JPH02123779A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、光ファイバと結合して用いられる光通信用
の半導体レーザ装置に関するものである。

〔従来の技術〕

従来のこのｆＩ■の半導体レーザ装置（以下、Ｉ−Ｄと
略す）として第３図に示すものがある。すなわち、ＬＤ
デツプ］のボンディングされたし−トンノク２は、ＬＤ
チップ１の発光点がステム６の中心軸に合致するように
ステム６上に組み立てられており、Ｌ−ンズ３の付いた
レンズホルダ４は半田材５を介してＬＤチップ１に光軸
が合った状態で固着されている。このステム６に窓ガラ
ス７ａの付いたキャップ７が溶接されている。

次に動作について説明する。

従来のＬＤにおいては、次のように光１１才〕せが行わ
れていた。すなわち、ＬＤチップ１に対向して受光装置
を設置しておき、半田材５を介してし一トンンク２上に
レンズホルダ４を設置した状態で、ＬＤチップ１を発光
させ、シ・ンズホルダ４をＸ、Ｙ方向に微動させ、受光
装置で光軸合わせをモニタする。光軸の分ったところで
レンズホルダ４を固定する。固定した状態でヒートアッ
プし、半田材５によりレンズホルダ４をヒートリンク２
に固着する。

このようにして得られるＬＤにおいては、光軸合わせが
できており、まｔ、：、ＬＤチップ１の発光点はステム
６の中心軸に合致するように組み立てられているため、
光ファイバとの良好な結合効率が得られるものである。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来のＬＤはレンズ３のＺ軸方向への位
置合わせができず、光ファイバとの結合効率のバラツキ
が大きいという問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解消するなめになさ
れたもので、Ｚ軸方向の光軸合わせが可能となり、光フ
ァイバとの結合効率のバラツキが小さく、良好な結合効
率が得られる半導体レーザ装置を得ることを目的として
いる。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体レーザ装置は、キャップ上部にレ
ンズの付いたレンズホルダを取り付け、キャップ底部お
よびステム外周部に傾斜部を設けたものである。

〔作用〕

この発明においては、光軸合わせをモニタしながら、Ｘ
、Ｙ、Ｚの３方向位置のｔ！！！ｗＪ整ができるため、
光ファイバとの結合効率のバラツキが小さくできる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を第１図により説明する。

第１図において、第３図と同一符号は同一構成部分を示
し、８，９は第２図に拡大して示したようにそれぞれの
傾斜部を示し、８は前記ステム６の外周部に形成された
傾斜部、９は前記キャップ７の底部に形成された傾斜部
である。これを組み立てるには、まず、第３図と同様に
ＬＤチップ１をと−トシンク２にボンディングし、ピー
トシック２をＬＤチップ１の発光点がステム６の中心軸
に合致するようにステム６上に組立てろ。

次にキャップ７の上部にレンズ３の付いたレンズホルダ
４を載置し、ＬＤチップ１を発光させながらキャップ７
の上部のレンズホルタ４をＸ、　Ｙ方向に微動させ、レ
ンズ３に対向して設置された受光装置で光軸合わせをす
る。光軸が合ったところでし・ンズホルダ４を半田材５
等を介してキャップ７に固着する。次にＺ方向の光軸合
わせ状態をモニタしなからｍ接を行う。すなわち、ステ
ム６の外周部に形成された傾斜部８上にキャップ７の底
部に形成されｒコ傾斜部９を載せ、キャップ７の底部の
傾斜部９およびステム６の外周部の傾斜部８を利用して
ステップ式に溶接を繰り返し、Ｚ軸方向へキャップ７を
微動させ、Ｚ方向の光軸合わせを行う。

上記のようにこの発明による実施例では、Ｘ。

Ｙ、Ｚの３方向について光軸合わせができるため、光フ
ァイバとの良好な結合効率を有する半導体レザ装置が得
られる。

〔発明の効果〕

以上説明したようにこの発明は、外周部に傾斜部が形成
されたステムと、レーザダイオードチップが取り付けら
れ、ステム上に組み立てられたヒートシンクと、ステム
の外周部の傾斜部に当接して溶接される傾斜部が底部に
形成されたキャップと、し、ズが取り付けられ、キャッ
プの上部に固着されろＬ−＞ズオルダとからなり、し、
ズホルグをＸ、Ｙ方向にＵｆｉ動させてレーザダイオー
ドチップの光軸合わせを行ってキャップに固着し、キャ
ップを傾斜部を利用してＺ方向の光軸合わせを行い固着
する構成としｔコので、３方同−・の光軸合わせが可能
となり、光ファイバとの結合効率が向上する効果が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例を示す半導体し・ザ装置の
構成断面図、第２図は、第１図の要部の拡大断面図、第
３図は従来の半導体Ｌ−ザ装置の構成断器図である。 図において、１はＬＤチップ、２は七−１−ンンク、３
はレンズ、４はしンズホルグ、５は半田第４．６はステ
ム、７はキャップ、８はステム外周部の傾斜部、９はキ
ャップ底部の傾斜部を示す。 なお、各図中の同一符号は同一まｔコは相当部分を示す
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 外周部に傾斜部が形成されたステムと、レーザダイオー
   ドチップが取り付けられ、前記ステム上に組み立てられ
   たヒートシンクと、前記ステムの外周部の傾斜部に当接
   して溶接される傾斜部が底部に形成されたキャップと、
   レンズが取り付けられ、前記キャップの上部に固着され
   るレンズホルダとからなり、前記レンズホルダをＸ、Ｙ
   方向に微動させて前記レーザダイオードチップの光軸合
   わせを行ってキャップに固着し、前記キャップを前記傾
   斜部を利用してＺ方向の光軸合わせを行い固着すること
   を特徴とする半導体レーザ装置。