JPH0197319A - 酸化物超電導膜被覆物体の製造方法 - Google Patents
酸化物超電導膜被覆物体の製造方法Info
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- JPH0197319A JPH0197319A JP62254851A JP25485187A JPH0197319A JP H0197319 A JPH0197319 A JP H0197319A JP 62254851 A JP62254851 A JP 62254851A JP 25485187 A JP25485187 A JP 25485187A JP H0197319 A JPH0197319 A JP H0197319A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、高エネルギー粒子加速器用部材。
発電機用部材、エネルギー貯蔵用部材、核融合炉用部材
、磁気浮上列車用部材、船舶推進用部材。
、磁気浮上列車用部材、船舶推進用部材。
医療機器用部材、エレクトロニクス用部材、精密機械を
含めた機械用部材として応用される超電導材料の作成に
適する酸化物超電導膜被覆物体の製造方法に関するもの
である。
含めた機械用部材として応用される超電導材料の作成に
適する酸化物超電導膜被覆物体の製造方法に関するもの
である。
(従来の技術)
超電導材料は、Nb5GeやNbtSnに代表される超
電導材料に対して、最近Y−Ba−cu−oの酸化物に
代表されるペロブスカイト型構造の酸化物でなる超電導
材料が開発されている。この超電導材料を実用化するた
めの1つの形態に5基板の表面に超電導膜を被覆してな
る超電導膜被覆物体がある。
電導材料に対して、最近Y−Ba−cu−oの酸化物に
代表されるペロブスカイト型構造の酸化物でなる超電導
材料が開発されている。この超電導材料を実用化するた
めの1つの形態に5基板の表面に超電導膜を被覆してな
る超電導膜被覆物体がある。
超電導膜被覆物体を作成する方法としては、スパッタ法
、蒸着法、化学蒸着法(CVD法)が一般的に試みられ
ている。
、蒸着法、化学蒸着法(CVD法)が一般的に試みられ
ている。
(発明が解決しようとする問題点)
超電導膜を作成する方法としてのスパッタ法は、直流法
、高周波法、マグネトロン法又はゲッター法などが試み
られている。これらのスパッタ法による薄膜の形成は、
Nb*Geで代表されるようなへI5型構造でなる化合
物の場合は殆んど問題がなかったのに対し、酸化物超電
導膜、特にベロジスカイ1−型構造の酸化物超電導膜を
形成する場合は蒸発物質の組成と形成される膜の組成が
一致しなく、組成を調整した膜が安定に形成でき難いと
いう問題がある。
、高周波法、マグネトロン法又はゲッター法などが試み
られている。これらのスパッタ法による薄膜の形成は、
Nb*Geで代表されるようなへI5型構造でなる化合
物の場合は殆んど問題がなかったのに対し、酸化物超電
導膜、特にベロジスカイ1−型構造の酸化物超電導膜を
形成する場合は蒸発物質の組成と形成される膜の組成が
一致しなく、組成を調整した膜が安定に形成でき難いと
いう問題がある。
超電導膜を作成する方法としての蒸着法は、膜の形成に
必要な金属元素の蒸気圧が異なることから膜の組成を抑
制するのが困難であるという問題がある。特に、酸化物
超電導膜を蒸着法で作成する場合には、金属元素の他に
酸素の制御も行う必要があることから一層困難であると
いう問題がある。
必要な金属元素の蒸気圧が異なることから膜の組成を抑
制するのが困難であるという問題がある。特に、酸化物
超電導膜を蒸着法で作成する場合には、金属元素の他に
酸素の制御も行う必要があることから一層困難であると
いう問題がある。
超電導膜を作成する方法としてのCVD法は、ハロゲン
化物又は有機金属などを水素で還九して膜を形成するの
であるが、ペロブスカイト型構造の酸化物超電導膜を形
成する場合は蒸気圧の異なる2種類以トのハロゲン化物
又は有機金属を同時に用いる必要があることから膜の組
成を制御することが困難であるという問題がある。
化物又は有機金属などを水素で還九して膜を形成するの
であるが、ペロブスカイト型構造の酸化物超電導膜を形
成する場合は蒸気圧の異なる2種類以トのハロゲン化物
又は有機金属を同時に用いる必要があることから膜の組
成を制御することが困難であるという問題がある。
本発明は、子連のような問題点を解決したもので、具体
的には、蒸発しようとする少なくとも33押印の物質を
それぞれ別々に加熱蒸発して、その蒸発物を基板の表面
に堆積させると同時時又は交h−にイオン源から酸素イ
オンを供給してノ、(板の表面に照射してペロブスカイ
ト型構造の複合酸化物の被膜を形成する酸化物超電導膜
被覆物体の製造方法の提供をLI的とするものである。
的には、蒸発しようとする少なくとも33押印の物質を
それぞれ別々に加熱蒸発して、その蒸発物を基板の表面
に堆積させると同時時又は交h−にイオン源から酸素イ
オンを供給してノ、(板の表面に照射してペロブスカイ
ト型構造の複合酸化物の被膜を形成する酸化物超電導膜
被覆物体の製造方法の提供をLI的とするものである。
(問題点を解決するだめの手段)
