JPH0135477Y2 - - Google Patents
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- JPH0135477Y2 JPH0135477Y2 JP1984114836U JP11483684U JPH0135477Y2 JP H0135477 Y2 JPH0135477 Y2 JP H0135477Y2 JP 1984114836 U JP1984114836 U JP 1984114836U JP 11483684 U JP11483684 U JP 11483684U JP H0135477 Y2 JPH0135477 Y2 JP H0135477Y2
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この考案は、樹脂封止ICに関する。
（従来技術）
樹脂封止ICの１つであるフラツトICの従来例
を第３図ａ，ｂ（ａは平面図、ｂは断面図）に示
す。この図において、１はリードフレームのアイ
ランド部で、この上にICチツプ２がダイスボン
ドされる。このダイスボンドされたICチツプ２
の表面の電極は、リードフレームの外部導出リー
ド３にAuワイヤ４により配線される。そして、
この配線部および前記ICチツプ部はモールド樹
脂５により封止される。なお、６はアイランド部
１と一体なアイランドサポートで、外部導出リー
ド３と同様に先端がモールド樹脂５の外方に延出
される。
を第３図ａ，ｂ（ａは平面図、ｂは断面図）に示
す。この図において、１はリードフレームのアイ
ランド部で、この上にICチツプ２がダイスボン
ドされる。このダイスボンドされたICチツプ２
の表面の電極は、リードフレームの外部導出リー
ド３にAuワイヤ４により配線される。そして、
この配線部および前記ICチツプ部はモールド樹
脂５により封止される。なお、６はアイランド部
１と一体なアイランドサポートで、外部導出リー
ド３と同様に先端がモールド樹脂５の外方に延出
される。
第４図は従来のフラツトICの他の例を示す。
この例では、耐湿性向上のためジヤンクシヨンコ
ーテイングレジン７がICチツプ２の表面に塗布
されている。その他は第３図と同一である。
この例では、耐湿性向上のためジヤンクシヨンコ
ーテイングレジン７がICチツプ２の表面に塗布
されている。その他は第３図と同一である。
第５図は、上記のようなフラツトICをプリン
ト基板に搭載する際の様子を示し、８はフラツト
IC、９はプリント基板、１０は半田ごて、１１
は糸ハンダである。この図に示すように、上記の
ようなフラツトIC８をプリント基板９に搭載す
る際は、今まで、端子部（外部導出リード３およ
びアイランドサポート６の先端）のみ半田ごて１
０で加熱し、半田付を行つている。この方法によ
れば、熱は、モールド樹脂５には殆ど加わらな
い。
ト基板に搭載する際の様子を示し、８はフラツト
IC、９はプリント基板、１０は半田ごて、１１
は糸ハンダである。この図に示すように、上記の
ようなフラツトIC８をプリント基板９に搭載す
る際は、今まで、端子部（外部導出リード３およ
びアイランドサポート６の先端）のみ半田ごて１
０で加熱し、半田付を行つている。この方法によ
れば、熱は、モールド樹脂５には殆ど加わらな
い。
しかし、ここ数年のうちにその実装方式に変化
が起り、より量産性を向上させるためにパツケー
ジ全体を加熱する方法に移行しつつある。具体的
には、第６図ａ，ｂに示す通りプリント基板９に
半田ペースト１２あるいは接着剤１３を塗布して
おき、これにフラツトIC８を位置合わせして載
せ、半田ペースト１２を使用した場合には、その
後、熱風または赤外線などにより加熱し、半田付
けする。一方、接着剤１３を使用した場合は、半
田槽に浸漬して半田付けする。
が起り、より量産性を向上させるためにパツケー
ジ全体を加熱する方法に移行しつつある。具体的
には、第６図ａ，ｂに示す通りプリント基板９に
半田ペースト１２あるいは接着剤１３を塗布して
おき、これにフラツトIC８を位置合わせして載
せ、半田ペースト１２を使用した場合には、その
後、熱風または赤外線などにより加熱し、半田付
けする。一方、接着剤１３を使用した場合は、半
田槽に浸漬して半田付けする。
しかし、このような方法では、モールド樹脂部
（パツケージ）も加熱してしまうので、次のよう
な欠点があつた。すなわち、上記半田付により
