JPH0143279B2 - - Google Patents
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- JPH0143279B2 JPH0143279B2 JP55070009A JP7000980A JPH0143279B2 JP H0143279 B2 JPH0143279 B2 JP H0143279B2 JP 55070009 A JP55070009 A JP 55070009A JP 7000980 A JP7000980 A JP 7000980A JP H0143279 B2 JPH0143279 B2 JP H0143279B2
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- transistor
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- thyristor
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- capacitor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/941—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated using an optical detector
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/26—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/28—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback
- H03K3/281—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator
- H03K3/282—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable
- H03K3/2826—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable using two active transistors of the complementary type
- H03K3/2828—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of bipolar transistors with internal or external positive feedback using means other than a transformer for feedback using at least two transistors so coupled that the input of one is derived from the output of another, e.g. multivibrator astable using two active transistors of the complementary type in an asymmetrical circuit configuration
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Geophysics And Detection Of Objects (AREA)
- Fire-Detection Mechanisms (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光電式物体存在検出装置に関し、特
に、光発生回路において励起されかつ光電式受光
回路に協働する光電式発光ダイオードと、受光回
路による電流を積分する回路と、該積分電流によ
り制御されるサイリスタスイツチング手段と、負
荷と、交流電源からの電源供給をなす手段とから
なる光電式物体存在検出装置に関する。更に、本
発明は、「２線式」として知られ、スイツチング
手段が負荷を介して商用電源に接続したダイオー
ドブリツジからの非平滑整流電流を受けるように
構成された装置に関する。負荷は、例えば、スイ
ツチング手段により駆動されるリレーであつても
良い。かかるタイプの検出装置は、動作開始のト
リガの目的で、発光ダイオードからの光ビームの
中を物体が通過するのを検知すること等広い工業
的応用範囲を有し、誘導式検出装置に比して大な
る数メートルの範囲を有する。良く知られている
ように、発光ダイオードは、降圧変圧器を必要と
せず、小形化を可能にし電力消費量を小さく出来
る。
に、光発生回路において励起されかつ光電式受光
回路に協働する光電式発光ダイオードと、受光回
路による電流を積分する回路と、該積分電流によ
り制御されるサイリスタスイツチング手段と、負
荷と、交流電源からの電源供給をなす手段とから
なる光電式物体存在検出装置に関する。更に、本
発明は、「２線式」として知られ、スイツチング
手段が負荷を介して商用電源に接続したダイオー
ドブリツジからの非平滑整流電流を受けるように
構成された装置に関する。負荷は、例えば、スイ
ツチング手段により駆動されるリレーであつても
良い。かかるタイプの検出装置は、動作開始のト
リガの目的で、発光ダイオードからの光ビームの
中を物体が通過するのを検知すること等広い工業