本発明者らは、超電導材料として必要とされている臨界
温度(Tc) 、臨界磁界(llcL臨界電流密度(、
+c)の内、特に高Tcを有するペロブスカイト型複合
酸化物の被膜で、しかも膜の組成の変動が少な(、再現
性よく安定に形成できる方法について検討していた所、
複合酸化物の被膜を構成する金属元素の蒸発方法と非金
属元素である酸素イオンの供給方法の制御により達成で
きるという知見を得るに至り、本発明を完成したもので
ある。
温度(Tc) 、臨界磁界(llcL臨界電流密度(、
+c)の内、特に高Tcを有するペロブスカイト型複合
酸化物の被膜で、しかも膜の組成の変動が少な(、再現
性よく安定に形成できる方法について検討していた所、
複合酸化物の被膜を構成する金属元素の蒸発方法と非金
属元素である酸素イオンの供給方法の制御により達成で
きるという知見を得るに至り、本発明を完成したもので
ある。
すなわち、本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法
は、真空中で希土類金属又はこれらの酸化物の中の少な
くとも1種の第1物質とCa、 Sr。
は、真空中で希土類金属又はこれらの酸化物の中の少な
くとも1種の第1物質とCa、 Sr。
Ba又はこれらの酸化物の中の少なくとも1種の第2物
質と銅及び/又は酸化銅の第3物質とをそれぞれ別々に
加熱蒸発してなる蒸発物を加熱した基板の表面に堆積さ
せると同時又は交互に酸素イオンを前記基板の表面に照
射して、該基板の表面に+iiJ記第1物質と+iij
記第2物質と前記第3物質とを含有した複合酸化物の被
膜を形成することを特徴とするものである。
質と銅及び/又は酸化銅の第3物質とをそれぞれ別々に
加熱蒸発してなる蒸発物を加熱した基板の表面に堆積さ
せると同時又は交互に酸素イオンを前記基板の表面に照
射して、該基板の表面に+iiJ記第1物質と+iij
記第2物質と前記第3物質とを含有した複合酸化物の被
膜を形成することを特徴とするものである。
本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法におりる反
応容器は2 X 10−’Torr以下の圧力状態に保
持しておくことが好ましく、特に金属を蒸発する前の圧
力状態がI X 1O−5T’orr以ドにしておくこ
とが好ましいことである。このような真空状態にした反
応容器内に、第1物質と第2物質と第3物質とをそれぞ
れ別々に加熱蒸発できるように設置しておき、又例えば
第1物質から2種以上を選択したときには、これらも別
々に加熱蒸発できるように設置しておくことが蒸発物を
制御するために好ましいことである。このJ:うにして
設”、v; L/た第1物質、第2物質及び第3物質は
同一加熱方式の加熱源でもって加熱蒸発してもよいが、
それぞれの物質を別々の方式でなる加熱源で加熱蒸発す
ると蒸発物の制御が容易になって好ましいことである。
応容器は2 X 10−’Torr以下の圧力状態に保
持しておくことが好ましく、特に金属を蒸発する前の圧
力状態がI X 1O−5T’orr以ドにしておくこ
とが好ましいことである。このような真空状態にした反
応容器内に、第1物質と第2物質と第3物質とをそれぞ
れ別々に加熱蒸発できるように設置しておき、又例えば
第1物質から2種以上を選択したときには、これらも別
々に加熱蒸発できるように設置しておくことが蒸発物を
制御するために好ましいことである。このJ:うにして
設”、v; L/た第1物質、第2物質及び第3物質は
同一加熱方式の加熱源でもって加熱蒸発してもよいが、
それぞれの物質を別々の方式でなる加熱源で加熱蒸発す
ると蒸発物の制御が容易になって好ましいことである。
本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法における希
土類金属又はこれらの酸化物の中の少なくとも1種の第
1物質とは、Sc、 Y、 1.a、 Ce、 Pr。
土類金属又はこれらの酸化物の中の少なくとも1種の第
1物質とは、Sc、 Y、 1.a、 Ce、 Pr。
Nd、Pm、 Sm、 Eu、 [id、 ’rb、
Dy、 llo、 Er、 Tm、 Yb。
Dy、 llo、 Er、 Tm、 Yb。
1、u又はこれらの酸化物を示すものである。この第1
物質と第2物質と第3物質をぞぞれの蒸発する温度で別
々に加熱及び略同時に蒸発させて蒸発物とし、この蒸発
物を400℃〜800℃に加熱した基板の表面に堆積さ
せると同時又は交互にO+又は02+の酸素イオンを基
板の表面に照射することにより基板の表面に第1物質と
第2物質と第3物質とを含有した複合酸化物の被膜が形
成されるのである。
物質と第2物質と第3物質をぞぞれの蒸発する温度で別
々に加熱及び略同時に蒸発させて蒸発物とし、この蒸発
物を400℃〜800℃に加熱した基板の表面に堆積さ
せると同時又は交互にO+又は02+の酸素イオンを基
板の表面に照射することにより基板の表面に第1物質と
第2物質と第3物質とを含有した複合酸化物の被膜が形
成されるのである。
この本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法におけ
る第1物質と第2物質と第3物質とでなる蒸発物は、第
