JPS63224112A - 超電導体線およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超電導体線およびその製造方法に関するもので
ある。特に化合物薄膜超電導体線に関するものである。

従来の技術 高温超電導体として、Ａ１５型２元素化合物として窒化
ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオブ（Ｎ　ｂ　ｓ　
Ｇ　ｅ　）などが知られていたが、これらの材料の超電
導転移温度はたかだが２４°にであった。一方、ペロブ
スカイト系３元化合物は、さらに高い転移温度が期待さ
れ、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系の高温超電導体が提案され
た［　Ｊ、Ｇ、　Ｂｅｎｄ。

ｒｚ　　ａｎｄ　　Ｋ、Ａ、ＭＧｌｌｅｒ、ツアイトシ
ュリフト　フユア　フージーク（Ｚｅｉｔｓｃｈｒｉｆ
ｔ　ｆ　（ｉｒ　Ｐｈｙｓｉｋ、　）−Ｃｏｎｄｌｎｓ
ｅｄ　Ｍａｔｔｅｒ　６４．　１８９−１９３　（１９
８６）　　］。

この種の材料の超電導機構の詳細は明らかではないが、
転移温度が液体窒素温度以上に高くなる可能性があり、
高温超電導体として従来の２元素化合物より、より有望
な特性が期待される。

発明が解決しよとする問題点 しかしながら、Ｂａ−Ｌａ−Ｃｕ−０系の材料は、現在
の技術では焼結という過程でしか形成できないため、セ
ラミックの粉末あるいはブロックの形状でしか得られな
い。一方、この種の材料を実用化する場合、線状あるい
は薄膜状に加工することが強く要望されていが、従来の
技術では、この種の加工は非常に困難とされていた。

本発明者らは、この種の材料の薄膜がイオンプロセスに
より付着させると、薄膜状の高温超電導体が形成される
ことを発見し、これにもとづいて新規な超電導体線の製
造方法を発見した。

問題点を解決するための手段 本発明の超電導体線で形成する超電導体線の基本構成は
、線状あるいはリボン状の基体表面に、主成分が（ＡＩ
−ＸＢＸ）ｇｃｕｏ４の３元化合物超電導被膜を付着さ
せた層状構造を特徴としている。

本発明者らは、この様の層状超電導体線は、線状あるい
はリボン状基体上に、主成分（ＡＩ−ｘＢｘ）２Ｃｕ　
Ｏ４複合化合物被膜を例えば蒸着というプロセスで付着
させ、さらに酸化性雰囲気で熱処理することにより形成
されることを見い出した。ここにＡはＳｃ、Ｙおよびラ
ンタン系列元素（原子番号５７−７１）のうち少なくと
も一種、ＢはＢａ。

Ｓｒ、Ｃ４、（Ａ１−ｘ２Ｂｘ２）２ＣｕＯ４、Ｂｅ、
Ｍｇなど■ａ族元素のうちの少なくとも一種の元素を示
す。

作用 本発明の方法により作成された超電導体線は、超電−導
体を導膜化している所に大きな特色がある。すなわち、
薄膜化は超電導体の素材を原子状態という極微粒子に分
解してから、基体上に堆積させるから、形成された超電
導体線の組成は本質的に従来の焼結体に比べて均質であ
る。したがって非常に高精度の超電導体線が本発明で実
現される。

実施例 本発明の一実施例の方法を図面とともに説明する。

第１図において、３元化合物被膜１２は例えばスパッタ
リング法で形成する。この場合、基体１１は、超電導を
示す３元化合物被膜１２の保持を目的としている。した
がって、本発明の超電導体は本質的な層状構造からなっ
ている。この層状構造は通常数１．００℃の高温で形成
し、超電導を例えば液体窒素温度（−１９５℃）の低温
で動作させるため、特に基体１１と被膜１２の密着性が
悪くなり、しばしば層状構造が破損されることを本発明
者らは確認した。さらに本発明者らは、詳細な基体の熱
的特性を各種の材質について調べた結果、基体の線熱膨
張係数α＞１０−”ｅであれば、上記層状構造の破損が
なく、実用されることを確認した。例えばα＜　１０−
”ｅの石英ガラスを基体に用いると、被膜１２は無数の
亀裂が入り不連続な被膜となり、実用に供にしないこと
を本発明者らは確認した。

