JPH01316488A - 鉄−テルビウム二元合金めっき液 - Google Patents
鉄−テルビウム二元合金めっき液Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、鉄−テルビウム二元合金めっき液に関する。
従来の技術及びその問題点
希土類金属は、各種の特有な性質を示すものであり、例
えば、希土類金属と遷移金属との合金は、光磁気メモリ
ー材料として優れた特性を有することが知られている。
えば、希土類金属と遷移金属との合金は、光磁気メモリ
ー材料として優れた特性を有することが知られている。
現在この種の磁気薄膜は、電子ビーム蒸着法やスパッタ
リング法により製造されているが、生産性が低く、装置
が高価であるために、製造コストが高いという欠点があ
る。
リング法により製造されているが、生産性が低く、装置
が高価であるために、製造コストが高いという欠点があ
る。
電析法は、金属薄膜を安価に得る方法の一つとしてよく
知られているが、精子類金属は酸化還元電位がかなり卑
であるために、水溶液からは、H+の放電が優先的に生
じて、希土類金属を含むめっき皮膜を得ることはできな
い。電解液として非水溶液を用いる場合には、希土類金
属が電析する可能性はあるが、工業的に実用化できる希
土類金属合金のめっき液は得られていない。
知られているが、精子類金属は酸化還元電位がかなり卑
であるために、水溶液からは、H+の放電が優先的に生
じて、希土類金属を含むめっき皮膜を得ることはできな
い。電解液として非水溶液を用いる場合には、希土類金
属が電析する可能性はあるが、工業的に実用化できる希
土類金属合金のめっき液は得られていない。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記した如き現状に鑑みて、工業的規模に
おいて実用化し得る希土類金属合金めっき液を得るべく
鋭意研究を重ねてきた。その結果、希土類金属の化合物
としてテルビウム化合物を用い、これを鉄化合物と共に
ジメチルホルムアミドに溶解してなるめっき液からは、
実用上充分な電流効率で、素地上に密着性よく良好な外
観のFe−Tb合金皮膜を形成することができ、しかも
めっき液中の組成比や電流密度を調節することによって
、析出皮膜の合金組成を広い範囲で変えることが可能で
あることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。
おいて実用化し得る希土類金属合金めっき液を得るべく
鋭意研究を重ねてきた。その結果、希土類金属の化合物
としてテルビウム化合物を用い、これを鉄化合物と共に
ジメチルホルムアミドに溶解してなるめっき液からは、
実用上充分な電流効率で、素地上に密着性よく良好な外
観のFe−Tb合金皮膜を形成することができ、しかも
めっき液中の組成比や電流密度を調節することによって
、析出皮膜の合金組成を広い範囲で変えることが可能で
あることを見出し、ここに本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、鉄化合物及びテルビウム化合物をジメ
チルホルムアミドに溶解してなる鉄−テルビウム化合物
めっき液に係る。
チルホルムアミドに溶解してなる鉄−テルビウム化合物
めっき液に係る。
本発明では、テルビウム化合物としては、特に限定はな
く、例えば、塩化テルビウム、硝酸テルビウム、酸化テ
ルビウム、フッ化テルビウム、炭酸テルビウム、蓚酸テ
ルビウム等を用いることができる。これらのうちで、塩
化テルビウム、硝酸テルビウム等が好ましく用いられる
。
く、例えば、塩化テルビウム、硝酸テルビウム、酸化テ
ルビウム、フッ化テルビウム、炭酸テルビウム、蓚酸テ
ルビウム等を用いることができる。これらのうちで、塩
化テルビウム、硝酸テルビウム等が好ましく用いられる
。
鉄化合物としては、二価あるいは三価の鉄化合物を使用
すればよく、具体例としては、硫酸第一鉄アンモニウム
、臭化鉄(■)、塩化鉄(n)、乳酸鉄(■)、蓚酸鉄
(■)、リン酸鉄(n)、硫酸第一鉄、硫化鉄(n)
、<えん酸鉄(III)アンモニウム、蓚酸第二鉄アン
モニウム、硫酸鉄(III)アンモニウム、臭化鉄(■
)、塩化第二鉄、くえん酸鉄(■)、硝酸鉄(■)、リ
ン酸鉄(III)、硫酸第二鉄等を挙げることができる
。これらのうちで、塩化鉄(■)、硫酸第一鉄、硫酸第
一鉄アンモニウム等が好ましく用いられる。
