JPH07294929A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH07294929A JPH07294929A JP10919194A JP10919194A JPH07294929A JP H07294929 A JPH07294929 A JP H07294929A JP 10919194 A JP10919194 A JP 10919194A JP 10919194 A JP10919194 A JP 10919194A JP H07294929 A JPH07294929 A JP H07294929A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ゴミなどの異物を確実かつ良好に除去するこ
とができ、液晶分子に対する配向膜の配向規制力および
液晶分子のプレチルト角を均一にし、配向むらがなく、
高い電圧保持率を確保することのできる液晶素子の製造
方法を提供する。 【構成】 一対の基板1、2の対向面それぞれに透明電
極3、4およびこの透明電極3、4を覆ってラビング処
理が施された配向膜7、8が形成され、一対の基板1、
2間に液晶26が配向膜7、8で挾まれて封入された液
晶素子の製造方法において、ラビング処理後に配向膜
7、8の表面をアルカリイオン水、酸性イオン水で交互
に洗浄する。したがって、ラビング処理で発生した静電
気などにより配向膜7、8の表面にゴミなどの異物が付
着していても、確実かつ良好に除去することができ、こ
れにより配向膜7、8の配向規制力およびプレチルト角
を均一にすることができ、配向むらがなく、高い電圧保
持率を確保することができる。
とができ、液晶分子に対する配向膜の配向規制力および
液晶分子のプレチルト角を均一にし、配向むらがなく、
高い電圧保持率を確保することのできる液晶素子の製造
方法を提供する。 【構成】 一対の基板1、2の対向面それぞれに透明電
極3、4およびこの透明電極3、4を覆ってラビング処
理が施された配向膜7、8が形成され、一対の基板1、
2間に液晶26が配向膜7、8で挾まれて封入された液
晶素子の製造方法において、ラビング処理後に配向膜
7、8の表面をアルカリイオン水、酸性イオン水で交互
に洗浄する。したがって、ラビング処理で発生した静電
気などにより配向膜7、8の表面にゴミなどの異物が付
着していても、確実かつ良好に除去することができ、こ
れにより配向膜7、8の配向規制力およびプレチルト角
を均一にすることができ、配向むらがなく、高い電圧保
持率を確保することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、液晶表示装置に用い
られる液晶素子の製造方法に関する。
られる液晶素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶素子には、一対のガラス基板の対向
面それぞれに透明電極およびこの透明電極を覆って所定
方向にラビングなどの配向処理が施された配向膜を形成
し、これら一対のガラス基板間に液晶を配向膜で挾んで
封入してなるものがある。このような液晶素子では、配
向膜の表面にゴミやイオン化物質などの異物が存在して
いると、この異物によって、液晶分子のプレチルト角に
バラツキラが生じて配向ムラが発生したり、電圧保持率
の低下が起こる。このため、従来では、ラビング処理後
に配向膜の表面をイソプロピルアルコール(IPA)、
純水(中性)、またはチッ素ガスなどの洗浄剤で洗浄し
ている。
面それぞれに透明電極およびこの透明電極を覆って所定
方向にラビングなどの配向処理が施された配向膜を形成
し、これら一対のガラス基板間に液晶を配向膜で挾んで
封入してなるものがある。このような液晶素子では、配
向膜の表面にゴミやイオン化物質などの異物が存在して
いると、この異物によって、液晶分子のプレチルト角に
バラツキラが生じて配向ムラが発生したり、電圧保持率
の低下が起こる。このため、従来では、ラビング処理後
に配向膜の表面をイソプロピルアルコール(IPA)、
純水(中性)、またはチッ素ガスなどの洗浄剤で洗浄し
