JPH03239217A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents
液晶装置の製造方法Info
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- JPH03239217A JPH03239217A JP3669690A JP3669690A JPH03239217A JP H03239217 A JPH03239217 A JP H03239217A JP 3669690 A JP3669690 A JP 3669690A JP 3669690 A JP3669690 A JP 3669690A JP H03239217 A JPH03239217 A JP H03239217A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
この発明は、コンピュータ一端末、画像表示装置、シャ
ッターのようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置の製造方法、特に配向膜の形成方法に関する。
ッターのようなシステムに使用される液晶を用いた電気
光学装置の製造方法、特に配向膜の形成方法に関する。
［発明の概要〕
基板−トに透明電極、電極上に配向膜を設けた一対の基
板で液晶を挟持してなる液晶装置において、配向膜を配
向処理する工程が、基板を加湿しながら、基板表面をラ
ビング処理する工程であることにより、静電気による配
向膜の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装置を得るこ
とを狙ったものである。
板で液晶を挟持してなる液晶装置において、配向膜を配
向処理する工程が、基板を加湿しながら、基板表面をラ
ビング処理する工程であることにより、静電気による配
向膜の破壊を防止し、表示品質の高い液晶装置を得るこ
とを狙ったものである。
［従来の技術］
ドツトマトリクスタイプの表示装置として、薄型、軽量
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置が注目され
ている。
、低消費電力の特徴を生かした液晶表示装置が注目され
ている。
従来の液晶装置の配向膜の形成方法としては、基板上に
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。
ポリイミド系高分子樹脂を塗布した後、布等で一定方向
にラビングする（特開昭５５−１４３５２５）等で形成
していた。
［発明が解決しようとする課Ｂ］
しかし、前述のラビング法は量産性に優れるという特長
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。
を持っているが、布等によりポリイミド系高分子樹脂か
らなる配向膜層をこするため、摩擦により静電気が発生
してしまう。そして電荷が放電するときに、部分的に配
向膜層を破壊するという欠点を有していた。
この現象を第２図に基づいて説明する。第２図ｆａｌ中
２１ａ 、２１ｈ 、２＋、ｃ 、と２２ａ 、２２ｂ
、２２ｃは液晶表示装置におけるデータ信号電極（セ
グメント電極）で、２３ａ 、２３ｂは走査信号電極（
コモン電ｌ７ｉｉ）で、セグメント電極とコモン電極は
対向する対の基板トに設置されている。さらに配向膜層
はこれら電極」−に対向する形で設置されている。
２１ａ 、２１ｈ 、２＋、ｃ 、と２２ａ 、２２ｂ
、２２ｃは液晶表示装置におけるデータ信号電極（セ
グメント電極）で、２３ａ 、２３ｂは走査信号電極（
コモン電ｌ７ｉｉ）で、セグメント電極とコモン電極は
対向する対の基板トに設置されている。さらに配向膜層
はこれら電極」−に対向する形で設置されている。
第２図ｆｂｌはセグメント電極側の基板を示した図であ
り、基板が布等でラビング処理されると、電４４に電荷
かたまり、２＋ａ 、！：２２ａ間、２１ｂと２２ｂ間
、２１ｃ と２２ｃ間で電荷の放電が起こる。その結果
第２図（Ｃ１の２４ａ 、２４ｂ 、２４ｃ 、２４ｄ
、２４ｅ 、２４ｆの様に配向膜層が破壊されてしま
う。
り、基板が布等でラビング処理されると、電４４に電荷
かたまり、２＋ａ 、！：２２ａ間、２１ｂと２２ｂ間
、２１ｃ と２２ｃ間で電荷の放電が起こる。その結果
第２図（Ｃ１の２４ａ 、２４ｂ 、２４ｃ 、２４ｄ
、２４ｅ 、２４ｆの様に配向膜層が破壊されてしま
う。