さらに、本発明者らは、第１図１０の層状構造の基体１
１に機能性から見て、最適の材料があることを見い出し
た。

すなわち基体１１として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ。

Ｍｏ、Ｔ４、（Ａ１−ｘ２Ｂｘ２）２ＣｕＯ４、Ｗ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ等の金属のあるいはこれらの金属元素を含んだ
合金、例えばニクロム、ステンレスなとが有効であるこ
と本発明者らは確認した。

この場合、この種の基体は、線状あるいはリボン状に加
工させるから、これらの線状あるいはリボン状の基体表
面に、超電導体被膜１２を付着させることを超電導体線
が形成される。

超電導体線の形成には、まず（Ａ　＋−ｘ　Ｂ　＊　）
　２　Ｃｕ０４成分の複合酸化物被膜をスパッタリング
蒸着等の物理的気相成長法で基体上に付着させる。この
場合複合酸化物被膜は成分Ａ、ＢおよびＣｕの化学量論
比さえ合致していればよく、酸素量は特に重要ではない
ことを本発明者らは確認した。その結果、複合酸化物被
膜の形成法は物理的気相成長法に限定されたものではな
（、化学的気相成長法例えば常圧あるいは減圧化学的気
相成長法、プラズマ化学的気相成長法、光化学的気相成
長法も、成分Ａ、ＢおよびＣｕの化学量論比さえ合致さ
せれば有効であることを本発明者らは確認した。

本発明者らは、複合酸化物被膜を基体１１の表面１３に
付着させる場合、導電性の基体を用い基体を線状あるい
はリボン状に加工し、基体に電流を流すことによって発
熱自己加熱させることがこの種の超電導体線の製造に特
に有効であることを見い出した。

この場合、基体の自己加熱による最適の温度範囲が存在
することを本発明者らは確認した。すなわち、基体の最
適の温度範囲は２００〜１０００℃である。なお、２０
０℃以下では基体表面への複合酸化物被膜の付着性が悪
（なる。また、１０００℃以上では複合酸化物被膜中の
成分Ａ、ＢおよびＣｕの化学量論比からのずれが大きく
なり、引きつづく熱処理工程を経ても超電導体特性が得
られないことを本発明者らは発見した。

さらに、複合酸化物被膜を付着させる時の基体の温度は
とりわけ５００〜７００℃の範囲がこの種の蒸着装置の
機能、複合酸化物被膜の特性の再現性から見て最適であ
ることを本発明者らは確認した。この場合、形成された
複合酸化物被膜は、超電導を示す（Ａ＋−、ｘＢ−）ｇ
ｃｕｏｉ焼結体の層状ペロブスカト構造と類似の構造を
示す。しかしながら、意外にもこの種の被膜は半導体的
な特性を示し、超電導は液体Ｈｅ温度（４°Ｋ）でも見
られないことがしばしば起こる。

本発明者らはこの種の複合酸化物被膜をさらに、常圧の
空気、アルゴンと酸素の混合ガスあるいは純酸素などの
酸化物雰囲気で熱処理することにより、超電導が発生す
ることを発見した。この場合最適の熱処理温度は９００
〜１０００℃、熱処理時間は１０〜１００時間であり、
特に熱処理時間が薄膜材料の常識を破る長時間が特徴的
である。熱処理時間が１０時間以下になると半導体的特
性が多く、再現性よく超電導特性が得られない。また、
１００時間以上になると抵抗率が高（なるとともに、被
膜の特性が不安定になる。

この種の超電導焼結体の形成プロセスにおいても、本発
明に用いる熱処理と類似の１０〜１００時間という長時
間熱処理が用いられている。しかしながら、焼結体のよ
うなバルク材料であれば、例えば１００時間程度の熱処
理時間は、特に長時間ではな（通常広く用いられている
。一方、被膜の場合は材料そのものの寸法が例えば１μ
閣かそれ以下というバルクに比べて３〜４桁以上小さい
。したがって、熱処理時間も物質の移動を考慮するとバ
ルク材料より２桁以下に短くなる。したがってバルク材
料と類似の熱処理プロセスであれば、１時間以下の短い
熱処理で超電導特性が得られるはずである。さらに、被
膜形成中に酸化性雰囲気にすれば、この種の熱処理は不
要と考えられた。しかしながら、実験的には、上述のご
とく長時間熱処理が必要であることを確認した。この意
外性は、バルク材料と薄膜材料との本質的な特性の差異
に起因していると考えられる。

