving brain function and method for improving brain function |
| USRE42327E1 (en) | 2002-06-14 | 2011-05-03 | Toyama Chemical Co., Ltd. | Medicinal compositions improving brain function and method for improving brain function |
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