的応用範囲を有し、誘導式検出装置に比して大な
る数メートルの範囲を有する。良く知られている
ように、発光ダイオードは、降圧変圧器を必要と
せず、小形化を可能にし電力消費量を小さく出来
る。
回路の簡素化のために、「２線式」にすること
が望まれるときは、２つの問題点があることが知
られている。その第１は、スイツチング手段がオ
フ状態にあるとき、発光ダイオード受光素子及び
積分回路からなる回路で消費される電流は、負荷
を通過する故、この電流は出来るだけ抑制しなけ
ればならない。第２の問題点は、スイツチング手
段がオンのとき、受光回路に電源を供給する補助
電源が必要なことである。
が望まれるときは、２つの問題点があることが知
られている。その第１は、スイツチング手段がオ
フ状態にあるとき、発光ダイオード受光素子及び
積分回路からなる回路で消費される電流は、負荷
を通過する故、この電流は出来るだけ抑制しなけ
ればならない。第２の問題点は、スイツチング手
段がオンのとき、受光回路に電源を供給する補助
電源が必要なことである。
上記した第１の問題点の解決のために、非常に
短い時間だけ同時にオンとなる２つの相補的トラ
ンジスタからなるマルチバイブレータにより発光
ダイオードを励起する回路が既に公知である。
短い時間だけ同時にオンとなる２つの相補的トラ
ンジスタからなるマルチバイブレータにより発光
ダイオードを励起する回路が既に公知である。
しかし乍ら、上記公知回路においては、周囲温
度が上昇するとトランジスタの利得が上昇してト
ランジスタの導通時間が長くなり消費電力が増大
するという不都合があつた。
度が上昇するとトランジスタの利得が上昇してト
ランジスタの導通時間が長くなり消費電力が増大
するという不都合があつた。
そこで、本発明は、いわゆるCR（キヤパシタ＋
抵抗）時定数回路によつて一方のトランジスタの
ベースが他方のトランジスタのコレクタに接続さ
れた相補トランジスタからなるマルチバイブレー
タであつて、負性温度特性を有する抵抗を含んで
トランジスタの利得の温度変化による導通時間を
補償するようになされた検出装置を提供する。
抵抗）時定数回路によつて一方のトランジスタの
ベースが他方のトランジスタのコレクタに接続さ
れた相補トランジスタからなるマルチバイブレー
タであつて、負性温度特性を有する抵抗を含んで
トランジスタの利得の温度変化による導通時間を
補償するようになされた検出装置を提供する。
本発明による好ましい実施例においては、抵抗
の負性温度特性係数は、周囲温度が下降すると導
通時間が僅かに長くなるように選択し、低温にお
けるホトトランジスタの光電感度の低下を補償す
るようにしてある。
の負性温度特性係数は、周囲温度が下降すると導
通時間が僅かに長くなるように選択し、低温にお
けるホトトランジスタの光電感度の低下を補償す
るようにしてある。
上記した第２の問題点の解決のためには、補助
的サイリスタを用いた簡単な構成の種々の回路が
本出願人により提案されている。例えば、本出願
人による「２線式接近検出器」と題する1976年12
月３日出願の仏国特許出願第7636635号である。
的サイリスタを用いた簡単な構成の種々の回路が
本出願人により提案されている。例えば、本出願
人による「２線式接近検出器」と題する1976年12
月３日出願の仏国特許出願第7636635号である。
本発明によれば、同様に補助的サイリスタを用
いた簡単な構成の回路が提供される。すなわち、
この回路は、該補助サイリスタがオン状態のとき
ダイオードブリツジの整流出力端に接続された該
補助サイリスタに直列なキヤパシタが、該補助サ
イリスタと該キヤパシタの正端子を該補助サイリ
スタに接続するダイオードを介して暫時充電され
るようになされている。
いた簡単な構成の回路が提供される。すなわち、
この回路は、該補助サイリスタがオン状態のとき
ダイオードブリツジの整流出力端に接続された該
補助サイリスタに直列なキヤパシタが、該補助サ
イリスタと該キヤパシタの正端子を該補助サイリ
スタに接続するダイオードを介して暫時充電され
るようになされている。
以下、本発明の特徴及び利点について、図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
図示された実施例回路は、２つの相補的トラン
ジスタT3，T4からなるマルチバイブレータに結
合した発光ダイオードD1からなる光パルス発生
器と、フオトトランジスタT1及び増幅トランジ
スタT2からなる受光回路と、抵抗R22，R23，R24
及びキヤパシタC7，C8からなる積分回路と、こ
こでは２つのサイリスタTh1，Th2及びトランジ
スタT8からなるサイリスタスイツチング回路と
からなつている。２線式の負荷回路（図示せず）
に接続された回路に接続したダイオードD11ない
しD14のブリツジ回路により供給電圧が与えられ
る。
ジスタT3，T4からなるマルチバイブレータに結
合した発光ダイオードD1からなる光パルス発生
器と、フオトトランジスタT1及び増幅トランジ
スタT2からなる受光回路と、抵抗R22，R23，R24
及びキヤパシタC7，C8からなる積分回路と、こ
こでは２つのサイリスタTh1，Th2及びトランジ
スタT8からなるサイリスタスイツチング回路と
からなつている。２線式の負荷回路（図示せず）
に接続された回路に接続したダイオードD11ない
しD14のブリツジ回路により供給電圧が与えられ
る。
光パルス発生回路、受光回路及び積分回路への
電圧供給は、低電圧により行なわれ、キヤパシタ
C9の両端電圧が供給される。キヤパシタC9は、
