JPH01107420A - 酸化物超伝導体 - Google Patents
酸化物超伝導体Info
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- JPH01107420A JPH01107420A JP62263796A JP26379687A JPH01107420A JP H01107420 A JPH01107420 A JP H01107420A JP 62263796 A JP62263796 A JP 62263796A JP 26379687 A JP26379687 A JP 26379687A JP H01107420 A JPH01107420 A JP H01107420A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導薄膜を有する超伝導体に係り。
特に高い超伝導転移温度を持つ酸化物系超伝導薄膜を有
する酸化物超伝導体に関する。
する酸化物超伝導体に関する。
最近、 Ｓ ｒ −Ｌ ａ −Ｃｕ酸化物やＹ−Ｂａ−
Ｃｕ酸化物などペロブスカイト構造を基本に持つ酸化物
材料が４０に以上のル′５い超伝導転移温度（臨界温度
；Ｔｃ）を持つことが明らかにされた。これらの材料か
ら成る薄膜は、超伝導材料と近い組成の酸化物焼結体、
もしくはＹ ２０３ 、 Ｂ ａ Ｏ、Ｃｕ Ｏなどの
個々の金属酸化物の焼結体ペレットの集合体から成るタ
ーゲットを用いて高周波スパッタやマグネトロンスパッ
タ法でサファイヤ（Ａ（ｔｚＯ：＋）や酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）などの基板上に成膜することによって得ら
れている。あるいは、真空蒸着法によって酸化物超伝導
材料の構成元素、たとえばＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物の場合
は、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの３種類を同時に蒸着し基板上に膜
を形成し、しかる後に加熱酸化処理することによって酸
化物超伝導材料の薄膜を形成する方法が試みられている
。
Ｃｕ酸化物などペロブスカイト構造を基本に持つ酸化物
材料が４０に以上のル′５い超伝導転移温度（臨界温度
；Ｔｃ）を持つことが明らかにされた。これらの材料か
ら成る薄膜は、超伝導材料と近い組成の酸化物焼結体、
もしくはＹ ２０３ 、 Ｂ ａ Ｏ、Ｃｕ Ｏなどの
個々の金属酸化物の焼結体ペレットの集合体から成るタ
ーゲットを用いて高周波スパッタやマグネトロンスパッ
タ法でサファイヤ（Ａ（ｔｚＯ：＋）や酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）などの基板上に成膜することによって得ら
れている。あるいは、真空蒸着法によって酸化物超伝導
材料の構成元素、たとえばＹ−Ｂａ−Ｃｕ酸化物の場合
は、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕの３種類を同時に蒸着し基板上に膜
を形成し、しかる後に加熱酸化処理することによって酸
化物超伝導材料の薄膜を形成する方法が試みられている
。
なお、この分野の最近の技術動向の例は、ジャパニーズ
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス ２６
巻、５号（１９８７年）頁Ｌ６０１− Ｌ ８８４ （
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２６ｅ Ｎｏ、５ （
１９８７）ｐｐ、Ｌ６０１−ＬａＢ５）に報じられてい
る。
・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス ２６
巻、５号（１９８７年）頁Ｌ６０１− Ｌ ８８４ （
Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉ
