JPH01302875A - 装置およびその製造方法 - Google Patents
装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH01302875A JPH01302875A JP1081644A JP8164489A JPH01302875A JP H01302875 A JPH01302875 A JP H01302875A JP 1081644 A JP1081644 A JP 1081644A JP 8164489 A JP8164489 A JP 8164489A JP H01302875 A JPH01302875 A JP H01302875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- numerical value
- alloy
- amorphous alloy
- indicates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims abstract description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910004228 TaPd Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004231 TaRh Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910000687 transition metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0576—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers characterised by the substrate
- H10N60/0632—Intermediate layers, e.g. for growth control
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0744—Manufacture or deposition of electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/70—High TC, above 30 k, superconducting device, article, or structured stock
- Y10S505/701—Coated or thin film device, i.e. active or passive
- Y10S505/702—Josephson junction present
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/873—Active solid-state device
- Y10S505/874—Active solid-state device with josephson junction, e.g. squid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子と酸化物の超伝導性物質から成る
導体トランクを備え、導電接続が半導体素子と導体トラ
ックの間に形成されており、導電接続が少くとも１層の
拡散防止層を有する装置に関するものである。導電接続
は、所要に応じて、単に拡散防止層により形成すること
ができる。
導体トランクを備え、導電接続が半導体素子と導体トラ
ックの間に形成されており、導電接続が少くとも１層の
拡散防止層を有する装置に関するものである。導電接続
は、所要に応じて、単に拡散防止層により形成すること
ができる。
本発明はまたかかる装置の製造方法に関するものである
。
。
（従来の技術）
アプライド・フィジックス・レターズ５１ （１３）。
第１０２７〜１０２９頁（１９８７）のエム、ガービッ
チおよびエイ、ティー、フィオリーによる論文に、種々
の基板、例えば珪素上にパターンに従って超伝導性化合
物ＹＢａ２Ｃｕ：＋Ｏｔの薄層を製造する方法が記載さ
れている。大部分の基体の場合拡散防止層が必要である
ことが見出された。このために、電気絶縁層が研究され
ただけでなく、導電性拡散防止層、例えばＡｇ、 Ｎｂ
およびＣｕの層も研究されたが、これ等を珪素基板上に
適用することは層の接着が劣ること並びに酸化物化合物
が所望温度（７７に以上）で超伝導性を示さないことの
ために、望ましい結果が得られなかった。
チおよびエイ、ティー、フィオリーによる論文に、種々
の基板、例えば珪素上にパターンに従って超伝導性化合
物ＹＢａ２Ｃｕ：＋Ｏｔの薄層を製造する方法が記載さ
れている。大部分の基体の場合拡散防止層が必要である
ことが見出された。このために、電気絶縁層が研究され
ただけでなく、導電性拡散防止層、例えばＡｇ、 Ｎｂ
およびＣｕの層も研究されたが、これ等を珪素基板上に
適用することは層の接着が劣ること並びに酸化物化合物
が所望温度（７７に以上）で超伝導性を示さないことの
ために、望ましい結果が得られなかった。
（発明が解決しようとする課題）
酸化物超伝導性物質を被着して良好な結果を得ることが
できる基体は、一般に絶縁性酸化物、例えばにｇＯ，Ｚ
ｒＯ□および５ｒＴｉ０３並びに貴金属、例えば金およ
び銀である。金および銀は導電接続を形成するのに使用
することができるが、これ等の金属は拡散障壁として使
用するのに極めて適さなかった。金は、半導体装置と接
触させて使用するには低温でＳｉ −Ａｕ共融組成物を