1物質中の金属元素:第2物質中の金属元素:第3物質
中の金属元素との干ル比率がI:1.8〜2.2:2.
8〜32の範囲にあると高Tcの良質な膜が形成される
ことから好ましいことであり、又基板に照射する酸素イ
オンは電子衝撃型イオン源などから供給すればよく、こ
の供給されるイオンが酸素イオンのみ、もしくは酸素イ
オン中にA「イオンなどの不活性元素のイオンの混在し
た状態、あるいはこれらに電子の混在する、所謂プラズ
マ状態にすることにより達成することができる。ここで
用いる基板は、製造条件の他は特別に制限を受けるもの
ではなく、例えばCu、 Ni。
る第1物質と第2物質と第3物質とでなる蒸発物は、第
1物質中の金属元素:第2物質中の金属元素:第3物質
中の金属元素との干ル比率がI:1.8〜2.2:2.
8〜32の範囲にあると高Tcの良質な膜が形成される
ことから好ましいことであり、又基板に照射する酸素イ
オンは電子衝撃型イオン源などから供給すればよく、こ
の供給されるイオンが酸素イオンのみ、もしくは酸素イ
オン中にA「イオンなどの不活性元素のイオンの混在し
た状態、あるいはこれらに電子の混在する、所謂プラズ
マ状態にすることにより達成することができる。ここで
用いる基板は、製造条件の他は特別に制限を受けるもの
ではなく、例えばCu、 Ni。
Co、 Fe、 Ag、 Pt:などの各種の金属、超
硬合金、サーメット、鉄鋼材料などの鉄系合金、銅合金
、チタン合金、アルミニウム合金などの各種の合金もし
くはAfi203系セラミックス焼結体、 SiJ、+
系セラミックス焼結体、 SiC系セラミックス焼結体
、Z「0□系セラミックス焼結体などの各種セラミック
ス焼結体を用いることができる。
硬合金、サーメット、鉄鋼材料などの鉄系合金、銅合金
、チタン合金、アルミニウム合金などの各種の合金もし
くはAfi203系セラミックス焼結体、 SiJ、+
系セラミックス焼結体、 SiC系セラミックス焼結体
、Z「0□系セラミックス焼結体などの各種セラミック
ス焼結体を用いることができる。
(作用)
本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法は、第1物
質と第2物質と第3物質とを含む蒸発物の組成制御がで
き、しかも酸素イオン量の制御も独立にできることから
基板の表面の複合酸化物でなる被膜が均一で安定してお
り、又再現性にもすぐれているという作用があるもので
ある。
質と第2物質と第3物質とを含む蒸発物の組成制御がで
き、しかも酸素イオン量の制御も独立にできることから
基板の表面の複合酸化物でなる被膜が均一で安定してお
り、又再現性にもすぐれているという作用があるもので
ある。
実施例
真空度、I X IQ−5Torr以下の反応容器内に
設置されたY、 Ba、 Cuをそれぞれ出力350ワ
ツトの電子銃、出力200ワツトのに一セル、1」(力
200ワットの抵抗加熱でもって加熱蒸発させて、この
蒸発物を650°Cに加熱したAJ2203TiCN系
セラミックス焼結体の基板の表面に堆積させると同時に
基板の斜め下方に配置したカウフマン型イオン源により
作成した酸素イオンを加速電圧1.5KV 、イオン電
流0.5 mA/cm2の条件でもって基板の表面に照
射し、これを50分間保持することにより基板の表面に
複合酸化物の被膜を形成した。この本発明の製造方法に
より得た複合酸化物の被膜をX線回折、走査型電子顕微
鏡でもって調べた所、被膜はY−Ba−Cu・0系セラ
ミツクス膜であり、被膜厚さは3゜0μmであった。次
に、この複合酸化物の被膜のTcを直流法及び交流法で
測定した結果85にであった。
設置されたY、 Ba、 Cuをそれぞれ出力350ワ
ツトの電子銃、出力200ワツトのに一セル、1」(力
200ワットの抵抗加熱でもって加熱蒸発させて、この
蒸発物を650°Cに加熱したAJ2203TiCN系
セラミックス焼結体の基板の表面に堆積させると同時に
基板の斜め下方に配置したカウフマン型イオン源により
作成した酸素イオンを加速電圧1.5KV 、イオン電
流0.5 mA/cm2の条件でもって基板の表面に照
射し、これを50分間保持することにより基板の表面に
複合酸化物の被膜を形成した。この本発明の製造方法に
より得た複合酸化物の被膜をX線回折、走査型電子顕微
鏡でもって調べた所、被膜はY−Ba−Cu・0系セラ
ミツクス膜であり、被膜厚さは3゜0μmであった。次
に、この複合酸化物の被膜のTcを直流法及び交流法で
測定した結果85にであった。
(発明の効果)
以上の結果から本発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造
方法は、液体窒素温度(77に+ よりも高いTcの被
膜が得られるという効果を有するものである。また、本
発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法は、膜の形成
速度が速く、しかも膜の組成の制御が容易であるという
効果があることがら超電導材料を製造するために有用な
方法である。
方法は、液体窒素温度(77に+ よりも高いTcの被
膜が得られるという効果を有するものである。また、本
発明の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法は、膜の形成