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな液晶素子では、配向膜の表面をラビング処理すると
配向膜の表面に静電気が発生しやすく、この静電気など
によってラビング処理時に発生したラビング布の毛や配
向膜の削れかすなどのゴミが配向膜の表面に静電吸着力
で付着することが考えられる。このため、配向膜の表面
をイソプロピルアルコールや純水あるいはチッ素ガスな
どの洗浄剤で洗浄しても、十分に洗浄することができ
ず、ゴミやイオン化物質などの異物の再吸着が起こり、
この結果、液晶分子のプレチルト角にバラツキが生じて
配向むらが発生したり、電圧保持率の低下が起こる。な
お、このような液晶素子を液晶表示装置に用いると、表
示品位が低下するという問題が生じる。
うな液晶素子では、配向膜の表面をラビング処理すると
配向膜の表面に静電気が発生しやすく、この静電気など
によってラビング処理時に発生したラビング布の毛や配
向膜の削れかすなどのゴミが配向膜の表面に静電吸着力
で付着することが考えられる。このため、配向膜の表面
をイソプロピルアルコールや純水あるいはチッ素ガスな
どの洗浄剤で洗浄しても、十分に洗浄することができ
ず、ゴミやイオン化物質などの異物の再吸着が起こり、
この結果、液晶分子のプレチルト角にバラツキが生じて
配向むらが発生したり、電圧保持率の低下が起こる。な
お、このような液晶素子を液晶表示装置に用いると、表
示品位が低下するという問題が生じる。
【0004】この発明は、上記事情に鑑みてなされたも
ので、ゴミなどの異物を確実かつ良好に除去することが
でき、液晶分子に対する配向膜の配向規制力および液晶
分子のプレチルト角を均一にし、配向むらがなく、高い
電圧保持率を確保することのできる液晶素子の製造方法
を提供することを目的とする。
ので、ゴミなどの異物を確実かつ良好に除去することが
でき、液晶分子に対する配向膜の配向規制力および液晶
分子のプレチルト角を均一にし、配向むらがなく、高い
電圧保持率を確保することのできる液晶素子の製造方法
を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、一対の基板間に液晶が配向膜で挾まれて封
入された液晶素子の製造方法において、配向膜を配向処
理した後に、配向膜の表面を電解水で洗浄することを特
徴とするものである。
達成するため、一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、一対の基板間に液晶が配向膜で挾まれて封
入された液晶素子の製造方法において、配向膜を配向処
理した後に、配向膜の表面を電解水で洗浄することを特
徴とするものである。
【0006】
【作用】この発明によれば、ラビングなどの配向処理に
よって発生した静電気などにより配向膜の表面にゴミな
どの異物が付着していても、電解水で配向膜の表面を洗
浄することにより、例えば正に帯電した異物をアルカリ
イオン水で除去し、負に帯電した異物を酸性イオン水で
除去することができる。したがって、ゴミなどの異物を
確実かつ良好に除去することができ、これにより液晶分
子に対する配向膜の配向規制力および液晶分子のプレチ
ルト角を均一にすることができ、配向むらがなく、高い
電圧保持率を確保することができる。
よって発生した静電気などにより配向膜の表面にゴミな
どの異物が付着していても、電解水で配向膜の表面を洗
浄することにより、例えば正に帯電した異物をアルカリ
イオン水で除去し、負に帯電した異物を酸性イオン水で
除去することができる。したがって、ゴミなどの異物を
確実かつ良好に除去することができ、これにより液晶分
子に対する配向膜の配向規制力および液晶分子のプレチ
ルト角を均一にすることができ、配向むらがなく、高い
電圧保持率を確保することができる。
【0007】
【実施例】以下、図1および図2を参照して、この発明
の液晶素子の製造方法の一実施例について説明する。図
1は液晶素子である液晶セルの断面図であり、図2は超
音波洗浄装置の概略構成図である。これらの図を参照し
て、液晶セルを製造工程順に説明する。まず、無機ガラ
ス、有機ガラス、または高分子フィルムなどからなる一
対の基板1、2を用意する。そして、各基板1、2の表
面を洗浄した後、各基板1、2の対向面それぞれにIT
