JPH0322472B2 - - Google Patents

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JPH0322472B2
JPH0322472B2 JP63146164A JP14616488A JPH0322472B2 JP H0322472 B2 JPH0322472 B2 JP H0322472B2 JP 63146164 A JP63146164 A JP 63146164A JP 14616488 A JP14616488 A JP 14616488A JP H0322472 B2 JPH0322472 B2 JP H0322472B2
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JP
Japan
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plating solution
plating
iron
terbium
current efficiency
Prior art date
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JP63146164A
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JPH01316488A (ja
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Yoshiharu Matsuda
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ISHIHARA YAKUHIN KK
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ISHIHARA YAKUHIN KK
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  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、鉄−テルビウム二元合金めつき液に
関する。
従来の技術及びその問題点 希土類金属は、各種の特有な性質を示すもので
あり、例えば、希土類金属と遷移金属との合金
は、光磁気メモリー材料として優れた特性を有す
ることが知られている。現在この種の磁気薄膜
は、電子ビーム蒸着法やスパツタリング法により
製造されているが、生産性が低く、装置が高価で
あるために、製造コストが高いという欠点があ
る。
電析法は、金属薄膜を安価に得る方法の一つと
してよく知られているが、希土類金属は酸化還元
電位がかなり卑であるために、水溶液からは、
H+の放電が優先的に生じて、希土類金属を含む
めつき皮膜を得ることはできない。電解液として
非水溶液を用いる場合には、希土類金属が電析す
る可能性はあるが、工業的に実用化できる希土類
金属合金めつき液は得られていない。
問題点を解決するための手段 本発明者は、上記した如き現状に鑑みて、工業
的規模において実用化し得る希土類金属合金めつ
き液を得るべく鋭意研究を重ねてきた。その結
果、希土類金属の化合物としてテルビウム化合物
を用い、これを鉄化合物と共にジメチルホルムア
ミドに溶解してなるめつき液からは、実用上充分
な電流効率で、素地上に密着性よく良好な外観の
Fe−Tb合金皮膜を形成することができ、しかも
めつき液中の組成比や電流密度を調節することに
よつて、析出皮膜の合金組成を広い範囲で変える
ことが可能であることを見出し、ここに本発明を
完成するに至つた。
即ち、本発明は、鉄化合物及びテルビウム化合
物をジメチルホルムアミドに溶解してなる鉄−テ
ルビウム二元合金めつき液に係る。
本発明では、テルビウム化合物としては、特に
限定はなく、例えば、塩化テルビウム、硝酸テル
ビウム、酸化テルビウム、フツ化テルビウム、炭
酸テルビウム、蓚酸テルビウム等を用いることが
できる。これらのうちで、塩化テルビウム、硝酸
テルビウム等が好ましく用いられる。
鉄化合物としては、二価あるいは三価の鉄化合
物を使用すればよく、具体例としては、硫酸第一
鉄アンモニウム、臭化鉄()、塩化鉄()、乳
酸鉄()、蓚酸鉄()、リン酸鉄()、硫酸
第一鉄、硫化鉄()、くえん酸鉄()アンモ
ニウム、蓚酸第二鉄アンモニウム、硫酸鉄()
アンモニウム、臭化鉄()、塩化第二鉄、くえ
ん酸鉄()、硝酸鉄()、リン酸鉄()、硫
酸第二鉄等を挙げることができる。これらのうち
で、塩化鉄()、硫酸第一鉄、硫酸第一鉄アン
モニウム等が好ましく用いられる。
本発明めつき液では、溶媒としては、ジメチル
ホルムアミドをを用いる。ジメチルホルムアミド
は、テルビウム化合物及び鉄化合物を均一に溶解
できるものであり、テルビウム化合物及び鉄化合
物を溶解したジメチルホルムアミド溶液は、電析
時に、プロトンや水素結合が関与する反応が生じ
難く、かなり卑な電位においても安定である。そ
して、この溶液からは、実用上充分な電流効率で
良好な外観のFe−Tb合金めつき皮膜を形成する
ことができる。
本発明めつき液では、テルビウム化合物及び/