形成する可能性があるためあまり適当でない。銀は銀そ
れ自体の拡散速度が大であるので適当でない。
できる基体は、一般に絶縁性酸化物、例えばにｇＯ，Ｚ
ｒＯ□および５ｒＴｉ０３並びに貴金属、例えば金およ
び銀である。金および銀は導電接続を形成するのに使用
することができるが、これ等の金属は拡散障壁として使
用するのに極めて適さなかった。金は、半導体装置と接
触させて使用するには低温でＳｉ −Ａｕ共融組成物を
形成する可能性があるためあまり適当でない。銀は銀そ
れ自体の拡散速度が大であるので適当でない。
半導体装置に用いるための拡散防止層は若干の必要条件
を満足しなければならない。半導体技術において、例え
ば４５０°Ｃの温度で適用される５ｔＪａの保護層が使
用される。この温度で、望ましくない反応が、予め設け
た層においてまた層間で起つてはならない。この温度で
拡散防止層の酸化が行われてはならない。
を満足しなければならない。半導体技術において、例え
ば４５０°Ｃの温度で適用される５ｔＪａの保護層が使
用される。この温度で、望ましくない反応が、予め設け
た層においてまた層間で起つてはならない。この温度で
拡散防止層の酸化が行われてはならない。
本発明の目的は、半導体装置を製造するための従来法に
おいてまた慣用の温度（５５０°Ｃまでの温度）で使用
することができる導電性拡散防止層を提供することにあ
る。
おいてまた慣用の温度（５５０°Ｃまでの温度）で使用
することができる導電性拡散防止層を提供することにあ
る。
かかる用途で、拡散防止層は、Ｓｉ、 ５ｉＧｅ、 Ｇ
ａＡｓの如き半導体物質またはＹＢａｚＣｕ３０ｔの如
き、超伝導性酸化物と反応すべきではない。拡散防止層
は安定な構造を有し且つ低温度（４５０°Ｃ以下）で酸
化しない物質から成る必要がある。
ａＡｓの如き半導体物質またはＹＢａｚＣｕ３０ｔの如
き、超伝導性酸化物と反応すべきではない。拡散防止層
は安定な構造を有し且つ低温度（４５０°Ｃ以下）で酸
化しない物質から成る必要がある。
（課題を解決するための手段）
この目的は、本発明において、拡散防止層が２種類の遷
移金属の、少くとも９００にの結晶化温度を有する非晶
質合金から成る序文に記載した装置により達成される。
移金属の、少くとも９００にの結晶化温度を有する非晶
質合金から成る序文に記載した装置により達成される。
適当な非晶質合金は、次式
％式％
（式中のＡはＴｉｌ Ｚｒ＋ ＋＋ｒ、 ＮｂおよびＴ
ａから成る群から選択され、ＢはＩｒ、 ＰｄおよびＰ
ｔから成る群から選択され、Ｘは０．４〜０．８の数値
を示す）で表わされる組成を有する。
ａから成る群から選択され、ＢはＩｒ、 ＰｄおよびＰ
ｔから成る群から選択され、Ｘは０．４〜０．８の数値
を示す）で表わされる組成を有する。
非晶質合金を使用するため、有効な拡散障壁が得られる
。この理由は粒界が非晶質合金には存在しないので、粒
界に沿って搬送されないからである。非晶質層は、半導
体装置を更に加工する間曝露される温度が結晶化温度よ
り十分に低いので、安定である。選定される合金は８０
０Ｋまでの温度でＳ＋、 Ｇｅ＋ ＧａおよびＡｓの如
き半導体物質の元素と反応しない。他の利点は８００Ｋ
までの温度で合金が半導体装置における導体トラックに
使用されるアルミニウムと反応しない。アルミニウム層
は非晶質金属合金を適用する前および後に装置に設ける
ことができる。
。この理由は粒界が非晶質合金には存在しないので、粒
界に沿って搬送されないからである。非晶質層は、半導
体装置を更に加工する間曝露される温度が結晶化温度よ
り十分に低いので、安定である。選定される合金は８０
０Ｋまでの温度でＳ＋、 Ｇｅ＋ ＧａおよびＡｓの如
き半導体物質の元素と反応しない。他の利点は８００Ｋ
までの温度で合金が半導体装置における導体トラックに
使用されるアルミニウムと反応しない。アルミニウム層
は非晶質金属合金を適用する前および後に装置に設ける
ことができる。
本発明の装置の好適例において、非晶質合金は、ＴＩＸ
■ｒ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．８の数値） 、Ｎ
ｂｘｌｒ＋−ｘ（但しＸは０．４〜０．７の数値）およ
びＴａ、（Ｔｒ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数
値）から選定する。
■ｒ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．８の数値） 、Ｎ
ｂｘｌｒ＋−ｘ（但しＸは０．４〜０．７の数値）およ
びＴａ、（Ｔｒ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数
値）から選定する。
他の好適例において、非晶質合金は、ＨｆオＰｄ、。
（但しＸは０．５〜０．８の数値） 、Ｎｂ−Ｐｄ＋−
Ｘ（但しＸは０．４〜０．７５の数値）およびＴａｘＰ
ｄ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数値を示す）か
ら選定する。
Ｘ（但しＸは０．４〜０．７５の数値）およびＴａｘＰ
ｄ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数値を示す）か
ら選定する。
本発明の他の好適例において、非晶質合金は、Ｔ＋Ｘｒ
’ｔ＋−ｘ （但しＸは０．５〜０．８の数値）、Ｚｒ
ＸＰｔ１．、Ｘ（但しＸは０．４〜０．７の数値） 、
１ｆｘＰｔ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数値）
、Ｎｂ、Ｐｔｌ□（但しＸは０．５〜０．８の数値）