すなわち、この種の被膜の結晶構造など、詳細な特性は
、基体上に被膜が拘束されているため、被膜内には、通
常の焼結体では存在しない様な大きな歪とか欠陥が存在
する。このため、被膜の製造方法には、従来の焼結体の
製造方法をそのまま適応できるものではない。また、焼
結体の製造方法から被膜の製造方法を類推できるもので
もない。なお、被膜の熱処理の物理的な意味の詳細は明
らかではないが、おおよそ、次のように考えせれる。す
なわち、スパッタリング蒸着等で基体上には付着させた
複合酸化物被膜では、２価のＢ元素の３価Ａ元素の置換
が完全に行われていなく、（Ａ＋−−Ｂｘ）ｇｃｕｏａ
という化合物を形成していない。この場合、例えばＡｇ
ＣｕＯ４構造のネットワーク中にＢ元素の酸化物が分散
した複合酸化物を形成している。当然Ｃｕ原子は２価で
ある。超電導特性も再現性良く得られない。超電導は、
Ａ元素のＢ元素による置換と、これに引きつづく２価Ｃ
ｕ原子の酸化による３価Ｃｕ原子の発生に起因し、この
過程が熱処理に関連する。

なお、熱処理時間が１０時間以下で超電導性が得られな
いのは、Ａ元素のＢ元素による置換不充分であったり、
また２価Ｃｕ原子の酸化による３価Ｃｕ原子の生成が不
充分であった事に起因していると考えられる。

基体表面に複合酸化物被膜をスパッタリング蒸着で形成
する場合、上述したごとく、被膜中の成分Ａ、Ｂおよび
Ｃｕの化学量論比制御が重要である。本発明者らは詳細
にスパッタリング蒸着における最適条件を調べたが、意
外にもスパッタリング用ターゲットの組成は主成分が目
的とする超電導体と同様（Ａ　Ｉ−ｘ　Ｂ　ｘ　）　２
　Ｃｕ　Ｏａでよい事を見い出した。さらに、この種の
酸化物被膜のスパッタリング蒸着では、例えばＡｒと０
２との混合ガスをスパッタリングガスに用いるが、０２
ガスの存在は形成された酸化物被膜の結晶性を悪くする
とともに、抵抗率を高め、超電導体、を形成しがたい事
を本発明者らは見い出した。実験的に、Ａｒ　、　Ｘ　
ｅ　＊　Ｎ　ｅ　＋　Ｋ　ｒのような不活性ガスあるい
はこれらの不活性ガスの混合ガスがスパッタリングガス
として有効であることを本発明者らは確認した。

スパッタリング蒸着方式も高周波二極スパッタ、直流二
極スパッタ、マグネトロンスパッタいずれも有効である
ことを本発明者らは確認した。

特に直流スパッタの場合、スパッタリングターゲットの
抵抗率を１０−３Ωｃｍ以下に低くする事が必要で、こ
れ以上の抵抗率では、充分なスパッタリング放電が発生
しない。なお、ターゲットの抵抗率の調整は通常ターゲ
ットの焼結条件によって行う。

第２図はこの種のスパッタリング蒸着法で線状あるいは
リボン状の基体に複合酸化物被膜を形成する時の基体構
成を示す。同図に示すごとく、複数個のターゲット２１
．２２から構成し、線状２３あるいはリボン状２４の基
体表面に一様に複合酸化物被膜を付着させる。例えばリ
ボン状基体２４には表面２５２表面２６に同時被膜を付
け、リボン状基体の機械的変形を防ぐ。

第３図は本発明者らにより、改良されたスパッタリング
蒸着法を示す。すなわち、上記スパッタリング蒸着を、
少なくとも１つのターゲットの化学組成が異なる複数個
の複合酸化ターゲット、（Ａｔ−ＸＩＢＩＩＩ）ｇｃｕ
ｏ＊＋　（Ａｔ−ｇｔＢ＋＋ｇ）ｇｃｕ。

４＊　＠　＠　”（Ａｔ−ｘｎＢ＋＋ａ）　ｇＣｕ　０
４を同時にスパッタリング蒸着することを特徴としてい
る。この場合各ターゲットへのスパッタリング電力を変
えることにより、スパッタリングにより形成した複合酸
化物被膜の化学組成を与えることができる。

