JPH01315148A

JPH01315148A - 半導体装置の樹脂封止金型

Info

Publication number: JPH01315148A
Application number: JP14559388A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Okuaki; 奥秋　裕
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1988-06-15
Filing date: 1988-06-15
Publication date: 1989-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は樹脂封止半導体装置の樹脂封止に用いる金型に
係り、特に、その金型のランナ部周辺の構造に関するも
のである。

（従来の技術）従来、この種の分野の技術としては、例えば、特開昭５
４−１６２９６５号、実公昭５８−３９８６８号、特開
昭６２−１４０４２６号に記載されるものがあった。

以下、その構成を図を用いて説明する。

第３図は係る従来の樹脂封止金型の斜視図、第４図はそ
の樹脂封止金型における下型の平面図、第５図は第４図
のＡ−Ａ線断面図である。

この樹脂封止金型は、第３図に示すように、下型１及び
上型２を有し、その下方に配設される下型１には、第４
図に示すように、ランナブロック１０が設けられている
。このランナブロック１０における上型との接合面の略
中夫には、樹脂を収容し熔融するポット１１が穿設され
、更に、該ボッ）１１を中心にして放射状に断面略凹字
形の複数本のメインランナ１２が形成されている。メイ
ンランナ１２における溶融樹脂が接する壁面は粗面状、
例えば梨地状に形成されている。即ち、該梨地状の壁面
は、第５図に示すように放電加工或いはショットピーニ
ング加工等によって表面が粗くなるように形成されてい
る。下型のランナブロック１０の両側面には複数個の下
型チエイスブロック１３が接合して配設されている。各
下型チエイスブロック１３における上型との接合面には
、前記各メインランナ１２と鈍角に連接する断面略凹字
形のサブランナ１４がそれぞれ形成され、各サブランナ
１４における樹脂が接する壁面は前記メインランナ１２
の壁面と同様に梨地状に形成されている。各サブランナ
１４の両側の所定位置には、半導体素子を搭載したリー
ドフレームを収容する複数個のキャビティ１５が穿設さ
れている。各キャビティ１５と前記サブランナ１４とは
断面略凹字形のゲート１６によってそれぞれ連接されて
いる。

なお、下型と対向する上型には、図示しないが、前記ラ
ンナブロック１０及び下型チエイスブロック１３に接合
するチャンバブロック及び上型チエイスブロックが設け
られ、それら各ブロックにおける前記各ランチ１２．１
４を覆う遮蔽面も、前記各ランナ１２．１４の壁面と同
様に梨地状に形成されている。

次に、上記のように構成される樹脂封止金型を用いた半
導体装置の樹脂封止方法について説明する。

まず、予め加熱された下型と上型を開いた状態で、リー
ドフレームに搭載された半導体素子をキャビティ１５に
装填し、下型と上型とを型締めする。

次に、熱硬化性の封止用樹脂タブレットをチャンバから
投入すると、この樹脂タブレフトがポット１１内に収納
され、それが溶融してから図示しないプランジャによっ
て該樹脂を加圧する。すると、該溶融樹脂はボッ）１１
から各メインランナ１２及びサブランナ１４へと送られ
る。

第６図はメインランナ内を流れる樹脂の移動状態を示す
断面図である。

この図に示すように、溶融樹脂は、梨地の壁面の摩擦抵
抗によって樹脂中に渦流を生じながら移送され、攪拌さ
れながら進行する。更に、この壁の摩擦抵抗によって樹
脂の急激な進行が抑えられると共に、移送樹脂の先端が
球面を形成して進行する。同様にして溶融樹脂は更に各
サブランナ１４内を流れ、ゲーＨ６を経て各キャビティ
１５内に充填される。