第２図（ｄ＋はこの様な基板をセグメント電極側基板に
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極と二１モン電極が交差する場所が情報
を表示する領域で、画素と呼ばれ一ζいる６２５ａ 、
２５ｂ 、２５ｃ ＝ ２５ｄ 、 ２５ｅ 、 ２５
ｆの領域では配向膜層が静電気により破壊されているた
め画素が欠けてしまうという問題があった。
使用し、コモン電極側基板を対向させた場合の図である
。セグメント電極と二１モン電極が交差する場所が情報
を表示する領域で、画素と呼ばれ一ζいる６２５ａ 、
２５ｂ 、２５ｃ ＝ ２５ｄ 、 ２５ｅ 、 ２５
ｆの領域では配向膜層が静電気により破壊されているた
め画素が欠けてしまうという問題があった。
実際このような液晶装置で表示を行うと、表示画面の中
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低ドさせていた。
央部に表示情報とはまったく無関係に線が走ってしまい
、表示品質を著しく低ドさせていた。
本発明はこの様な問題点を解決するもので、その目的は
ラビング処理中に発生ずる静電気を防■するところにあ
る。
ラビング処理中に発生ずる静電気を防■するところにあ
る。
［課題を解決するための手段］
上記問題を解決するためにこの発明は、基板子に透明電
極、電極上に配向膜を設けた−・対の基板で液晶を挟持
してなる液晶装置においで、前記配向膜を配向処理する
工程が、基板を加湿しながら、基板表面をラビング処理
する工程からなることを特徴とするものである。
極、電極上に配向膜を設けた−・対の基板で液晶を挟持
してなる液晶装置においで、前記配向膜を配向処理する
工程が、基板を加湿しながら、基板表面をラビング処理
する工程からなることを特徴とするものである。
［作用］
以下に本発明の作用を第１図に基づいて説明する。
第１図中１１は基板で表面に電極層１２、配向膜層１３
が設置されている。１４は配向処理を行うためのロール
である。このロールは１５の矢印方向に回転しながらラ
ビングを行う。１６はロールの移動する方向である。１
７は基板を固定するための台である。
が設置されている。１４は配向処理を行うためのロール
である。このロールは１５の矢印方向に回転しながらラ
ビングを行う。１６はロールの移動する方向である。１
７は基板を固定するための台である。
前記ロールが配向膜層を摩擦する際、静電気が発生する
。
。
本発明は摩擦されるものが置いである環境の湿度が高い
場合、発生ずる静電気間は小さくなることを利用してい
る。
場合、発生ずる静電気間は小さくなることを利用してい
る。
［実施例１１
超音波加湿器で基板を純水加湿した状態でラビング処理
を行った。
を行った。
−Ｆ記基板を用いて液晶装置を構成したところ、表示Ｊ
、うのない液晶装置が得られた。
、うのない液晶装置が得られた。
基板の湿度は５０％から８０％まで変化させたが、静電
気の発生は低減し、同様の効果が得られた。
気の発生は低減し、同様の効果が得られた。
［実施例２］
第１図で示したラビング処理を行う前に基板を高湿度雰
囲気中に一定時間放置し７た後、ラビング処理を行った
。条件は湿度９０％、温度６０ ’ｃ、放置は１時間で
ある。
囲気中に一定時間放置し７た後、ラビング処理を行った
。条件は湿度９０％、温度６０ ’ｃ、放置は１時間で
ある。
実施例１と同様に液晶装置を構成したところ、表示ムラ
のない液晶装置が得られた。
のない液晶装置が得られた。
さらに湿度を５０％から９０％まで変化させたが、静電
気の発生は低減し、同様の効果が得られた。
気の発生は低減し、同様の効果が得られた。
［実施例３］
第１図で示したラビング処理を行う前に基板を純水中に
１分間から３分間浸漬させた後、ラビング処理を行った
。さらにラビング処理後、しめを除くため基板を５０°
Ｃから６０℃に加熱した温純水中に１分間から３分間浸
漬させた後、９０”Ｃの温風を吹きつけ、水分を取った
。
１分間から３分間浸漬させた後、ラビング処理を行った
。さらにラビング処理後、しめを除くため基板を５０°
Ｃから６０℃に加熱した温純水中に１分間から３分間浸
漬させた後、９０”Ｃの温風を吹きつけ、水分を取った
。
実施例１と同様に液晶装置を構成したところ、表示ムラ
のない液晶装置が得られた。
のない液晶装置が得られた。
［実施例４］
第１図で示したラビング処理を行う前に基板を高純度エ
タノール中に３０秒から１２０秒間浸漬させた後、ラビ
ング処理を行った。