したがって、被膜の化学組成の積極的な調整、人工格子
などの人工的な化学組成のゆらぎを形成が可能になる。

特にこの種の装置では、直流スパッタがスパッタ電力等
の精密制御に有効であり、また直流マグネトロンスパッ
タあるいは直流マグネトロンスパッタガンなどが特に有
効であることを本発明者らは確認した。

なお、基体表面に複合酸化物被膜の形成法として、金属
主成分を物理的気相成長法で基体上に付着させ、さらに
酸素ビームあるいは酸素イオンを被膜形成中に被膜に照
射し、基体表面で金属主成分を酸化させることも可能で
ある。物理的気相成長法としては、スパッタリング以外
に熱蒸着例えば電子ビーム蒸着も有効である。スパッタ
リング法では基体上に酸素イオンビームを照射しながら
、複合酸化物被膜の合金主成分をターゲットとしてスパ
ッタリング蒸着する。この場合複台酸化物ターゲットと
してスパッタリング蒸着するよりも被膜形成速度が１桁
以上速い特長釜示し、工業的により有効である。

さらに本発明者らは線状あるいはリボン状基体の表面に
、複合酸化物被膜を形成するまでに、基体の表面例えば
金属基体表面に、耐熱性被膜をあらかじめ形成しておく
と、安定して超電導性の製造方法を発見した。

第４図は耐熱性被膜の結果を示すＸ線回折スペクトル図
である。基体はＭｏ金属で耐熱性被膜として酸化タンタ
ル０．１μ−をスパッタリング法で付着させた場合を示
す。同図特性４１は耐熱被膜がない時、特性４２は耐熱
被膜がある場合、特性４３は超電導特性を示す層状ペロ
ブスカイト構造の特性を示す。

同図から耐熱被膜を設けると層状ペロブスカイト構造と
類似の特性を示すが耐熱被膜がないときはＸ線回折スペ
クトルに差がある。この理由の詳細は明らかでないが、
基体金属と複合酸化物被膜が複合酸化物被膜蒸着中に眉
間拡散したためと思われる。

耐熱性被膜の形成法は上述した様な蒸着法でも、基体金
属表面を化学反応的に表面改質してもよい。例えば、酸
化性、窒化性あるいは炭化性雰囲気中で基体金属表面を
酸化、窒化あるいは炭化させ、基体金属の酸化物、窒化
物あるいは炭化物被膜を基体表面に形成しても同様の効
果がある。

また、タンタル、チタンなどの金属を基体に用いた時は
、所請陽極化成法により表面を酸化させることも可能で
ある。

耐熱被膜として窒化物としては例えばＴｉＮ。

ＴａＮ、ＭｏＮ、ＮｂＮ、ＷＮ、ＭｎＮなどが、炭化物
としてはＴａＣ，Ｔ　ｉ　Ｃ，ＮｂＣ，Ｍ。

Ｃ、Ｗ　Ｃ＋　Ｍ　ｎ　Ｃなどが、酸化物としてはＮｂ
２Ｏ５，Ｔｉｏｇ＋　ＴａｇＯｓ＋　Ａ１１ｄｓ、Ｚｒ
ａｇ。

Ｙ　ＩＩＯｓなどが有効であることを本発明者らは確認
した。

これらの耐熱被膜の効果は、複合酸化物被膜の高温処理
中の安定化をはかるものであるから耐熱性と基体との付
着性が満たされてさえすればよいので上述した材料に限
定させたものではない。ただ付着特性からは基体金属の
表面反応で形成した耐熱被膜例えばＴａ／Ｔａｇ’ｓ、
Ｔｉ／Ｔｉ　０２などが有効である。

また、耐熱性からすれば、基体金属が耐熱性がよければ
、必ずしも耐熱被膜は必要としない。例えばステンレス
金属は耐熱被膜なしでも安定にこの種の超電導被膜が形
成されることを本発明者らは確認した。

以下本発明の内容をさらに深（理解されるために、さら
に具体的な具体実施例を示す。

（具体実施例）　　゛ タンタル線（太さ０．５ｍ）を基体１１として用い、ま
ず、タンタル線の表面酸化タンタル耐熱層を陽極化成に
より形成し、次に高周波プレナーマグネトロンスパッタ
により、焼結した（Ｌａｏ、ｅＳ　ｒｏ、＋）ｇｃｕｏ
ａターゲットをＡｒガス雰囲気でスパッタリング蒸着し
て、上記基体上に結晶性の（Ｌ　ａｏ、ｏｓ　ｒｏ、ｓ
）　ｔｃ　ｕ　０４被膜１２を付着させ層状構造１０を
形成した。この場合、Ａｒガスの圧力は０．５Ｐ４、（
Ａ１−ｘ２Ｂｘ２）２ＣｕＯ４、スパッタリング電力１
５０Ｗ、スパッタリング時間１０時間、被膜の膜厚６μ
閣、基体温度６００℃であった。形成された層状構造を
さらに空気中で９００℃、７０時間熱処理した。超電導
線の被膜の室温抵抗率は１００μΩｃｍ、超電導転移温
度２８°にであった。