各キャビティ１５に充填された樹脂が硬化した後、下型
と上型を開いてリードフレームを取り上げれば、樹脂封
止された半導体装置が得られる。

このような構成、作用を持つ樹脂封止金型によれば、次
のような利点を有する。

（１）各ランナ１２．１４の壁面を梨地状に形成したの
で、樹脂が各ランナ１２．１４を移送される過程で攪拌
されて該樹脂の温度分布が均一化する。これによって各
ランナ１２．１４内での良好な樹脂の移送状態が確保で
き、充填不足等による成形不良を軽減することができる
。

（２）各ランナ１２．１４の梨地状の壁面が、樹脂の急
激な進行を抑えると共に、各ランチ１２．１４を進行す
る樹脂の先端を球面状にして波を生じ難くするので、移
送中における樹脂内への空気の巻込みを軽減する。更に
、該壁面は既に樹脂内に混入している気泡を付着吸収す
る。これらによって成形品に発生するボイドやプリスタ
等を減らすことができる。

（３）各ランチ１２．１４の壁面は、放電加工等による
荒加工の状態で形成でき、従来のような鏡面仕上げ加工
や樹脂のコーティング加工などを施す必要がないので、
咳金型を容易かつ安価に製造することができる。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、上記従来の構成の装置では、ランナ部を
梨地状に加工するので、工数の増加及び加工精度（梨地
加工の均一性）を確保し難い、更に、樹脂の注入後、ラ
ンナ内で硬化した樹脂を除去する時、離型性が悪く、作
業性が劣るという問題点があった。

本発明は、上記問題点を除去し、信鯨性の高い半導体装
置を得ることができると共に、作業性に優れた半導体装
置の樹脂封止金型を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段）本発明は、上記問題点を解決するために、被梼脂封止半
導体装置を収容する複数個のキャビティと、該キャビテ
ィに樹脂を導入するランナ及びポットとを有する樹脂封
止金型において、前記ポットとキャビティ間の経路に封
止樹脂に含まれる気泡を吸収するダミーキャビティを設
けるようにしたものである。

（作用）本発明によれば、ランナ部を移送する過程で溶融樹脂の
先端部に内包された気泡をポットとキャビティ間の経路
に設けられるダミーキャビティにその気泡を内包した溶
融樹脂を充填させ、半導体装置がセントされるキャピテ
イには適正な状態の溶融樹脂を充填させ、未充填、気泡
等の発生を低減させることができる。

従って、信頼性の高い樹脂封止半導体装置を得ることが
できると共に、作業性に優れた半導体装置の樹脂封止金
型を得ることができる。

（実施例）以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止金型の要部平面
図、第２図はダミーキャビティの断面図である。

図中、２０はランナブロック、２１はポット、２２はメ
インランナ、２３はチエイスブロック、２４はサブラン
ナ、２５は半導体装置がセットされるキャビティ、２６
はゲート、３０はランナブロックに設けられるダミーキ
ャビティ、３１はチエイスブロックに設けられるダミー
キャビティであり、このキャビティは横断面及び縦断面
形状とも楕円乃至小判形の形状をしている。

まず、第１図に示すメインランナ２２又はサブランナ２
４を溶融樹脂がキャビティ２５に向かって流れる時に、
樹脂中に気泡を巻込んで、気泡を溶融樹脂中に内包して
しまう、従来例でも説明したように、この内包した溶融
樹脂中の気泡は主に流れる樹脂の先端部に発生するので
、メインランナ２２、サブランナ２４と各サブランナ２
４の一番ポソト２１よりのキャビティ２５との中間の一
部にダミーキャビティ３０．３１のどららか、または両
者を設ける。

そこで、流れる樹脂の先端部に発生した気泡を含んだ溶
融樹脂をそのダミーキャビティ３０及び又は３１をラン
ナ途中に形成しておいて発生する気泡を充填させ、気泡
を多（含んだ溶融樹脂が各キャビティに送られないよう
にする。それによって、未充填、ボイド等の発生が低減
できることになり、信頼性を高め、しかも作業性の向上
を図ることができる。