200〜250℃にモールド樹脂部が加熱されると、そ
のモールド樹脂の強度（割れ易さ）が、ほぼ０
Kg／cm2近く（約0.1Kg／cm2）まで弱くなる（常温
では15Kg／cm2前後）。また、モールド樹脂部が加
熱されると、パツケージング後から半田付までの
期間に吸湿した内部の水分が急激に気化するの
で、モールド樹脂部に内部より外側へ多大な力が
発生する。そして、前述のようにモールド樹脂の
強度が弱くなつているので、前記力が発生する
と、第７図ａ，ｂ，ｃ（ａは断面図、ｂは平面図、
ｃは裏面図）に示すように、モールド樹脂５に亀
裂１４，１５が生じ、パツケージを破損してしま
う。そして、このよな亀裂１４，１５が生じた状
態でICを使用すると、IC内部（モールド樹脂部
内）に容易に空気中の水分が入り、ICチツプ２
の表面のAl配線がとけ出し、やがて断線して、
ICとしての機能を果さなくなる。
（パツケージ）も加熱してしまうので、次のよう
な欠点があつた。すなわち、上記半田付により
200〜250℃にモールド樹脂部が加熱されると、そ
のモールド樹脂の強度（割れ易さ）が、ほぼ０
Kg／cm2近く（約0.1Kg／cm2）まで弱くなる（常温
では15Kg／cm2前後）。また、モールド樹脂部が加
熱されると、パツケージング後から半田付までの
期間に吸湿した内部の水分が急激に気化するの
で、モールド樹脂部に内部より外側へ多大な力が
発生する。そして、前述のようにモールド樹脂の
強度が弱くなつているので、前記力が発生する
と、第７図ａ，ｂ，ｃ（ａは断面図、ｂは平面図、
ｃは裏面図）に示すように、モールド樹脂５に亀
裂１４，１５が生じ、パツケージを破損してしま
う。そして、このよな亀裂１４，１５が生じた状
態でICを使用すると、IC内部（モールド樹脂部
内）に容易に空気中の水分が入り、ICチツプ２
の表面のAl配線がとけ出し、やがて断線して、
ICとしての機能を果さなくなる。
そこで、この欠点をなくすため、特願昭59−
63178号明細書に記載されているように、アイラ
ンド部の裏側のモールド樹脂の部分に１mmφ位の
穴を開けて、加熱時内部で膨張する水分を逃がす
という方法が考えられた。
63178号明細書に記載されているように、アイラ
ンド部の裏側のモールド樹脂の部分に１mmφ位の
穴を開けて、加熱時内部で膨張する水分を逃がす
という方法が考えられた。
（考案が解決しようとする問題点）
この方法によれば、半田付け時の加熱によるモ
ールド樹脂の亀裂については良好な結果が得られ
た。しかるに、この方法では、ICを半田付けし
た後、そのフラツクスを取り除くために洗浄した
時、穴にフラツクスが入り、そのフラツクスをな
かなか取り除きにくいという新たな問題点を生じ
た。
ールド樹脂の亀裂については良好な結果が得られ
た。しかるに、この方法では、ICを半田付けし
た後、そのフラツクスを取り除くために洗浄した
時、穴にフラツクスが入り、そのフラツクスをな
かなか取り除きにくいという新たな問題点を生じ
た。
フラツクスにはCl-イオンやNa+イオンなどが
多量に含まれている。このフラツクスが前記穴に
残り、時間の経過とともに前記イオンがICチツ
プ表面にまわり込んでその表面に達すると、IC
チツプ表面のアルミ配線を腐蝕させ、信頼性上の
問題を生じさせる。
多量に含まれている。このフラツクスが前記穴に
残り、時間の経過とともに前記イオンがICチツ
プ表面にまわり込んでその表面に達すると、IC
チツプ表面のアルミ配線を腐蝕させ、信頼性上の
問題を生じさせる。
（問題点を解決するための手段）
そこで、この考案では、モールド樹脂に穴を開
ける代わりに、モールド樹脂内を貫いて先端がモ
ールド樹脂部の表面（下面）に露出する金属突起
をアイランド部の裏面に設ける。特に、金属突起
は、アイランド部の一部を押圧して形成された中
空円錐状金属突起とする。
ける代わりに、モールド樹脂内を貫いて先端がモ
ールド樹脂部の表面（下面）に露出する金属突起
をアイランド部の裏面に設ける。特に、金属突起
は、アイランド部の一部を押圧して形成された中
空円錐状金属突起とする。
（作用）
このようにすれば、金属突起とモールド樹脂と
の密着性が落ちるので、その部分から、半田付け
時、内部の膨張した水分が逃げる。しかも、穴を
有しないから、半田付け後の洗浄でフラツクスが
残つてしまうという問題も生じない。また、金属