およびＴａｘＰｔ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７５
の数値）から選定する。
’ｔ＋−ｘ （但しＸは０．５〜０．８の数値）、Ｚｒ
ＸＰｔ１．、Ｘ（但しＸは０．４〜０．７の数値） 、
１ｆｘＰｔ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７の数値）
、Ｎｂ、Ｐｔｌ□（但しＸは０．５〜０．８の数値）
およびＴａｘＰｔ＋−ｘ （但しＸは０．４〜０．７５
の数値）から選定する。
所望の酸素含有量、従って所望の超伝導性を得るために
、酸化物超伝導性物質の薄膜を高温度で被着するかまた
は空気中若しくは酸素中高温度で後処理する。アプライ
ド・フィジックス・レターズ針、 （２６）、第２２６
３〜２２６５頁（１９８７）におけるエッチ、アダチ等
による論文中に、超伝導性ＹＢａｚＣｕ３０ｔを比較的
低い温度６５０°Ｃで製造することができる方法が記載
されている。上記温度で、若干の上記非晶質金属合金の
酸化が行われる。この理由のため、超伝導性トラックを
存する半導体装置を製造する方法は、超伝導性物質の加
熱が非晶質金属合金を被着する前に行われるように実施
するのが好ましい。
、酸化物超伝導性物質の薄膜を高温度で被着するかまた
は空気中若しくは酸素中高温度で後処理する。アプライ
ド・フィジックス・レターズ針、 （２６）、第２２６
３〜２２６５頁（１９８７）におけるエッチ、アダチ等
による論文中に、超伝導性ＹＢａｚＣｕ３０ｔを比較的
低い温度６５０°Ｃで製造することができる方法が記載
されている。上記温度で、若干の上記非晶質金属合金の
酸化が行われる。この理由のため、超伝導性トラックを
存する半導体装置を製造する方法は、超伝導性物質の加
熱が非晶質金属合金を被着する前に行われるように実施
するのが好ましい。
半導体素子および酸化物材料の導体トランクを備える装
置の製造方法を提供する目的は、本発明において、超伝
導性物質を所望の超伝導性を得るために被着した後加熱
し、パターンに従って被着する超伝導性物質における孔
を、介して加熱後導電接続を設ける方法により達成され
る。
置の製造方法を提供する目的は、本発明において、超伝
導性物質を所望の超伝導性を得るために被着した後加熱
し、パターンに従って被着する超伝導性物質における孔
を、介して加熱後導電接続を設ける方法により達成され
る。
例えばＭｇＯおよび５ｒＴｉ０１を、超伝導トラックと
下側の半導体素子との間に電気的接点であってはならな
い電気絶縁層として既知方法で設けることができる。本
発明を達成するに至る間行った実験において、ＭｇＯの
使用はこの材料と超伝導性材料との間に若干反応が行わ
れるようになることを見出した。５ｒＴｉＯ＋は高比誘
電率（１００〜２００）を有しこれにより半導体装置に
望ましくないキャパシタンスを導く場合がある。従って
、この材料は高開閉速度を必要とする用途にあまり適さ
ない。
下側の半導体素子との間に電気的接点であってはならな
い電気絶縁層として既知方法で設けることができる。本
発明を達成するに至る間行った実験において、ＭｇＯの
使用はこの材料と超伝導性材料との間に若干反応が行わ
れるようになることを見出した。５ｒＴｉＯ＋は高比誘
電率（１００〜２００）を有しこれにより半導体装置に
望ましくないキャパシタンスを導く場合がある。従って
、この材料は高開閉速度を必要とする用途にあまり適さ
ない。
従って本発明の特に有利な例は、半導体素子と導体トラ
ック間のパターン化した電気箱！！層を、２種の遷移金
属の非晶質合金から製造するが、この合金を超伝導性材
料と同時に加熱し、これにより電気絶縁性金属酸化物を
形成することを特徴とする。この例の方法は、極めて簡
単である。この理由は同じ材料が使用されるが、それに
も拘らず方法の順序を変えることで望ましい結果が得ら
れるためである。加熱前被着する非晶質金属合金は絶縁
層を形成し、加熱後被着する非晶質金属合金が導電接続
を形成する。この方法において得られる極めて適する絶
縁性金属酸化物は、ＴａｚＯｉ＋ ＨｆＯ□およびＺｒ
Ｏ□である。
ック間のパターン化した電気箱！！層を、２種の遷移金
属の非晶質合金から製造するが、この合金を超伝導性材
料と同時に加熱し、これにより電気絶縁性金属酸化物を
形成することを特徴とする。この例の方法は、極めて簡
単である。この理由は同じ材料が使用されるが、それに
も拘らず方法の順序を変えることで望ましい結果が得ら
れるためである。加熱前被着する非晶質金属合金は絶縁
層を形成し、加熱後被着する非晶質金属合金が導電接続
を形成する。この方法において得られる極めて適する絶
縁性金属酸化物は、ＴａｚＯｉ＋ ＨｆＯ□およびＺｒ
Ｏ□である。
本発明の装置および方法において用いることができる酸
化物超伝導性物質は（Ｌａ、５ｒ）ｚｃｕＯａで、この
場合ＳｒをＢａにより置換することができる。他の適当
な酸化物超伝導性材料はＹＢａ２Ｃｕ３０１．、 （
但しδは０．１〜０．５の数値）である。ＹＢａｚＣｕ
：＋Ｏｔ、 ｅは約９０にのＴｃ値を有する。酸素は部
分的に弗素により置換することができ、例えば上記組成
式において１原子までを置換することができ、これによ
りＴｃが増加する。更に、Ｙを１種以上の希土類金属に
より置換することができ、Ｂａは他のアルカリ土類金属
、例えばＳｒにより置換することができる。
化物超伝導性物質は（Ｌａ、５ｒ）ｚｃｕＯａで、この
場合ＳｒをＢａにより置換することができる。他の適当
な酸化物超伝導性材料はＹＢａ２Ｃｕ３０１．、 （
但しδは０．１〜０．５の数値）である。ＹＢａｚＣｕ
：＋Ｏｔ、 ｅは約９０にのＴｃ値を有する。酸素は部
分的に弗素により置換することができ、例えば上記組成
