JPH01171290A - 光半導体アセンブリ - Google Patents

光半導体アセンブリ

Info

Publication number
JPH01171290A
JPH01171290A JP33314087A JP33314087A JPH01171290A JP H01171290 A JPH01171290 A JP H01171290A JP 33314087 A JP33314087 A JP 33314087A JP 33314087 A JP33314087 A JP 33314087A JP H01171290 A JPH01171290 A JP H01171290A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lens holder
optical semiconductor
lens
fixed
chip carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP33314087A
Other languages
English (en)
Inventor
▲お▼野 三郎
Saburou Asano
Shoichi Miura
三浦 省一
Takayuki Masuko
益子 隆行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP33314087A priority Critical patent/JPH01171290A/ja
Publication of JPH01171290A publication Critical patent/JPH01171290A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 概要 光通信又は光伝送の分野で使用される光半導体モジュー
ルの構成要素である光半導体アセンブリに関し、 長期間安定して高い光結合効率を維持することを目的と
し、 光半導体素子が固定されたチップキャリアとレンズが固
定されたレンズホルダとを一体的に固定してなる光半導
体アセンブリにおいて、前記チップキャリアを、前記光
半導体素子が固定される比較的に熱伝導率の高い部分と
前記レンズホルダに固定される比較的に熱伝導率の低い
部分とから形成し、前記比較的に熱伝導率の低い部分と
前記レンズホルダとをレーザ溶接にて固定して構成する
産業上の利用分野 本発明は、光通信又は光伝送の分野で使用される光半導
体モジュールの構成要素である光半導体アセンブリに関
する。
光ファイバを光伝送路として使用する例えば光通信シス
テムにおいては、半導体レーザ(LD)及び発光ダイオ
ード(LED)等の光半導体素子の出射光を光フアイバ
内に導入するために、光半導体素子と光フアイバ入射端
面とを所定の位置関係で固定しこれらの間に集光用のレ
ンズを設けてなる光半導体モジュールが使用される。こ
の種の光半導体上ジュールにおいては、構成部品相互間
の位置関係が直接的に光結合効率に影響を及ばずから、
各構成部品は1μm以下という極めて高い精度で位置決
めされることが要求される。また、長期間この位置決め
精度が維持されることが要求される。
以下の説明においては、発光系の光半導体モジュールに
ついて本発明を説明するが、本発明はこれに限定されず
、レンズの集光作用の共通性により発光系の光半導体モ
ジュールと可逆的に機能する受光系の光半導体モジュー
ルにも適用可能である。
i迷Jと1頂 第5図は従来の光半導体モジュールの一例を説明するた
めの図である。光半導体素子41の出射光は、レンズ4
2により概略平行光ビームとされて光アイソレータ43
を順方向に透過ひ、さらにグリンロツドレンズ44.4
5により集束されて光ファイバ46に導入される。この
ような光半導体モジュールを製造する場合には、光半導
体素子41及びレンズ42を所定の位置関係で固定保持
して光半導体アセンブリ47とし、一方、グリンロツド
レンズ45及び光ファイバ46を所定の位置関係で固定
保持してファイバアセンブリ48とし、これらのアセン
ブリと光アイソレータ43及びグリンロッドレンズ44
とを一体化するように組立てている。このように構成部
品をアセンブリ化しているのは、アセンブリ同士の位置
関係を調整することにより簡単に光軸調整を行なうため
である。
第6図は光半導体アセンブリ47の一構成例を説明づる
ための図である。 LD (半導体レーザ)等の光半導
体素子41が固定されたチップキャリア51と、レンズ
42が固定されたレンズホルダ52とを所定の位置関係
で固定したものである。
この固定は、レンズ42によるコリメート光の光ビーム
形状及び光軸方向が所定範囲内となるように行なわれ、
これにより上述したアセンブリ同士の位置調整をもって
所定値以上の光結合効率が達成されるようになっている
発明が解決しようとする問題点 光半導体アセンブリにおいてチップキャリアとレンズホ
ルダとを固定するに際し、従来は、接着剤による固定又
は半田付けによる固定が行なわれていた。しかし、接着
剤による固定であると、接着剤の固化に長時間を要し、
また、温度変化が加えられると固定強度が低下する等の
問題が生じていた。一方、半田付けによる固定であると
、チップキャリアの材質が素子の放熱のために熱伝導率
の高いものであることから比較的低温度(例えば150
度程度)で溶融する半田を用いざるを得す、このような
半田は固定後にクリープを生じるから、固定当初の光結
合効率が長期間にわたり安定に維持されないという問題
を生じていた。これらの問題を解浦するためにレーザ溶
接の採用が提案され得るが、レーザ溶接を行なう場合に
は被溶接材の熱伝導率が低いことが要求されるので、高
い熱伝導率が必要とされるチップキャリアをレーザ溶接
することは実際上困難である。
本発明はこのような事情に鑑みて創作されたもので、長
期間安定して高い光結合効率を維持することが可能な光
半導体アセンブリの提供を目的としている。
問題点を解決するための手段 第1図は本発明の原理図である。
本発明の光半導体アセンブリは、光半導体素子1が固定
されたチップキャリア2とレンズ3が固定されたレンズ
ホルダ4とを一体的に固定して構成されている。
チップキャリア2は、光半導体素子1が固定される比較
的に熱伝導率の高い部分5とレンズホルダ4に固定され
る比較的に熱伝導率の低い部分6とから形成されている
そして、前記比較的に熱伝導率の低い部分6と前記レン
ズホルダ4は、レーザ溶接にて固定されている。
作   用 本発明において、チップキャリアの光半導体素子が固定
される部分の熱伝導率を比較的高くしているのは、光半
導体素子を発光させるときに副次的に発生する熱によっ
て光半導体素子が破損することを防止するためである。
すなわち、この熱は、チップキャリアの比較的に熱伝導
率が高い部分を介して空気中に放熱される。また、チッ
プキャリアのレンズホルダに固定される部分の熱伝導率
を比較的低くしているのは、レーザ照射部分の局所的な
