JPH0497208A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH0497208A JPH0497208A JP21196290A JP21196290A JPH0497208A JP H0497208 A JPH0497208 A JP H0497208A JP 21196290 A JP21196290 A JP 21196290A JP 21196290 A JP21196290 A JP 21196290A JP H0497208 A JPH0497208 A JP H0497208A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- fixed
- optical
- laser module
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4237—Welding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザモジュール、特に短距離の光通
信システムに適合した低出力半導体レーザモジュールに
関する。
信システムに適合した低出力半導体レーザモジュールに
関する。
従来、この種の半導体レーザモジュールは、パッケージ
に実装された半導体レーザと、該半導体レーザからの出
射光が結合される光ファイバと、前記半導体レーザから
の出射光を光ファイバに結合するためのレンズとから構
成され、特に短距離の光通信システムに適合した低出力
半導体レーザモジュールでは、半導体レーザからの出射
光をレンズで収束させ光ファイバに結合させるとき、光
ファイバの端面位置を最適結合状態から光軸方向にずら
して、結合効率を低下させ光ファイバからの光出力を低
減させていた。
に実装された半導体レーザと、該半導体レーザからの出
射光が結合される光ファイバと、前記半導体レーザから
の出射光を光ファイバに結合するためのレンズとから構
成され、特に短距離の光通信システムに適合した低出力
半導体レーザモジュールでは、半導体レーザからの出射
光をレンズで収束させ光ファイバに結合させるとき、光
ファイバの端面位置を最適結合状態から光軸方向にずら
して、結合効率を低下させ光ファイバからの光出力を低
減させていた。
上述した従来の半導体レーザモジュールは、光ファイバ
の端面位置が最適結合状態から光軸方向にずらしている
ため、半導体レーザからの出射ビームパターンがきたな
い（ギサキザになっている）ことと相俟って、温度変化
に対して半導体レーザの出射光の出射角がわずかにすれ
るとき、光ファイバに結合されるパワーが変化し半導体
レーザモジュールの温度に対する出力安定性が悪いとい
う欠点を有していた。
の端面位置が最適結合状態から光軸方向にずらしている
ため、半導体レーザからの出射ビームパターンがきたな
い（ギサキザになっている）ことと相俟って、温度変化
に対して半導体レーザの出射光の出射角がわずかにすれ
るとき、光ファイバに結合されるパワーが変化し半導体
レーザモジュールの温度に対する出力安定性が悪いとい
う欠点を有していた。
本発明の半導体レーザモジニールは、半導体レーザと該
半導体レーザから出射する光ビームが結合される光ファ
イバとの間に、減衰膜が設けられており、半導体レーザ
からの出射光ビームを光ファイバに効率良く結合されて
いる。
半導体レーザから出射する光ビームが結合される光ファ
イバとの間に、減衰膜が設けられており、半導体レーザ
からの出射光ビームを光ファイバに効率良く結合されて
いる。
次に、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明
する。
する。
図は本発明の一実施例の概略を示す断面図である。
半導体レーザが実装された半導体レーザツク、ソケーシ
１０は、パッケージホルタ１１にＡ点でＹＡＧレーザ溶
接によって固定されている。球レンズ２０はレンズホル
ダ２１に低融点ガラスで固定され、光ファイバ３１の先
端部に設けられた光フアイバ端末３０はファイバサポー
ト３２にＤ点でそれぞれＹＡＧ溶接されている。光ファ
イノく端末３０（ｒ）先端には、ＢＮ２のガラス基板上
にＮｉＣｒの金属膜が蒸着された減衰膜４０が接着固定
されている。パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１
はＢ点で、レンズホルダ２１とファイノ（サポート３２
は０点でＹＡＧ溶接固定されている。
１０は、パッケージホルタ１１にＡ点でＹＡＧレーザ溶
接によって固定されている。球レンズ２０はレンズホル
ダ２１に低融点ガラスで固定され、光ファイバ３１の先
端部に設けられた光フアイバ端末３０はファイバサポー
ト３２にＤ点でそれぞれＹＡＧ溶接されている。光ファ
イノく端末３０（ｒ）先端には、ＢＮ２のガラス基板上
にＮｉＣｒの金属膜が蒸着された減衰膜４０が接着固定
されている。パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１
はＢ点で、レンズホルダ２１とファイノ（サポート３２
は０点でＹＡＧ溶接固定されている。
半導体レーザパッケージ１０内の半導体レーザからの出
射光が光フアイバ端末３０の端面に効率良く結合するた
め球レンズの光軸方向の位置はあらかじめ決定され固定
されている。パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１
を固定した後、ファイバサポート３２に挿入された光フ
アイバ端末３０を光軸方向に移動調整し、光ファイバ３
１からの最大出力パワーが得られた時点でＤ点で固定し
、さらに０点で固定する。本発明では、光減衰量５ｄＢ
の減衰膜４０を付けており、光ファイバ３１からの出力
パワー−１０ｄＢが得られた。従来の０〜６０℃の温度