ｅｄＰｈｙｓｉｃｓ、 Ｖｏｌ、２６ｅ Ｎｏ、５ （
１９８７）ｐｐ、Ｌ６０１−ＬａＢ５）に報じられてい
る。
スパッタ法や真空蒸着法により、高いＴｃを持つ超伝導
薄膜を形成するためには、膜の組成制御を正確に行い、
かつ適正な基板を選ぶことが重要である。従来技術のな
かでは、基板としてはＭｇＯやＳｒＴｉＯ３などの単結
晶が用いられており、これらの基板上に０．５〜２μｍ
の超伝導薄膜を形成して８０〜８８にの高いＴｃの値が
得られている。しかし、これらの単結晶基板は高価であ
るばかりでなく、電子デバイス例えば半導体の配線部品
として超伝導薄膜を用いるのが困雅である。一方、電子
デバイスの主要基板として用いられるＳｔや５ｉ０２上
に超伝導薄膜を形成した場合、基板と超伝導薄膜の構成
材料が熱処理温度において反応して、超伝導特性を示さ
なくなるという問題があった。
薄膜を形成するためには、膜の組成制御を正確に行い、
かつ適正な基板を選ぶことが重要である。従来技術のな
かでは、基板としてはＭｇＯやＳｒＴｉＯ３などの単結
晶が用いられており、これらの基板上に０．５〜２μｍ
の超伝導薄膜を形成して８０〜８８にの高いＴｃの値が
得られている。しかし、これらの単結晶基板は高価であ
るばかりでなく、電子デバイス例えば半導体の配線部品
として超伝導薄膜を用いるのが困雅である。一方、電子
デバイスの主要基板として用いられるＳｔや５ｉ０２上
に超伝導薄膜を形成した場合、基板と超伝導薄膜の構成
材料が熱処理温度において反応して、超伝導特性を示さ
なくなるという問題があった。
本発明は、酸化物系超伝導薄膜と基板との反応性を改良
し、高い臨界温度Ｔｃと臨界電流値Ｊｃをもった酸化物
系超伝導薄膜を電子デバイスに応用するのに好適構造の
酸化物超伝導体を提供することを宗とする。
し、高い臨界温度Ｔｃと臨界電流値Ｊｃをもった酸化物
系超伝導薄膜を電子デバイスに応用するのに好適構造の
酸化物超伝導体を提供することを宗とする。
上記目的は、Ｓｉあるいはその酸化物系の基板とＭｚ
Ｍｌ−Ｃｕ Ｏ系の金属酸化物超伝導薄膜（Ｍｏ：
少なくとも１種の希土類金属。
Ｍｌ−Ｃｕ Ｏ系の金属酸化物超伝導薄膜（Ｍｏ：
少なくとも１種の希土類金属。
Ｍｌ：少なくとも１種のアルカリ土類金属）との間にＭ
ｇＯから成る障壁層を介在させることによす達成できる
。
ｇＯから成る障壁層を介在させることによす達成できる
。
本発明の作用をＭｚ−Ｍｙ−Ｃｕ酸化物（ＭＩ：希土類
金属、Ｍ、：アルカリ土類金属）系超伝導薄膜の内１Ｍ
□としてＹ、Ｍ、ＩＬとしてＢａ、基板としてＭｇＯを
用いた場合を例に真空蒸着法で形成した方法について説
明する。第１図は、基板ｌ上に希土類金属（Ｍｌ）２と
してＹ。
金属、Ｍ、：アルカリ土類金属）系超伝導薄膜の内１Ｍ
□としてＹ、Ｍ、ＩＬとしてＢａ、基板としてＭｇＯを
用いた場合を例に真空蒸着法で形成した方法について説
明する。第１図は、基板ｌ上に希土類金属（Ｍｌ）２と
してＹ。
アルカリ土類金ｇ（Ｍｌ）３としてＢａ、及びＣｕ３か
ら成るＹｒＢａ：Ｃｕ＝ｌ：２：３の割合の金属積層膜
を形成した例である。ついで上記金属積層膜を電気炉中
に入れ、酸素ガス雰囲気中で６００〜１０００℃に熱処
理して酸化物系超伝導薄膜を作製する。この場合、金属
積層膜の総膜厚は、２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が適当
である。
ら成るＹｒＢａ：Ｃｕ＝ｌ：２：３の割合の金属積層膜
を形成した例である。ついで上記金属積層膜を電気炉中
に入れ、酸素ガス雰囲気中で６００〜１０００℃に熱処
理して酸化物系超伝導薄膜を作製する。この場合、金属
積層膜の総膜厚は、２０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下が適当
である。
金属積層膜の総膜厚が２０ｎｍ以下では、上記基板上の
酸化物超伝導薄膜が連続的につながった膜になりにくい
＊ ２０ｎｍ〜２５０ｎｍでは、ペロブスカイト構造の