溶融を可能とし、これによりレーザ溶接を可能とするた
めである。
このように本発明では熱伝導率が高く放熱性の良好な部
分と熱伝導率が低くレーザ溶接性の良好な部分とからチ
ップキャリを形成しているので、チップキャリアとレン
ズホルダとをレーザ溶接することができ、又、一般にレ
ーザ溶接部分はクリープによる経時的な変化がほとんど
ないから、当初の光結合効率が長期間維持される。
実  施  例 以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第2図は本発明の実施例を示す光半導体アセンブリの部
分断面側面図である。チップキャリア11は、光半導体
素子16がその上面端部に固着されるヒートシンク部1
2とレンズホルダ支持部13とを例えばろう付けにより
一体化して形成されている。ヒートシンク部12は、光
半導体素子16についての放熱性を良好ならしめるため
に、CU等の熱伝導率の高い材質から形成されている。
レンズホルダ支持部13は、例えば5US304等の比
較的熱伝導率の低い材質からなる直方体ブロックにレン
ズホルダ装着孔13aを形成してなる。レンズホルダ1
4はチップキャリアのレンズボルダ1支持部13と同質
の材料からなり、そのレンズ装着孔14aには球状のレ
ンズ15が例えば圧入により装着されている。
上記チップキャリア11とレンズホルダ14とを固定す
るに際しては、レンズホルダ14をレンズホルダ装着孔
13a内で上下方向に摺動させて適当位置にて図中Aで
示される摺動端部をレーザ溶接すれば良い。この場合に
、チップキャリアのレンズホルダ支持部13及びレンズ
ホルダ14の熱伝導率は低いから、レーザ照射部分は局
部的に溶融・凝固して、経時的に変形することのない溶
接部分が形成されるものである。
第3図は本発明の他の実施例を示す光半導体アセンブリ
の部分断面側面図である。この実施例ではヒートシンク
部22にネジ22aを形成し、レンズホルダ支持部23
に該ネジ22aが螺合するネジ穴23aを形成し、これ
によりヒートシンク部22とレンズホルダ支持部23と
を一体化してチップキャリア21としている。この構成
によれば、前実施例のようにろう付けのための加熱が不
要であるから、予め光半導体素子16をヒートシンク部
22に固定した後にヒートシンク部22とレンズホルダ
支持部23とを固定することもでき、製造作業順序の自
由度が増大する。
第4図(a)は本発明のさらに他の実施例を示す光半導
体アセンブリの正面図であり、同図(b)はその側面図
である。この実施例では、チップキャリア33の構成要
素であるヒートシンク部31及びレンズホルダ支持部3
2のうちレンズホルダ支持部32に平坦面32aを形成
し、レンズホルダ34に概略円状の透孔34aを形成し
ておき、これらチップキャリア33及びレンズホルダ3
4を、上記平坦面32aに囲動可能な平坦面35bを有
し且つ上記透孔34a内で摺動可能な突起35aを有す
るスペーサ35を介して一体化するようにしている。こ
のような構造とすれば、平坦面32a上におけるスペー
サ35の摺動により紙面に垂直な平面内におけるレンズ
15の位置調整が可能となり、また透孔34a内におけ
るスペーサの突起358の摺動によりレンズ15と光半
導体素子16間の距離を調整することが可能となるから
、レーザ溶接に先立ち所望の位置関係を設定することが
できる。レーザ溶接は、レンズホルダ支持部32とスペ
ーサ35とについては例えばBで示される摺f71端部
で、レンズホルダ34とスペーサ35とについては例え
ばCで示される摺動端部で行なうことができる。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によれば、光半導体素子が
固定されるチップキャリアとレンズが固定されるレンズ
ホルダとの固定に際しレーザ溶接の採用が可能となるか
ら、本発明の光半導体アセンブリを用いて構成される光
デバイスにあって長期間安定して高い光結合効率を維持
することが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の原理図、 第2図は本発明の実施例を示す光半導体アセンブリの部
分断面側面図、 第3図は本発明の他の実施例を示す光半導体アセンブリ
の部分断面側面図、 第4図(a)は本発明のさらに他の実施例を示す光半導
体アセンブリの正面図、同図(b)はその側面図、 第5図は従来の光半導体モジュールの一例を説明するた
めの図、 第6図は同光半導体モジュールの構成要素である光半導
体アセンブリの説明図である。 1.16・・・光半導体素子、 2.11,21.33・・・チップキャリア、3.15
・・・レンズ、 4.14.34・・・レンズホルダ、 12.22.31・・・ヒートシンク部、13.23.
32・・・レンズホルダ支持部。 1:尤半善俸雫条 ネ45日月の1代!f 図 第1図 11 : +ップキτリア 12 : ヒートシンク音下 13 :  レシス゛ネルタ゛支セナを下14 ; レ
ンズホルダ 第2図 イ(巴 0 炙づL牽5イ列 図 第3図 33 : +ブブキマリア 34 : レンヌ゛ホルタ゛ 35; スペーサ 更1こイ名の 笑う支已イダ11  図第4図 4日 : ファイへアセシフ゛リ イメlドミイ列図 第5図 47 : 九、f−尊イをアゼシフ゛り寸足来イ列囚 第6図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 光半導体素子(1)が固定されたチップキャリア(2)
    とレンズ(3)が固定されたレンズホルダ(4)とを一
    体的に固定してなる光半導体アセンブリにおいて、 前記チップキャリア(2)を、前記光半導体素子(1)
    が固定される比較的に熱伝導率の高い部分(5)と前記
    レンズホルダ(4)に固定される比較的に熱伝導率の低
    い部分(6)とから形成し、 前記比較的に熱伝導率の低い部分(6)と前記レンズホ
    ルダ(4)とをレーザ溶接にて固定してなることを特徴
    とする光半導体アセンブリ。
JP33314087A 1987-12-25 1987-12-25 光半導体アセンブリ Pending JPH01171290A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33314087A JPH01171290A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 光半導体アセンブリ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33314087A JPH01171290A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 光半導体アセンブリ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01171290A true JPH01171290A (ja) 1989-07-06

