JPH01316366A - 液晶 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規な液晶化合物及び該液晶化合物を含む液晶
Ｘ■成酸物関する。

又本明■曾に於いて液晶化合物とは、それ自体で液晶相
を呈することが検知されなくとも液晶キＩ酸物の構成成
分として有用な（ヒ合物を意味する。

従来の技術 液晶表示素子の表示方式として、現在広く実用化されて
いるものは、ねじれネマチック！ｌ！！（ＴＮ型）およ
び動的散乱型（ＤＳ型）である、これらはネマチック液
晶を、主成分としたネマチック液晶セルによる表示であ
る。従来のネマチック液晶セルの短所のひとつに、応答
速度が遅く、たかだか数ｍ　Ｓ　ｅ　Ｃのオーダーの応
答速度しか得られないという＄実があげられる。そして
、このことがネマチック）α品セルの応用節回をせばめ
る一因となっている。しかし、尚近に至ってスメクチッ
ク液晶セルを用いれば、より高速な応答が得られるとい
うことがわかってきた。

光学活性なスメクチック液晶の中には、強誘電性を示す
ものがあることが、明らかになってきており、その利用
に関し・て、大きなＩｌｌ待が寄せられつつある。強誘
電性を示す液晶すなわぢ強誘電性液晶は、１９７５年Ｒ
，Ｉ３．Ｍｅｙｅｒらにより合成され、４−（４−ｎ−
デシルオキシベンジリデンアミノ）ケイ皮酸−２−メチ
ルアチルエステル（以下、ＤＯＢＡＭＩ３Ｃと略記する
。）を代表例とする１ヒ合物であり、その、カイラルス
メクチックＣ相（以下、Ｓｍ　　Ｃａｌ：相と略記する
。）において、強誘電性を示すことを特徴とするもので
ある（、１．Ｐｌｌｙｓ　１ｑｕｅ、４旦、Ｌ−６９（
１り７５））。

近年、Ｎ、Ａ、Ｃ１ａｒｋら（ＡＩ）Ｉ）１．Ｐｌｌｙ
ｓ、Ｌｅ　ｔ　ｔ、３−旦、８９　（１９８０）’Ｉに
よって、ＤＯＢＡＭＢＣの薄膜セルにおいて、μｓｅｃ
オーダーの高速応答性が、見出されたことを契機に、強
誘電性液晶はその高速応答性を利用して液晶テレビ等の
デイスプレィ用のみならず、光プリンターヘッド、光フ
ーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエレクトロニ
クス関連素子の素材用にも使用可能な材↑、１とし・て
；上目ノ士集めている。

発明が解決しようとしている問題点 Ｄ’ＯＢＡＭＢＣは自発分極が小さく、またシ・ンフ塩
基であるため、その物理的１ヒ学的安定性に難がある。

そこで、強誘電性液晶材料として、物理的化学的に安定
な種々の化合物が探索され°Ｃきた。

そしてＴｆｌ在、強誘電性液晶素材の開発は、高速応答
性、配向性、高いコントラスト、メモリー性、しきい（
１ｒ［特性、さらにこれらの詫特性の温度依存性等の実
用特性の最適化にその主力がうつってきている。

しかし、ＴＩ′２在知られている強誘電性；α晶は単独
では、上記実用特性を発現させるのに十分な程の大きい
自発分極、低い粘性、長いらぜんピッチ、適当なチルト
角、等の諸物性を室温域を含む広い温度範囲で示すもの
はない。そこで実際には、大きい自発分極を詩つあるい
は誘起する１ヒ合物、低粘性の化合物１．らせんピッチ
が互いに逆の化合物等数［１類の物質を混合して上記諸
特性を最適化すべく検討が行われている。また、十分に
広い温度範囲で強誘電性を示す液晶組成物を得るために
は、温度範囲の広い強誘電性液晶またはカイラルでない
スメクチック（ｊｆｆ品（Ｓ　ｃｔｅ品と略記する）を
混ぜることが有効である。特に、５ｃｊｌ１品は固有ら
せんピッチが無限大であるため全体の配合設計のなかで
配合量を自由に設定することが可能であり、広い温度範
囲で強誘電性を示す液晶組成物を得る上で用いるＳＣ濯
品の物性は非常に重要である。

（足って、強誘電性液晶＆［１成物に用いる液晶素祠と
して、１０分格的に高速応答すると考えられる１ヒ合物
、２．広い温度範囲でＳｃ相を示す液晶化合物、等の化
合物の開発は非常に重要な課題である。