又は鉄化合物として、結晶水を有する化合物を用
いることができ、これをジメチルホルムアミドに
溶解したものをそのままめつき液として使用して
もよいが、水素の発生を防止して、電流効率を向
上させるためには、テルビウム化合物及び鉄化合
物として無水物を用いるか、あるいはめつき処理
前に、予めめつき液を脱水処理することが好まし
い。脱水処理方法は、特に限定はなく、例えば、
めつき液中にモレキユラーシーブ等の吸着剤を添
加して、吸着脱水する方法等を採用できる。
本発明めつき液では、テルビウム化合物及び鉄
化合物の添加量は、両者の合計量として、0.01〜
0.6モル/程度、好ましくは、0.05〜0.3モル/
程度とすればよく、このような範囲内におい
て、適度な電流効率で良好な合金皮膜を形成する
ことができる。テルビウム化合物と鉄化合物の比
率は、広い範囲で変更可能であり、Tb:Fe(モ
ル比)=1:9〜9:1程度、好ましくはの2:
8〜8:2程度の範囲内において、良好な合金め
つき皮膜を形成することができる。
本発明めつき液は、液温0℃〜60℃程度で使用
することができ、15〜30℃程度で使用することが
好ましい。めつき時の陰極電流密度(Dk)は、
0.1〜20mA/cm2程度、好ましくは0.3〜10mA/cm2
程度とすればよい。
析出皮膜の合金組成は、めつき液中でのテルビ
ウム化合物と鉄化合物との比率を変えることによ
つて適宜変更することができ、陰極電流密度等に
よつて多少のばらつきは生じるが、めつき液中で
の両成分のモル比と析出皮膜の合金組成とは、ほ
ぼ近似したものとなる。従つて、要求される析出
物の合金組成に応じて、めつき液中での両化合物
の比率を容易に決定できる。
めつき液の電流効率は、めつき液中でのテルビ
ウム化合物と鉄化合物との合計量や両者の比率、
陰極電流密度等によつて異なるものとなり、例え
ば、テルビウム化合物と鉄化合物の合計量が0.08
〜0.12モル/程度のめつき液においては、陰極
電流密度0.3〜1mA/cm2程度とすればTb:Fe(モ
ル比)=4:6〜6:4程度の比率の場合に電流
効率が良好であり、陰極電流密度3〜10mA/cm2
程度とすれば、Tb:Fe(モル比)=2:8〜4:
6程度の比率の場合に電流効率が非常に良好であ
る。また、テルビウム化合物と鉄化合物の合計量
が0.15〜0.25モル/程度のめつき液において
は、陰極電流密度3〜10mA/cm2程度でめつきを
行なう場合には、Tb:Fe(モル比)=2:8〜
6:4程度の比率において電流効率が良好であ
る。
また、浴組成によつては、支持電解質として、
過塩素酸テトラエチルアンモニウムを添加するこ
とによつて、電流効率が向上する場合がある。例
えば、テルビウム化合物と鉄化合物の合計量が
0.05〜0.15モル/程度でTb:Fe(モル比)=
55:45〜65:35程度のめつき液では、過塩素酸テ
トラエチルアンモニウムを0.05〜0.25モル/程
度添加することによつて、電流効率を大きく向上
させることができる。
尚、めつき時には、常法に従つて、スターラー
やバブリングにより、めつき液の撹拌を行なうこ
とが好ましく、例えば溶存酵素の除去とめつき液
の撹拌を兼ねて、N2ガスによるバブリングを行
ないながらめつきを行なえばよい。
本発明めつき液では、被めつき物は、特に限定
はなく、銅、鉄、ニツケル、炭素等の通常の導電
性物質であればいずれもめつき可能である。
本発明めつき液から形成されるめつき皮膜は、
X線回析によつて、Tb、Fe等の存在を示すピー
クを生じない。従つて析出物は、無定形または非
晶質の物質であると推測される。
発明の効果 本発明めつき液によれば、従来得られなかつた
鉄−テルビウム合金めつき皮膜を実用上充分な電
流効率で得ることができ、しかもめつき液中の組
成比や電流密度を調節することによつて析出皮膜
の合金組成を広い範囲で変えることができる。そ
して、形成されるめつき皮膜は、良好な外観を有
し、素地との密着性に優れたものとなる。
実施例 以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説明
する。
実施例 1 N,N′−ジメチルホルムアミドにCaOを加え
て、2日間放置した後、上澄液を減圧蒸留(115
〜20mmHg、55℃)して精製した。次いで、この
ジメチルホルムアミドに、TbCl3・6H2O及び
FeCl2・4H2Oを溶解した後、モレキユラーシー
ブ3A1/16を添加し、24時間放置した後、モレ
キユラーシーブを除去することによつてめつき液
を得た。TbCl3・6H2OとFeCl2・4H2Oの合計量
は0.1モル/とし、Tb/(Tb+Fe)=20モル
%、40モル%、60モル%及び80モル%の各めつき
液を調製した。被めつき物としては、1×2cmの
銅板を使用し、前処理として、エメリーペーパー
研磨、及びアルミナバフ研磨を行なつた後、アセ
トン及び再蒸留水中で順次超音波洗浄を行ない、
更に10%H2SO4による酸洗いを行なつた。めつ
き液には、予めN2ガスを30分間通じて、溶存酸
素を除去した。
上記した各めつき液について、第1図に示すめ
つき装置を用いて、めつき試験を行なつた。該め