式において１原子までを置換することができ、これによ
りＴｃが増加する。更に、Ｙを１種以上の希土類金属に
より置換することができ、Ｂａは他のアルカリ土類金属
、例えばＳｒにより置換することができる。
Ｔｃは臨界温度で、この温度以下で物質は超伝導性挙動
を示す。本発明において、他の超伝導性物質例えば１０
０Ｋ以上のＴｃを存するＢｉ＋ ＣａおよびＳｒを含む
銅酸塩も使用することができる。
を示す。本発明において、他の超伝導性物質例えば１０
０Ｋ以上のＴｃを存するＢｉ＋ ＣａおよびＳｒを含む
銅酸塩も使用することができる。
米国特許第４５４６３７３号明細書には、半導体装置に
おいて非晶質Ｔａ１ｒ合金をＧａＡｓとＡｕとの間に拡
散防止層として７７３Ｋまでの温度において使用するこ
とが記載されている。非晶質ＴａＩｒは超伝導性材料ま
たは酸化物材料と接触しない。数種の材料だけがＴａ１
ｒを超伝導性化合物と一緒に使用するため酸化物超伝導
性物質と接触させて使用するのに適することが証明され
たのでこのことは極めて明らかでない。この目的に適す
ることが知られていた僅かな金属は貴金属の金および銀
である。
おいて非晶質Ｔａ１ｒ合金をＧａＡｓとＡｕとの間に拡
散防止層として７７３Ｋまでの温度において使用するこ
とが記載されている。非晶質ＴａＩｒは超伝導性材料ま
たは酸化物材料と接触しない。数種の材料だけがＴａ１
ｒを超伝導性化合物と一緒に使用するため酸化物超伝導
性物質と接触させて使用するのに適することが証明され
たのでこのことは極めて明らかでない。この目的に適す
ることが知られていた僅かな金属は貴金属の金および銀
である。
ジャーナル・オプ・アプライド・フィジックス並（ｉ２
）、 第４１７７〜４１８１頁（１９８６）における
エル。
）、 第４１７７〜４１８１頁（１９８６）における
エル。
ニス、ハング等による論文に、一方の珪素と他方の金お
よびアルミニウムとの間にＣｏＴａおよびＣｏＭ。
よびアルミニウムとの間にＣｏＴａおよびＣｏＭ。
の非晶質拡散障壁を使用することが記載されている。４
５０ ’Ｃまでの温度における使用は、他の層、例えば
ＴａＡ ｌ ３の層の存在を必要とする。
５０ ’Ｃまでの温度における使用は、他の層、例えば
ＴａＡ ｌ ３の層の存在を必要とする。
（実施例）
次に図面を参照して本発明を実施例につき説明する。
次新ｌ九上
合金形成のエンタルピーから、遷移金属の次の合金：
Ｔａ１ｒ、 ＴａＰｔ、 ＴａＰｄ、 ＴａＲｈ、 Ｈ
ｆＰｔ、 ＨｆＰｄ。
Ｔａ１ｒ、 ＴａＰｔ、 ＴａＰｄ、 ＴａＲｈ、 Ｈ
ｆＰｔ、 ＨｆＰｄ。
ＺｒＰｔ、 ＺｒＡｕ、 ＺｒＰｄ、 Ｎｂ１ｒ、 Ｎ
ｂＰｔ＋ ＮｂＲＪ ＮｂＰｄ＋ＹＰｔ＋ Ｙｒ’ｄ、
ＶＩＲ＋ Ｔｉ１ｒ、 ＴｉＰｔ、 ＴｉＲｈ＋ Ｔ
ｉＰｄ＋ ５ｃＰｔ。
ｂＰｔ＋ ＮｂＲＪ ＮｂＰｄ＋ＹＰｔ＋ Ｙｒ’ｄ、
ＶＩＲ＋ Ｔｉ１ｒ、 ＴｉＰｔ、 ＴｉＲｈ＋ Ｔ
ｉＰｄ＋ ５ｃＰｔ。
５ｃＡｕおよび５ｃＰｄは、高温においてのみ例えば半
導体物質と反応する。
導体物質と反応する。
次式
％式％
（式中のＡはＴｉ＋ Ｚｒ、 Ｉｌｊ、 ＮｂまたはＴ
ａ、 ＢはＩｒ。
ａ、 ＢはＩｒ。
ＰｄまたはＰｔを示す）で表わされる非晶質合金に対し
、Ｘが若干の数値を示すものの結晶化温度を測定した。
、Ｘが若干の数値を示すものの結晶化温度を測定した。
この目的のため、非晶質合金の薄層をＮａＣｌの単結晶
上に蒸着によりつくった。この非晶質合金を上昇する温
度で加熱し、次いで冷却して結晶化度を測定した。結晶
化度はＸ線回折および電子回折により測定した。
上に蒸着によりつくった。この非晶質合金を上昇する温
度で加熱し、次いで冷却して結晶化度を測定した。結晶
化度はＸ線回折および電子回折により測定した。
次の表は、若干の合金の組成範囲および対応する最低結
晶化温度を示す。
晶化温度を示す。
表
ＡＢ ｘ Ｔう（Ｋ）Ｔａ
Ｉｒ ０．４〜０．７ １１７
０Ｔａ Ｐｔ ０．４〜０．７５
１１７０Ｉｆｆ ＰｔＯ，４〜０．７
９７０Ｚｒ Ｐｔ ０．４〜０．７
９０ＯＮｂ Ｉｒ Ｏ，４〜
０．１ １１００Ｎｂ Ｐｔ
Ｏ，５〜０．８ １１００Ｔａ Ｐｄ
０．４〜０．７ １１００１１ｆ
Ｐｄ Ｏ，５〜０．８ ９００Ｔ
ｉ Ｉｒ ０．４〜０．８ ９
７０Ｔｉ Ｐｔ Ｏ，５〜０．８
９７ＯＮｂ Ｐｄ Ｏ，４〜０．７
５ １０２０エル、ニス、ハング等による前記文
献に結晶化温度以下の温度で既に反応が非晶質金属合金
と珪素との間に起り得ることが記載されているので、非
晶質金属合金と若干の物質を接触させ、加熱する若干の
実験を行なった。得られた結果をＸ線回折およびラザフ
ォード後方散乱（１？ＢＳ）により分析した。
Ｉｒ ０．４〜０．７ １１７
０Ｔａ Ｐｔ ０．４〜０．７５
１１７０Ｉｆｆ ＰｔＯ，４〜０．７
９７０Ｚｒ Ｐｔ ０．４〜０．７
９０ＯＮｂ Ｉｒ Ｏ，４〜
０．１ １１００Ｎｂ Ｐｔ
Ｏ，５〜０．８ １１００Ｔａ Ｐｄ
０．４〜０．７ １１００１１ｆ
Ｐｄ Ｏ，５〜０．８ ９００Ｔ
ｉ Ｉｒ ０．４〜０．８ ９
７０Ｔｉ Ｐｔ Ｏ，５〜０．８
９７ＯＮｂ Ｐｄ Ｏ，４〜０．７
５ １０２０エル、ニス、ハング等による前記文
献に結晶化温度以下の温度で既に反応が非晶質金属合金
と珪素との間に起り得ることが記載されているので、非
晶質金属合金と若干の物質を接触させ、加熱する若干の
実験を行なった。得られた結果をＸ線回折およびラザフ
ォード後方散乱（１？ＢＳ）により分析した。
Ｔａ１ｒおよびＴａＰｄの薄層を、電子ビーム蒸発によ
り珪素上に設けた。表に示すようなχの値の場合の組成
では、Ｔａ１ｒの場合非晶質金属合金と基板との間に１
０５０Ｋまでの温度で反応は行われず、ＴａＰ＋１の場