変化に対し２ｄＢの出力変動があったのに対し本発明に
よれば０．３ ｄ Ｂ以下の出力変動となり、極めて安
定な半導体レーザモジュールが得られた。
射光が光フアイバ端末３０の端面に効率良く結合するた
め球レンズの光軸方向の位置はあらかじめ決定され固定
されている。パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１
を固定した後、ファイバサポート３２に挿入された光フ
アイバ端末３０を光軸方向に移動調整し、光ファイバ３
１からの最大出力パワーが得られた時点でＤ点で固定し
、さらに０点で固定する。本発明では、光減衰量５ｄＢ
の減衰膜４０を付けており、光ファイバ３１からの出力
パワー−１０ｄＢが得られた。従来の０〜６０℃の温度
変化に対し２ｄＢの出力変動があったのに対し本発明に
よれば０．３ ｄ Ｂ以下の出力変動となり、極めて安
定な半導体レーザモジュールが得られた。
なお、本発明では、光フアイバ端末３０の端面に基板に
蒸着した減衰膜４０を接着固定したが光フアイバ端末に
直接蒸着したり、減衰膜フィルムを光フアイバ端末に接
着固定しても良い。さらに、光フアイバ端末３０の端面
でなく、球レンズ２０に減衰膜を蒸着したり、半導体レ
ーザパッケージ１０の窓ガラス面に減衰膜で接着固定し
ても良い。
蒸着した減衰膜４０を接着固定したが光フアイバ端末に
直接蒸着したり、減衰膜フィルムを光フアイバ端末に接
着固定しても良い。さらに、光フアイバ端末３０の端面
でなく、球レンズ２０に減衰膜を蒸着したり、半導体レ
ーザパッケージ１０の窓ガラス面に減衰膜で接着固定し
ても良い。
以上実施例をもとに詳細に説明したが、本発明は半導体
レーザと該半導体レーザから出射する光ビームが結合さ
れる光ファイバとの間に減衰膜を設け、半導体レーザの
出射光が最も効率良く光ファイバに結合されるよう調整
固定したことにより、温度変化に対して光出力が極めて
安定な高信頼な半導体レーザモジュールが得られる効果
がある。
レーザと該半導体レーザから出射する光ビームが結合さ
れる光ファイバとの間に減衰膜を設け、半導体レーザの
出射光が最も効率良く光ファイバに結合されるよう調整
固定したことにより、温度変化に対して光出力が極めて
安定な高信頼な半導体レーザモジュールが得られる効果
がある。
図は本発明の半導体レーザモジュールの概略を示す断面
図である。 １０・・・・・・半導体レーザパッケージ、１１・・・
・・・パッケージホルダ、２０・・・・・・球レンズ、
２ルンズホルダ、３０・・・・・・光フアイバ端末、３
１・・・・・・光ファイバ、３２・・・・・・ファイバ
サポート、４０・・・・・・減衰膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
図である。 １０・・・・・・半導体レーザパッケージ、１１・・・
・・・パッケージホルダ、２０・・・・・・球レンズ、
２ルンズホルダ、３０・・・・・・光フアイバ端末、３
１・・・・・・光ファイバ、３２・・・・・・ファイバ
サポート、４０・・・・・・減衰膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- 半導体レーザと該半導体レーザからの出射光ビームが結
合される光ファイバとの間に減衰膜を設けたことを特徴
とする半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21196290A JPH0497208A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21196290A JPH0497208A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497208A true JPH0497208A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16614589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21196290A Pending JPH0497208A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497208A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504975B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coupling lens and semiconductor laser module |
| KR100522930B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-10-24 | 주식회사 레이칸 | 편광 조절 표면 방출 레이저 및 이를 이용한 광송신 소자 |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21196290A patent/JPH0497208A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6504975B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Coupling lens and semiconductor laser module |
| KR100522930B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-10-24 | 주식회사 레이칸 | 편광 조절 표면 방출 레이저 및 이를 이용한 광송신 소자 |
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