従来、骨格的に高速応答すると考えられる化合物として
、−故人１）で表される光学活性なフェニルピリミジン
系澄晶がセイコー電子工業と帝国化学産業によって開発
されてきた。（第１１回液晶討論会予稿３１ｊ２Ｎ１［
３，２Ｎ１９．２Ｎ２０゜２Ｎ２１） Ｒ１１−Ｐｈ−Ｐｙ−Ｒ１２（ｕ　） （上式中、−Ｐｌｌ−は１．４−フェニレン基を、−ｐ
ｙ−は２，５−ピリミジルを示し、Ｒ１１，Ｒ＋２は、
アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基又はアルキ
ルカルボニルオキシ基を示し、Ｒ１１，Ｒ１２の一方は
分枝を有し光学活性であるものとする。）該１ヒ合物は
、自発分極は小さいが低粘度なため比較的高速応答する
化合物であった。しかし、光学活性であり、有限のらせ
んピッチを有するため全体の配合設計のなかで配合量を
自由に設定することが可能な化合物ではなかった。

分枝の無い直鎖アルキル基を有するフェニルピリミジン
系５ｃｉｒ１品としては、−故人（Ｕ）で表される化合
物がＸ口られている（Ｈ，Ｚａｓｃｈｋｅ、Ｒ，５ｔｏ
ｌ　ｌｅ、Ｚ、Ｃｌｚｅｍ、１５，４４１、（１’９７
５）及びＦ　Ｉ　ＬＩ　Ｓ　Ｓ　ｉ　ｇ　ｅ　　Ｉ（ｒ
ｉｓｔａｌｌｅ　　ｉｎ　　Ｔａｂｅｌｌｅｎ、Ｖｅｒ
ｌａｇ　ＧｒｕｎｄｓＬｏｆｆｉｎｄ、Ｌｅｉｐｚｉｇ
、２ｎ（ｌ　　ｅｄ、（１９７６））がＳＡ相−５ｃ相
の相転移点が７０°Ｃ以下とあまり高くないため、強誘
電性）α晶配合物用の素材としては必ずしも十分ではな
かった。

Ｒ１３−Ｐｈ−ＰνＲ１１１（’Ｗ） （上式中、−Ｐｌｌ−は１．４−フェニレン基を、〜ｐ
ｙ−は２．５−ピリミジルを示し、Ｒ１３、Ｒ１４は、
直鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基または、直鎖アシル
オキシ基を示す。但し、ＲＩ３、ＲＩ４の少なくとも一
方は炭素数７以上の直鎖アルキル基を示すものとする。

） 一方、ｌＩ！ｌＩ鎖にアシル基を導入することによりＳ
Ａ相−Ｓｃ相の相転移点が高くなるＩＬｉ′ｉ向を示す
ことが最近知られつつある。（第１３回液晶討論会予稿
集　ＩＺｌｌ）側鎖にアシル基を有するフェニルピリミ
ジン化合物として式（■）で示される化合物がセイコー
電子工業、帝国化学産業によって開発されている。く特
開昭６１−２！３１１３７２）Ｒ１５（：０−Ｐｌ＋−
Ｐき＝−ＲＩＧ　　　　　　　　　　　　　　　　　　
（■、）（上式中、−Ｐｌｌ−は１，４−フェニレン基
を、−ｐｙ−は２．５−ピリミジルを示し、Ｒ１５、Ｒ
ＩＧは、炭素数４−１５のアルキル基を示し、Ｒ１５、
ＲＩＧの一方は分枝な有し、光学活性であるものとする
。）また、１Ｉｌ１１鎖にアシル基を有するフェニルピ
リミジン化合物は、メルク社によってもクレームされて
いる。（ＤＥ　　３５１５３７３）。

しかし、これらの化合物も光学活性であり、有限のらせ
んピッチを有するため全体の配合設計のなかで配合量を
自由に設定することが可能な化合物ではなかった。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、上述のような問題点を解決するために種
々の液晶物質を探索し、強誘電性液晶キ■酸物に用いる
液晶素材として有用なｔｒＩ現な１ヒ合物群を提供する
本発明に到達した。

卯ち、本発明は骨格的に低粘度であると考えられる５ｃ
ｆｌ１品化合物であって、Ｓｃ相を示す温度範囲の上限
が１００℃以上と高い化合物（既知の２理性１ヒ合物中
最も高い）を提１ｊすることを可能にしたものである。

即ち本発明は、一般式（１） ％式％（１） （−Ｐｈ−は、１．４−フェニレン基を、−ｐｙ−は、
２゜５、−ピリミジル基を、Ｒ１，Ｒ２は直鎖の炭素数
１〜１８のアシル基又はアルコキシ基を示す。Ｉ［ＩＩ
、、Ｒ１、Ｒ２の少なくとも一方は、直鎖の炭素数２〜
１８のアシル基を示すものとする。で、表される液晶物
質及びそれを含有する液晶キＩ酸物に関する。