合８５０Ｋまでの温度で反応は行われなかった。
り珪素上に設けた。表に示すようなχの値の場合の組成
では、Ｔａ１ｒの場合非晶質金属合金と基板との間に１
０５０Ｋまでの温度で反応は行われず、ＴａＰ＋１の場
合８５０Ｋまでの温度で反応は行われなかった。
１μｍの厚さを有するＹＢａ２ＣｕｓＯｔの層を、珪素
基板上のＴａｌｒＦＪ層上にレーザーアブレージタンに
より設けた。非晶質金属合金を酸素中で加熱する場合、
この合金は７７０にの温度で酸化され、これにより多結
晶酸化物が形成された。９２０Ｋまでの温度で、超伝導
性物質との反応は行われず、１１２０Ｋまでの温度で珪
素との反応は行われなかった。また他の非晶質金属合金
では、酸化が行われる温度は７５０〜８５０にであった
。
基板上のＴａｌｒＦＪ層上にレーザーアブレージタンに
より設けた。非晶質金属合金を酸素中で加熱する場合、
この合金は７７０にの温度で酸化され、これにより多結
晶酸化物が形成された。９２０Ｋまでの温度で、超伝導
性物質との反応は行われず、１１２０Ｋまでの温度で珪
素との反応は行われなかった。また他の非晶質金属合金
では、酸化が行われる温度は７５０〜８５０にであった
。
１μｍの厚さを有するＹＢａｚＣｕ３０７０層を５ｒＴ
ｉＯａ基板上に金属の高周波（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ）スパン夕により設け、次いで酸化した。次い
でＴａ１ｔの層を設けたが、真空中で１０２（ＩＫまで
の温度で超伝導性化合物と反応しなかった。
ｉＯａ基板上に金属の高周波（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕ
ｅｎｃｙ）スパン夕により設け、次いで酸化した。次い
でＴａ１ｔの層を設けたが、真空中で１０２（ＩＫまで
の温度で超伝導性化合物と反応しなかった。
側１例」。
第１図に示すように、珪素基板１上に酸化マグネシウム
絶８ｉ層２をパターンに従って設け、この絶縁層２上に
ＹＢａ２Ｃｕ、０．．７の酸化物超伝導Ｎ３を設けた。
絶８ｉ層２をパターンに従って設け、この絶縁層２上に
ＹＢａ２Ｃｕ、０．．７の酸化物超伝導Ｎ３を設けた。
或いはまた基板材料としてＧａＡｓを使用することがで
きる。また絶縁層は、例えば５ｒＴｉ０３またはＺｒＯ
７で形成することができる。
きる。また絶縁層は、例えば５ｒＴｉ０３またはＺｒＯ
７で形成することができる。
酸化物超伝導装置を被着する適当な方法は、例えばエッ
チ、アダナ等により前記論文に記載されている。かかる
層をパターンに従ってつくる適当な方法は、例えばエム
、ガービッチおよびエイ。
チ、アダナ等により前記論文に記載されている。かかる
層をパターンに従ってつくる適当な方法は、例えばエム
、ガービッチおよびエイ。
ティー、フィオリーにより前記論文に記載されている。
この方法により、Ｙ、ＢａおよびＣｕの金属合金をマグ
ネトロン スパックにより堆積し、次いで酸化させた。
ネトロン スパックにより堆積し、次いで酸化させた。
予備アニール工程（純酸素中８００°Ｃで５分）後フィ
ルムを従来の平版印刷法によりパターン化し、０．０１
Ｎ硝酸または酢酸中でエツチングした。パターン化した
層を次いで９２０°Ｃで数分間再アニールした。
ルムを従来の平版印刷法によりパターン化し、０．０１
Ｎ硝酸または酢酸中でエツチングした。パターン化した
層を次いで９２０°Ｃで数分間再アニールした。
半導体物質１と超伝導性層３との間に絶縁層２および超
伝導層３における孔４を介して非晶質金属合金、本例に
おいてはＴａｏ、 ５Ｐｄｏ、 ｓの層５により導電接
続を形成した。
伝導層３における孔４を介して非晶質金属合金、本例に
おいてはＴａｏ、 ５Ｐｄｏ、 ｓの層５により導電接
続を形成した。
所要に応じて、恨または金のＮ６を超伝導性層３と非晶
質金属層５の間に電気的接続を改善するために設けるこ
とができる。
質金属層５の間に電気的接続を改善するために設けるこ
とができる。
半導体装置の製造における他の工程において８００Ｋを
超える温度は使用しなかった。この結果基板における超
伝導性物質の導体トラックと半導体素子（図示せず）と
の間に適当な導電接続が得られ、相互拡散が回避された
。
超える温度は使用しなかった。この結果基板における超
伝導性物質の導体トラックと半導体素子（図示せず）と
の間に適当な導電接続が得られ、相互拡散が回避された
。
実墜貫ユ
第２図に示すように、例えば珪素から成る基板ｌｌ上に
非晶質金属合金Ｔａｏ、 ５ｓｌｒｏ、 ａ５の層１２
をパターンに従って設けた。後者の層の表面にＹＢａｚ
ＣｕｓＯａ、 ７の層１３を設けた。両層を１１７０に
の温度で同時に加熱した。この操作で層１２はＴａｘｅ
、とＩｒｅ、の多結晶電気絶縁層に転換し、層１３は所
望の組成および超伝導性を有した。絶縁性層１２とこれ
に接する層との間には反応は行われなかった。
非晶質金属合金Ｔａｏ、 ５ｓｌｒｏ、 ａ５の層１２
をパターンに従って設けた。後者の層の表面にＹＢａｚ
ＣｕｓＯａ、 ７の層１３を設けた。両層を１１７０に
の温度で同時に加熱した。この操作で層１２はＴａｘｅ
、とＩｒｅ、の多結晶電気絶縁層に転換し、層１３は所
望の組成および超伝導性を有した。絶縁性層１２とこれ
に接する層との間には反応は行われなかった。
実施例２に示した方法でＴａｏ、 ５ｓｌｒｏ、 ４ｓ
の導電接続１５が基板と超伝導性物質の間に確立された
。
の導電接続１５が基板と超伝導性物質の間に確立された
。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の一例装置におけ
る導電接続を示すための装置の部分断面 、図である