Family

ID=18262739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP33314087A Pending JPH01171290A (ja) 1987-12-25 1987-12-25 光半導体アセンブリ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01171290A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153505U (ja) * 1988-04-15 1989-10-23
EP0917263A1 (en) * 1997-02-12 1999-05-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Composite module for optical fiber amplifier
JP2001124963A (ja) * 2000-11-06 2001-05-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
JP2010278201A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Anritsu Corp 光半導体素子モジュール

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153505U (ja) * 1988-04-15 1989-10-23
EP0917263A1 (en) * 1997-02-12 1999-05-19 The Furukawa Electric Co., Ltd. Composite module for optical fiber amplifier
EP0917263A4 (en) * 1997-02-12 2002-06-05 Furukawa Electric Co Ltd COMPOSED MODULE FOR FIBER OPTICAL AMPLIFIERS
JP2001124963A (ja) * 2000-11-06 2001-05-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光モジュール
JP2010278201A (ja) * 2009-05-28 2010-12-09 Anritsu Corp 光半導体素子モジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5068865A (en) Semiconductor laser module
US4469929A (en) Method for securing optical and electro-optical components
JPH06314857A (ja) 半導体発光装置
EP0824281B1 (en) Peltier cooler and use in a semiconductor laser module
US4955683A (en) Apparatus and a method for coupling an optically operative device with an optical fiber
US6625185B2 (en) Optical module producing method and optical module
JPH01171290A (ja) 光半導体アセンブリ
JPH085876A (ja) 光伝送用モジュール及びそれに用いられるレンズホルダ部材
JP2009152339A (ja) 光デバイス及びその製造方法
JPH0452636B2 (ja)
JPS6365411A (ja) レンズ固定方法
TW200530555A (en) Etalon positioning using solder balls
JP2868353B2 (ja) 光半導体モジュールの製造方法
JPH04243181A (ja) 半導体レーザモジュール
JP2004023039A (ja) 熱電装置およびその製造方法
JPH0736328Y2 (ja) 光結合器
KR0121330B1 (ko) 고속 광통신용 단일모드 반도체 레이저 모듈 구조
JPS61173206A (ja) 光結合部の固定方法
JPH0245985A (ja) 光回路素子の放熱性塔載基板および実装法
JP2513192Y2 (ja) 光結合器
JPH0621577A (ja) 半導体レーザモジュール
TWI220808B (en) Connector with laser diode and manufacturing method thereof
JPH02136808A (ja) 光半導体装置
JPS63213805A (ja) 光コリメ−タの固定方法
JPH01217407A (ja) レンズ固定構造