Oなどの透明な導電膜を被着し、この導電膜をフォトリ
ソグラフィ法により所定の形状に形成する。これによ
り、各基板1、2の対向面それぞれに透明電極3、4が
形成される。この場合、透明電極3、4は、セグメント
表示、単純マトリクス表示、アクティブマトリクス表示
などの表示形態に応じた形状に形成される。この後、各
基板1、2の対向面それぞれに透明電極3、4を覆って
透明な絶縁膜5、6を形成する。この絶縁膜5、6は透
明電極3、4よりも厚く形成され、その表面は透明電極
3、4によって盛り上がらないような平坦面に形成され
ている。
の液晶素子の製造方法の一実施例について説明する。図
1は液晶素子である液晶セルの断面図であり、図2は超
音波洗浄装置の概略構成図である。これらの図を参照し
て、液晶セルを製造工程順に説明する。まず、無機ガラ
ス、有機ガラス、または高分子フィルムなどからなる一
対の基板1、2を用意する。そして、各基板1、2の表
面を洗浄した後、各基板1、2の対向面それぞれにIT
Oなどの透明な導電膜を被着し、この導電膜をフォトリ
ソグラフィ法により所定の形状に形成する。これによ
り、各基板1、2の対向面それぞれに透明電極3、4が
形成される。この場合、透明電極3、4は、セグメント
表示、単純マトリクス表示、アクティブマトリクス表示
などの表示形態に応じた形状に形成される。この後、各
基板1、2の対向面それぞれに透明電極3、4を覆って
透明な絶縁膜5、6を形成する。この絶縁膜5、6は透
明電極3、4よりも厚く形成され、その表面は透明電極
3、4によって盛り上がらないような平坦面に形成され
ている。
【0008】次に、各基板1、2の絶縁膜5、6の表面
にそれぞれ配向膜7、8を以下のように形成する。ま
ず、ポリイミドをN、N、ジメチルホルムアミドなどの
溶媒で固形分濃度0〜10%程度以内になるように溶解
し、これを絶縁膜5、6の表面にスピンコート法により
所定の回転数(100〜5000rpm)で塗布し、こ
の後適長時間静置して表面を平坦化するレベリングを施
し、焼成によりイミド化処理する。この後、ラビング装
置のドラムにラビング布をセットして一定方向に回転さ
せながら基板1、2を所定方向に移動させることによ
り、ラビング処理を施す。この場合、ラビング装置は、
ドラム回転時の押し込み量(ラビング布と配向膜表面の
接触度合)が一定になるように制御できるようになって
いる。この結果、基板1、2の各絶縁膜5、6の表面に
膜厚が数オングストローム〜数千オングストロームで所
定方向にラビング処理(配向処理)が施された配向膜
7、8が得られる。
にそれぞれ配向膜7、8を以下のように形成する。ま
ず、ポリイミドをN、N、ジメチルホルムアミドなどの
溶媒で固形分濃度0〜10%程度以内になるように溶解
し、これを絶縁膜5、6の表面にスピンコート法により
所定の回転数(100〜5000rpm)で塗布し、こ
の後適長時間静置して表面を平坦化するレベリングを施
し、焼成によりイミド化処理する。この後、ラビング装
置のドラムにラビング布をセットして一定方向に回転さ
せながら基板1、2を所定方向に移動させることによ
り、ラビング処理を施す。この場合、ラビング装置は、
ドラム回転時の押し込み量(ラビング布と配向膜表面の
接触度合)が一定になるように制御できるようになって
いる。この結果、基板1、2の各絶縁膜5、6の表面に
膜厚が数オングストローム〜数千オングストロームで所
定方向にラビング処理(配向処理)が施された配向膜
7、8が得られる。
【0009】次に、配向膜7、8の表面を超音波洗浄装
置9で洗浄する。この超音波洗浄装置9は、図2に示す
ように、装置本体10の底部に超音波振動装置11が配
置され、この超音波振動装置11上に4個の水槽12〜
15が直線的に配置され、各水槽12〜15内の上部に
配向膜7(または配向膜8)が形成された基板1(また
は基板2)を左端側の第1水槽12から右端側の第4水
槽15に向けて搬送する搬送ローラ16が配置され、各
水槽12〜15の上方にそれぞれ洗浄液を噴射するシャ
ワーノズル17〜20が配置された構造になっている。
そして、左端側の第1水槽12のシャワーノズル17か
ら噴射される洗浄液は純水21であり、第2水槽13の