この種の３元化合物超電導体（Ａ＋−Ｂ、り　２ＣｕＯ
４の構成元素ＡおよびＢの変化による超電導特性の変化
の詳細は明らかではない。ただＡは３価、Ｂは２価を示
し、Ａ元素の一部をＢ元素が置換しているのは事実であ
る。Ａ元素としてＬａについて例をあげて説明したが、
ＳｃやＹ、さらにランタン系列の元素（原子番号５７〜
７１）でも、超電導転移温度が変化する程度で本質的な
発明の層状構造の特性を変えるものではない。

また、Ｂ元素においても、Ｓｒ、Ｃａ％Ｂａ等Ｉｌａ族
元素の変化は超電導転移温度を１０°に程度変化させる
が、本質的に本発明層状構造の特性を変えるものではな
い。　　゛ 発明の効果 本発明にかかる超電導体線の製造方法は、超電導体を薄
膜化している所に大きな特色がある。すなわち、薄膜化
は超電導体の素材を原子状態という極微粒子に分解して
から、基体上に堆積させるから、形成された超電導体の
組成は本質的に、従来の焼結体に比べて均質である。し
たがって、非常に高精度の超電導体線が本発明で実現さ
れる。

特に、この種の化合物超電導体の転移温度が室温にな−
る可能性もあり、従来の実用の範囲は広く、本発明の工
業的価値は高い。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の超電導体線の製造方法で形
成した超電導体線の基本構成図、第２図、第３図は本発
明の超電導体線の製造装置の基本構成図、第４図は本発
明の超電導体線の基本特性図である。 １１・・・基体、１２・・・３元化合物被膜。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　ほか１名穿Ｚ７ ￥　　ネ ■ −へ 呪 エｉの浄＃（内容にＸｊ！なし） 第３図 石９■ ２θ　（ｓＬン （Ｃ〕 手続補正書（才人゛） 昭和６２年６　月２６０ 昭和６２年特許願第　５５６３６号 ２発明の名称 超電導体線およびその製造方法 ３補正をする者 事件との関係　　　　　　特　　許　　　出　　願　　
大佐　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地名　称
　（５８２）松下電器産業株式会社代表者　　　　谷　
　井　　昭　　雄 ４代理人　〒５７１ 住　所　　大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内 ６補正命令の日付 ７、補正の内容 図面第３図を別紙の通り補正いたします。

Claims (22)

