JPH04333807A - 光半導体モジュール - Google Patents
光半導体モジュールInfo
- Publication number
- JPH04333807A JPH04333807A JP10533891A JP10533891A JPH04333807A JP H04333807 A JPH04333807 A JP H04333807A JP 10533891 A JP10533891 A JP 10533891A JP 10533891 A JP10533891 A JP 10533891A JP H04333807 A JPH04333807 A JP H04333807A
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- optical fiber
- optical
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- Pending
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Landscapes
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光半導体モジュールに関
し、特に短距離の光通信システムに適合した光半導体モ
ジュールに関する。
し、特に短距離の光通信システムに適合した光半導体モ
ジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の光半導体モジュールは、
パッケージに実装された光半導体素子と、光半導体素子
と結合される光ファイバと、光半導体素子と光ファイバ
とを光学的に結合するためのレンズとから構成されてい
る。光半導体モジュールには、発光モジュールと受光モ
ジュールがある。発光モジュールのうち、特に短距離の
光通信システムに適合した低出力半導体レーザモジュー
ルでは、半導体レーザからの出射光をレンズで収束させ
光ファイバに結合させるとき、光ファイバの端面位置を
最適結合状態から間隔を光軸方向にずらして結合効率を
低下させ、光ファイバからの出力光を低減させていた。 一方、受光モジュールでは、短距離通信の場合、受光モ
ジュールの光入力部に光固定減衰器を挿入し、最大受信
レベルを減少させて受光素子の飽和を生じないようにし
ていた。
パッケージに実装された光半導体素子と、光半導体素子
と結合される光ファイバと、光半導体素子と光ファイバ
とを光学的に結合するためのレンズとから構成されてい
る。光半導体モジュールには、発光モジュールと受光モ
ジュールがある。発光モジュールのうち、特に短距離の
光通信システムに適合した低出力半導体レーザモジュー
ルでは、半導体レーザからの出射光をレンズで収束させ
光ファイバに結合させるとき、光ファイバの端面位置を
最適結合状態から間隔を光軸方向にずらして結合効率を
低下させ、光ファイバからの出力光を低減させていた。 一方、受光モジュールでは、短距離通信の場合、受光モ
ジュールの光入力部に光固定減衰器を挿入し、最大受信
レベルを減少させて受光素子の飽和を生じないようにし
ていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
レーザモジュールは、光ファイバの端面位置が最適結合
状態から光軸方向にずらされているため、半導体レーザ
からの出射ビームパターンがきたない（パターンが滑ら
かでなく、ギザギザになっている）ことと相侯って、温
度変化に対して半導体レーザの出射光の出射角がわずか
にずれるとき、光ファイバに結合される光パワーが変化
し、半導体レーザモジュールの温度に対する出力安定性
が悪いという欠点を有していた。
レーザモジュールは、光ファイバの端面位置が最適結合
状態から光軸方向にずらされているため、半導体レーザ
からの出射ビームパターンがきたない（パターンが滑ら
かでなく、ギザギザになっている）ことと相侯って、温
度変化に対して半導体レーザの出射光の出射角がわずか
にずれるとき、光ファイバに結合される光パワーが変化
し、半導体レーザモジュールの温度に対する出力安定性
が悪いという欠点を有していた。
【０００４】一方、受光モジュールでは、光固定減衰器
を挿入していたため、寸法が大きく且つ高価であるとい
う欠点を有していた。
を挿入していたため、寸法が大きく且つ高価であるとい
う欠点を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の光半導体モジュ
ールは光半導体パッケージと、前記光半導体パッケージ
に光学的に結合される光ファイバとを有する光半導体モ
ジュールにおいて、前記光半導体モジュールと前記光フ
ァイバとの間に光の減衰膜を設けている。
ールは光半導体パッケージと、前記光半導体パッケージ
に光学的に結合される光ファイバとを有する光半導体モ
ジュールにおいて、前記光半導体モジュールと前記光フ
ァイバとの間に光の減衰膜を設けている。
【０００６】
【実施例】次に、本発明について図面を用いて詳細に説
明する。
明する。
【０００７】図１は、本発明の一実施例である受光モジ
ュールを示す断面図である。フォトパッケージ１０は、
光を電気信号に変換する光半導体素子パッケージであり
、３元のＰＩＮフォトダイオードが実装されている。 フォトダイオードパッケージ１０は、円筒状のパッケー
ジホルダ１１の内面に、溶接部Ａ点でＹＡＧ溶接固定さ
れている。球レンズ２０は、円筒状のレンズホルダ２１
の内面に、低融点ガラスで固定されている。光ファイバ
３１の先端部（端面）に設けられた円柱状の光ファイバ
端末３０は、その外周に配設されているファイバサポー
ト３２に、溶接部Ｄ点でＹＡＧ溶接固定されている。光
ファイバ３１からの光は、光ファイバ端末２０，球レン
ズ２０を経てフォトダイオードパッケージ１０に入射さ
れる。尚、光ファイバ端末３０の端面には、一例として
ＢＫ７のガラス基板上にＮｉＣｒの金属膜の蒸着された
、光を減衰させる減衰膜４０が接着固定されている。 パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１はそれぞれの
端面にある溶接部Ｂ点で、レンズホルダ２１のファイバ
サポート３２はそれぞれの端面にある溶接部Ｃ点で、Ｙ
ＡＧ溶接固定されている。
ュールを示す断面図である。フォトパッケージ１０は、
光を電気信号に変換する光半導体素子パッケージであり
、３元のＰＩＮフォトダイオードが実装されている。 フォトダイオードパッケージ１０は、円筒状のパッケー
ジホルダ１１の内面に、溶接部Ａ点でＹＡＧ溶接固定さ
れている。球レンズ２０は、円筒状のレンズホルダ２１
の内面に、低融点ガラスで固定されている。光ファイバ