蓄電器として作用し、以下に詳述するように、交
流電源電圧の各サイクルでの最初の部分における
光ビーム遮断の際に蓄電する。
電圧供給は、低電圧により行なわれ、キヤパシタ
C9の両端電圧が供給される。キヤパシタC9は、
蓄電器として作用し、以下に詳述するように、交
流電源電圧の各サイクルでの最初の部分における
光ビーム遮断の際に蓄電する。
NPN形トランジスタT8（本回路におけるトラ
ンジスタT3，T6以外は全てNPN形）のベース
は、一方において、キヤパシタC5及び抵抗R16を
介してトランジスタT2のコレクタに接続し、他
方において、抵抗R23，R24の共通端子及びキヤ
パシタC8に接続している。
ンジスタT3，T6以外は全てNPN形）のベース
は、一方において、キヤパシタC5及び抵抗R16を
介してトランジスタT2のコレクタに接続し、他
方において、抵抗R23，R24の共通端子及びキヤ
パシタC8に接続している。
光ビームが遮断されるときは、トランジスタ
T8のベースには電圧が生じない。よつてこのト
ランジスタがオフとなつている。その結果、ダイ
オードD15によつてトランジスタT8のコレクタに
接続したサイリスタTh1のゲートの電位は高電位
となり、ゲート電流が抵抗R28に流れる。抵抗
R28は、ダイオードD15及びトランジスタT8及び
ダイオードブリツジD11〜D14に直列である。こ
の結果、サイリスタTh1が点弧して、ブリツジ
D11〜D14の端子に導通路を設ける。よつて、電
流が発光ダイオードD4、サイリスタTh1、ツエナ
ーダイオードD7及び抵抗R29を流れ、発光ダイオ
ードD4は光ビームの遮断状態を示す。キヤパシ
タC9はダイオードD17を介して充電される。ダイ
オードD17の一方の電極はサイリスタTh1及びツ
エナーダイオードD7双方のカソードに共通な点
Ａに接続している。点Ａにおける電位が、ツエナ
ーダイオードD7のツエナー電圧例えば、8.2ボル
トに達すると、ツエナーダイオードD7は電流を
抵抗R29に供給し、サイリスタTh2のゲート電位
を上昇せしめ、サイリスタTh2は点弧する。サイ
リスタTh2の容量はサイリスタTh1より大きい
故、サイリスタTh1は十分な電流を流し得ず、キ
ヤパシタC9の充電は停止する。
T8のベースには電圧が生じない。よつてこのト
ランジスタがオフとなつている。その結果、ダイ
オードD15によつてトランジスタT8のコレクタに
接続したサイリスタTh1のゲートの電位は高電位
となり、ゲート電流が抵抗R28に流れる。抵抗
R28は、ダイオードD15及びトランジスタT8及び
ダイオードブリツジD11〜D14に直列である。こ
の結果、サイリスタTh1が点弧して、ブリツジ
D11〜D14の端子に導通路を設ける。よつて、電
流が発光ダイオードD4、サイリスタTh1、ツエナ
ーダイオードD7及び抵抗R29を流れ、発光ダイオ
ードD4は光ビームの遮断状態を示す。キヤパシ
タC9はダイオードD17を介して充電される。ダイ
オードD17の一方の電極はサイリスタTh1及びツ
エナーダイオードD7双方のカソードに共通な点
Ａに接続している。点Ａにおける電位が、ツエナ
ーダイオードD7のツエナー電圧例えば、8.2ボル
トに達すると、ツエナーダイオードD7は電流を
抵抗R29に供給し、サイリスタTh2のゲート電位
を上昇せしめ、サイリスタTh2は点弧する。サイ
リスタTh2の容量はサイリスタTh1より大きい
故、サイリスタTh1は十分な電流を流し得ず、キ
ヤパシタC9の充電は停止する。
光ビームが遮断されない場合、トランジスタ
T8は、飽和導通状態にある。なぜなら、サイリ
スタTh1のゲート電位はダイオードD15及びトラ
ンジスタT8の電圧降下の合計であるところの
0.8Vのオーダーであるからである。よつて、サ
イリスタTh1は、オフ状態であり、サイリスタ
Th2のゲートも接地電位にあり、サイリスタTh2
もオフ状態である。このオフ状態は、サイリスタ
Th2のカソード及び地気の間に接続されたダイオ
ードD8により維持される。サイリスタTh2がオフ
となつている間、キヤパシタC9は２つの抵抗
R25，R26を通じて充電される。このような状態
において、キヤパシタC9の電荷は、ダイオード
D16及びD7によつてこれらのダイオードの電圧降
下の合計値、すなわち、0.6＋8.2＝8.8ボルトに調
整される。他方、光ビームが断のときであつて、
キヤパシタC9への充電がダイオードD17を通して
なされるときは、キヤパシタC9の端子電圧は、
8.2−0.6＝7.6ボルトの値に調整される。
T8は、飽和導通状態にある。なぜなら、サイリ
スタTh1のゲート電位はダイオードD15及びトラ
ンジスタT8の電圧降下の合計であるところの
0.8Vのオーダーであるからである。よつて、サ
イリスタTh1は、オフ状態であり、サイリスタ
Th2のゲートも接地電位にあり、サイリスタTh2
もオフ状態である。このオフ状態は、サイリスタ
Th2のカソード及び地気の間に接続されたダイオ
ードD8により維持される。サイリスタTh2がオフ
となつている間、キヤパシタC9は２つの抵抗
R25，R26を通じて充電される。このような状態
において、キヤパシタC9の電荷は、ダイオード
D16及びD7によつてこれらのダイオードの電圧降
下の合計値、すなわち、0.6＋8.2＝8.8ボルトに調
整される。他方、光ビームが断のときであつて、
キヤパシタC9への充電がダイオードD17を通して
なされるときは、キヤパシタC9の端子電圧は、
8.2−0.6＝7.6ボルトの値に調整される。