突起の形状が円錐状であり、その先端頂点部分
（点）でモールド樹脂部表面に露出するだけであ
るから、外部からのIC内への水分などの浸入は
良好に抑制される。
の密着性が落ちるので、その部分から、半田付け
時、内部の膨張した水分が逃げる。しかも、穴を
有しないから、半田付け後の洗浄でフラツクスが
残つてしまうという問題も生じない。また、金属
突起の形状が円錐状であり、その先端頂点部分
（点）でモールド樹脂部表面に露出するだけであ
るから、外部からのIC内への水分などの浸入は
良好に抑制される。
（実施例）
以下この考案の一実施例を図面を参照して説明
する。第１図はこの考案の樹脂封止ICの一実施
例の断面図、第２図はその一実施例で使用される
リードフレームのアイランド部の斜視図である。
これらの図において、２１はリードフレームのア
イランド部で、アイランドサポート２２を一体に
有する。また、このアイランド部２１には、該ア
イランド部２１の中央部を表面側からポンチなど
で叩いて（ポンチプレス加工により）後述するモ
ールド樹脂の厚さ分だけ裏面側に中空円錐状に突
出させることにより、中空円錐状の金属突起２９
が形成されている。この金属突起２９が設けられ
たアイランド部２１の表面（金属突起２９と反対
側）上にはICチツプ２４がダイスボンドされる。
このダイスボンドされたICチツプ２４の表面の
電極は、リードフレームの外部導出リード２５に
金属細線２６により配線される。また、ICチツ
プ２４の表面にはジヤンクシヨンコーテイングレ
ジン２８が塗布される。そして、このICチツプ
部および前記配線部の全体はモールド樹脂２７に
より封止される。その場合、モールド樹脂部は、
アイランド部２１から下側の厚みよりも、ICチ
ツプ２４の表面から上側の厚みが、できる限り厚
くされる。また、アイランド部２１から下側のモ
ールド樹脂２７の厚みは前記金属突起２９の長さ
に一致する（そうなるように前記金属突起２９の
長さを決めてある）もので、これにより、モール
ド樹脂２７を貫いてモールド樹脂部の下面（表
面）に前記金属突起２９の先端が露出する。金属
突起２９の先端の露出部は、該金属突起２９が円
錐状であるから、点である。
する。第１図はこの考案の樹脂封止ICの一実施
例の断面図、第２図はその一実施例で使用される
リードフレームのアイランド部の斜視図である。
これらの図において、２１はリードフレームのア
イランド部で、アイランドサポート２２を一体に
有する。また、このアイランド部２１には、該ア
イランド部２１の中央部を表面側からポンチなど
で叩いて（ポンチプレス加工により）後述するモ
ールド樹脂の厚さ分だけ裏面側に中空円錐状に突
出させることにより、中空円錐状の金属突起２９
が形成されている。この金属突起２９が設けられ
たアイランド部２１の表面（金属突起２９と反対
側）上にはICチツプ２４がダイスボンドされる。
このダイスボンドされたICチツプ２４の表面の
電極は、リードフレームの外部導出リード２５に
金属細線２６により配線される。また、ICチツ
プ２４の表面にはジヤンクシヨンコーテイングレ
ジン２８が塗布される。そして、このICチツプ
部および前記配線部の全体はモールド樹脂２７に
より封止される。その場合、モールド樹脂部は、
アイランド部２１から下側の厚みよりも、ICチ
ツプ２４の表面から上側の厚みが、できる限り厚
くされる。また、アイランド部２１から下側のモ
ールド樹脂２７の厚みは前記金属突起２９の長さ
に一致する（そうなるように前記金属突起２９の
長さを決めてある）もので、これにより、モール
ド樹脂２７を貫いてモールド樹脂部の下面（表
面）に前記金属突起２９の先端が露出する。金属
突起２９の先端の露出部は、該金属突起２９が円
錐状であるから、点である。
このように構成された一実施例において、金属
突起２９とモールド樹脂２７の界面は、密着性が
落ちている。したがつて、半田付け時、内部の膨
張した水分は前記界面より外部に逃げる。しか
も、半田付け時、熱によりモールド樹脂２７が柔
らかくなつているので、前記界面からの水分の逃
げはスムースとなる。よつて、この一実施例によ
れば、モールド樹脂部に亀裂が入ることを防止で
きる。また、この一実施例によれば、特願昭59−
63178号明細書で開示された如くのモールド樹脂
部の穴を有しないため、半田付け後の洗浄でフラ
ツクスが残つてしまうという問題も生じない。さ
らに、金属突起２９が円錐状であつて、その先端