３１の先端部（端面）に設けられた円柱状の光ファイバ
端末３０は、その外周に配設されているファイバサポー
ト３２に、溶接部Ｄ点でＹＡＧ溶接固定されている。光
ファイバ３１からの光は、光ファイバ端末２０，球レン
ズ２０を経てフォトダイオードパッケージ１０に入射さ
れる。尚、光ファイバ端末３０の端面には、一例として
ＢＫ７のガラス基板上にＮｉＣｒの金属膜の蒸着された
、光を減衰させる減衰膜４０が接着固定されている。 パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１はそれぞれの
端面にある溶接部Ｂ点で、レンズホルダ２１のファイバ
サポート３２はそれぞれの端面にある溶接部Ｃ点で、Ｙ
ＡＧ溶接固定されている。
【０００８】フォトダイオードパッケージ１０内のＰＩ
Ｎフォトダイオードへの入射光が光ノァイバ端末３０の
端面に効率良く結合するように、球レンズ２０の光軸Ｅ
方向の位置はあらかじめ決定され固定されている。また
、パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１を固定した
後、ファイバサポート３２に挿入された光ファイバ端末
３０を光軸Ｅ方向に移動調整し、フォトダイオードパッ
ケージ１０において光ファイバ３１からの最大光電力が
得られた時点でＤ点で固定し、さらにＣ点を固定する。
Ｎフォトダイオードへの入射光が光ノァイバ端末３０の
端面に効率良く結合するように、球レンズ２０の光軸Ｅ
方向の位置はあらかじめ決定され固定されている。また
、パッケージホルダ１１とレンズホルダ２１を固定した
後、ファイバサポート３２に挿入された光ファイバ端末
３０を光軸Ｅ方向に移動調整し、フォトダイオードパッ
ケージ１０において光ファイバ３１からの最大光電力が
得られた時点でＤ点で固定し、さらにＣ点を固定する。
【０００９】本実施例の受光モジュールでは、一例とし
て光減衰量５ｄＢの減衰膜４０を付けることにより、波
長１．３μｍにおいて最大受信レベルを−１５ｄＢｍに
増加することができた。
て光減衰量５ｄＢの減衰膜４０を付けることにより、波
長１．３μｍにおいて最大受信レベルを−１５ｄＢｍに
増加することができた。
【００１０】本実施例においては、光ファイバ端末３０
の端面にガラス基板に蒸着した減衰膜４０を接着固定し
たが、光ファイバ端末３０に減衰膜４０を直接蒸着した
り、減衰膜４０として減衰膜フィルムを光ファイバ端末
３０に接着固定しても良い。さらに、光ファイバ端末３
０の端面でなく、球レンズ２０に減衰膜４０を蒸着した
り、フォトダイオードパッケージ１０の窓ガラス面に減
衰膜４０を接着固定しても良い。
の端面にガラス基板に蒸着した減衰膜４０を接着固定し
たが、光ファイバ端末３０に減衰膜４０を直接蒸着した
り、減衰膜４０として減衰膜フィルムを光ファイバ端末
３０に接着固定しても良い。さらに、光ファイバ端末３
０の端面でなく、球レンズ２０に減衰膜４０を蒸着した
り、フォトダイオードパッケージ１０の窓ガラス面に減
衰膜４０を接着固定しても良い。
【００１１】また、図１の実施例においては受光モジュ
ールについて説明したが、光半導体素子であるフォトダ
イオードパッケージ１０を半導体レーザパッケージに置
換えれば、発光モジュールが構成できることは明白であ
る。
ールについて説明したが、光半導体素子であるフォトダ
イオードパッケージ１０を半導体レーザパッケージに置
換えれば、発光モジュールが構成できることは明白であ
る。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光半導体
パッケージと光半導体パッケージが結合される光ファイ
バとの間に光の減衰膜を設け、好ましくは光半導体パッ
ケージへの入出射光が最も効率良く光ファイバに結合さ
れるよう調整固定することにより、小形，低価格で温度
変化に対して光出力が極めて安定で高信頼な光半導体モ
ジュールが得られる効果がある。
パッケージと光半導体パッケージが結合される光ファイ
バとの間に光の減衰膜を設け、好ましくは光半導体パッ
ケージへの入出射光が最も効率良く光ファイバに結合さ
れるよう調整固定することにより、小形，低価格で温度
変化に対して光出力が極めて安定で高信頼な光半導体モ
ジュールが得られる効果がある。
【図１】本発明の光半導体モジュールの一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
１０ フォトダイオードパッケージ１１
パッケージホルダ ２０ 球レンズ ２１ レンズホルダ ３０ 光ファイバ端末 ３１ 光ファイバ ３２ ファイバサポート ４０ 減衰膜
パッケージホルダ ２０ 球レンズ ２１ レンズホルダ ３０ 光ファイバ端末 ３１ 光ファイバ ３２ ファイバサポート ４０ 減衰膜
Claims (1)
- 【請求項１】 光半導体パッケージと、前記光半導体
パッケージに光学的に結合される光ファイバとを有する
光半導体モジュールにおいて、前記光半導体モジュール
と前記光ファイバとの間に光の減衰膜を設けたことを特
徴とする光半導体モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10533891A JPH04333807A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10533891A JPH04333807A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光半導体モジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333807A true JPH04333807A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14404948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10533891A Pending JPH04333807A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 光半導体モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04333807A (ja) |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP10533891A patent/JPH04333807A/ja active Pending
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