よつて、キヤパシタC9の端子電圧は、ビーム
が遮断されないときの方が高いことが明らかであ
る。その結果、発光ダイオードを流れる電流すな
わち発光光度は、ビームが遮断されないときの方
が高い。逆に、ビーム遮断時は発光光度が低くな
り、切換えを素早くして発振現象を防止する。
が遮断されないときの方が高いことが明らかであ
る。その結果、発光ダイオードを流れる電流すな
わち発光光度は、ビームが遮断されないときの方
が高い。逆に、ビーム遮断時は発光光度が低くな
り、切換えを素早くして発振現象を防止する。
回路への電源投入時において、対象物存在の誤
検出を避けるための２つのNPNトランジスタか
らなる装置について以下に説明する。電源投入時
の誤検出は、電源投入時にキヤパシタC9が所定
レベルまで充電されるためには例えば150ｍｓ程
度の時間を要し、その間は、発光ビームが徐々に
現われるという事実によつて生ずる。キヤパシタ
C9が充電され終るまで、トランジスタT8はオフ
となり、サイリスタTh1及びTh2はオン状態であ
る。
検出を避けるための２つのNPNトランジスタか
らなる装置について以下に説明する。電源投入時
の誤検出は、電源投入時にキヤパシタC9が所定
レベルまで充電されるためには例えば150ｍｓ程
度の時間を要し、その間は、発光ビームが徐々に
現われるという事実によつて生ずる。キヤパシタ
C9が充電され終るまで、トランジスタT8はオフ
となり、サイリスタTh1及びTh2はオン状態であ
る。
上記した誤検出は、以下の動作によつて避けら
れる。
れる。
電源投入時、トランジスタT9は、抵抗R27を介
してベースバイアス電圧を受けてオンとなり、ト
ランジスタT8はこれと並列接続している故オフ
となり、サイリスタTh1のゲート電圧を低くして
サイリスタTh2の点弧を防止する。よつてスイツ
チング動作は生じない。
してベースバイアス電圧を受けてオンとなり、ト
ランジスタT8はこれと並列接続している故オフ
となり、サイリスタTh1のゲート電圧を低くして
サイリスタTh2の点弧を防止する。よつてスイツ
チング動作は生じない。
キヤパシタC9の両端に十分な大きさの電圧が
生ずると、抵抗R8，R30を介してキヤパシタC9の
端子Ｂに接続したツエナーダイオードD18は、例
えば、6.2ボルトで導通する。よつてツエナーダ
イオードD18と直列なキヤパシタC10が充電され、
トランジスタT7がオンとなる。トランジスタT7
の導通は、トランジスタT9のベース電流を無く
ならしめる故トランジスタT9はオフとなる。こ
うして、トランジスタT7ないしT9は、動作に無
関係となり、ビームを遮断するような対象物の存
在が生ずると通常のスイツチング動作が生ずるの
である。
生ずると、抵抗R8，R30を介してキヤパシタC9の
端子Ｂに接続したツエナーダイオードD18は、例
えば、6.2ボルトで導通する。よつてツエナーダ
イオードD18と直列なキヤパシタC10が充電され、
トランジスタT7がオンとなる。トランジスタT7
の導通は、トランジスタT9のベース電流を無く
ならしめる故トランジスタT9はオフとなる。こ
うして、トランジスタT7ないしT9は、動作に無
関係となり、ビームを遮断するような対象物の存
在が生ずると通常のスイツチング動作が生ずるの
である。
次に、マルチバイブレータとして接続構成され
た相補的トランジスタT3，T4からなる光パルス
発生回路について説明する。
た相補的トランジスタT3，T4からなる光パルス
発生回路について説明する。
トランジスタT3のエミツタは抵抗R9により電
圧供給点Ｂに接続され、コレクタは、一方におい
て、抵抗R4を介して接地され、他方において、
トランジスタT4のベースに接続されている。ト
ランジスタT3のベースが分圧回路ををなす抵抗
R10，R3を経た点Ｂにおける電圧によつてバイア
スされる。分圧回路の分圧点は、固定抵抗R6と
これに並列な負性温度特性を有する抵抗R5とこ
の並列回路に直列なキヤパシタC1からなる時定
数回路に接続されている。トランジスタT4は、
発光ダイオードD1及び抵抗R7に直列接続され、
発光ダイオードD1及び抵抗R7の接続点は抵抗R9
及びトランジスタT3の接続点に接続している。
圧供給点Ｂに接続され、コレクタは、一方におい
て、抵抗R4を介して接地され、他方において、
トランジスタT4のベースに接続されている。ト
ランジスタT3のベースが分圧回路ををなす抵抗
R10，R3を経た点Ｂにおける電圧によつてバイア
スされる。分圧回路の分圧点は、固定抵抗R6と
これに並列な負性温度特性を有する抵抗R5とこ
の並列回路に直列なキヤパシタC1からなる時定
数回路に接続されている。トランジスタT4は、
発光ダイオードD1及び抵抗R7に直列接続され、
発光ダイオードD1及び抵抗R7の接続点は抵抗R9
及びトランジスタT3の接続点に接続している。
トランジスタT3，T4が飽和しているとき、ト
ランジスタT3のエミツタ・ベース電流が抵抗R9，
R5，R6を流れ、キヤパシタC1を徐々に充電する。
この電流は、トランジスタT3の電流増幅率によ
り増幅されてトランジスタT4のベース電流とな
り、キヤパシタC1の充電の間、指数関数的に減
少し、トランジスタT4の飽和が維持するに不十
分となる。このとき、トランジスタT4はリニア
動作の状態に入り、そのコレクタ電位は再び上昇
し、この電位の上昇は、キヤパシタC1、抵抗R5，
R6を介してトランジスタT3のベースに伝達され、
トランジスタT3はオフとなり、従つて、トラン
ジスタT4もオフとなる。このとき、トランジス
タT4のコレクタ電位は再びＢ点電位にまで急速