酸化物系超伝導薄膜のＣ軸が基板面に高配向した膜が得
られ、高いＪｃとＴｃの値が得られることがわかった。
酸化物超伝導薄膜が連続的につながった膜になりにくい
＊ ２０ｎｍ〜２５０ｎｍでは、ペロブスカイト構造の
酸化物系超伝導薄膜のＣ軸が基板面に高配向した膜が得
られ、高いＪｃとＴｃの値が得られることがわかった。
２５０ｎｍ以上になると、多結晶の酸化物系超伝導薄膜
となり、超伝導特性は示すが、ＪｃとＴｃが低い値とな
る。
となり、超伝導特性は示すが、ＪｃとＴｃが低い値とな
る。
ＭｇＯ基板としては（００１）、（１１１）。
（０１１）方位の単結晶、あるいは多結晶もしくは非晶
質のいずれでも良いが、（００１）ＭｇＯ単結晶を用い
た方が超伝導薄膜のＣ軸配向性は優れている。
質のいずれでも良いが、（００１）ＭｇＯ単結晶を用い
た方が超伝導薄膜のＣ軸配向性は優れている。
基板ｌとして、Ｓ ｉ、５ｉ０２．Ｓ １ＣｓＳｉ３Ｎ
４を用いて、この上に直接金属積層膜を形成した場合、
酸素雰囲気中での熱処理過程において、基板と積層膜材
料が反応して、良好な超伝導特性を示さない。
４を用いて、この上に直接金属積層膜を形成した場合、
酸素雰囲気中での熱処理過程において、基板と積層膜材
料が反応して、良好な超伝導特性を示さない。
これに対して、上記Ｓ ｔ、ｓｉｏ、、Ｓ ｉｃ。
Ｓｉ３Ｎ、基板上に厚さ０．０１〜３μｍのＭｇＯから
成る障壁層を設け、この上に前記金属積層膜を形成し、
酸化熱処理を施すと、金属積層膜と下地基板との反応を
防止でき、良好な超伝導特性を示すことがわかった。前
記障壁層の厚さが０．０１μｍ以下では、ＭｇＯの完全
な連続膜に成りにくく、基板と金属積層膜との反応を充
分に防止する効果が小さい。障壁層の厚さが３μｍ以上
になると、膜の表面が凹凸になる欠点がある。
成る障壁層を設け、この上に前記金属積層膜を形成し、
酸化熱処理を施すと、金属積層膜と下地基板との反応を
防止でき、良好な超伝導特性を示すことがわかった。前
記障壁層の厚さが０．０１μｍ以下では、ＭｇＯの完全
な連続膜に成りにくく、基板と金属積層膜との反応を充
分に防止する効果が小さい。障壁層の厚さが３μｍ以上
になると、膜の表面が凹凸になる欠点がある。
本発明では、基板と酸化物超伝導薄膜の構成材料との反
応性をなくシ、良好な超伝導特性をもった超伝導薄膜の
形成方法を提供するものであり、以下実施例により詳細
に説明する。
応性をなくシ、良好な超伝導特性をもった超伝導薄膜の
形成方法を提供するものであり、以下実施例により詳細
に説明する。
実施例１゜
第２図に示す真空蒸着装置を用いて積層膜を形成した。
装置の到達真空度はｌＸｌ０−’Ｔｏｒｒである。蒸着
源５は電子ビーム衝撃加熱式で回転ハースを持ち４種類
の異った材料を連続的に蒸発させることができる。蒸着
用の基板１は、その背後に設けたヒータ６で加熱できる
。蒸着速度と膜厚は水晶振動子式膜厚計７で測定し、制
御できる。
源５は電子ビーム衝撃加熱式で回転ハースを持ち４種類
の異った材料を連続的に蒸発させることができる。蒸着
用の基板１は、その背後に設けたヒータ６で加熱できる
。蒸着速度と膜厚は水晶振動子式膜厚計７で測定し、制
御できる。
作製した酸化物超伝導体の断面構造を第３図に示す。基
板１として、Ｓｉ、５ｉ０２．ＳｉＣ。
板１として、Ｓｉ、５ｉ０２．ＳｉＣ。
Ｓｉ３Ｎ４を各々２組と比較用として（００１）ＭｇＯ
を用い、基板温度を３００℃に設定した。
を用い、基板温度を３００℃に設定した。
まず、シャッタ８を半開にして、１組のＳｉ。
５ｉ０２．Ｓ ｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４基板上にＭｇＯの障壁
層９を厚さ１１００ｎ形成した。ついでシャッタ８を全
開にして、障壁５９を形成した。１組のＳ ｉ＊ Ｓ
ｘ Ｏ２？ Ｓ ｉ Ｃｇ Ｓ 、１３ Ｎ ４基板と
障壁層を設けない他の１組のＳｌ ｅ ＳｉＯ２ｔ Ｓ
ｉ Ｃ。
層９を厚さ１１００ｎ形成した。ついでシャッタ８を全