頂点部分（点）でモールド樹脂部表面に露出する
だけであるから、外部からのIC内部への水分な
どの浸入も良好に抑制できる。さらに、アイラン
ド部２１の一部をポンチプレス加工により押圧突
出させて中空円錐状に金属突起２９を形成した場
合は、従来使用の薄型リードフレームを利用し
て、該リードフレームのアイランド部に一体的
に、他の材料を必要とせずに容易に金属突起を形
成できるし、製造の際、該突起を有したリードフ
レームを積み重ねても、上下リードフレームの
夫々の金属突起は互いに嵌め合わされ、嵩張るこ
ともなく且つ安定状態で保管できる。
突起２９とモールド樹脂２７の界面は、密着性が
落ちている。したがつて、半田付け時、内部の膨
張した水分は前記界面より外部に逃げる。しか
も、半田付け時、熱によりモールド樹脂２７が柔
らかくなつているので、前記界面からの水分の逃
げはスムースとなる。よつて、この一実施例によ
れば、モールド樹脂部に亀裂が入ることを防止で
きる。また、この一実施例によれば、特願昭59−
63178号明細書で開示された如くのモールド樹脂
部の穴を有しないため、半田付け後の洗浄でフラ
ツクスが残つてしまうという問題も生じない。さ
らに、金属突起２９が円錐状であつて、その先端
頂点部分（点）でモールド樹脂部表面に露出する
だけであるから、外部からのIC内部への水分な
どの浸入も良好に抑制できる。さらに、アイラン
ド部２１の一部をポンチプレス加工により押圧突
出させて中空円錐状に金属突起２９を形成した場
合は、従来使用の薄型リードフレームを利用し
て、該リードフレームのアイランド部に一体的
に、他の材料を必要とせずに容易に金属突起を形
成できるし、製造の際、該突起を有したリードフ
レームを積み重ねても、上下リードフレームの
夫々の金属突起は互いに嵌め合わされ、嵩張るこ
ともなく且つ安定状態で保管できる。
（考案の効果）
以上詳述したように、この考案の樹脂封止IC
によれば、モールド樹脂内を貫いて先端がモール
ド樹脂部の表面に露出する中空円錐状の金属突起
をアイランド部の裏面に設けるようにしたので、
半田付け時、モールド樹脂部が加熱されても、こ
のモールド樹脂部に亀裂が入ることを防止でき、
かつ半田付け後の洗浄でフラツクスが残つてしま
うという問題も解決できる。さらに、金属突起を
円錐状としたから、該金属突起は先端頂点部分の
点でモールド樹脂部表面に露出するだけであり、
したがつて、露出部から水分などがIC内部に浸
入することも良好に防止できる。よつて、信頼性
の高い樹脂封止ICを得ることができる。また、
この考案はでアイランド部の一部を押圧突出させ
て中空円錐状に金属突起を形成したから、従来使
用の薄型リードフレームを利用して、該リードフ
レームのアイランド部に一体的に、他の材料を必
要とせずに容易に金属突起を形成できるし、製造
の際、該突起を有したリードフレームを積み重ね
ても、上下リードフレームの夫々の金属突起は互
いに嵌め合わされ、嵩張ることもなく且つ安定状
態で保管できるという利点がある。
によれば、モールド樹脂内を貫いて先端がモール
ド樹脂部の表面に露出する中空円錐状の金属突起
をアイランド部の裏面に設けるようにしたので、
半田付け時、モールド樹脂部が加熱されても、こ
のモールド樹脂部に亀裂が入ることを防止でき、
かつ半田付け後の洗浄でフラツクスが残つてしま
うという問題も解決できる。さらに、金属突起を
円錐状としたから、該金属突起は先端頂点部分の
点でモールド樹脂部表面に露出するだけであり、
したがつて、露出部から水分などがIC内部に浸
入することも良好に防止できる。よつて、信頼性
の高い樹脂封止ICを得ることができる。また、
この考案はでアイランド部の一部を押圧突出させ
て中空円錐状に金属突起を形成したから、従来使
用の薄型リードフレームを利用して、該リードフ
レームのアイランド部に一体的に、他の材料を必
要とせずに容易に金属突起を形成できるし、製造
の際、該突起を有したリードフレームを積み重ね
ても、上下リードフレームの夫々の金属突起は互
いに嵌め合わされ、嵩張ることもなく且つ安定状
態で保管できるという利点がある。
第１図はこの考案の樹脂封止ICの一実施例を
示す断面図、第２図は上記一実施例のリードフレ
ームアイランド部を取出して示す斜視図、第３図
は従来のフラツトICを示し、ａは平面図、ｂは
断面図、第４図は従来のフラツトICの他の例を