。 １・・・珪素基板 ２・・・酸化マグネシウム絶縁性層 ３・・・酸化物超伝導性層 ４・・・孔５・・・非晶質
金属合金の層 ６・・・金または銀の層 １１・・・基板１２−Ｔａ
ｏ、 ５ｓＩｒｏ、 ４５の層 １３”’ＹＢａｚＣｕ
ｓＯａ、 ？の層１５・・・導電層 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファプリケン
る導電接続を示すための装置の部分断面 、図である
。 １・・・珪素基板 ２・・・酸化マグネシウム絶縁性層 ３・・・酸化物超伝導性層 ４・・・孔５・・・非晶質
金属合金の層 ６・・・金または銀の層 １１・・・基板１２−Ｔａ
ｏ、 ５ｓＩｒｏ、 ４５の層 １３”’ＹＢａｚＣｕ
ｓＯａ、 ？の層１５・・・導電層 特許出願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイラ
ンペンファプリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体素子と酸化物の超伝導性物質から成る導体ト
ラックを備え、導電接続が半導体素子と導体トラックの
間に形成されており、導電接続が少くとも１層の拡散防
止層を有する装置において拡散防止層が２種の遷移金属
の非晶質合金から成り、該合金が少くとも９００Ｋの結
晶化温度を有することを特徴とする装置。 ２、非晶質合金がＡ＿ｘＢ＿１＿−＿ｘ（但しＡはＴｉ
、Ｚｒ、Ｈｆ、ＮｂおよびＴａから成る群から選択され
、ＢはＩｒ、ＰｄおよびＰｔから成る群から選択され、
ｘは０．４〜０．８の数値を示す）で表わされる組成を
有することを特徴とする請求項１記載の装置。 ３、非晶質合金がＴｉ＿ｘＩｒ＿１＿−＿ｘ（但しｘは
０．４〜０．８の数値を示す）、Ｎｂ＿ｘＩｒ＿１＿−
＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７の数値を示す）およびＴ
ａ＿ｘＩｒ＿１＿−＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７の数
値を示す）から成る群から選ばれたことを特徴とする請
求項２記載の装置。 ４、非晶質合金がＨｆ＿ｘＰｄ＿１＿−＿ｘ（但しｘは
０．５〜０．８の数値を示す）、Ｎｂ＿ｘＰｄ＿１＿−
＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７５の数値を示す）および
Ｔａ＿ｘＰｄ＿１＿−＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７の
数値を示す）から成る群から選ばれたことを特徴とする
請求項２記載の装置。 ５、非晶質合金がＴｉ＿ｘＰｔ＿１＿−＿ｘ（但しｘは
０．５〜０．８の数値を示す）、Ｚｒ＿ｘＰｔ＿１＿−
＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７の数値を示す）、Ｈｆ＿
ｘＰｔ＿１＿−＿ｘ（但しｘは０．４〜０．７の数値を
示す）、Ｎｂ＿ｘＰｔ＿１＿−＿ｘ（但しｘは０．５〜
０．８の数値を示す）およびＴａ＿ｘＰｔ＿１＿−＿ｘ
（但しｘは０．４〜０．７５の数値を示す）から成る群
から選ばれたことを特徴とする装置。 ６、望ましい超伝導性を得るために超伝導性物質を堆積
した後、加熱する請求項１〜５のいずれか一つの項に記
載の装置の製造方法において、導電性接続を、パターン
に従って設けた超伝導性物質における孔を介して、加熱
後、設けることを特徴とする装置の製造方法。 ７、半導体素子と導体トラックとの間のパターン化した
電気絶縁層を２種の遷移金属の非晶質合金からつくり、
この合金を超伝導性物質と同時に加熱し、これにより電
気絶縁性金属酸化物を形成することを特徴とする請求項
６記載の装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8800857 | 1988-04-05 | ||
| NL8800857A NL8800857A (nl) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | Inrichting en werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01302875A true JPH01302875A (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=19852063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1081644A Pending JPH01302875A (ja) | 1988-04-05 | 1989-04-03 | 装置およびその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5049543A (ja) |
| EP (1) | EP0336505B1 (ja) |
| JP (1) | JPH01302875A (ja) |
| KR (1) | KR890016625A (ja) |
| DE (1) | DE68911973T2 (ja) |
| NL (1) | NL8800857A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010283347A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63314850A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US5256897A (en) * | 1988-11-28 | 1993-10-26 | Hitachi, Ltd. | Oxide superconducting device |