上記一般式（Ｉ）中、Ｒ１，Ｒ２が炭素数６−１４のア
ルキル基を含む化合物は、単独であるいは配合物として
スメクチックＣ相をとりゃすく強誘電性液晶材料として
特に重要である。また、それ以外の１ヒ合物も、強誘電
性液晶配合材料や、あるいは、一般に液晶材料などとし
て使用することができる。

本発明の（ヒ合物と配合して強誘電性液晶組成物とする
のにｊｍ当な化合ｆＱとしては、１クリえば次の１゜、
２．．３．に示すような化合物である。

１、本出願人らが、過去開発した強誘電性液晶である、
特願昭５［１−１７Ｇ８２３、特願昭５８−１７５７１
１、特願昭５９−０２３５１０、特願昭５９−０２３５
１Ｌ特願昭５９−０７４７４８、特願昭５　＋３−１　
［１’３２３２、特願昭６０−２２９２０、特願昭６０
−０７０３４、特願昭６０−１１７０５３、特願昭６Ｏ
−１４４１３Ｇ、特願昭１３０−１６２６５４、特願昭
ＧＯ−１（３２Ｇ！５Ｇ、特願昭ＧＯ−２５０３３５、
特願昭６〇−２９１１７９に開示されている化合物。

２、スメクチックＣ相を有する、１５：１えば次のよう
な化合物群。

アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルエステル、ア
ルキルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルキル
エステル、アルコキシ安息香酸アルコキシフェニルエス
テル、アルコキシ安息香酸アルキルオキシカルボニルフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシアルコ
キシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルコキシ
ビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカルボン酸
アルコキシフェニルエステル、アルキル安息香酸アルコ
キシビフェニルエステル、アルキルビフェニルカルボン
酸アルコキシフェニルエステル、アルコキシ安息香酸ア
ルキルビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカル
ボン酸アルキルフェニルエステル、アルキルカルボニル
オキシ安息香酸アルコキシビフェニルエステル、アルキ
ルカルボニルオキシビフェニルカルボン酸アルコキシフ
ェニルエステル、アルコキシ安息香酸アルキルカルボニ
ルオキシビフェニルエステル、アルコキシビフェニルカ
ルボン酸アルキルカルボニルオキシフェニルエステル、
５−アルキル−Ｑ　　（４１−フルコキシフェニル）ピ
リミジン、５−アルコキシ−２−（４’−アルコキシフ
ェニル）ピリミジン、５−アルキル−２−（４’−アル
キルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン、５−アル
コキシ−２−（４”−アルキルカルボニルオキシフェニ
ル）ピリミジン、５−アルキル−２−（４’　−アルキ
ルオキシカルボニルフェニル）ピリミジン、５−アルコ
キシ−２−（４’−アルキルオキシカルボニルフェニル
）ピリミジン、５−アルキル−２−（４′−アルコキシ
フェニル）ピラジン、５−アルコキシ基２−　（４’−
アルコキシフェニル）ピラジン、５−アルキル−ｒ）　
　（４＋　−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピラ
ジン、５−アルコキシ−２−（４’−アルキルカルボニ
ルオキシフェニル）ピラジン、５−アルキル−２−（４
’　−アルキルオキシカルボニルフェニル）ピラジン、
５−アルコキシ−２−（４’−フルキルオキシカルボニ
ルフェニル）ピラジン、３−（４’−アルキルフェニル
）−６−アルコキシピリダジン、３−（４°−アルコキ
シフェニル）−６−アルコキシピリダジン、３−　（４
’−アルコキシフェニル）−Ｇ−アルキルピリダジン、
５−（４’　−アルキルフェニル）−２−（４１−アル
コキシフェニル）ピリミジン、５−（４’　−アルコキ
シフェニル）−２−（４”−アルコキシフェニル）ピリ
ミジン、５−（４’　−フルキルフェニル）　−２−（
４”−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン
、５−　（４’−アルコキシフェニル）　−２−（４”
−アルキルカルボニルオキシフェニル）ピリミジン、５
−　（４’−アルキルフェニル）−２−（４″９−アル
キルン ン、５−　（４’−アルコキシフェニル）−２−（４°
２−フルキルオキシカルボニルフェニル）ピリミジン、
５−（４”−アルコキシフェニル）−Ｑ　　（　４　＋
＋−アルコキシフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン
、５−　（４’−アルキルフェニル）−２−（４１−ア
ルコキシフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−
（４’　−アルコキシフェニル）　−Ｑ　　（４１１−
アルキルフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−
　（４’−フルキルフェニル）−２−　（４”−アルキ
ルフェニルカルボニルオキシ）ピリミジン、５−（４’
−フルキルフェニル）−２−　（４”−アルコキシフェ
ニル）−１．２．４−トリアジン、５−　（４’　−ア
ルキルフェニル）−２−（４”−アルコキシフェニル）
−１．２．４−１−リアジン、５−（４’　−アルキル
フェニル）−２−（４”−フルキルカルボニルオキシフ
ェニル）−１．２．４−１−リアジン、５−　（４’−
アルコキシフェニル）−２−（４”−アルキルカルボニ
ルオキシフェニル）　　　１，２。