速度が速く、しかも膜の組成の制御が容易であるという
効果があることがら超電導材料を製造するために有用な
方法である。
特許出願人 東芝タンガロイ株式会社
Claims (3)
- (1)真空中で希土類金属又はこれらの酸化物の中の少
なくとも1種の第1物質とCa、Sr、Ba又はこれら
の酸化物の中の少なくとも1種の第2物質と銅及び/又
は酸化銅の第3物質とをそれぞれ別々に加熱蒸発してな
る蒸発物を加熱した基板の表面に堆積させると同時又は
交互に酸素イオンを前記基板の表面に照射して、該基板
の表面に前記第1物質と前記第2物質と前記第3物質と
を含有した複合酸化物の被膜を形成することを特徴とす
る酸化物超電導膜被覆物体の製造方法。 - (2)上記第1物質と上記第2物質と上記第3物質は、
それぞれ別々の方式でなる加熱源で加熱蒸発されること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の酸化物超電導
膜被覆物体の製造方法。 - (3)上記蒸発物は、上記第1物質中の金属元素:上記
第2物質中の金属元素:上記第3物質中の金属元素との
モル比率が1:1.8〜2.2:2.8〜3.2である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載
の酸化物超電導膜被覆物体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62254851A JPH0197319A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 酸化物超電導膜被覆物体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62254851A JPH0197319A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 酸化物超電導膜被覆物体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0197319A true JPH0197319A (ja) | 1989-04-14 |
Family
ID=17270729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62254851A Pending JPH0197319A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 酸化物超電導膜被覆物体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0197319A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172216A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Tokai Univ | 超電導材の製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6389482A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-20 | 若松熱錬株式会社 | セラミツク、ガラスのメツキ方法 |
JPS63247363A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS63252311A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 組成変調型電導材料 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62254851A patent/JPH0197319A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6389482A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-20 | 若松熱錬株式会社 | セラミツク、ガラスのメツキ方法 |
JPS63247363A (ja) * | 1987-04-03 | 1988-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト |
JPS63252311A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 組成変調型電導材料 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01172216A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-07 | Tokai Univ | 超電導材の製造方法 |
JPH0455132B2 (ja) * | 1987-12-26 | 1992-09-02 | Tokai Daigaku |
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