JPH02101786A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH02101786A JPH02101786A JP25526788A JP25526788A JPH02101786A JP H02101786 A JPH02101786 A JP H02101786A JP 25526788 A JP25526788 A JP 25526788A JP 25526788 A JP25526788 A JP 25526788A JP H02101786 A JPH02101786 A JP H02101786A
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- JP
- Japan
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- cap
- lens
- coupling efficiency
- optical axis
- stem
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は光ファイバーと結合して用いられる光通信用
の半導体レーザ装置に関するものである。
の半導体レーザ装置に関するものである。
第２図は従来の半導体レーザ装置１（以下、ＬＤと略す
）を示す断面図である。
）を示す断面図である。
図において、ＬＤチップ…のボンディングされたヒート
シンク＋２１はＬＤチップ…発光点がステム（６）の中
心軸に合致するようにステム（６）Ｋ組立てられてお９
、レンズ（３１付きホルタ１４；ははんだ材ｌ１１）を
介してＬＤに光軸が合った状態で固着されている。この
ステム（６１に窓ガラス１７１付キヤツプ（８）が溶接
されている。
シンク＋２１はＬＤチップ…発光点がステム（６）の中
心軸に合致するようにステム（６）Ｋ組立てられてお９
、レンズ（３１付きホルタ１４；ははんだ材ｌ１１）を
介してＬＤに光軸が合った状態で固着されている。この
ステム（６１に窓ガラス１７１付キヤツプ（８）が溶接
されている。
次ＶＣ動作について説明する。
ＬＤに対向して受光装置を設置しておき、はんだ材）６
１ ｆ介してヒートシンク１！１上にレンズホルダｎｌ
を設置した状態で、ＬＩ）を発光させ、ホルダ（４：を
Ｘ、Ｙ方向に微動させ、受光装置で光ｌｉ！１４！？せ
をモニターする。光軸の合ったところでホルダ（４１を
固定する。
１ ｆ介してヒートシンク１！１上にレンズホルダｎｌ
を設置した状態で、ＬＩ）を発光させ、ホルダ（４：を
Ｘ、Ｙ方向に微動させ、受光装置で光ｌｉ！１４！？せ
をモニターする。光軸の合ったところでホルダ（４１を
固定する。
固定した状態でヒートアップしはんだ材（■によりホル
ダ＋４１１にヒートシンク１！１に固着する。
ダ＋４１１にヒートシンク１！１に固着する。
このようにして得られるＬＤにおいては光軸合せができ
ており、又、ＬＩ）チップｔｌ＋の発光点はステム（６
）の中心軸に合致するように組立てられているため、光
７アイパとの良好な結合効率が得られるものである。
ており、又、ＬＩ）チップｔｌ＋の発光点はステム（６
）の中心軸に合致するように組立てられているため、光
７アイパとの良好な結合効率が得られるものである。
従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されている
ので１作業効率が悪く量産性に乏しいこと、レンズの２
軸方回への位置合せができず、光ファイバとの結合効率
のバラツキが大きいという問題があった。
ので１作業効率が悪く量産性に乏しいこと、レンズの２
軸方回への位置合せができず、光ファイバとの結合効率
のバラツキが大きいという問題があった。
この発ｆｊＡは上記のような問題点を解消するためにな
されたもので、量産性が高く、ｚ軸方向の光軸合せが可
能となり、元ファイバとの結合効率のバラツキが小さく
、良好な結合効率の得られる半導体レーザ装置？得るこ
とを目的としている。
されたもので、量産性が高く、ｚ軸方向の光軸合せが可
能となり、元ファイバとの結合効率のバラツキが小さく
、良好な結合効率の得られる半導体レーザ装置？得るこ
とを目的としている。
ＣＩＩ！Ｉを解決するための手段〕
この発明に係る半導体レーザ装置はキャップにＩＲグロ
ジエクションとレンズｔ−装着したものである。
ジエクションとレンズｔ−装着したものである。
この発明においては光軸合せをモニターしながら、Ｘ、
Ｙ、Ｚの８方向で位置の微ｖ４整ができるため、元ファ
イバとの結合効率のバラツキが小さく、量産性が良好で
ある。
Ｙ、Ｚの８方向で位置の微ｖ４整ができるため、元ファ
イバとの結合効率のバラツキが小さく、量産性が良好で
ある。
この発明の一実施例を図について説明する。
１、＋Ｄチップ＋ＩＩがヒートシンク）２１にボンディ