４−トリアジン、５−（４°−アルギルフェニル）＋＋
　ｒ＞　　（　４　１１−アルキルオキシカルボニルフ
ェニル）−１．２．４−１−リアジン、５−（４°−ア
ルコキシフェニル）−２−　（４”−アルキルオキシカ
ルボニルフェニル）　−１．２．４−トリアジン等 ３、２．に挙げた（ヒ合物群のアルキル基、アルコキシ
基、アルキルカルボニルオキシ基、アルキルオキシカル
ボニル基、の部分に不斉炭素を導入することにより、カ
イラルスメクチックＣ相を示す強誘電性液晶とした化合
物群。

本発明の化合物である（１）式で表わされる化合物は次
のように合成される。

一般式（Ｔ）で表わされる化合物は、２−（４“−アル
コキシフェニル）ピリミジン−５−カルボン酸を常法に
より、当該する酸クロライドにし、これをアルキルハラ
イドから調製したグリニヤール試薬と反応させることに
より得られる．あるいは、２−　（４’−アルコキシフ
ェニル）ピリミジン−５−カルボン酸から誘導される２
−（４′−アルコキシフェニル）−５−シアノピリミジ
ンと、グリニヤール試薬とを反応させることによっても
得ることができる．また該化合物は２−　（４’　−ア
ルコキシフェニル）ピリミジン−５−カルボン酸クロラ
イドとアルキルリチウムより調製したジアルキル銅リチ
ウムとを反応させることによっても得ろことができる。

発明の作用 本発明の化合物はスメクチックＣ相を示す。本発明の化
合物は、フェニルピリミジン骨格を有し、本発明の化合
物を含む強誘電性液晶配合物は高速応答する０本発明の
化合物は光学活性を持たないため、該化合物を配合する
際、らせんピッチ等の物性に縛られること無く自由に強
誘電性液晶配合物の中で使用することができる。また本
発明の化合物は、Ｓｃ相を示す温度範囲の上限が、２環
であるにもかかわらず１００℃以上と非常に高いため応
答速度を損うことなく、強誘電性液晶配合物の温度域の
上限を拡大することが可能である。

実施例 以下実施１クリにより、本発明の化合物につき更に詳細
に説明するが、本発明は、これらの実施例により、限定
されるものではない。

以下、Ｃ，Ｓｃ、’Ｓｓ、Ｎ、Ｉ相はそれぞれ、結晶相
、スメクチックＣ相、スメクチックＡ相、ネマチック相
、等方相を示す。本発明の化合物の精製は、シリカゲル
クロマトグラフィー及びアルコールまたはヘキサンによ
る再結晶によって行った。以下に示す相転移点の測定値
は、物質の純度により若干の影響を受けることもありう
る。

実施例１ ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）ピリミジン−
５−カルボン酸くア）の合成 Ｃｔｌｌ＋５Ｏ−Ｐｈ−Ｐｙ−ＣＯＯＩＩ　　　　　　
　　　　　　（ア）（−Ｐｌ＋−は、１，４−フェニレ
ン基を、・ｐｙ−は、２゜５−ピリミジル基を、表す。

） ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）ピリミジン−
５−カルボン酸エチルエステル２０ｇ　（５Ｑ。

５　ｎｕｎ　ｏ　ｌ　）にジオキサン４００ｍ１，２Ｎ
水酸化ナトリウム水溶液８４ｍ１を加え、４時間還流し
た。溶媒を留去した後、ＩＮ塩酸４００ｍ１、続いて水
４００ｍ１で洗浄し、加熱真空下、乾燥させることによ
り、目的化合物（ア）を定量的に得た。