示す断面図、第５図はフラツトICをプリント基
板に搭載する際の様子を示す斜視図、第６図ａ，
ｂはパツケージ全体を加熱してフラツトICを実
装する方法を説明するための断面図、第７図ａ，
ｂ，ｃはモールド樹脂に亀裂が入つた状態を示す
図である。 ２１……リードフレームのアイランド部、２４
……ICチツプ、２５……リードフレームの外部
導出リード、２６……金属細線、２７……モール
ド樹脂、２９……金属突起。
示す断面図、第２図は上記一実施例のリードフレ
ームアイランド部を取出して示す斜視図、第３図
は従来のフラツトICを示し、ａは平面図、ｂは
断面図、第４図は従来のフラツトICの他の例を
示す断面図、第５図はフラツトICをプリント基
板に搭載する際の様子を示す斜視図、第６図ａ，
ｂはパツケージ全体を加熱してフラツトICを実
装する方法を説明するための断面図、第７図ａ，
ｂ，ｃはモールド樹脂に亀裂が入つた状態を示す
図である。 ２１……リードフレームのアイランド部、２４
……ICチツプ、２５……リードフレームの外部
導出リード、２６……金属細線、２７……モール
ド樹脂、２９……金属突起。
Claims (1)
- リードフレームのアイランド部上にICチツプ
を搭載し、そのチツプ表面の電極をリードフレー
ムの外部導出リードに配線し、その配線部および
前記ICチツプ部をモールド樹脂で封止してなる
樹脂封止ICにおいて、前記アイランド部の裏面
に、該アイランド部の一部を押圧して形成され
る、先端が前記モールド樹脂部の表面に露出する
中空円錐状金属突起を設けたことを特徴とする樹
脂封止IC。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11483684U JPS6133444U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 樹脂封止ｉｃ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11483684U JPS6133444U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 樹脂封止ｉｃ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6133444U JPS6133444U (ja) | 1986-02-28 |
| JPH0135477Y2 true JPH0135477Y2 (ja) | 1989-10-30 |
Family
ID=30673834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11483684U Granted JPS6133444U (ja) | 1984-07-30 | 1984-07-30 | 樹脂封止ｉｃ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6133444U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS555701A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-16 | Akihiko Shigemizu | Concrete crusher |
| JPS6066839A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1984
- 1984-07-30 JP JP11483684U patent/JPS6133444U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS555701A (en) * | 1978-06-28 | 1980-01-16 | Akihiko Shigemizu | Concrete crusher |
| JPS6066839A (ja) * | 1983-09-24 | 1985-04-17 | Nec Corp | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6133444U (ja) | 1986-02-28 |
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