JPH01309414A - バッファ回路 - Google Patents
バッファ回路Info
- Publication number
- JPH01309414A JPH01309414A JP63140886A JP14088688A JPH01309414A JP H01309414 A JPH01309414 A JP H01309414A JP 63140886 A JP63140886 A JP 63140886A JP 14088688 A JP14088688 A JP 14088688A JP H01309414 A JPH01309414 A JP H01309414A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- channel mos
- terminal
- mos transistor
- turned
- whose
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Computing Systems (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Logic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バッファ回路特に駆動能力の大きいバッファ
回路に関する。
回路に関する。
一般にバッファ回路は負荷が大きい箇所、あるいはスピ
ードが要求される箇所に使用されている。
ードが要求される箇所に使用されている。
従来のバッファ回路の一例を第3図に示す。図において
ゲートを入力端子1に接続したインバータ17の出力は
端子18に接続される。PチャネルMOSトランジスタ
10のソース電源VDDゲートを端子18、ドレインを
出力端子1に接続しNチャネルMO3トランジスタ11
のソースをグランドGND、ゲートとドレインを前記P
チャネルMOSトランジスタ10のゲートとドレインに
それぞれ接続している。
ゲートを入力端子1に接続したインバータ17の出力は
端子18に接続される。PチャネルMOSトランジスタ
10のソース電源VDDゲートを端子18、ドレインを
出力端子1に接続しNチャネルMO3トランジスタ11
のソースをグランドGND、ゲートとドレインを前記P
チャネルMOSトランジスタ10のゲートとドレインに
それぞれ接続している。
従来のバッファ回路において、図3の入力端子1の電圧
が変化する期間については、PチャネルMOSトランジ
スタ10とNチャネルMOSトランジスタ11が共にオ
ンし、貫通電流が流れる。この貫通電流は無駄な消費電
力となり、またノイズを発生させる。このノイズはバッ
ファ回路の駆動能力や動作スピードによるが数十mVか
ら数百mVに達し、誤動作の原因となる。
が変化する期間については、PチャネルMOSトランジ
スタ10とNチャネルMOSトランジスタ11が共にオ
ンし、貫通電流が流れる。この貫通電流は無駄な消費電
力となり、またノイズを発生させる。このノイズはバッ
ファ回路の駆動能力や動作スピードによるが数十mVか
ら数百mVに達し、誤動作の原因となる。
本発明の目的は、貫通電流を流さないバッファ回路を提
供することにある。
供することにある。
本発明のバッファ回路は、複数のMOSトランジスタか
らなる群を2個有し、第1群の第1入力信号を第2群の
出力信号とし、第2群の第1入力信号を第1群の出力信
号とし、第1群の第2入力信号と第2群の第2入力信号
は共通の入力端子からの入力信号とし、第1群の出力と
第2群の出力とをそれぞれ出力共通でソース独立の各々
PチャネルMO8)う、ンジスタとNチャネルMOSト
ランジスタのゲートに入力することにより構成される。
らなる群を2個有し、第1群の第1入力信号を第2群の
出力信号とし、第2群の第1入力信号を第1群の出力信
号とし、第1群の第2入力信号と第2群の第2入力信号
は共通の入力端子からの入力信号とし、第1群の出力と
第2群の出力とをそれぞれ出力共通でソース独立の各々
PチャネルMO8)う、ンジスタとNチャネルMOSト
ランジスタのゲートに入力することにより構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の回路図である。
ソースを電源VDDに、ゲートを入力端子1に、ドレイ
ンを端子13に接続するPチャネルMOSトランジスタ
2と、ソースを端子15に、ゲートをインバータ5にの
出力に、ドレインを端子13に接続するNチャネルMO
Sトランジスタ3と、ドレインを端子15に、ゲートを
入力端子1に、ソースをグランドGNDに接続するNチ
ャネルMOSトランジスタ4と、ソースを電源VDDに
、ゲートを入力端子1に、ドレインを端子16に接続す
るPチャネルMOSトランジスタロと、ソースを端子1
6に、ゲートをインバータ9の出力に、ドレインを端子
14に接続するPチャネルMOSトランジスタ7と、ソ
ースをグランドGND。
ンを端子13に接続するPチャネルMOSトランジスタ
2と、ソースを端子15に、ゲートをインバータ5にの
出力に、ドレインを端子13に接続するNチャネルMO
Sトランジスタ3と、ドレインを端子15に、ゲートを
入力端子1に、ソースをグランドGNDに接続するNチ
ャネルMOSトランジスタ4と、ソースを電源VDDに
、ゲートを入力端子1に、ドレインを端子16に接続す