に上昇し、抵抗R5，R6，R3を経るキヤパシタC1
の放電の間トランジスタT3のオフ状態を更に確
実にする。この放電の終了によつて、トランジス
タT3は再びオンとなり新しいサイクルが開始す
る。
ランジスタT3のエミツタ・ベース電流が抵抗R9，
R5，R6を流れ、キヤパシタC1を徐々に充電する。
この電流は、トランジスタT3の電流増幅率によ
り増幅されてトランジスタT4のベース電流とな
り、キヤパシタC1の充電の間、指数関数的に減
少し、トランジスタT4の飽和が維持するに不十
分となる。このとき、トランジスタT4はリニア
動作の状態に入り、そのコレクタ電位は再び上昇
し、この電位の上昇は、キヤパシタC1、抵抗R5，
R6を介してトランジスタT3のベースに伝達され、
トランジスタT3はオフとなり、従つて、トラン
ジスタT4もオフとなる。このとき、トランジス
タT4のコレクタ電位は再びＢ点電位にまで急速
に上昇し、抵抗R5，R6，R3を経るキヤパシタC1
の放電の間トランジスタT3のオフ状態を更に確
実にする。この放電の終了によつて、トランジス
タT3は再びオンとなり新しいサイクルが開始す
る。
かかる動作によつて、アンペアオーダーのパル
ス電流が供給され、発光ダイオードは1/1000のオ
ーダーの周期で発光する。（パルス幅：約4μs、パ
ルス間隔：４ｍｓ）よつて、発光ダイオードにお
いて消費される平均電流は、１ｍＡのオーダーで
あり、マルチバイブレータ自体の消費電力は無視
し得る。
ス電流が供給され、発光ダイオードは1/1000のオ
ーダーの周期で発光する。（パルス幅：約4μs、パ
ルス間隔：４ｍｓ）よつて、発光ダイオードにお
いて消費される平均電流は、１ｍＡのオーダーで
あり、マルチバイブレータ自体の消費電力は無視
し得る。
従来の光パルス発生回路においては、パルス間
隔が、温度によつてかなり変化するトランジスタ
の利得に一部依存しており、光ビームが遮断され
ない時、即ち、休止状態のときの光パルス発生回
路の消費電力の変動は不都合であつた。
隔が、温度によつてかなり変化するトランジスタ
の利得に一部依存しており、光ビームが遮断され
ない時、即ち、休止状態のときの光パルス発生回
路の消費電力の変動は不都合であつた。
上記した本発明による回路においては、高温下
においては抵抗R5が非常に低い抵抗値をとり、
トランジスタT3若しくはT4の利得が大きくなる
という事実によつてかかる不都合は除かれる。
においては抵抗R5が非常に低い抵抗値をとり、
トランジスタT3若しくはT4の利得が大きくなる
という事実によつてかかる不都合は除かれる。
上記した説明から明らかなように、導通時間
は、抵抗R5，R6を介したキヤパシタC1の充電時
間の定数及びトランジスタT3の利得に依存して
いる。これらの２つの要素は、温度上昇に対して
逆に変化する故、このパルス間隔を一定に保つこ
とが出来る。実用上、フオトトランジスタの効率
は温度の低下と共に低下するということを計算に
入れて、バラメータを選択してパルス幅が低温時
にやゝ長くなるようにする。
は、抵抗R5，R6を介したキヤパシタC1の充電時
間の定数及びトランジスタT3の利得に依存して
いる。これらの２つの要素は、温度上昇に対して
逆に変化する故、このパルス間隔を一定に保つこ
とが出来る。実用上、フオトトランジスタの効率
は温度の低下と共に低下するということを計算に
入れて、バラメータを選択してパルス幅が低温時
にやゝ長くなるようにする。
上記した光パルス発生回路の他の特徴は、トラ
ンジスタT3のエミツタを点Ｂに接続する負帰還
抵抗R9の存在にある。トランジスタT3の導通期
間において、抵抗R9における電圧降下は、トラ
ンジスタT3をリニアに動作せしめて、マルチバ
イブレータが導通状態に止まり続けることを防止
できる。
ンジスタT3のエミツタを点Ｂに接続する負帰還
抵抗R9の存在にある。トランジスタT3の導通期
間において、抵抗R9における電圧降下は、トラ
ンジスタT3をリニアに動作せしめて、マルチバ
イブレータが導通状態に止まり続けることを防止
できる。
次に、受光回路について考察するに、共通コレ
クタ回路形式に接続されたフオトトランジスタ
T1は、抵抗R1，R2に並列なキヤパシタC2に直列
な抵抗R8，R1，R2を含む回路によつてバイアス
されている。共通コレクタ回路に本来的に備わつ
た負帰還作用は、相互干渉を抑制し、連続的な外
部光に対する抵抗力を回路に与える。
クタ回路形式に接続されたフオトトランジスタ
T1は、抵抗R1，R2に並列なキヤパシタC2に直列
な抵抗R8，R1，R2を含む回路によつてバイアス
されている。共通コレクタ回路に本来的に備わつ
た負帰還作用は、相互干渉を抑制し、連続的な外
部光に対する抵抗力を回路に与える。
増幅トランジスタT2は、共通ベースに接続し、
非常に低いインピーダンスを有し、フオトトラン
ジスタT1の応答性を高める。トランジスタT1，
T2は小電流のみを消費する。
非常に低いインピーダンスを有し、フオトトラン
ジスタT1の応答性を高める。トランジスタT1，
T2は小電流のみを消費する。
図示した回路の特徴は、トランジスタT2のコ
レクタ抵抗R11に生ずるパルスは、積分回路C7−
C8−R22−R23−R24に直接供給されず、まず、２
つの相補的トランジスタT5，T6からなる単安定
マルチバイブレータによつて成形される。単安定
マルチバイブレータの素子（抵抗R20，R17，
R19，R21：キヤパシタC6：ダイオードD3）の定
格を調整することにより、トランジスタT5，T6