２−　（４’−へブチルオキシフェニル）ピリミジン−
５−カルボン酸アミド（イ）の合成ＣｔＨ＋５Ｏ−Ｐｈ
・Ｐｙ−ＣＯＮＩ１２（イ）（−１’ｈ−は、１．４−
フェニレン基を、−ｐｙ−は、２゜５−ピリミジル基を
、表す、） ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）ピリミジン−
５−カルボン酸（ア）２０ｇ　（６３，７ｍｍｏｆ）に
塩化チオニル８０１ＴＩ　ｌを加え３時間還流後、塩（
ヒチオニルを留去することにより、２−（４゛−へブチ
ルオキシフェニル）ピリミジン−５−カルボン酸クロラ
イドを得た。塩化メチレン２５０　ｍ　ｌに冷却下、ア
ンモニアガスを吹込みながら、２−（４”−へブチルオ
キシフェニル）ピリミジン−５−カルボン酸クロライド
を塩化メチレン２００ｍ１に溶かした溶液を滴下した。

滴下終了後、２時間室温で攪はんした後、析出した白色
沈殿をろ別した。ろ液をＩ！Ｉｍ　Ｌ／、残さと白色沈
ＥＱを合せて水で洗浄後、加熱真空下、乾燥させること
により、目的化合物（イ）１８．０３ｇ　（収率：９０
％）を得た。

２　（４１へブチルオキシフェニル）−５−シアノピリ
ミジン（つ）の合成 Ｃｔｌｌ＋５Ｏ−Ｐｈ−Ｐｙ−ＣＮ　　　　　　　　　
　　　　（つ）（−Ｐｈ−は、１．４−フェニレン基を
、−ｔ’ｙ−は、２゜５−ピリミジル基を、表す。） ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）−５−力ルボ
ン酸アミドＩＦ３ｇ　（５７，５ｍｍｏ　ｌ）ｔ？ピリ
ジン１２０ｍ１に分散させベンゼンスルボニルクロライ
ド１１．２ｇ　（６３，２ｍｍｏ　ｌ）を室温で滴下し
た後５５℃に加熱し、４時間攪はんした１反応溶液を氷
水２００ｍ１に注ぎ２００ｍ１のクロロホルムで抽出し
た。有ｉＦｔを４Ｎ塩酸１００　ｍ　Ｉで３回、水１０
０ｍ１で２回洗浄後、濃縮し粗生成物を得た。これをエ
タノール３００ｍ１で再結晶し、得られた屡茶色の粗結
晶をクロロホルム２００　ｍ　ｌに溶かし、活性炭を加
えて４−５時間放置した。活性炭をろ別し、ろ液を濃縮
した後、再びエタノールより再結晶することにより、目
的化合物くつ）の白色結晶ｌｏ、４ｇ　（収率：６１％
）を得た。

２−　（４’−へブチルオキシフェニル）−５−オクチ
ルカルボニルピリミジン（１）の合成Ｃ７１１＋５Ｏ−
Ｐｌｔ−Ｐｙ−Ｃｏ−Ｃａｌｌｎ　　　　　　　　　（
１）（−Ｐｈ−は、１．４−フェニレン基を、−ｐｙ−
は、２゜５−ピリミジル基を、表す。） マグネシウム２４３ｍｇ　（１０，０ｍｍｏ　ｌ）にエ
ーテル１　ｍ　ｌを加えた後、オクチルブロマイド１．
９３ｇ　（１０，０ｍｍｏｌ）をエーテル１ｍｌに溶か
した溶液を加え、２時間超音波処理することによりグリ
ニヤール試薬を調製した。これにベンゼン３ｎ１１を加
え、２−（４°−へブチルオキシフェニル）−５−シア
ノピリミジン（つ）１゜５ｇ　（５，０ｍｍｏ　ｌ）を
累速く加え、６時間還流した。反応溶液に６Ｎ塩酸５　
ｍ　ｌを加え再び４時間′Ｊ！Ｉ流した。有機層を抽出
し水層を１０ｒｎｌのエーテルでさらに２回抽出後、無
水’ＧＱ　Ｍマグネシウムを加えて乾燥した。無水硫酸
マグネシウムをろ別し、ろｆｆｌ　２２　ｉｎ　’１６
した後フラッシュクロマト（展開溶媒：口広１ヒ炭素１
００．エーテルｌ）で精製することにより目的（ヒ合物
く工）を得た。