ここで、ダミーキャビティの形状は種々変形することが
できる。

以下、この点について第７図を用いて説明する。

ここで、第７図（ａ）乃至（ｃ）はダミーキャビティの
横断面形状を示し、第７図（ｄ）乃至（ｇ）はそのダミ
ーキャビティの縦断面形状を示している。

即ち、ダミーキャビティの横断面形状は、それぞれラン
ナ３２に連接され、第７図（ａ）に示すように、長方形
を有するダミーキャビティ３３としたり、第７図（ｂ）
に示すように、略正方形を有するダミーキャビティ３４
としたり、第７図（ｅ）に示すように、円形を有するダ
ミーキャビティ３５にすることができ、ダミーキャビテ
ィの縦断面形状は、第７図（ｄ）に示すように、７字形
を有するダミーキャビティ３６としたり、第７図（ｅ）
に示すように、Ｕ字形を有するダミーキャビティ３７と
したり、第７図Ｕ）に示すように、半円形を有するダミ
ーキャビティ３８としたり、角形を有するダミーキャビ
ティ３９にすることができる。そして、上記したダミー
キャビティの横断面形状と縦断面形状を適宜組み合わせ
ることにより、各種形状のダミーキャビティを形成する
ことができる。

また、ランナに設けられるダミーキャビティの数は適宜
増加させることができる。

次に、本発明の他の実施例を説明する。

第８図は本発明の他の実施例を示す樹脂封止金型の下型
の平面図、第９図は第８図の要部拡大断面図である。

この実施例においては、チエイスブロック４０の構成を
一部変更している。即ち、前記した半導体装置がセント
されるゲート４２を有するキャビティ４３のうち一番ボ
ソト２１よりのキャビティをダミーキャビティ４５とし
て用いるようにする。そして、そのダミーキャビティ４
５のゲート４４にはサブランナ４１を流れる気泡を含む
溶融樹脂を誘い込みやすいようにテーパを形成する。従
って、半導体装置がセットされるキャビティ４３におけ
るボイドの発生をその最寄りの位置において有効に防止
することができる。

なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果）以上、詳細に説明したように、本発明によれば、ランチ
部を移送する過程で溶融樹脂の先端部に内包された気泡
をポットとキャビティ間の経路に設けられるダミーキャ
ビティに、その気泡を内包した溶融樹脂を充填させ、半
導体装置がセットされるキャビティには適正な状態の溶
融樹脂を充填させ、未充填、気泡等の発生を低減させる
ことができる。

従って、信頬性の高い樹脂封止半導体装置を得ることが
できると共に、作業性に優れた半導体装置の樹脂封止金
型を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す樹脂封止金型の要部平面
図、第２図は第１図に示されるダミーキャビティの断面
図、第３図は従来の樹脂封止金型の斜視図、第４図はそ
の樹脂封止金型における下型の平面図、第５図は第４図
のＡ−Ａ線断面図、第６図はメインランナ内を流れる樹
脂の移動状態を示す断面図、第７図は本発明のダミーキ
ャビティの変形例を示す断面図、第８図は本発明の他の
実施例を示す樹脂封止金型の下型の平面図、第９図は第
８図の要部拡大断面図である。２０・・・ランナブロック、２１・・・ポット、２２・
・・メインランナ、２３．４０・・・チエイスブロック
、２４．４１・・・サブランナ、２５．４３・・・半導
体装置がセントされるキャビティ、２６．４２・・・ゲ
ート、３０．３１．３３．３４．３５゜３６、３７．３
８．３９．４５・・・ダミーキャビティ、３２・・・ラ
ンチ。特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

　被樹脂封止半導体装置を収容する複数個のキャビティ
と、該キャビティに樹脂を導入するランナ及びポットと
を有する樹脂封止金型において、前記ポットとキャビテ
ィ間の経路に封止樹脂に含まれる気泡を吸収するダミー
キャビティを設けるようにしたことを特徴とする半導体
装置の樹脂封止金型。