の導通時間を光パルス発生回路の周期の約半分、
例えば２ｍｓにする。このようにして、積分回路
のキヤパシタの充電及び放電期間における非対称
性を除くことが出来る。かかる非対称性は、ビー
ムの遮断又は非遮断による応答時間の相違を生
じ、このことは、使用中のみならず外乱からの回
路の保護のためにも良くない。
レクタ抵抗R11に生ずるパルスは、積分回路C7−
C8−R22−R23−R24に直接供給されず、まず、２
つの相補的トランジスタT5，T6からなる単安定
マルチバイブレータによつて成形される。単安定
マルチバイブレータの素子（抵抗R20，R17，
R19，R21：キヤパシタC6：ダイオードD3）の定
格を調整することにより、トランジスタT5，T6
の導通時間を光パルス発生回路の周期の約半分、
例えば２ｍｓにする。このようにして、積分回路
のキヤパシタの充電及び放電期間における非対称
性を除くことが出来る。かかる非対称性は、ビー
ムの遮断又は非遮断による応答時間の相違を生
じ、このことは、使用中のみならず外乱からの回
路の保護のためにも良くない。
上述した本発明による回路については本発明の
範囲において、種々の変形が考えられることは明
らかである。図示した回路においては、光ビーム
が遮断されたときスイツチング手段がオンとなる
ようにしてある。もし、光ビームが遮断されたと
きスイツチング手段がオフとなるようにするに
は、積分回路とトランジスタT8との間にインバ
ーターを挿入すれば良い。他方、トランジスタ
T7，T9からなる保護回路は省略し得る。
範囲において、種々の変形が考えられることは明
らかである。図示した回路においては、光ビーム
が遮断されたときスイツチング手段がオンとなる
ようにしてある。もし、光ビームが遮断されたと
きスイツチング手段がオフとなるようにするに
は、積分回路とトランジスタT8との間にインバ
ーターを挿入すれば良い。他方、トランジスタ
T7，T9からなる保護回路は省略し得る。
図は、本発明の実施例を示す回路図である。
主要部分の符号の説明、D1……発光ダイオー
ド、T1……フオトトランジスタ、T3，T4……単
安定マルチバイブレータを構成するトランジス
タ、R5……負性温度特性を有する抵抗、T5，T6
……単安定マルチバイブレータを構成するトラン
ジスタ。
ド、T1……フオトトランジスタ、T3，T4……単
安定マルチバイブレータを構成するトランジス
タ、R5……負性温度特性を有する抵抗、T5，T6
……単安定マルチバイブレータを構成するトラン
ジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 駆動回路T3，T4によつて励起されかつ受光
回路T1，T2と光学的に結合した発光ダイオード
D1と、前記受光回路からの電流を積分する積分
回路R22，R23，R24，C7，C8と、該積分電流によ
つて制御されるサイリスタスイツチング手段
Th1，Th2と、負荷とからなり、前記スイツチン
グ手段は前記負荷を介して交流電源に接続して非
平滑整流を出力するダイオードブリツジD9−D14
に接続されており、前記駆動回路はCR時定数回
路を介して第１のトランジスタT3のベースが第
２のトランジスタT4のコレクタに接続された２
つの相補的トランジスタからなる単安定マルチバ
イブレータからなり、前記CR時定数回路は、そ
の時定数と前記第１のトランジスタの利得との積
が温度に無関係になるような負性温度特性を有す
る抵抗R5を含むことを特徴とする光電式物体存
在検出装置。 ２ 温度が低下したとき前記積がやや大きくなる
ように前記抵抗の負性温度特性を選択したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光電式物
体存在検出装置。 ３ 前記マルチバイブレータは、前記第１トラン
ジスタに接続した負帰還抵抗R9を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は２項記載の光
電式物体存在検出装置。 ４ 前記スイツチング手段は、基本サイリスタ
Th2と、補助サイリスタTh1と、前記ブリツジの
整流出力端子に並列に接続されたキヤパシタと、
前記受光回路における電流発生若しくは消滅の際
前記補助サイリスタをオンせしめる手段とからな
り、２つの前記サイリスタのアノード端子が接続
した前記整流出力端子の第１端子に第１抵抗
R25，R26を介して前記キヤパシタが接続され、
第２抵抗R29に直列なツエナーダイオードD7によ
つて前記整流出力端子の第２端子に前記補助サイ
リスタのカソードが接続され、前記補助サイリス
タと前記ツエナーダイオードの共通点Ａが逆方向
に並列に接続した２つのダイオードD16，D17に
よつて前記キヤパシタ及び前記第１抵抗の共通点
Ｂに接続し、前記ツエナーダイオード及び前記第
２抵抗の共通点が前記基本サイリスタのゲートに
接続していることを特徴とする特許請求の範囲第
１ないし３項のうちのいずれか１に記載の光電式
物体存在検出装置。 ５ 前記補助サイリスタをオンせしめる前記手段
は、前記受光回路の出力端に接続したベースと前
記補助サイリスタのゲートに接続したコレクタと
を有する駆動トランジスタT8からなることを特
徴とする特許請求の範囲第４項記載の光電式物体
存在検出装置。 ６ 前記駆動トランジスタと同じタイプであつて
これに並列に接続されかつそのベースがバイアス
抵抗R27を介して第１整流出力端子に接続した第
２補助トランジスタT9を介して前記整流出力端
子に接続した第１補助トランジスタT7とを有し、
