JPH01298315A - 液晶表示素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、液晶表示素子の製造方法に係り、詳しくは
液晶分子に配向性をもたせるために施すラビング処理に
際し、静電気の発生を防止した液晶表示素子の製造方法
に関するものである。

（従来の技術） 例えばネマチック液晶等を使用した液晶表示素子では、
電圧を印加していない状態において、液晶の透明度の悪
化やコントラストの低下を防止する目的で透明基板の内
面に配向処理を施して、液晶分子を一定方向に規則正し
く配向させている。

この配向処理法の一つとして、電極を設けた透明なガラ
ス基板の内面に高分子配向膜を形成し、この高分子配向
膜をナイロン、ポリエステル等からなる布で擦るラビン
グ処理が知られている。

（発明が解決しようとする課題） 上記ラビング処理では、高分子配向膜を布等で擦る際、
絶縁物である高分子配向膜と布等との摩擦で静電気が発
生し、この静電気が電穫間で放電して電極間の静電破壊
（例えば短絡や断線など）が生じる問題があった。

このような問題を解決するため、例えば、配向処理時に
薄膜トランジスタをＯＮ状態にして、ラビング中に発生
した静電気をドレインラインに逃がす方法（特開昭６１
−２３０１１９号公報参照）や、ラビング処理に際し、
導電性を有する素材を混入した混紡布を用いる方法（特
間昭６１−１５１２９号公報参照）や、配向処理時に配
向膜表面に発生する静電気を、配向膜表面に接触する導
電体によって基板の外部に放出させる方法（特開昭６０
−２３７４３０号公報参照）等が提案されている。

しかしながら、配向処理時に薄膜トランジスタをＯＮ状
態にして、ラビング中に発生した静電気をドレインライ
ンに逃がす方法や、配向処理時に配向膜表面に発生する
静電気を、配向膜表面に接触する導電体によって基板の
外部に放出する方法では、手間がかかる問題があった。

特に、後者の方法では、ラビング処理後に導電体部分を
除去しな番ノればならない煩わしさがあった。また、ラ
ビング処理に際し導電性を有する素材を混入した混紡布
を用いる方法では、コストアップになる等の問題があっ
た。

この発明は上記従来技術の問題点を解消するもので、そ
の目的とするところは、手間がかからずに静電気の発生
を防止してラビング処理を施すことが可能な液晶表示素
子の製造方法を提供することにある。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するためこの発明の液晶表示素子の製造
方法では、基板上に設けた配向膜をラビング処理する液
晶表示素子の製造方法において、７０％ＲＨ〜８０％Ｒ
Ｈの高湿度雰囲気下で、結露しないように前記基板を加
温しつつ、前記配向膜にラビング処理を施すことを特徴
としている。

（作用） 湿度７０％ＲＨ〜８０％ＲＨの下で基板上に形成された
配向膜をラビング処理すると、静電気の発生を少なくす
ることが出来る。この際、基板を結露しないように加温
すると、ラビング処理後に何ら処理を施すことなく、す
ぐに次の■程に移ることが出来る。

ここで、湿度が７０％ＲＨよりも少ないと、静電気の発
生量が多く（第２図の曲線Ａ参照）、静電気の放電によ
る電極の欠陥□が増える（同図の曲Ｉ！Ｂ参照）。

また、湿度が８０％ＲＨで配向膜の欠陥の発生率がほぼ
零になり（同図の曲１ｊ１８参照）、それ以上湿度を上
げた場合には配向不良発生の原因となり好ましくない。

（実施例） 以下、この発明の一実流例を図面を参照して説明する。

第１図はこの発明の液晶表示素子の製造方法の一例を示
している。

図中符号１０はラビング処理に際して使用される湿度制
御ブースで、加湿ダクト１１と除湿ダクト１２とファン
１３とが装備されている。この湿度制御ブース１０は、
図示しないセンサで内部の相対湿度を検知し、この検知
信号に基づき加湿ダクト１１から送り込む湿気を含んだ
空気間を制御する一方、除湿ダクト１２から排出する空
気量を制御することにより、内部の湿度（相対湿度）を
±５％ＲＨの誤差の範囲内で制御することが出来る。

このとき、ファン１３は内部の空気を撹拌して湿度を均
一にする。また、湿度制御ブース１ｏ内には、ナイロン
、ポリエステル等からなる布２１を設けたバフローラ２
０が回転可能に８（！され、またラビングテーブル３０
が入口側から出口側に向けて走行可能に装備されている
。