| US5274249A (en) * | 1991-12-20 | 1993-12-28 | University Of Maryland | Superconducting field effect devices with thin channel layer |
| US5418214A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-23 | Northwestern University | Cuprate-titanate superconductor and method for making |
| US5356474A (en) * | 1992-11-27 | 1994-10-18 | General Electric Company | Apparatus and method for making aligned Hi-Tc tape superconductors |
| US5356833A (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-18 | Motorola, Inc. | Process for forming an intermetallic member on a semiconductor substrate |
| US6081182A (en) * | 1996-11-22 | 2000-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Temperature sensor element and temperature sensor including the same |
| US6642567B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-11-04 | Micron Technology, Inc. | Devices containing zirconium-platinum-containing materials and methods for preparing such materials and devices |
| US8641839B2 (en) * | 2007-02-13 | 2014-02-04 | Yale University | Method for imprinting and erasing amorphous metal alloys |
| US9741918B2 (en) | 2013-10-07 | 2017-08-22 | Hypres, Inc. | Method for increasing the integration level of superconducting electronics circuits, and a resulting circuit |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55164860U (ja) * | 1979-05-16 | 1980-11-27 | ||
| JPS58110084A (ja) * | 1981-12-24 | 1983-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | ジヨセフソン素子 |
| US4432134A (en) * | 1982-05-10 | 1984-02-21 | Rockwell International Corporation | Process for in-situ formation of niobium-insulator-niobium Josephson tunnel junction devices |
| JPS603797B2 (ja) * | 1982-05-29 | 1985-01-30 | 工業技術院長 | ジヨセフソン・トンネル接合素子 |
| US4470190A (en) * | 1982-11-29 | 1984-09-11 | At&T Bell Laboratories | Josephson device fabrication method |
| JPS58212186A (ja) * | 1983-05-06 | 1983-12-09 | Hitachi Ltd | ジヨセフソン接合装置 |
| JPS60148178A (ja) * | 1984-01-12 | 1985-08-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | トンネル形ジヨセフソン接合素子及びその製法 |
| JPS616882A (ja) * | 1984-06-21 | 1986-01-13 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導集積回路の端子電極とその製造方法 |
| JPH0634414B2 (ja) * | 1986-01-14 | 1994-05-02 | 富士通株式会社 | 超伝導デバイス |
| DE3810494C2 (de) * | 1987-03-27 | 1998-08-20 | Hitachi Ltd | Integrierte Halbleiterschaltungseinrichtung mit supraleitender Schicht |
-
1988