つき装置では、前処理後の銅板を陰極1とし、2
×2cmのPt板を陽極2として、ガス入口3から
N2ガスを導入してバブリングによりめつき液を
撹拌しつつ、めつきを行なつた。バブリング後の
N2ガスは、ガス排出口4から排出した。
めつき時の液晶は25℃として、0.5mA/cm2及び
5mA/cm2の各電流密度で、0.5mA/cm2では通電
量6クローンまで、5mA/cm2では10クローンま
でめつきを行なつた。得られためつき皮膜を塩酸
中に溶解して、原子吸光分析法により、めつき皮
膜中のTb量及びFe量を測定した。
第2図に、0.5mA/cm2でめつきを行つた場合の
めつき液中のTb量(Tb/(Tb+Fe):モル%)
と電流効率との関係を、第3図に5mA/cm2でめ
つきを行なつた場合のめつき液中のTb量(Tb/
(Tb+Fe):モル%)と電流効率との関係を示
す。各図において、〇印はTbの電流効率、●印
はFeの電流効率、△印は合計の電流効率を示す。
第2図及び第3図から、電流密度0.5mA/cm2及び
5mA/cm2の各電流密度において、Tb:Fe(モル
比)=2:8〜8:2のすべての範囲内でFe−
Tb合金皮膜が形成されることがわかる。
また、第4図に、0.5mA/cm2でめつきを行なつ
た場合についての、めつき液中のTb量(モル%)
と析出物中のTb量(原子%)との関係、第5図
に5mA/cm2でめつきを行なつた場合についての
めつき液中のTb量(モル%)と析出物中のTb量
(原子%)との関係を示す。いずれの場合にも、
めつき液中のTb量と析出皮膜中のTb量とは、ほ
ぼ近似したものとなつた。
実施例 2 テルビウム化合物と鉄化合物との合金量を0.2
モル/とする以外は、実施例1と同様にしてめ
つき液を調製し、陰極電流密度5mA/cm2で、実
施例1と同様にしてめつき試験を行なつた。めつ
き液中のTbモル%と電流効率との関係を第6図
に、めつき液中のTbモル%と析出物中のTb原子
%との関係を第7図に示す。第6図において、〇
印はTbの電流効率、●印はFeの電流効率、△印
は合計の電流効率を示す。
実施例 3 Tb/(Tb+Fe)=60モル%、両化合物の合計
量0.1モル/のめつき液中に、過塩素酸テトラ
エチルアンモニウム(Et4NClO4)を添加しため
つき液を用いて、液温25℃、陰極電流密度
5mA/cm2で通電量10クーロンまでめつきを行な
つた。過塩素酸テトラエチルアンモニウムの添加
量とめつき液の電流効率との関係を第8図に示
す。第8図において、〇印はTbの電流効率、●
印はFeの電流効率、△印は合計の電流効率を示
す。以上の結果から、上記組成の合金めつき液で
は、過塩素酸テトラエチルアンモニウムの添加に
より、電流効果が大きく向上することがわかる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、めつき装置の該略図、第2図は実施
例1におけるDk=0.5mA/cm2での浴組成と電流
効率との関係のグラフ、第3図は実施例1におけ
るDk=5mA/cm2での浴組成と電流効率との関係
のグラフ、第4図は、実施例1におけるDk
0.5mA/cm2でのめつき液中のTb量と析出物中の
Tb量との関係のグラフ、第5図は実施例1にお
けるDk=5mA/cm2でのめつき液中のTb量と析出
物中のTb量との関係のグラフ、第6図は、実施
例2における浴組成と電流効率との関係のグラ
フ、第7図は実施例2におけるめつき液中のTb
モル%と析出物中のTb原子%との関係のグラフ、
第8図は過塩素酸テトラエチルアンモニウムの添
加量とめつき液の電流効率との関係のグラフであ
る。 1……陰極、2……陽極、3……ガス入口、4
……ガス排出口。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 鉄化合物及びテルビウム化合物をジメチルホ
    ルムアミドに溶解してなる鉄−テルビウム二元合
    金めつき液。
JP14616488A 1988-06-13 1988-06-13 鉄−テルビウム二元合金めっき液 Granted JPH01316488A (ja)

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JPH01316488A JPH01316488A (ja) 1989-12-21
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0258030A (ja) * 1988-08-24 1990-02-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JPH04122072A (ja) * 1990-09-12 1992-04-22 Mitsubishi Electric Corp 薄膜トランジスタの製造方法
JPH08262494A (ja) * 1995-03-20 1996-10-11 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置

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