タノール中に３０秒から１２０秒間浸漬させた後、ラビ
ング処理を行った。
実施例１と同様に液晶装置を構成したところ、表示ムラ
のない液晶装置が得られた。
のない液晶装置が得られた。
以」ニの実施例に用いたラヒング用の布は、ボＩＩエス
テル、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関
係なく、静電気は減少し、同様の効果が得られた。
テル、ナイロン等の高分子繊維を使用したが、材質に関
係なく、静電気は減少し、同様の効果が得られた。
また液晶装置については、水平配向を行うツイストネマ
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行・）
ボメオトロビノク型等のラビング処理を行う液晶装置で
あれば、同様の効果が得られた。
チック型、スーパーツイスト型、また垂直配向を行・）
ボメオトロビノク型等のラビング処理を行う液晶装置で
あれば、同様の効果が得られた。
さらにロールの回転方向、移動回数、回転速度、移動速
度を変化させたが、同様の効果が得られた。
度を変化させたが、同様の効果が得られた。
［発明の効果］
以」＝説明したように本発明によれば、基板上に透明電
極、電極上に配向膜を設けた一対の基板で液晶を挟持し
てなる液晶装置において、配向膜を配向処理する工程が
、基板を加湿しながら、基板表面をラビング処理する工
程であることにより、静電気による配向膜の破壊を防止
し、表示品質の高い液晶装置を得ることができるように
なった。
極、電極上に配向膜を設けた一対の基板で液晶を挟持し
てなる液晶装置において、配向膜を配向処理する工程が
、基板を加湿しながら、基板表面をラビング処理する工
程であることにより、静電気による配向膜の破壊を防止
し、表示品質の高い液晶装置を得ることができるように
なった。
第１図は本発明の製造方法を説明する模式図、第２図ｆ
８＋、（ｂｌ、（Ｃ）、（ｄｌは従来の製造方法を示す
模式図である。 １１・・・・・・・・基板 １２・・・・・ ・・電極層 １３・・・・・・・・配向膜層 １イ・・・・・・・・配向処理を行うためのロール１５
・・・・・・・・ロールの回転方向Ｉ６・・・・・・・
・ロールの移動する方向１７・・・・・・・・基板を固
定するための台以」ニ
８＋、（ｂｌ、（Ｃ）、（ｄｌは従来の製造方法を示す
模式図である。 １１・・・・・・・・基板 １２・・・・・ ・・電極層 １３・・・・・・・・配向膜層 １イ・・・・・・・・配向処理を行うためのロール１５
・・・・・・・・ロールの回転方向Ｉ６・・・・・・・
・ロールの移動する方向１７・・・・・・・・基板を固
定するための台以」ニ
Claims (1)
- 基板上に透明電極、該電極上に配向膜を設けた一対の基
板で液晶を挟持してなる液晶装置において、前記配向膜
を配向処理する工程が、基板を加湿しながら、該基板表
面をラビング処理する工程からなることを特徴とする液
晶装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3669690A JPH03239217A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 液晶装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3669690A JPH03239217A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 液晶装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03239217A true JPH03239217A (ja) | 1991-10-24 |
Family
ID=12476948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3669690A Pending JPH03239217A (ja) | 1990-02-16 | 1990-02-16 | 液晶装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03239217A (ja) |
-
1990
- 1990-02-16 JP JP3669690A patent/JPH03239217A/ja active Pending
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