この反応において溶媒のエーテル、ベンゼンは共に金属
すＩ・リウムて乾燥後、蒸留したものを用い、反応は窒
素下て行なった。

該化合物のＮＭＲスペクトルを図１に示ず。

該１ヒ合物の相転移点は以下に示す通りであった。

（０内は降温時の相転ｆ多点を示す。）Ｃ−９ｃ相転移
点 ８０°Ｃ（６７℃） Ｓｃ−３Ａ相転移点 １１３’Ｃ（１１３°Ｃ） ＳＡ−１相転移点 １２２℃（１２２℃） 実施例２ ２−（４°−ノニルオキシフェニル）−５−オクチルカ
ルボニルピリミジン（オ）の合成Ｃｓ１ｌｕＯ−Ｐｈ−
Ｐｙ−ＣＯ−ＣｓＨｎ　　　　　　　　　（オ）（−Ｐ
ｈ−は、１．４−フェニレン基を、−Ｉ’ｙ−は、２゜
５−ピリミジル基を、表す、） 実施ηす１と同様の方法で目的化合物（オ）を得た。

該化合物の相転移点は以下に示す通りであった。

（０内は降温時の相転移点を示す。） Ｃ−Ｓｃ相転移点 ８５°Ｃ（７９℃） Ｓｃ−ＳＡ相転移点 １１４℃（１１４℃） ＳＡ−■相転移点 １２１℃（１２１’Ｃ） 実施例３ ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）−５−デシル
カルボニルピリミジン（力）の合成Ｃ＋１１１５０−Ｐ
Ｉ＋−Ｐｙ−ＣＯ−Ｃ＋ｏｌ１２＋　　　　　　　　　
　（力）（−Ｐｈ−は、１．４−フェニレン基を、−ｐ
ｙ−は、２゜５−ピリミジル基を、衷ず、） 窒素下、エーテル６．２ｍｌにリチウム２３６　ｍｇ　
（３４，０ｍｍｏ　ｌ）を加え一１０″Ｃに冷却し、デ
シルブロマイド３ｇをエーテル３．１ｍｌに溶かした溶
液を滴下した。その後０−１０’Ｃに保ち２時間反応さ
せた。反応溶液を窒素下、グラスフィルターを通してろ
かし、デシルリチウムのエーテル溶液を調製した。窒素
下、テトラヒドロフラン２４ｍ１にヨウ化銅１．２９１
ｚ　（６，７７ｍｍｏｆ）を分散させ、−１０℃に冷却
し、デシルリチウムのエーテル溶液を滴下した。滴下終
了後、−７８℃に冷却し、Ｑ−（４１−へブチルオキシ
フェニル）−５−デシルカルボン酸クロライド１゜５９
ｇ（４，７７ｍｍｏ　＋）をテトラヒドロフラン８ｍｌ
に溶かした溶液を滴下した。１５分間反応させた後、反
応ｉ″８液を飽和塩化アンモニウム水溶液に注ぎ、１０
０ｍ１のエーテルで３回抽出した。エーテル層をフロリ
ジルのカラムを通した後無水硫酸マグネシウム上で乾燥
させた。ろか後、濃縮し得られた固体をメタノールより
再結晶することにより目的化合物（力）を得た。該化合
物の相転移点は以下に示す通りであった。（０内は降温
時の相転移点を示す、） Ｃ−Ｓ　ｃ相転移点 ８７℃（７０℃） Ｓｃ−３Ａ相転移点 １１２．５℃（１１２，５℃） ＳＡ−Ｉ相転移点 １２０℃（１２０℃） 実施例４ ２−　（４’−へブチルオキシフェニル）−５−ブチル
カルボニルピリミジン（キ）の合成ＣＪ＋ａＯ−Ｐｈ−
Ｐｙ−ＣＯ−Ｃ４Ｈｅ　　’　　　　　　　　　（キ）
（−Ｐｈ−は、１，４−フェニレン基を、−ｐｙ−は、
２゜５−ピリミジル基を、表すり 実施例３と同様の方法で目的化合物（キ）を得た。該化
合物の相転移点は以下に示す通りであった。（０内は降
温時の相転移点を示す。）Ｃ−Ｓｃ相転移点 ７８℃（７３℃） Ｓｃ−５Ａ相耘稜点 ７８℃（７８℃） ＳＡ−Ｉ相転移点 １２５℃（１２３℃） 実施例５ カイラルスメクチックＣ液晶組成物として次のような組
成物をｖＲ製した。