すればよく、具体例としては、硫酸第一鉄アンモニウム
、臭化鉄(■)、塩化鉄(n)、乳酸鉄(■)、蓚酸鉄
(■)、リン酸鉄(n)、硫酸第一鉄、硫化鉄(n)
、<えん酸鉄(III)アンモニウム、蓚酸第二鉄アン
モニウム、硫酸鉄(III)アンモニウム、臭化鉄(■
)、塩化第二鉄、くえん酸鉄(■)、硝酸鉄(■)、リ
ン酸鉄(III)、硫酸第二鉄等を挙げることができる
。これらのうちで、塩化鉄(■)、硫酸第一鉄、硫酸第
一鉄アンモニウム等が好ましく用いられる。
本発明めっき液では、溶媒としては、ジメチルホルムア
ミドを用いる。ジメチルホルムアミドは、テルビウム化
合物及び鉄化合物を均一に溶解できるものであり、テル
ビウム化合物及び鉄化合物を溶解したジメチルホルムア
ミド溶液は、電析時に、プロトンや水素結合が関与する
反応が生じ難く、かなり卑な電位においても安定である
。そして、この溶液からは、実用上充分な電流効率で良
好な外観のFe−Tb合金めっき皮膜を形成することが
できる。
ミドを用いる。ジメチルホルムアミドは、テルビウム化
合物及び鉄化合物を均一に溶解できるものであり、テル
ビウム化合物及び鉄化合物を溶解したジメチルホルムア
ミド溶液は、電析時に、プロトンや水素結合が関与する
反応が生じ難く、かなり卑な電位においても安定である
。そして、この溶液からは、実用上充分な電流効率で良
好な外観のFe−Tb合金めっき皮膜を形成することが
できる。
本発明めっき液では、テルビウム化合物及び/又は鉄化
合物として、結晶水を有する化合物を用いることができ
、これをジメチルホルムアミドに溶解したものをそのま
まめっき液として使用してもよいが、水素の発生を防止
して、電流効率を向上させるためには、テルビウム化合
物及び鉄化合物として無水物を用いるか、あるいはめっ
き処理前に、予めめっき液を脱水処理することが好まし
い。脱水処理方法は、特に限定はな(、例えば、めっき
液中にモレキュラーシーブ等の吸着剤を添加して、吸着
脱水する方法等を採用できる。
合物として、結晶水を有する化合物を用いることができ
、これをジメチルホルムアミドに溶解したものをそのま
まめっき液として使用してもよいが、水素の発生を防止
して、電流効率を向上させるためには、テルビウム化合
物及び鉄化合物として無水物を用いるか、あるいはめっ
き処理前に、予めめっき液を脱水処理することが好まし
い。脱水処理方法は、特に限定はな(、例えば、めっき
液中にモレキュラーシーブ等の吸着剤を添加して、吸着
脱水する方法等を採用できる。
本発明めっき液では、テルビウム化合物及び鉄化合物の
添加量は、両者の合計量として、0.01〜0.6モル
/Q程度、好ましくは、0.05〜0.3モル/Q程度
とすればよく、このような範囲内において、適度な電流
効率で良好な合金皮膜を形成することができる。テルビ
ウム化合物と鉄化合物との比率は、広い範囲で変更可能
であり、Tb:Fe(モル比)−1:9〜9:1程度、
好ましくは2:8〜8:2程度の範囲内において、良好
な合金めっき皮膜を形成することができる。
添加量は、両者の合計量として、0.01〜0.6モル
/Q程度、好ましくは、0.05〜0.3モル/Q程度
とすればよく、このような範囲内において、適度な電流
効率で良好な合金皮膜を形成することができる。テルビ
ウム化合物と鉄化合物との比率は、広い範囲で変更可能
であり、Tb:Fe(モル比)−1:9〜9:1程度、
好ましくは2:8〜8:2程度の範囲内において、良好
な合金めっき皮膜を形成することができる。
本発明めっき液は、液温0℃〜60℃程度で使用するこ
とができ、15〜30℃程度で使用することが好ましい
。めっき時の陰極電流密度(Dk)は、0.1〜20m
A/co+2程度、好ましくは0.3〜10mA/cm
2程度とすればヨイ。
とができ、15〜30℃程度で使用することが好ましい
。めっき時の陰極電流密度(Dk)は、0.1〜20m
A/co+2程度、好ましくは0.3〜10mA/cm
2程度とすればヨイ。
析出皮膜の合金組成は、めっき液中でのテルビウム化合
物と鉄化合物との比率を変えることによって適宜変更す
ることができ、陰極電流密度等によって多少のばらつき
は生じるが、めっき液中での両成分のモル比と析出皮膜
の合金組成とは、はぼ近似したものとなる。従って、要
求される析出物の合金組成に応じて、めっき液中での両
化合物の比率を容易に決定できる。
物と鉄化合物との比率を変えることによって適宜変更す