- 1988-04-05 NL NL8800857A patent/NL8800857A/nl not_active Application Discontinuation
-
1989
- 1989-02-27 US US07/316,395 patent/US5049543A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-03-30 EP EP89200818A patent/EP0336505B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-03-30 DE DE68911973T patent/DE68911973T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-03 JP JP1081644A patent/JPH01302875A/ja active Pending
- 1989-04-03 KR KR1019890004347A patent/KR890016625A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010283347A (ja) * | 2009-06-03 | 2010-12-16 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | アモルファスなタンタル−イリジウム拡散バリアを用いた銅相互接続構造、その形成方法、および該方法による半導体デバイス製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68911973D1 (de) | 1994-02-17 |
| KR890016625A (ko) | 1989-11-29 |
| EP0336505B1 (en) | 1994-01-05 |
| NL8800857A (nl) | 1989-11-01 |
| US5049543A (en) | 1991-09-17 |
| DE68911973T2 (de) | 1994-07-07 |
| EP0336505A1 (en) | 1989-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4851895A (en) | Metallization for integrated devices | |
| US5625233A (en) | Thin film multi-layer oxygen diffusion barrier consisting of refractory metal, refractory metal aluminide, and aluminum oxide | |
| Olowolafe et al. | Effects of anneal ambients and Pt thickness on Pt/Ti and Pt/Ti/TiN interfacial reactions | |
| US5191510A (en) | Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices | |
| KR100314489B1 (ko) | 강유전체 커패시터의 간단한 제조방법 | |
| JPH01302875A (ja) | 装置およびその製造方法 | |
| US5104848A (en) | Device and method of manufacturing a device | |
| JPH02141569A (ja) | 超伝導材料 | |
| JPS63224112A (ja) | 超電導体線およびその製造方法 | |
| US5015623A (en) | Planar Josephson device with a silver salt interlayer | |
| JP2563315B2 (ja) | 超電導体線およびその製造方法 | |
| JPH01152772A (ja) | 基板上に超伝導酸化物層を製造する方法 | |
| EP0033358B1 (en) | Process for fabricating thin metal superconducting films of improved thermal cyclability and device | |
| JPH0654807B2 (ja) | 水素化アモルファスシリコンのためのオーミックコンタクトの形成方法 | |
| JPH0375204A (ja) | 酸化物超伝導膜パターン作製法 | |
| JP2645811B2 (ja) | 拡散バリヤ機能を有する半導体素子の電極形成方法 | |
| JPH02248082A (ja) | ジョセフソン接合の製造方法 | |
| JP2821885B2 (ja) | 超伝導薄膜の形成方法 | |
| JP2969068B2 (ja) | 超伝導素子の製造方法 | |
| JPH04167554A (ja) | 薄膜コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH01132008A (ja) | 超電導体およびその製造方法 | |
| Creighton | Non-selective tungsten CVD using tungsten hexacarbonyl | |
| JPH01107420A (ja) | 酸化物超伝導体 | |
| JPH02194570A (ja) | 酸化物超伝導配線の形成方法 | |
| JPH01252505A (ja) | 酸化物超伝導体及びその製造方法 |