前記第１補助トランジスタのベースはツエナーダ
イオードと直列な抵抗R8，R30を介して前記キヤ
パシタ及び前記第１抵抗の共通接続点Ｂ及びキヤ
パシタによつて第２整流出力端子に接続され、第
１補助トランジスタT7のコレクタは第２補助ト
ランジスタT9のベースに接続されていることを
特徴とする特許請求の範囲第５項記載の光電式物
体存在検出装置。 ７ 前記受光回路を前記積分回路に接続せしめ、
前記受光回路からのパルス繰り返し周期の半分に
等しい導通時間を有する単安定マルチバイブレー
タを有することを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし６項記載のうちのいずれか１に記載の光
電式物体存在検出装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR7913316A FR2457604A1 (fr) | 1979-05-25 | 1979-05-25 | Detecteur photo-electrique de la presence d'un objet, du type a deux fils |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55159172A JPS55159172A (en) | 1980-12-11 |
| JPH0143279B2 true JPH0143279B2 (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=9225858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7000980A Granted JPS55159172A (en) | 1979-05-25 | 1980-05-26 | Twoowire photoelectric matter existance detector |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4328419A (ja) |
| JP (1) | JPS55159172A (ja) |
| BE (1) | BE883409A (ja) |
| CH (1) | CH635688A5 (ja) |
| DE (1) | DE3019071A1 (ja) |
| ES (1) | ES8104685A1 (ja) |
| FR (1) | FR2457604A1 (ja) |
| GB (1) | GB2052737B (ja) |
| IT (1) | IT1130737B (ja) |
| NL (1) | NL8003031A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2497423A1 (fr) * | 1980-12-31 | 1982-07-02 | Telemecanique Electrique | Appareil detecteur du type a deux bornes, comportant un circuit d'alimentation en courant alternatif redresse et de commande d'une charge a l'aide de thyristors de commutation |
| DE3230903C2 (de) * | 1982-08-19 | 1985-07-18 | Erwin Sick Gmbh Optik-Elektronik, 7808 Waldkirch | Schaltende Lichtschranke |
| DE3411995A1 (de) * | 1984-03-31 | 1985-10-03 | Kulzer & Co Gmbh, 6380 Bad Homburg | Lichtschranke als schalter in einer aufnahmevorrichtung fuer ein handgeraet |
| JPS6138520A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-24 | Ricoh Co Ltd | 光センサ安定化方式 |
| JPS6290967A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Nissan Motor Co Ltd | 受光用半導体集積回路 |
| DE3803034C3 (de) * | 1988-02-02 | 1994-10-20 | Sick Optik Elektronik Erwin | Photoempfänger |
| US5541623A (en) * | 1993-06-02 | 1996-07-30 | Alps Electric (U.S.A.) Inc. | Temperature compensated opto-electronic circuit and mouse using same |
| GB9514618D0 (en) * | 1995-07-17 | 1996-06-19 | British Aerospace | Nuclear event detector |
| US6774578B2 (en) * | 2000-09-19 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Self light emitting device and method of driving thereof |