ることができ、陰極電流密度等によって多少のばらつき
は生じるが、めっき液中での両成分のモル比と析出皮膜
の合金組成とは、はぼ近似したものとなる。従って、要
求される析出物の合金組成に応じて、めっき液中での両
化合物の比率を容易に決定できる。
めっき液の電流効率は、めっき液中でのテルビウム化合
物と鉄化合物との合計量や両者の比率、陰極電流密度等
によって異なるものとなり、例えば、テルビウム化合物
と鉄化合物の合計量が0608〜0.12モル/Q程度
のめっき液においては、陰極電流密度0.3〜1mA/
cm2程度とすればTb:Fe(モル比)−4:6〜6
:4程度の比率の場合に電流効率が良好であり、陰極電
流密度3〜lOmA/cm2程度とすれば、Tb:Fe
(モル比)=2:8〜4:6程度の比率の場合に電流効
率が非常に良好である。また、テルビウム化合物と鉄化
合物の合計量が0.15〜0゜25モル/Q程度のめっ
き液においては、陰極電流密度3〜10mA/cm2程
度でめっきを行なう場合には、Tb:Fe(モル比)=
2:8〜5:4程度の比率において電流効率が良好であ
る。
物と鉄化合物との合計量や両者の比率、陰極電流密度等
によって異なるものとなり、例えば、テルビウム化合物
と鉄化合物の合計量が0608〜0.12モル/Q程度
のめっき液においては、陰極電流密度0.3〜1mA/
cm2程度とすればTb:Fe(モル比)−4:6〜6
:4程度の比率の場合に電流効率が良好であり、陰極電
流密度3〜lOmA/cm2程度とすれば、Tb:Fe
(モル比)=2:8〜4:6程度の比率の場合に電流効
率が非常に良好である。また、テルビウム化合物と鉄化
合物の合計量が0.15〜0゜25モル/Q程度のめっ
き液においては、陰極電流密度3〜10mA/cm2程
度でめっきを行なう場合には、Tb:Fe(モル比)=
2:8〜5:4程度の比率において電流効率が良好であ
る。
また、浴組成によっては、支持電解質として、過塩素酸
テトラエチルアンモニウムを添加することによって、電
流効率が向上する場合がある。例えば、テルビウム化合
物と鉄化合物の合計量が0゜05〜0.15モル/Q程
度でTb:Fe(モル比)−55:45〜65 : 3
5程度のめっき液では、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウムを0.05〜0.25モル/Q程度添加することに
よって、電流効率を大きく向上させることができる。
テトラエチルアンモニウムを添加することによって、電
流効率が向上する場合がある。例えば、テルビウム化合
物と鉄化合物の合計量が0゜05〜0.15モル/Q程
度でTb:Fe(モル比)−55:45〜65 : 3
5程度のめっき液では、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウムを0.05〜0.25モル/Q程度添加することに
よって、電流効率を大きく向上させることができる。
尚、めっき時には、常法に従って、スターラーやバブリ
ングにより、めっき液の攪拌を行なうことが好ましく゛
、例えば溶存酵素の除去とめっき液の攪拌を兼ねて、N
2ガスによるバブリングを行ないながらめっきを行なえ
ばよい。
ングにより、めっき液の攪拌を行なうことが好ましく゛
、例えば溶存酵素の除去とめっき液の攪拌を兼ねて、N
2ガスによるバブリングを行ないながらめっきを行なえ
ばよい。
本発明めっき液では、被めっき物は、特に限定はなく、
銅、鉄、ニッケル、炭素等の通常の導電性物質であれば
いずれもめっき可能である。
銅、鉄、ニッケル、炭素等の通常の導電性物質であれば
いずれもめっき可能である。
本発明めっき液から形成されるめっき皮膜は、X線回折
によってTb5Fe等の存在を示すピークを生じない。
によってTb5Fe等の存在を示すピークを生じない。
従って析出物は、無定形または非晶質の物質であると推
測される。
測される。
発明の効果
本発明めっき液によれば、従来得られなかった鉄−テル
ビウム合金めっき皮膜を実用上充分な電流効率で得るこ
とができ、しかもめっき液中の組成比や電流密度を調節
することによって析出皮膜の合金組成を広い範囲で変え
ることができる。そして、形成されるめっき皮膜は、良
好な外観を有し、素地との密着性に優れたものとなる。
ビウム合金めっき皮膜を実用上充分な電流効率で得るこ
とができ、しかもめっき液中の組成比や電流密度を調節