開にして、障壁５９を形成した。１組のＳ ｉ＊ Ｓ
ｘ Ｏ２？ Ｓ ｉ Ｃｇ Ｓ 、１３ Ｎ ４基板と
障壁層を設けない他の１組のＳｌ ｅ ＳｉＯ２ｔ Ｓ
ｉ Ｃ。
Ｓｉ３Ｎ４及びＭｇＯ基板上に、Ｙを６膜ｍ、Ｂａを２
４ｎｍ、Ｃｕを６．５膜ｍ蒸着し、３層の金属積属構造
を形成した。この３層構造を６回繰り返して形成し、合
計０．２μｍ厚の積層構造膜を形成した。各材料の蒸着
速度は０．５〜１０ｎｍ／ｓｅｅの間の一定値とした。
４ｎｍ、Ｃｕを６．５膜ｍ蒸着し、３層の金属積属構造
を形成した。この３層構造を６回繰り返して形成し、合
計０．２μｍ厚の積層構造膜を形成した。各材料の蒸着
速度は０．５〜１０ｎｍ／ｓｅｅの間の一定値とした。
成膜後、各試料を真空蒸着装置から取り出し。
電気炉に入れ、以下の条件で熱処理を行った。雰囲気は
約１気圧の酸化雰囲気とし、室温から１００℃／ｈの速
度で昇温し、９１０℃で２時間保った後、１００℃／ｈ
の速度で室温まで冷却し。
約１気圧の酸化雰囲気とし、室温から１００℃／ｈの速
度で昇温し、９１０℃で２時間保った後、１００℃／ｈ
の速度で室温まで冷却し。
積層膜の酸化および拡散反応処理を行った。
処理後の試料は、Ｘ線回折法によって超伝導材料に固有
なペロブスカイト構造が実現されていることを確認する
と共に、他の反応生成物の有無について調べた。また各
試料について４端子法により臨界温度（Ｔｃ）と４．２
Ｋにおける臨界電流（ＪＣ）を測定した。その結果を表
１に示す。
なペロブスカイト構造が実現されていることを確認する
と共に、他の反応生成物の有無について調べた。また各
試料について４端子法により臨界温度（Ｔｃ）と４．２
Ｋにおける臨界電流（ＪＣ）を測定した。その結果を表
１に示す。
表 １
表１から明らかなように、Ｓｉ、ＳｉＯ□。
ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４などの基板に直接超伝導薄膜を形成
した場合、基板界面付近に反応相が形成され、Ｔｃ、Ｊ
ｃ共に低い値となった。これに対して上記基板上にＭｇ
Ｏの障壁層を形成した場合、基板材料との反応相ができ
ず、（００１）ＭｇＯ単結晶基板を用いた場合とほぼ同
等の超伝導特性を示すことがわかる。
した場合、基板界面付近に反応相が形成され、Ｔｃ、Ｊ
ｃ共に低い値となった。これに対して上記基板上にＭｇ
Ｏの障壁層を形成した場合、基板材料との反応相ができ
ず、（００１）ＭｇＯ単結晶基板を用いた場合とほぼ同
等の超伝導特性を示すことがわかる。
実施例２゜
基板としてＳｉＯ２を用い、ターゲットとしてＥｒ：Ｂ
ａ：Ｃｕを１：２：３に割合したＥｒ 、Ｂａ ２ Ｃ
ｕ ３０ ｔ −ｘの焼結体を使ッテ以下の条件でスパ
ッタ法により超伝導薄膜を形成した。
ａ：Ｃｕを１：２：３に割合したＥｒ 、Ｂａ ２ Ｃ
ｕ ３０ ｔ −ｘの焼結体を使ッテ以下の条件でスパ
ッタ法により超伝導薄膜を形成した。
スパッタガスはＡｒ：０２＝１０：１の混合ガスを１０
ｍＴｏｒｒ導入し、投入電力は １００ Ｗ／ｃｍ ３とした。まず５ｉ０２基板を室温
に保ちながらＭｇＯ膜を厚さ１μｍ形成し、ついで同一
真空中で基板温度を６００℃に設定してＥｒ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０膜を厚さ０．２μｍ形成した。同様に５ｉ０２基
板を３００℃、６００℃に保ってＭｇＯ膜を１μｍの厚
さ形成して、この上に６００℃の基板温度でＥｒ−Ｂａ
−Ｃｕ−０膜を０．２μｍの厚さ形成した。また比較用
として５ｉ０２と（００１）ＭｇＯ基板上に直接上記超
伝導膜を形成した。
ｍＴｏｒｒ導入し、投入電力は １００ Ｗ／ｃｍ ３とした。まず５ｉ０２基板を室温
に保ちながらＭｇＯ膜を厚さ１μｍ形成し、ついで同一
真空中で基板温度を６００℃に設定してＥｒ−Ｂａ−Ｃ
ｕ−０膜を厚さ０．２μｍ形成した。同様に５ｉ０２基
板を３００℃、６００℃に保ってＭｇＯ膜を１μｍの厚
さ形成して、この上に６００℃の基板温度でＥｒ−Ｂａ
−Ｃｕ−０膜を０．２μｍの厚さ形成した。また比較用