（Ｓ、５）−１−クロロ−２−メチルブチルカルボン酸
　４−（４−オクチルオキシフェニル）フェニルエステ
ル　　　　　　　　　　１０．７ｗ　ｔ％（Ｓ、５）−
１−クロロ−２−メチルブチルカルボン酸　４−（４−
ノニルカルボニルオキシフェニル）フェニルエステル　
　　　　　７．３ｗ　ｔ％（Ｒ）−４−（４−ノニルカ
ルボニルオキシフェニル）安息香酸　２−クロロ−３−
メチルブチルエステル　　　　　　　　　　　　　１９
．５ｗ　ｔ％２−（４’−へブチルオキシフェニル）−
５−オクチルカルボニルピリミジン（１）　　　７ｗｔ
％２−（４’−ノニルオキシフェニル）−５−オクチル
カルボニルピリミジン（オ）　　　　　７ｗｔ％２−（
４’−ヘプチルオキシフェニル）−５−デシルカルボニ
ルピリミジン（力）　　　　　７ｗｔ％２−（４−ノニ
ルオキシフェニル）−５−ノニルピリミジン　　　　　
　　　　　　　８．５ｗ　ｔ％２−（４−オクチルオキ
シフェニル）−５−オクチルピリミジン　　　　　　　
　　　８．５ｗ　ｔ％２−（４−オクチルオキシフェニ
ル）−５−ノニルピリミジン　　　　　　　　　　　８
．５ｗ　ｔ％２−（４−デシルオキシフェニル）−５−
オクチルオキシカルボニルオキシピリミジン　３ｗｔ％
２−（４−ノニルオキシカルボニルオキシフェニル）−
５−ドデシルピリミジン　　　　　３ｗｔ％２−（４−
デシルオキシフェニル）−５−オクチルオキシピリミジ
ン　　　　　　　　　　５ｗｔ％２−（４−ノニルオキ
シフェニル）−５−ドデシルピリミジン　　　　　　　
　　　　　５ｗｔ％この組成物は氷点下より５０℃まで
カイラルスメクチックＣ相を５０℃より６５℃までスメ
クチックＡ相をそれ以上で等労相を示した。

ポリイミドで配向処理をした２μｍのセルに封入し土２
０Ｖの矩形波をかけ応答速度を測定したところ２５℃に
おいて２８μｓｅｃであった。

発明の効果 本発明の化合物はスメクチックＣ相を示す。そして本発
明の化合物は、実施例に示したようにＳＣ相を示す温度
の上限が非常に高い。

このことは、類似のフェニルピリミジン化合物と比較す
ればよく理解できる。

本発明の化合物と類似のフェニルピリミジン化合物の５
Ａ−８ｃ相転移点を比較すると、５Ａ−５ｃ相転移点 ＣＪ＋ａＯ−Ｐｈ−Ｐｙ−ＣＯ−ＣａＨｔｔ（実施例１
）　　１１３°ＣＣＪａＣＨ（ＣＨ８）４−ＣＯ−Ｐｈ
−Ｐｙ−ＣａＨｔｔ　　　　　　　６９℃ＣＨ。

ＣＪ１６０−Ｐｈ−Ｐｙ−０−ＣＪｔｙ　　　　　　　
　　　　８９℃ＣａＨエフ０−Ｐｈ−Ｐｙ−ＣａＨｔ７
　　　　　　　　　　　　５６℃ＣＪ１ｇＯ−Ｐｈ−Ｐ
ｙ−Ｃｏ−Ｃａｌｌｔ、（実施例２）　　１１４℃Ｃｓ
１１．．０−Ｐｈ−Ｐｙ−０−Ｃａ１１．、　　　　　
　　　８８　、　５℃ＣａＨ＋７Ｏ−Ｐｈ−Ｐｙ−Ｃｅ
Ｈ＋ｅ　　　　　　　　　　　　　６２℃Ｃｔｌｌ＋ａ
Ｏ−Ｐｈ−Ｐｙ−ＣＯ−ＣＪｅ　（実施例４）　　　７
８℃ＣｅＨ１ｅＯ−Ｐｈ−ＰＹ−Ｃ＜Ｈｅ　　　　　　
　　Ｓ　Ｃ相示さず（−ｐｈ−は、１，４−フェニレン
基を、−ｐｙ−は、２゜５−ピリミジル基を、表す。） のようになり５Ａ−Ｓｃ相転移点は２０〜５０℃高い、
それゆえ１本発明の化合物を配合した本発明の液晶組成
物は、実施例５に示したように、室温を含む広い温度範
囲で動作が可能であった。