することによって析出皮膜の合金組成を広い範囲で変え
ることができる。そして、形成されるめっき皮膜は、良
好な外観を有し、素地との密着性に優れたものとなる。
実施例
以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
実施例I
N、N’ −ジメチルホルムアミドにCaOを加えて、
2日間放置した後、上澄液を減圧蒸留(15〜20mm
Hg、55℃)して精製した。次いで、このジメチルホ
ルムアミドに、TbCQ3 ・6H20及びFeCQ2
・4H20を溶解した後、モレキュラーシーブ3A
1/16を添加し、24時間放置した後、モレキュラー
シーブを除去することによってめっき液を得た。T b
CQ 3 ・6H20とFeCQ2・4H20の合計
量は0.1モル/Qとし、Tb/ (Tb+Fe)−2
0モル%、40モル%、60モル%及−び80モル%の
各めっき液を調整した。被めっき物としては、1×2c
a+の銅板を使用し、前処理として、エメリーペーパー
研磨、及びアルミナバフ研磨を行なった後、アセトン及
び再蒸留水中で順次超音波洗浄を行ない、更に10%H
2SO4による酸洗いを行なった。めっき液には、予め
N2ガスを30分間通じて、溶存酸素を除去した。
2日間放置した後、上澄液を減圧蒸留(15〜20mm
Hg、55℃)して精製した。次いで、このジメチルホ
ルムアミドに、TbCQ3 ・6H20及びFeCQ2
・4H20を溶解した後、モレキュラーシーブ3A
1/16を添加し、24時間放置した後、モレキュラー
シーブを除去することによってめっき液を得た。T b
CQ 3 ・6H20とFeCQ2・4H20の合計
量は0.1モル/Qとし、Tb/ (Tb+Fe)−2
0モル%、40モル%、60モル%及−び80モル%の
各めっき液を調整した。被めっき物としては、1×2c
a+の銅板を使用し、前処理として、エメリーペーパー
研磨、及びアルミナバフ研磨を行なった後、アセトン及
び再蒸留水中で順次超音波洗浄を行ない、更に10%H
2SO4による酸洗いを行なった。めっき液には、予め
N2ガスを30分間通じて、溶存酸素を除去した。
上記した各めっき液について、第1図に示すめっき装置
を用いて、めっき試験を行なった。該めっき装置では、
前処理後の銅板を陰極(1)とし、2X2cmのpt板
を陽極(2)として、ガス入口(3)からN2ガスを導
入してバブリングによりめっき液を攪拌しつつ、めっき
を行なった。バブリング後のN2ガスは、ガス排出口(
4)から排出した。
を用いて、めっき試験を行なった。該めっき装置では、
前処理後の銅板を陰極(1)とし、2X2cmのpt板
を陽極(2)として、ガス入口(3)からN2ガスを導
入してバブリングによりめっき液を攪拌しつつ、めっき
を行なった。バブリング後のN2ガスは、ガス排出口(
4)から排出した。
めっき時の液温は25℃として、0.5mA/0m2及
び5mA/cm2の各電流密度で、0.5m A /
0m2では通電量6クーロンまで、5mA/c112で
は10クーロンまでめっきを行なった。得られためっき
皮膜を塩酸中に溶解して、原子吸光分析法により、めっ
き皮膜中のTb量及びFe量を測定した。
び5mA/cm2の各電流密度で、0.5m A /
0m2では通電量6クーロンまで、5mA/c112で
は10クーロンまでめっきを行なった。得られためっき
皮膜を塩酸中に溶解して、原子吸光分析法により、めっ
き皮膜中のTb量及びFe量を測定した。
第2図に、0.5mA/C112でめっきを行った場合
のめっき液中のTb量(Tb量 (Tb+Fe)二モル
%)と電流効率との関係を、第3図に5mA/cm2で
めっきを行なった場合のめつき液中のTb量(Tb量
(Tb+Fe):モル%)と電流効率との関係を示す。
のめっき液中のTb量(Tb量 (Tb+Fe)二モル
%)と電流効率との関係を、第3図に5mA/cm2で
めっきを行なった場合のめつき液中のTb量(Tb量
(Tb+Fe):モル%)と電流効率との関係を示す。
各図において、Q印はTbの電流効率、・印はFeの電
流効率、Δ印は合計の電流効率を示す。第2図及び第3
図から、電流密度0.5mA/cm2及び5mA/Co
12の各電流密度において、Tb:Fe(モル比)−2
:8〜8:2のすべての範囲内でFe−Tb合金皮膜が
形成されることがわかる。
流効率、Δ印は合計の電流効率を示す。第2図及び第3
図から、電流密度0.5mA/cm2及び5mA/Co