るPチャネルMOSトランジスタロと、ソースを端子1
6に、ゲートをインバータ9の出力に、ドレインを端子
14に接続するPチャネルMOSトランジスタ7と、ソ
ースをグランドGND。
ゲートを入力端子1に、ドレインを端子14に接続する
NチャネルMOSトランジスタ8と、ソースを電源VD
Dに、ゲートを端子13にドレインを出力端子12に接
続するPチャネルMOSトランジスタ10と、ソースを
グランドGND、ゲートを端子14に、ドレインを出力
端子12に接続するNチャネルMOSトランジスタ11
と、端子13をゲートとする前記インバータ9と、端子
14をゲートとする前記インバータ5を有している。
NチャネルMOSトランジスタ8と、ソースを電源VD
Dに、ゲートを端子13にドレインを出力端子12に接
続するPチャネルMOSトランジスタ10と、ソースを
グランドGND、ゲートを端子14に、ドレインを出力
端子12に接続するNチャネルMOSトランジスタ11
と、端子13をゲートとする前記インバータ9と、端子
14をゲートとする前記インバータ5を有している。
次にこの実施例につき動作を説明すると、入力端子1の
電圧レベルがVTNよりも低いとき、PチャネルMO3
トランジスタ2,6はオンし、NチャネルMOSトラン
ジスタ4,8はオフし端子3はハイレベルで、Pチャネ
ルMOSトランジスタ10はオフし、インバータ9の出
力はロウレベルでPチャネルMOSトランジスタフはオ
ンし、端子14はハイレベルでNチャネルMOSトラン
ジスタ11はオンする。逆に入力端子1の電圧レベルが
VTPよりも高いとき、PチャネルMOSトランジスタ
2,6はオフし、NチャネルMOSトランジスタ4,8
はオンし、端子4はロウレ−< ルでNチャネルMOS
トランジスタ11はオフし、インバータ5の出力はハイ
レベルでNチャネルMOSトランジスタ3はオンし、端
子14はロウレベルでPチャネルMOSトランジスタ1
0はオンする。次に入力端子1がロウレベルからハイレ
ベルに変化する過程において、VTNと同レベルになっ
た時に、NチャネルMOSトランジスタ4゜8がオンし
、端子14がハイレベルからロウレベルに変化する過程
においてVTNよりも低くなったときにNチャネルMO
Sトランジスタ11がオフし、インバータ5の出力はロ
ウレベルからハイレベルに変化し、VTNよりも高くな
ったときにNチャネルMOSトランジスタ3がオンし、
端子13がハイレベルからローレベルに変化する過程に
おいてvTPよりも低くなったときにPチャネルMOS
トランジスタ10がオンする。逆に、入力端子1がハイ
レベルからロウレベルに変化する過程において、VTP
と同レベルになった時に、PチャネルMOSトランジス
タ2,6がオンし、端子13がロウレベルからハイレベ
ルに変化する過程においてVTPよりも高くなったとき
に、PチャネルMOSトランジスタ10がオフし、イン
バータ9の出力はハイレベルからロウレベルに変化し、
VTPよりも低くなったときにPチャネルMOSトラン
ジスタがオンし、端子14がロウレベルからハイレベル
に変化する過程においてVTNよりも高くなったときに
NチャネルMOSトランジスタ11がオンする。ここに
V TN + V TPは各々NチャネルMOSトラン
ジスタ3,4,8,11、PチャネルMOSトランジス
タ2,6,7.10のスレッショルド電圧である。以上
の説明のように、入力端子1の電圧レベルが変化する期
間において、PチャネルMOSトランジスタ10とNチ
ャネルMOSトランジスタ11のどちらか片方がオフし
、共にオフの状態になった後もう片方がオンするため共
にオンする状態がない。なおインバータ5゜9、Nチャ
ネルMOSトランジスタ3,4,8、PチャネルMOS
トランジスタ2,6.7は駆動能力が小さいため貫通電
流は問題とならない。
電圧レベルがVTNよりも低いとき、PチャネルMO3
トランジスタ2,6はオンし、NチャネルMOSトラン
ジスタ4,8はオフし端子3はハイレベルで、Pチャネ
ルMOSトランジスタ10はオフし、インバータ9の出
力はロウレベルでPチャネルMOSトランジスタフはオ
ンし、端子14はハイレベルでNチャネルMOSトラン
ジスタ11はオンする。逆に入力端子1の電圧レベルが
VTPよりも高いとき、PチャネルMOSトランジスタ
2,6はオフし、NチャネルMOSトランジスタ4,8
はオンし、端子4はロウレ−< ルでNチャネルMOS
トランジスタ11はオフし、インバータ5の出力はハイ
レベルでNチャネルMOSトランジスタ3はオンし、端
子14はロウレベルでPチャネルMOSトランジスタ1
0はオンする。次に入力端子1がロウレベルからハイレ
ベルに変化する過程において、VTNと同レベルになっ
た時に、NチャネルMOSトランジスタ4゜8がオンし
、端子14がハイレベルからロウレベルに変化する過程
においてVTNよりも低くなったときにNチャネルMO
Sトランジスタ11がオフし、インバータ5の出力はロ
ウレベルからハイレベルに変化し、VTNよりも高くな
ったときにNチャネルMOSトランジスタ3がオンし、
端子13がハイレベルからローレベルに変化する過程に
おいてvTPよりも低くなったときにPチャネルMOS
トランジスタ10がオンする。逆に、入力端子1がハイ
レベルからロウレベルに変化する過程において、VTP
と同レベルになった時に、PチャネルMOSトランジス
タ2,6がオンし、端子13がロウレベルからハイレベ