ングされ、ヒートシンク（２１はＬＤチップ＋１１の発
光点がステム（６）の中心軸に合致するようにステム（
６）に組立てられている。
ングされ、ヒートシンク（２１はＬＤチップ＋１１の発
光点がステム（６）の中心軸に合致するようにステム（
６）に組立てられている。
キャップ（８）はレンズ（３１と多段プロジェクション
（９）が設けられている。
（９）が設けられている。
ＬＤｊ″を発光させなから、キャップ１８＋ｉ Ｘ、
、 Ｙ方向ＶＣ微動させ、レンズ（３１に対向して設置
された受尤装置で光軸合せ？モニターする。Ｘ、Ｙ方向
での光軸が合った所でキャップを固定する。
、 Ｙ方向ＶＣ微動させ、レンズ（３１に対向して設置
された受尤装置で光軸合せ？モニターする。Ｘ、Ｙ方向
での光軸が合った所でキャップを固定する。
Ｘ、Ｙ方向では固定し九まま、Ｚ軸方向の光軸台せ状態
金モニターしながら溶接を行なう。
金モニターしながら溶接を行なう。
溶接は電流を１！ｊ整しながら多段プロジェクション（
９）の先端部分より溶かすことにより行ない。
９）の先端部分より溶かすことにより行ない。
ｚ軸方向の光軸台せが完了するまで段階的に浴接をくり
返す。
返す。
次に作用について説明する。
この発明ｒＣよる一実施例では、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の三つ
の方向に光軸合せができ、光軸合せはＬＤ光をモニター
しながらキャップを？ＩＣ前させること妙１行なえるか
ら、光ファイバとの結合効率が良好でバラツキが小さ諭
・しかも量産性に優れている。
の方向に光軸合せができ、光軸合せはＬＤ光をモニター
しながらキャップを？ＩＣ前させること妙１行なえるか
ら、光ファイバとの結合効率が良好でバラツキが小さ諭
・しかも量産性に優れている。
以上のようにこの発明によればキャップに多段プロジェ
クションとレンズを装着しているので量産性が高く光フ
ァイバとの曳好な結合効率が得られる。
クションとレンズを装着しているので量産性が高く光フ
ァイバとの曳好な結合効率が得られる。
第１図ｉｌｌ ［ｂｌはこの発明の半導体レーザ装置を
示す断面図及び要部断面拡大図である。 第８図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図中、…はＬＤ−チツプ（！）はヒートシンク、（３１
はレンズ、（４１はレンズホルダ、（６１ははんだ材、
１６１はステム、＋ｙｌは窓ガラス、（８）はキャップ
、（９１ハ多段プロジェクションリング、（１０１は浴
接部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相尚部分を示す。
示す断面図及び要部断面拡大図である。 第８図は従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 図中、…はＬＤ−チツプ（！）はヒートシンク、（３１
はレンズ、（４１はレンズホルダ、（６１ははんだ材、
１６１はステム、＋ｙｌは窓ガラス、（８）はキャップ
、（９１ハ多段プロジェクションリング、（１０１は浴
接部を示す。 なお、図中、同一符号は同一、又は相尚部分を示す。
Claims (1)
- レーザダイオードチップがヒートシンクを介してステム
に組立てられ、上記ステムにキャップが溶接されて構成
される半導体レーザ装置において、上記キャップがレン
ズと多段プロジェクションリングを装着したことを特徴
とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25526788A JPH02101786A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25526788A JPH02101786A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02101786A true JPH02101786A (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=17276376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25526788A Pending JPH02101786A (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02101786A (ja) |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP25526788A patent/JPH02101786A/ja active Pending
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