12の各電流密度において、Tb:Fe(モル比)−2
:8〜8:2のすべての範囲内でFe−Tb合金皮膜が
形成されることがわかる。
また、第4図に、0 、 5 m A / cm2でめ
っきを行なった場合についての、めっき液中のTbJl
(モル%)と析出物中のTb量(原子%)との関係、第
5図に5mA/am2でめっきを行なった場合について
のめっき液中のTb量(モル%)と析出物中のTb量(
原子%)との関係を示す。いずれの場合にも、めっき液
中のTb量と析出皮膜中のTbff1とは、はぼ近似し
たものとなった。
っきを行なった場合についての、めっき液中のTbJl
(モル%)と析出物中のTb量(原子%)との関係、第
5図に5mA/am2でめっきを行なった場合について
のめっき液中のTb量(モル%)と析出物中のTb量(
原子%)との関係を示す。いずれの場合にも、めっき液
中のTb量と析出皮膜中のTbff1とは、はぼ近似し
たものとなった。
実施例2
テルビウム化合物と鉄化合物との合計量を0゜2モル/
Qとする以外は、実施例1と同様にしてめっき液を調製
し、陰極電流密度5 m A / 0m2で、実施例1
と同様にしてめっき試験を行なった。めっき液中のTb
モル%と電流効率との関係を第6図に、めっき液中のT
bモル%と析出物中のTb原原子色の関係を第7図に示
す。第6図において、0印はTbの電流効率、・印はF
eの電流効率、Δ印は合計の電流効率を示す。
Qとする以外は、実施例1と同様にしてめっき液を調製
し、陰極電流密度5 m A / 0m2で、実施例1
と同様にしてめっき試験を行なった。めっき液中のTb
モル%と電流効率との関係を第6図に、めっき液中のT
bモル%と析出物中のTb原原子色の関係を第7図に示
す。第6図において、0印はTbの電流効率、・印はF
eの電流効率、Δ印は合計の電流効率を示す。
実施例3
Tb量 (Tb+Fe)=60モル%、両孔合物の合計
量0.1モル/Qのめっき液中に、過塩素酸テトラエチ
ルアンモニウム(E t 4 NCQ Oa )を添加
しためっき液を用いて、液温25℃、陰極電流密度5m
A/cflI2で通電量10クーロンまでめっきを行な
った。過塩素酸テトラエチルアンモニウムの添加量とめ
っき液の電流効率との関係を第8図に示す。第8図にお
いて、OaはTbの電流効率、・印はFeの電流効率、
Δ印は合計の電流効率を示す。以上の結果から、上記組
成の合金めっき液では、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウムの添加により、電流効率が大きく向上することがわ
かる。
量0.1モル/Qのめっき液中に、過塩素酸テトラエチ
ルアンモニウム(E t 4 NCQ Oa )を添加
しためっき液を用いて、液温25℃、陰極電流密度5m
A/cflI2で通電量10クーロンまでめっきを行な
った。過塩素酸テトラエチルアンモニウムの添加量とめ
っき液の電流効率との関係を第8図に示す。第8図にお
いて、OaはTbの電流効率、・印はFeの電流効率、
Δ印は合計の電流効率を示す。以上の結果から、上記組
成の合金めっき液では、過塩素酸テトラエチルアンモニ
ウムの添加により、電流効率が大きく向上することがわ
かる。
第1図は、めっき装置の該略図、第2図は実施例1にお
けるD k−0,5m A / cm”での浴組成と電
流効率との関係のグラフ、第3図は実施例1におけるD
k−5m A / (tg2での浴組成と電流効率と
の関係のグラフ、第4図は、実施例1におけるD k−
0、5m A / 0m2でのめっき液中のTb量と析
出物中のTb量との関係のグラフ、第5図は実施例1に
おけるDk=5mA/C112でのめつき液中のTb量
と析出物中のTb量との関係のグラフ、第6図は、実施
例2における浴組成と電流効率との関係のグラフ、第7
図は実施例2におけるめっき液中のTbモル%と析出物
中のTb原原子色の関係のグラフ、第8図は過塩素酸テ
トラエチルアンモニウムの添加量とめっき液の電流効率
との関係のグラフである。 (1)・・・陰極 (2)・・・陽極 (3)・・・ガス入口 (4)・・・ガス排出口 (以 上) 第1図 第2図 第3図 め、さ6夜中のTb1(モル%) 第4図 第5図 hJ5i’f’cnTbt (−t−ル%)第6図 め、さ氷中のTbt(モル%) 第7図 め、き:/夜中のTb1(モル%)
けるD k−0,5m A / cm”での浴組成と電
