JPS63305584A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS63305584A JPS63305584A JP62141683A JP14168387A JPS63305584A JP S63305584 A JPS63305584 A JP S63305584A JP 62141683 A JP62141683 A JP 62141683A JP 14168387 A JP14168387 A JP 14168387A JP S63305584 A JPS63305584 A JP S63305584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- optical fiber
- concave mirror
- light
- optical axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 claims abstract description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000510609 Ferula Species 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4204—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details the coupling comprising intermediate optical elements, e.g. lenses, holograms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02251—Out-coupling of light using optical fibres
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02253—Out-coupling of light using lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0225—Out-coupling of light
- H01S5/02255—Out-coupling of light using beam deflecting elements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は主として光フアイバ通信、或は光ファイバを介
した各種情報伝送分野で広く利用されている半導体レー
ザの実装手法に係るものである。
した各種情報伝送分野で広く利用されている半導体レー
ザの実装手法に係るものである。
従来の技術
半導体レーザと光ファイバの一体化実装においては、単
に半導体レーザと光ファイバを光学軸上で近接して固定
するだけでは充分な光パワーを光ファイバに伝達するこ
とは困難であり、且つ外部の温度変化等により上記の半
導体レーザと光フアイバ間の光学軸のズレ等が発生して
著しく両者の間の結合効率を低下させるといったことが
しばしば発生する。このようなことを考慮して従来から
各種の結合方法が提案され、実用に供せられているが、
以下では比較的広く利用され、特性的にも優れた複合レ
ンズ方式についてその概要を説明する。
に半導体レーザと光ファイバを光学軸上で近接して固定
するだけでは充分な光パワーを光ファイバに伝達するこ
とは困難であり、且つ外部の温度変化等により上記の半
導体レーザと光フアイバ間の光学軸のズレ等が発生して
著しく両者の間の結合効率を低下させるといったことが
しばしば発生する。このようなことを考慮して従来から
各種の結合方法が提案され、実用に供せられているが、
以下では比較的広く利用され、特性的にも優れた複合レ
ンズ方式についてその概要を説明する。
第3図は、従来例の一例として、複合レンズ方式による
半導体レーザと光ファイバの結合方式について、その基
本的な部分のみを示した概略図である。まず、半導体レ
ーザ1は、Si、SiC或はダイヤモンド等の熱伝導度
の大きいサブマウント2にハンダ等によって固定され、
それらが同じくハンダ等を用いてレーザ用基台3に固定
される。
半導体レーザと光ファイバの結合方式について、その基
本的な部分のみを示した概略図である。まず、半導体レ
ーザ1は、Si、SiC或はダイヤモンド等の熱伝導度
の大きいサブマウント2にハンダ等によって固定され、
それらが同じくハンダ等を用いてレーザ用基台3に固定
される。
また、同じ基台3上には球レンズ4もガラスハンダ等を
用いて同時に固定され、半導体レーザ1からの放射光を
平行光にして、その前方にある別のロッドレンズ用基台
6に固定されたロッドレンズeに入射するようになって
いる。ロッドレンズ6を通過した光は、このロッドレン
ズによって光ファイバ7の先端部8近傍て集光されて効
率よく光ファイバ7に入射するように全体が構成さね、
ている。なお同図で9は光フアイバ固定用のセラミ、ツ
ク製、或は金属製のフェルール、10は前記フェルール
を固定するだめのフェルール用基台、11は半導体レー
ザからの出力光のモニター用フォトダイオード、12は
半導体レーザフォトダイオード等の電極用ビンである。
用いて同時に固定され、半導体レーザ1からの放射光を
平行光にして、その前方にある別のロッドレンズ用基台
6に固定されたロッドレンズeに入射するようになって
いる。ロッドレンズ6を通過した光は、このロッドレン
ズによって光ファイバ7の先端部8近傍て集光されて効
率よく光ファイバ7に入射するように全体が構成さね、
ている。なお同図で9は光フアイバ固定用のセラミ、ツ
ク製、或は金属製のフェルール、10は前記フェルール
を固定するだめのフェルール用基台、11は半導体レー
ザからの出力光のモニター用フォトダイオード、12は
半導体レーザフォトダイオード等の電極用ビンである。
また、夫々の基台3゜5.9上に固定された前記半導体
レーザ11球レンズ4.ロッドレンズ6、光フアイバ7
等の各部品はその光軸を合せ、且つ光ファイバへの入射
光が最大となる様に相対的な位置調整を行いながら各基
台3,5.9を互いに溶接等の手段により一体化固定し
ている。又、通常、上記の全体構造は円筒形状をもち、
その中心軸上に前記の光学軸がある様に構成されている
。
レーザ11球レンズ4.ロッドレンズ6、光フアイバ7
等の各部品はその光軸を合せ、且つ光ファイバへの入射
光が最大となる様に相対的な位置調整を行いながら各基
台3,5.9を互いに溶接等の手段により一体化固定し
ている。又、通常、上記の全体構造は円筒形状をもち、