として５ｉ０２と（００１）ＭｇＯ基板上に直接上記超
伝導膜を形成した。
成膜後、酸化雰囲気中で８５０℃で２時間熱処理を施し
た。熱処理時の昇温、及び降温速度はいずれも１００℃
／ｈとした。
た。熱処理時の昇温、及び降温速度はいずれも１００℃
／ｈとした。
処理後の試料は、Ｘ線回折法によりＭｇＯ障壁層と超伝
導膜の構造解析を行い、同様にＴｃの測定を行った。そ
の結果を表２に示す。
導膜の構造解析を行い、同様にＴｃの測定を行った。そ
の結果を表２に示す。
表 ２
表２から明らかなように、基板上にＭｇＯの障壁層を設
けることにより、いずれも良好な超伝導特性を示し、Ｍ
ｇＯ膜としては（００１）配向膜が最も優れているが、
非晶質膜あるいは多結晶膜でもほぼ同等の特性を示すこ
とが明らかである。
けることにより、いずれも良好な超伝導特性を示し、Ｍ
ｇＯ膜としては（００１）配向膜が最も優れているが、
非晶質膜あるいは多結晶膜でもほぼ同等の特性を示すこ
とが明らかである。
実施例３゜
実施例１と同様の真空蒸着装置を用いて。
（００１）ＭｇＯ単結晶基板上に、Ｖ、Ｏ３゜ＢａＯ，
ＣｕＯから成る積層膜をＹ ： Ｂ ａ ： Ｃｕ＝１
：２：３となるように形成した。積層膜形成時の基板温
度は６００℃とし、積層膜の厚さを３Ｏｎｍｅ ９０ｎ
ｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ。
ＣｕＯから成る積層膜をＹ ： Ｂ ａ ： Ｃｕ＝１
：２：３となるように形成した。積層膜形成時の基板温
度は６００℃とし、積層膜の厚さを３Ｏｎｍｅ ９０ｎ
ｍ、１５０ｎｍ、２００ｎｍ。
３００ｎｍと変化した試料を作製した。これらの試料を
真空蒸着装置から取り出し、実施例１と同様の酸化熱処
理を施し、酸化物系超伝導薄膜を作製した。
真空蒸着装置から取り出し、実施例１と同様の酸化熱処
理を施し、酸化物系超伝導薄膜を作製した。
処理後の試料は、Ｘ線回折法により超伝導材料に固有な
ペロブスカイト構造が実現されていることを確認した０
本実施例における超伝導膜はいずれもＣ軸配向膜であっ
たが、膜厚の増加と共にＣ軸方向のＸ線回折ピーク以外
に他の結晶面の回折ピークが観察された。表３に、超伝
導膜のＸ線回折における（ＯＯ６）回折ピーク強度に対
する（＋０３）回折ピーク強度の割合と膜厚の関係を示
す。
ペロブスカイト構造が実現されていることを確認した０
本実施例における超伝導膜はいずれもＣ軸配向膜であっ
たが、膜厚の増加と共にＣ軸方向のＸ線回折ピーク以外
に他の結晶面の回折ピークが観察された。表３に、超伝
導膜のＸ線回折における（ＯＯ６）回折ピーク強度に対
する（＋０３）回折ピーク強度の割合と膜厚の関係を示
す。
表 ３
これらの薄膜のＴｃを４端子法で測定した結果。
いずれも約８０にのＴｅの値を示したが、超伝導膜の膜
厚が２５０ｎｍ以上に厚くなるとＪｃの値が小さくなる
傾向があった。
厚が２５０ｎｍ以上に厚くなるとＪｃの値が小さくなる
傾向があった。
以上述べたように、本発明によれば、基板と超伝導膜と
の反応により良好な超伝導特性を示さなかった基板にお
いても、両者の間に障壁層を形成することにより超伝導
特性を向上でき、高い臨界温度をもつ酸化物系超伝導薄
膜の産業上の応用範囲を拡大できる効果がある。
の反応により良好な超伝導特性を示さなかった基板にお
いても、両者の間に障壁層を形成することにより超伝導
特性を向上でき、高い臨界温度をもつ酸化物系超伝導薄
膜の産業上の応用範囲を拡大できる効果がある。
第１図は本発明の酸化物超伝導体の形成の一過程を示す
積層構造膜を示す断面図、第２図は本発明の実施例で使
用した製造装置の構成図、第３図は本発明の実施例の酸
化物超伝導体の断面図である。 １・・・基板、２・・・希土類金ｍ （Ｍ ｚ） 、
３・・・アルカリ土類金属（Ｍ］［）、４・・・Ｃｕ、
５・・・蒸着源、６・・・ヒータ、７・・・膜厚計、８
・・・シャッタ、９・・・障壁層。
積層構造膜を示す断面図、第２図は本発明の実施例で使
用した製造装置の構成図、第３図は本発明の実施例の酸