流効率との関係のグラフ、第3図は実施例1におけるD
k−5m A / (tg2での浴組成と電流効率と
の関係のグラフ、第4図は、実施例1におけるD k−
0、5m A / 0m2でのめっき液中のTb量と析
出物中のTb量との関係のグラフ、第5図は実施例1に
おけるDk=5mA/C112でのめつき液中のTb量
と析出物中のTb量との関係のグラフ、第6図は、実施
例2における浴組成と電流効率との関係のグラフ、第7
図は実施例2におけるめっき液中のTbモル%と析出物
中のTb原原子色の関係のグラフ、第8図は過塩素酸テ
トラエチルアンモニウムの添加量とめっき液の電流効率
との関係のグラフである。 (1)・・・陰極 (2)・・・陽極 (3)・・・ガス入口 (4)・・・ガス排出口 (以 上) 第1図 第2図 第3図 め、さ6夜中のTb1(モル%) 第4図 第5図 hJ5i’f’cnTbt (−t−ル%)第6図 め、さ氷中のTbt(モル%) 第7図 め、き:/夜中のTb1(モル%)
Claims (1)
- (1)鉄化合物及びテルビウム化合物をジメチルホルム
アミドに溶解してなる鉄−テルビウム二元合金めっき液
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14616488A JPH01316488A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 鉄−テルビウム二元合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14616488A JPH01316488A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 鉄−テルビウム二元合金めっき液 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01316488A true JPH01316488A (ja) | 1989-12-21 |
JPH0322472B2 JPH0322472B2 (ja) | 1991-03-26 |
Family
ID=15401578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14616488A Granted JPH01316488A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | 鉄−テルビウム二元合金めっき液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01316488A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0258030A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH04122072A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH08262494A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Sony Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP14616488A patent/JPH01316488A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0258030A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-27 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
JPH04122072A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH08262494A (ja) * | 1995-03-20 | 1996-10-11 | Sony Corp | アクティブマトリクス型表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0322472B2 (ja) | 1991-03-26 |
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