その中心軸上に前記の光学軸がある様に構成されている
。
発明が解決しようとする問題点
上に述べてきたように半導体レーザと光ファイバの結合
は、部品点数の多さに加えて各部品の夫々の基台への固
定、各基台同志の固定、光学軸の位置合せ等々と極めて
厄介な問題が山積し、更に各部品の固定一体化後におい
ても各基台間の熱歪み、外部温度の変動等による光軸の
ズレがしばしば発生し、工数・部品点数・歩留り等の面
で本半導体装置の大きなネックの1つとなっている。本
発明はかかる困難を除き、部品・工数等の大巾な削減と
組立ての容易化を目的としている。
は、部品点数の多さに加えて各部品の夫々の基台への固
定、各基台同志の固定、光学軸の位置合せ等々と極めて
厄介な問題が山積し、更に各部品の固定一体化後におい
ても各基台間の熱歪み、外部温度の変動等による光軸の
ズレがしばしば発生し、工数・部品点数・歩留り等の面
で本半導体装置の大きなネックの1つとなっている。本
発明はかかる困難を除き、部品・工数等の大巾な削減と
組立ての容易化を目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記の問題点を解決するため、凹面鏡を儂え
た単一基台上に半導体レーザと光ファイバを設置せしむ
ることにより前記従来例にみられる数多くの各部品間の
固定による手間、光軸ズレを排除すると共に組立ての簡
易化を行うものである。
た単一基台上に半導体レーザと光ファイバを設置せしむ
ることにより前記従来例にみられる数多くの各部品間の
固定による手間、光軸ズレを排除すると共に組立ての簡
易化を行うものである。
作用
半導体レーザからの放射光を、その光軸上で光軸に対し
て成る角度をもった凹面鏡に入射せしめ、凹面鏡からの
反射集束光の集束点近傍に光ファイバを固定することに
より効率良く光ファイバへ半導体レーザの放射光を導入
する。
て成る角度をもった凹面鏡に入射せしめ、凹面鏡からの
反射集束光の集束点近傍に光ファイバを固定することに
より効率良く光ファイバへ半導体レーザの放射光を導入
する。
実施例
第1図は本発明の一実施例で、凹面鏡21を備えた基台
22上で、凹面鏡21の光軸23に対して適当な角度を
もち、且つ凹面鏡21の焦点fに対してf>Xになるよ
うなX点にサブマウント2に乗せた半導体レーザ1をセ
ットする。この場合、半導体レーザ1からの放射光の中
心軸は図の点線で示しだように凹面鏡21で反射された
後、凹面鏡21の光軸23に対して半導体レーザ1と対
称となる方向てなり、その方向上の適当な位置に光ファ
イバ7を設置することによって半導体レーザ1と光ファ
イバ7の結合が容易に可能となる。このような構成を行
う場合、凹面鏡に対して半導体レーザ、光ファイバの固
定位置は以下のような考慮が必要である。今、仮りに凹
面鏡21に対して半導体レーザ1.光ファイバ7が夫々
凹面鏡の光軸23とθの角度ではx、yだけ離れた点に
あるものとする(第2図)。即ち、凹面鏡21から、X
だけ離れた半導体レーザ1からの光は凹面鏡21で反射
された後、y=/−x/(x−1)テ表わされる図の光
ファイバ7の先端部に焦点を結ぶことになる。
22上で、凹面鏡21の光軸23に対して適当な角度を
もち、且つ凹面鏡21の焦点fに対してf>Xになるよ
うなX点にサブマウント2に乗せた半導体レーザ1をセ
ットする。この場合、半導体レーザ1からの放射光の中
心軸は図の点線で示しだように凹面鏡21で反射された
後、凹面鏡21の光軸23に対して半導体レーザ1と対
称となる方向てなり、その方向上の適当な位置に光ファ
イバ7を設置することによって半導体レーザ1と光ファ
イバ7の結合が容易に可能となる。このような構成を行
う場合、凹面鏡に対して半導体レーザ、光ファイバの固
定位置は以下のような考慮が必要である。今、仮りに凹
面鏡21に対して半導体レーザ1.光ファイバ7が夫々
凹面鏡の光軸23とθの角度ではx、yだけ離れた点に
あるものとする(第2図)。即ち、凹面鏡21から、X
だけ離れた半導体レーザ1からの光は凹面鏡21で反射
された後、y=/−x/(x−1)テ表わされる図の光
ファイバ7の先端部に焦点を結ぶことになる。
一方、半導体レーザからの放射光は、一般に図の人、B
なる実線で示したような広がりをもち、この広がり角を
α9人、Bが凹面鏡で反射した後のパスをh/、 B/
とするとム′とB′の焦点位置は上記のyで示した値と
多少ズしたものになるが、光ファイバに効率的に半導体
レーザからの放射光を導入する際、重要な問題は光ファ
イバの入射面における入射先人とBの間の広がり角βで
、この角度βを小さくすることが結合効率をあげる上で
重要となる。今の場合、入射光の広がり角βは、近似的
に次式のようになる。
なる実線で示したような広がりをもち、この広がり角を
α9人、Bが凹面鏡で反射した後のパスをh/、 B/
とするとム′とB′の焦点位置は上記のyで示した値と
多少ズしたものになるが、光ファイバに効率的に半導体
レーザからの放射光を導入する際、重要な問題は光ファ
イバの入射面における入射先人とBの間の広がり角βで
、この角度βを小さくすることが結合効率をあげる上で
重要となる。今の場合、入射光の広がり角βは、近似的
に次式のようになる。
従って、半導体レーザ1の位置Xを凹面鏡21の焦点距
離fより僅かに大きくとることてよって、光ファイバT
への入射光の広がり角βを著しく小さく出来ることにな
る。この際、凹面鏡21の光軸23と半導体レーザ1の
間の角度θは、半導体レーザ1からの放射光が途中でさ
えぎられることなく光ファイバ7に入射出来る限り出来
るだけ小さい方が望寸しい。
離fより僅かに大きくとることてよって、光ファイバT
への入射光の広がり角βを著しく小さく出来ることにな
る。この際、凹面鏡21の光軸23と半導体レーザ1の
間の角度θは、半導体レーザ1からの放射光が途中でさ
えぎられることなく光ファイバ7に入射出来る限り出来
るだけ小さい方が望寸しい。
発明の効果
本発明の構成により、半導体レーザと光ファイバの結合
は、使用部品点数の削減は勿論、固定部分の削減に伴う
ズレ発生個所の低減、工数の低減。
は、使用部品点数の削減は勿論、固定部分の削減に伴う
ズレ発生個所の低減、工数の低減。
組立ての容易化が可能となる、
第1図は本発明の一実施例の半導体レーザと光ファイバ
の結合装置の概略図、第2図は本発明の基本同半導体レ
ーザの動作説明図、第3図は従来の半導体レーザ・光フ
アイバ結合方式の概略図である。 1・・・・・・半導体レーザ、2・・・・・・サブマウ
ント、7・・・・・光ファイバ、9・・・・・フェルー
ル、21・・・・・・凹面鏡、22・・・・・基台。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図 フェルラし 第2図 半等1奈1.f−ザ