化物超伝導体の断面図である。 １・・・基板、２・・・希土類金ｍ （Ｍ ｚ） 、
３・・・アルカリ土類金属（Ｍ］［）、４・・・Ｃｕ、
５・・・蒸着源、６・・・ヒータ、７・・・膜厚計、８
・・・シャッタ、９・・・障壁層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板とＭ＿ I −Ｍ＿II−Ｃｕ−Ｏ系の金属酸化物
（Ｍ＿ I ：少なくとも１種の希土類金属、 Ｍ＿II：少なくとも１種のアルカリ土類金属）から成る
超伝導薄膜との間にＭｇＯから成る障壁層を有すること
を特徴とする酸化物超伝導体。 ２、特許請求の範囲第１項記載の酸化物超伝導体におい
て、上記ＭｇＯ膜の膜厚は０．０１〜３μｍであり、か
つ結晶構造は非晶質あるいは多結晶もしくは（００１）
配向膜である酸化物超伝導体。 ３、特許請求の範囲第１項記載の酸化物超伝導体におい
て、上記超伝導薄膜の膜厚は２０〜 ２５０ｎｍである酸化物超伝導体。 ４、特許請求の範囲１項記載の酸化物超伝導体において
、上記超伝導薄膜はｃ軸配向膜である酸化物超伝導体。 ５、特許請求の範囲第１項記載の酸化物超伝導体におい
て、上記基板はＳｉ、ＳｉＯ＿２、ＳｉＣ、Ｓｉ＿３Ｎ
＿４、またはＡｌ＿２Ｏ＿３である酸化物超伝導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263796A JPH01107420A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 酸化物超伝導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62263796A JPH01107420A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 酸化物超伝導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01107420A true JPH01107420A (ja) | 1989-04-25 |
Family
ID=17394373
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62263796A Pending JPH01107420A (ja) | 1987-10-21 | 1987-10-21 | 酸化物超伝導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01107420A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244012A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の形成法 |
| KR100417802B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2004-02-05 | 유나이티드 테크놀로지스 코포레이션 | 실리콘이 함유된 기판 및 보호/열 장벽 코팅으로 기능하는장벽층 |
-
1987
- 1987-10-21 JP JP62263796A patent/JPH01107420A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244012A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-14 | Dowa Mining Co Ltd | 超伝導薄膜の形成法 |
| KR100417802B1 (ko) * | 2000-06-29 | 2004-02-05 | 유나이티드 테크놀로지스 코포레이션 | 실리콘이 함유된 기판 및 보호/열 장벽 코팅으로 기능하는장벽층 |
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