| US7316628B2 (en) * | 2004-01-13 | 2008-01-08 | The Gates Corporation Ip Law Dept. | Two speed transmission and belt drive system |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3348167A (en) * | 1966-04-20 | 1967-10-17 | Avco Corp | Relaxation oscillator requiring low current |
| FR2123753A5 (ja) * | 1971-01-29 | 1972-09-15 | Cometa Sa | |
| DE2340978A1 (de) * | 1973-08-14 | 1975-02-27 | Licentia Gmbh | Sender fuer wechsellichtschranke |
| JPS5161243A (en) * | 1974-11-25 | 1976-05-27 | Fuji Photo Optical Co Ltd | Taisuzofukuki |
| DE2517597A1 (de) * | 1975-04-21 | 1976-11-04 | Stiebel Eltron Gmbh & Co Kg | Schaltungsanordnung zur beruehrungslosen an- und abschaltung, insbesondere von haendetrocknern |
| FR2373037A1 (fr) * | 1976-12-03 | 1978-06-30 | Telemecanique Electrique | Detecteur de proximite a deux fils |
| DE2710631A1 (de) * | 1977-03-11 | 1978-09-14 | Weber Guenther | Reflexlichtschranke |
| US4153835A (en) * | 1977-08-25 | 1979-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Temperature compensation circuit |
-
1979
- 1979-05-25 FR FR7913316A patent/FR2457604A1/fr active Granted
-
1980
- 1980-05-19 DE DE19803019071 patent/DE3019071A1/de active Granted
- 1980-05-21 GB GB8016749A patent/GB2052737B/en not_active Expired
- 1980-05-21 BE BE0/200700A patent/BE883409A/fr not_active IP Right Cessation
- 1980-05-22 US US06/152,250 patent/US4328419A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-05-23 CH CH403680A patent/CH635688A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1980-05-23 IT IT22288/80A patent/IT1130737B/it active
- 1980-05-23 NL NL8003031A patent/NL8003031A/nl not_active Application Discontinuation
- 1980-05-23 ES ES491819A patent/ES8104685A1/es not_active Expired
- 1980-05-26 JP JP7000980A patent/JPS55159172A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES491819A0 (es) | 1981-04-01 |
| FR2457604A1 (fr) | 1980-12-19 |
| ES8104685A1 (es) | 1981-04-01 |
| IT8022288A0 (it) | 1980-05-23 |
| DE3019071C2 (ja) | 1989-02-02 |
| GB2052737B (en) | 1983-12-07 |
| NL8003031A (nl) | 1980-11-27 |
| CH635688A5 (fr) | 1983-04-15 |
| DE3019071A1 (de) | 1980-12-04 |
| FR2457604B1 (ja) | 1981-07-17 |
| GB2052737A (en) | 1981-01-28 |
| IT1130737B (it) | 1986-06-18 |
| BE883409A (fr) | 1980-09-15 |
| US4328419A (en) | 1982-05-04 |
| JPS55159172A (en) | 1980-12-11 |
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