の結合装置の概略図、第2図は本発明の基本同半導体レ
ーザの動作説明図、第3図は従来の半導体レーザ・光フ
アイバ結合方式の概略図である。 1・・・・・・半導体レーザ、2・・・・・・サブマウ
ント、7・・・・・光ファイバ、9・・・・・フェルー
ル、21・・・・・・凹面鏡、22・・・・・基台。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第
1 図 フェルラし 第2図 半等1奈1.f−ザ
Claims (2)
- (1)単一の基台上に、半導体レーザと、前記半導体レ
ーザの発光光を反射する凹面鏡と、前記凹面鏡で集光し
た光を入力される光ファイバーを配置したことを特徴と
する半導体レーザ装置。 - (2)凹面鏡が基台と一体化整形されていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62141683A JPS63305584A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62141683A JPS63305584A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63305584A true JPS63305584A (ja) | 1988-12-13 |
Family
ID=15297781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62141683A Pending JPS63305584A (ja) | 1987-06-05 | 1987-06-05 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63305584A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0274090A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-03-14 | Amp Inc | 光結合構造体 |
EP0713271A1 (en) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Nortel Networks Corporation | Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor |
-
1987
- 1987-06-05 JP JP62141683A patent/JPS63305584A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0274090A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-03-14 | Amp Inc | 光結合構造体 |
EP0713271A1 (en) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Nortel Networks Corporation | Injection laser assembly incorporating a monitor photosensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH06120609A (ja) | 発光装置および受光装置とその製造方法 | |
US5024504A (en) | Method of aligning and packaging an optoelectronic component with a single-mode optical fiber array | |
JPS63305584A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
US4957342A (en) | Single-mode optical fiber array package for optoelectronic components | |
JPS60136387A (ja) | 光素子モジユ−ル | |
US5066093A (en) | Method for adjusting and fixing a lens and optical coupling arrangement manufactured therewith | |
CN211878244U (zh) | 一种半导体激光器透镜光纤一体式耦合装置 | |
JPH05121841A (ja) | 半導体レーザモジユール | |
JP3160159B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPS62299091A (ja) | 光半導体モジユ−ル | |
JP2586123B2 (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPS58168289A (ja) | レ−ザダイオ−ドパツケ−ジ | |
JPH09197158A (ja) | 光半導体モジュール | |
JP2844999B2 (ja) | 光半導体アレイモジュール | |
JP2957189B2 (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法 | |
JPH0232307A (ja) | 光半導体素子モジュール | |
JP2002148488A (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法、半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 | |
JP2613879B2 (ja) | 受光モジュール | |
JPS62187304A (ja) | 方向性光結合部品 | |
JPH02130985A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JP2001133664A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPH09113769A (ja) | 光学デバイス | |
JPH0497208A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPS62248280A (ja) | レ−ザダイオ−ドモジユ−ルの光フアイバ固定構造 | |
JPH01120512A (ja) | 光結合器の組立方法 |