【特許請求の範囲】
1. （１）線状あるいはリボン状基体上に、主成分が（Ａ＿
   １＿−＿ｘＢ＿ｘ）ＣｕＯ＿４である被膜を設けた事を
   特徴とする超電導体線。ここに、ＡはＳｃ、Ｙ、および
   ランタン系列元素（原子番号５７〜７１）のうちすくな
   くとも一種、ＢはIIａ族元素のうちのすくなくとも一種
   の元素を示す。
2. （２）基体上に耐熱性被膜を設けたことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の超電導体線。
3. （３）線状あるいはリボン状基体上に、主成分が（Ａ＿
   １＿−＿ｘＢ＿ｘ）＿２ＣｕＯ＿４である複合酸化物被
   膜を付着させ、さらに酸化性雰囲気で熱処理することを
   特徴とする超電導体線の製造方法。 ここに、ＡはＳｃ、Ｙおよびランタン系列元素（原子番
   号５７〜７１）のうちすくなくとも一種、ＢはIIａ族元
   素のうちのすくなくとも一種の元素を示す。
4. （４）基体を、線膨脹係数α＞１０＾−＾６／℃の材質
   で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第３項記載
   の超電導体の製造方法。
5. （５）基体を、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、
   Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ等の金属のうちの一種あるいはこれらの
   金属を含んだ合金例えばステンレスで構成したことを特
   徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製造
   方法。
6. （６）線状あるいはリボン状基体の表面に、耐熱被膜を
   形成した後、複合酸化物被膜を付着させることを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製造方法
   。
7. （７）耐熱被膜を金属の酸化物、窒化物、炭化物で構成
   したことを特徴とする特許請求の範囲第６項記載の超電
   導体線の製造方法。
8. （８）基体を線状およびリボン状のＮｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、
   Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｎのうちの少なくとも一種か、これ
   らの金属をを含んだ合金で構成し、複合酸化物被膜を付
   着させる前に、これらの基体表面のこれらの各金属を酸
   化性、窒化性あるいは炭化性雰囲気で基体表面を酸化、
   窒化あるいは炭化させることを特徴とする第６項記載の
   超電導体線の製造方法。
9. （９）複合酸化物被膜を、スパッタリング蒸着、熱蒸着
   等の物理的気相成長法で、気体上に付着させることを特
   徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製造
   方法。
10. （１０）複合酸化物被膜を、常圧あるいは減圧化学的気
    相成長法、プラズマ化学的気相成長法、光化学的気相成
    長法等の化学的気相成長法で基体上に付着させることを
    特徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製
    造方法。
11. （１１）複合酸化物被膜の基体上への付着に関し、線状
    あるいはリボン状基体を導電性物質で構成し、基体に電
    流を流すことにより発熱自己加熱させて被膜を付着させ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電導
    体線の製造方法。
12. （１２）複合酸化物被膜の加熱基体上への付着に関し、
    基体を２００〜１０００℃の範囲内に加熱することを特
    徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製造
    方法。
13. （１３）複合酸化物被膜の加熱基体上への付着に関し、
    基体を５００〜７００℃の範囲内で加熱することを特徴
    とする特許請求の範囲第３項記載の超電導体線の製造方
    法。
14. （１４）酸化性雰囲気として常圧空気または純酸素を用
    いることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の超電
    導体線の製造方法。
15. （１５）スパッタリング蒸着において主成分が（Ａ＿１
    ＿−＿ｘＢ＿ｘ）＿２ＣｕＯ＿４である複合酸化物ター
    ゲットをスパッタリング蒸着することを特徴とする特許
    請求の範囲第９項記載の超電導体線の製造方法。
16. （１６）スパッタリング蒸着において、Ａｒ、Ｘｅ、Ｎ
    ｅ、Ｋｒのうちの少なくとも一種あるいはこれらの混合
    ガスでスパッタリング蒸着することを特徴とする特許請
    求の範囲第１５項記載の超電導体線の製造方法。
17. （１７）スパッタリング蒸着を、少なくとも高周波二極
    スパッタのうちのいずれか一種で行うことを特徴とする
    特許請求の範囲第９項記載の超電導体線の製造方法。
18. （１８）スパッタリング蒸着を、複数個のターゲットを
    同時にスパッタリングして行うことを特徴とする特許請
    求の範囲第９項記載の超電導体線の製造方法。
19. （１９）スパッタリング蒸着を少なくとも１つのターゲ
    ットの化学組成が異なる複合酸化物ターゲット（Ａ＿１
    ＿−＿ｘ＿１Ｂ＿ｘ＿１）＿２ＣｕＯ＿４、（Ａ＿１＿
    −＿ｘ＿２Ｂ＿ｘ＿２）＿２ＣｕＯ＿４、・・・・（Ａ
    ＿１＿−＿ｘ＿ｎＢ＿ｘ＿ｎ）＿２ＣｕＯ＿４を同時に
    スパッタリング蒸着することを特徴とする特許請求の範
    囲第９項記載の超電導体線の製造方法。
20. （２０）複合酸化物ターゲットの電気抵抗率を１０＾−
    ＾３Ωｃｍ以下にすることを特徴とする特許請求の範囲
    第９項記載の超電導体線の製造方法。
21. （２１）物理的気相成長法において、複合酸化物被膜の
    金属主成分を基体上に付着させ、さらに酸素ビームある
    いは酸素イオンを被膜形成中に照射し、基体表面で金属
    主成分を酸化させることを特徴とする特許請求の範囲第
    ９項記載の超電導体線の製造方法。
22. （２２）物理的気相成長法において、基体上に酸素イオ
    ンビーム照射しながら、複合酸化物被膜の合金主成分を
    ターゲットとして、スパッタリング蒸着することを特徴
    とする特許請求の範囲第９項記載の超電導体線の製造方
    法。