また本発明の化合物は、ＤＯＢＡＭＢＣ等と異なりシッ
フ塩基を持たないため化学的に安定である。

また本発明の化合物は、スメクチック液晶となるので、
熱書込レーザー等の記憶型表示素子用に用いることも可
能である。

【図面の簡単な説明】

図１は実施例２で得た２−（４’　−ノニルオキシフェ
ニル）−５−オクチルカルボニルピリミジンのＮＭＲス
ペクトルを示す。

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１） 一般式（ I ） Ｒ１−Ｐｈ−Ｐｙ−Ｒ２（ I ） （−Ｐｈ−は、１，４−フェニレン基を、−Ｐｙ−は、
   ２，５−ピリミジル基を、Ｒ１、Ｒ２は直鎖の炭素数２
   〜１８のアシル基又はアルコキシ基を示す。但しＲ１、
   Ｒ２の少なくとも一方は、直鎖の炭素数２〜１８のアシ
   ル基を示すものとする。）で表される化合物。
2. （２） 特許請求の範囲（１）項一般式（ I ）で表される化合
   物を少なくとも一種含有することを特徴とするカイラル
   でないスメクチックＣ液晶組成物。
3. （３） 特許請求の範囲（１）項一般式（ I ）で表される化合
   物と、次式（II）で表されるカイラルでないスメクチッ
   クＣ液晶を少なくとも一種含有することを特徴とするカ
   イラルでないスメクチックＣ液晶組成物。 Ｒ３−Ｐｈ−Ｐｙ−Ｒ４（II） （上式中、−Ｐｈ−は、１，４−フェニレン基を、−Ｐ
   ｙ−は、２，５−ピリミジル基を、Ｒ３、Ｒ４は直鎖ア
   ルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシルオキシ基又は
   直鎖アルコキシカルボニル基を示す。但しＲ３、Ｒ４の
   少なくとも一方は直鎖アルキル基を示すものとする。）
   で表される化合物。
4. （４） 特許請求の範囲（１）項一般式（ I ）で表される化合
   物と、次式（III）で表されるカイラルでないスメクチ
   ックＣ液晶を少なくとも一種含有することを特徴とする
   カイラルでないスメクチックＣ液晶組成物。 Ｒ５−Ｐｈ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｒ６（III） （−Ｐｈ−は１，４−フェニレン基を、Ｒ５、Ｒ６は直
   鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシルオキシ基
   又は直鎖アルコキシカルボニル基を示す。）で表される
   化合物。
5. （５） 特許請求の範囲（１）項一般式（ I ）で表される化合
   物と、次式（IV）で表されるカイラルでないスメクチッ
   クＣ液晶を少なくとも一種含有することを特徴とするカ
   イラルでないスメクチックＣ液晶組成物。 Ｒ７−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ８（IV） （−Ｐｈ−は１，４−フェニレン基を、Ｒ７、Ｒ８は直
   鎖アルキル基、直鎖アルコキシ基、直鎖アシルオキシ基
   又は直鎖アルコキシカルボニル基を示す。）で表される
   化合物。
6. （６） 特許請求の範囲（２）項、（３）項、（４）項、（５）
   項記載の液晶組成物と、光学活性な化合物を少なくとも
   一種含有することを特徴とするカイラルスメクチックＣ
   液晶組成物。
7. （７） カイラルスメクチックＣ相とカイラルネマチック相の両
   方を有することを特徴とした、特許請求の範囲（６）項
   記載の液晶組成物。
8. （８）カイラルネマチック相のある温度においてピッチ
   が無限大に発散することを特徴とする特許請求の範囲（
   ７）項記載の液晶組成物。
9. （９）カイラル物質が一般式（Ｖ） ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｖ） （但し、上式に於いて、Ｒ９は直鎖又は分岐の炭素数１
   −１８のアルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキ
   シアルキル基、又はアラルキル基を示し、＊は光学活性
   な炭素原子を示す。また、ａ、ｂ、ｃは０、１、または
   ２でしかもａ＋ｂ＋ｃが２以上であり、Ａは、単結合、
   −Ｏ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＯＯ−、−Ｏ−ＣＨ２−
   、または−ＯＣＯ−を示し、Ｂ、Ｃは、単結合、−ＣＯ
   Ｏ−、−ＯＣＯ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｃ
   Ｈ２−Ｏ−、−Ｏ−ＣＨ２−または−ＣＨ＝ＣＨ−を示
   し、Ｄは、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＯＯ−ＣＨ２
   −、−Ｏ−ＣＨ２−または−ＯＣＯ−を示しＸ、Ｙ、Ｚ
   、は１，４−フェニレン基、２，５−ピリミジン基、２
   ，５−ピラジン基またはベンゼン環に、ハロゲン、シア
   ノ基、ニトロ基、メチル基を１個またはそれ以上置換し
   た１，４−フェニレン基を表す。）で、表される化合物
   であることを特徴とした、特許請求の範囲（６）、（７
   ）、（８）項記載の液晶組成物。