ルに変化する過程においてVTPよりも高くなったとき
に、PチャネルMOSトランジスタ10がオフし、イン
バータ9の出力はハイレベルからロウレベルに変化し、
VTPよりも低くなったときにPチャネルMOSトラン
ジスタがオンし、端子14がロウレベルからハイレベル
に変化する過程においてVTNよりも高くなったときに
NチャネルMOSトランジスタ11がオンする。ここに
V TN + V TPは各々NチャネルMOSトラン
ジスタ3,4,8,11、PチャネルMOSトランジス
タ2,6,7.10のスレッショルド電圧である。以上
の説明のように、入力端子1の電圧レベルが変化する期
間において、PチャネルMOSトランジスタ10とNチ
ャネルMOSトランジスタ11のどちらか片方がオフし
、共にオフの状態になった後もう片方がオンするため共
にオンする状態がない。なおインバータ5゜9、Nチャ
ネルMOSトランジスタ3,4,8、PチャネルMOS
トランジスタ2,6.7は駆動能力が小さいため貫通電
流は問題とならない。
以上説明したように本発明は、PチャネルMOSトラン
ジスタ10とNチャネルMOSトランジスタ11より構
成される相補型MOSトランジスタの共にオンする期間
をなくすことで貫通電流を取り除き、無駄な消費電力を
無くし、ノイズを数mVにすることができる効果がある
。
ジスタ10とNチャネルMOSトランジスタ11より構
成される相補型MOSトランジスタの共にオンする期間
をなくすことで貫通電流を取り除き、無駄な消費電力を
無くし、ノイズを数mVにすることができる効果がある
。
第1図は本発明の一実施例のバッファ回路の回路図、第
2図は第1図の各部の波形図、第3図は従来のバッファ
回路の回路図、第4図は第3図の各部の波形図である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・PチャネルM
OSトランジスタ、3・・・・・・NチャネルMOSト
ランジスタ、4・・・・・・NチャネルMOSトランジ
スタ、5・・・・・・インバータ、6・・・・・・Pチ
ャネルMOSトランジスタ、7・・・・・・Pチャネル
MOSトランジスタ、8・・・・・・NチャネルMOS
トランジスタ、9・・・・・・インバータ、10・・・
・・・PチャネルMOSトランジスタ、11・・・・・
・NチャネルMO8+−ランジスタ、12・・・・・・
出力端子、17・・・・・・インバータ。 代理人 弁理士 内 原 音
2図は第1図の各部の波形図、第3図は従来のバッファ
回路の回路図、第4図は第3図の各部の波形図である。 1・・・・・・入力端子、2・・・・・・PチャネルM
OSトランジスタ、3・・・・・・NチャネルMOSト
ランジスタ、4・・・・・・NチャネルMOSトランジ
スタ、5・・・・・・インバータ、6・・・・・・Pチ
ャネルMOSトランジスタ、7・・・・・・Pチャネル
MOSトランジスタ、8・・・・・・NチャネルMOS
トランジスタ、9・・・・・・インバータ、10・・・
・・・PチャネルMOSトランジスタ、11・・・・・
・NチャネルMO8+−ランジスタ、12・・・・・・
出力端子、17・・・・・・インバータ。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- 複数のMOSトランジスタからなる群を2個有し、第1
群の第1入力信号を第2群の出力信号とし、第2群の第
1入力信号を第1群の出力信号とし、第1群の第2入力
信号と第2群の第2入力信号は共通の入力端子からの入
力信号とし、第1群の出力と第2群の出力とをそれぞれ
出力共通でソース独立の各々PチャネルMOSトランジ
スタとNチャネルMOSトランジスタのゲートに入力す
ることを特徴とするバッファ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63140886A JPH01309414A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バッファ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63140886A JPH01309414A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バッファ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01309414A true JPH01309414A (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=15279066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63140886A Pending JPH01309414A (ja) | 1988-06-07 | 1988-06-07 | バッファ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01309414A (ja) |
-
1988
- 1988-06-07 JP JP63140886A patent/JPH01309414A/ja active Pending
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