上記湿度制御ブース１０を使用してラビング処理する場
合には、予め電極４２をパターニングしたガラス基板４
０上に配向膜４１を塗布し、次いでこのガラス基板４０
をラビングテーブル３０のホットプレート３１上に載置
して、湿度制御ブース１０内に送り込む。ここで、湿度
制御ブース１０内は湿度が７０％ＲＨ〜８０％ＲＨ程度
に制御されている。また、バフローラ２０は、ラビング
テーブル３０の走行方向と反対側に回転している。

ラビングテーブル３０によりガラス基板４０がバフロー
ラ２０の位置に運ばれてくると、バフローラ２０がこの
ガラス基板４０上の配向膜４１を擦り、配向膜４１に擦
り溝を形成する。

配向膜４１を擦る際、絶縁物である配向膜４１とバフロ
ーラ２０の布２１との相互の摩擦により静電気が発生し
ようと−１−るが、７０％ＲＨ〜８０％ＲＨ程度の高湿
度雰囲気であるため、静電気はガラス基板４０や重囲４
２に帯電することなく、直ちに外に流れてしまい、静電
見聞は非常にわずかなものとなり、静電気が電極４２間
で放電することにより電極４２が破壊されるような事態
には至らない。

また、ホットプレート３１により、ガラス基板４０が加
温されるため、湿気により結露するよう４韮事態が防止
され、湿度制御ブース１０を出たガラス基＃Ｉ４０は直
ちに次の工程に運ばれ、洗浄後同じようにしてラビング
処理されたガラス基板と巾ね合わされて、周縁部を密封
した後、液晶が１４人される。

第２図のグラフは、上記湿度制御ブース１０により湿度
を変化させて、静電気量や欠陥の発生率との関係を調べ
たもので、曲線Δは湿度（相対ｉ９度％ＲＨ）と静電気
ｆｉ　（ＫＶ）との関係を示し、また曲線Ｂは湿度（相
対湿度％ＲＨ）と欠陥の発生率（ケ／セル）との関係を
示している。

曲線へから明らかなように、１度が多くなるとそれにし
Ｅがって発生づる静電気量が減少した。

また、曲線Ｂから明らかなように、湿度が多くなるとそ
れにしたがって欠陥の発１−率が減少した。

ここで、湿度が７０％ＲＨよりも少ない場合には、静電
気量が多く、欠陥の発生率が増えるので、７０％ＲＨ以
上にしなければならないことが分かる。

また、湿度が８０％ＲＨ程度になると欠陥の発生率−は
ほぼ零となり、それ以上多くする必廿がないことが分か
る。ｉ’！１ｉｌｌ臭が高くなると、それにしたがって
結露しやすくなるので、湿度は必要厄小限に抑えなけれ
ばならない。ずなわら、必要以−ト（に湿度を高くする
と、配向不良を起こして易・く好ましくない。

し発明の効果１ 以上説明したようにこの発明の液晶表示素子の製造方法
によれば、７０％Ｒｌ−（〜８０％ＲＨの高湿度雰囲気
下で、結露しないように基板をＩＩＯ濡しつつ、配向膜
にラビング処理を施づようにしたので、手間がかからず
に静電気の発生を防止してラビング処理を施すことが出
来る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の液晶表示素子の製造方法の一実施例
を示す説明図、第２図は湿度と静電気量や欠陥の発生率
との関係を示すグラフである。 １０・・・湿度制御ブース ２０・・・バフローラ ２１・・・市 ３０・・・ラビングテーブル ３１・・・ホットプレート ４０・・・基板 ４１・・・配向膜 代理人　弁理士　　三　好　保　男 ｉ　ｏ　−、ｚ　ａ　ｈ＋　ａブース ２ｏ・・バフローラ ２１　・　市 ３０・・ラビングテーブル ３１−・ホットプレート ４０・・基板 ｕ　４、−２向呻 第１図 ＲＨ（”／、） 第２図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　基板上に設けた配向膜をラビング処理する液晶表示素
   子の製造方法において、 ７０％ＲＨ〜８０％ＲＨの高湿度雰囲気下で、結露しな
   いように前記基板を加温しつつ、前記配向膜にラビング
   処理を施すことを特徴とする液晶表示素子の製造方法。