シャワーノズル18から噴射される洗浄液はPHが8〜
9の弱アルカリ性のアルカリイオン水22であり、第3
水槽14のシャワーノズル19から噴射される洗浄液は
PHが4〜5の酸性イオン水23であり、さらに右側の
第1水槽15のシャワーノズル20から噴射される洗浄
液は純水24である。なお、アルカリイオン水22およ
び酸性イオン水23の電解水は、純水を電気分解するこ
とにより、負の電極側にアルカリイオン水22が、正の
電極側に酸性イオン水23が得られる。このときのPH
は電気分解の時間によって2〜12の範囲で制御するこ
とができる。
置9で洗浄する。この超音波洗浄装置9は、図2に示す
ように、装置本体10の底部に超音波振動装置11が配
置され、この超音波振動装置11上に4個の水槽12〜
15が直線的に配置され、各水槽12〜15内の上部に
配向膜7(または配向膜8)が形成された基板1(また
は基板2)を左端側の第1水槽12から右端側の第4水
槽15に向けて搬送する搬送ローラ16が配置され、各
水槽12〜15の上方にそれぞれ洗浄液を噴射するシャ
ワーノズル17〜20が配置された構造になっている。
そして、左端側の第1水槽12のシャワーノズル17か
ら噴射される洗浄液は純水21であり、第2水槽13の
シャワーノズル18から噴射される洗浄液はPHが8〜
9の弱アルカリ性のアルカリイオン水22であり、第3
水槽14のシャワーノズル19から噴射される洗浄液は
PHが4〜5の酸性イオン水23であり、さらに右側の
第1水槽15のシャワーノズル20から噴射される洗浄
液は純水24である。なお、アルカリイオン水22およ
び酸性イオン水23の電解水は、純水を電気分解するこ
とにより、負の電極側にアルカリイオン水22が、正の
電極側に酸性イオン水23が得られる。このときのPH
は電気分解の時間によって2〜12の範囲で制御するこ
とができる。
【0010】この超音波洗浄装置9で例えば配向膜7の
表面を洗浄する場合には、配向膜7を上に向けた状態で
基板1を第1水槽12の搬送ローラ16上に載置し、基
板1の下面を第1水槽12内の水面に接触させる。この
状態で、超音波振動装置11で超音波振動を各水槽12
〜15に与えながら、配向膜7の表面にシャワーノズル
17で純水21を吹き付けて洗浄し、配向膜7の表面に
存在しているゴミなどの異物を除去する。この基板1は
搬送ローラ16により第2水槽13に搬送される。この
第2水槽13では、配向膜7の表面にシャワーノズル1
8でアルカリイオン水22を吹き付けて洗浄する。この
ときには、前工程で除去されず、ラビング処理によって
発生した静電気などにより配向膜7の表面に付着した異
物のうち、正に帯電した異物をアルカリイオン水22に
より除去する。この場合には、アルカリイオン水22が
PH8〜9の弱アルカリ性であるから、配向膜7に悪影
響を及ぼすことはない。このように洗浄された基板1は
搬送ローラ16により第3水槽14に搬送される。この
第3水槽14では、配向膜7の表面にシャワーノズル1
9で酸性イオン水23を吹き付けて洗浄する。このとき
には、前工程で除去されず、配向膜7の表面に付着した
異物のうち、負に帯電した異物を酸性イオン水23によ
り除去する。この後、洗浄された基板1は搬送ローラ1
6により右端側の第4水槽15に搬送され、この第4水
槽15で配向膜7の表面にシャワーノズル20で純水2
4を吹き付けて再度洗浄し、配向膜7の表面に付着した
異物を完全に除去するとともに残存する電解水も除去す
る。なお、このようにして洗浄された基板1は乾燥工程
で乾燥される。
表面を洗浄する場合には、配向膜7を上に向けた状態で
基板1を第1水槽12の搬送ローラ16上に載置し、基
板1の下面を第1水槽12内の水面に接触させる。この
状態で、超音波振動装置11で超音波振動を各水槽12
〜15に与えながら、配向膜7の表面にシャワーノズル
17で純水21を吹き付けて洗浄し、配向膜7の表面に
存在しているゴミなどの異物を除去する。この基板1は
搬送ローラ16により第2水槽13に搬送される。この
第2水槽13では、配向膜7の表面にシャワーノズル1
8でアルカリイオン水22を吹き付けて洗浄する。この
ときには、前工程で除去されず、ラビング処理によって
発生した静電気などにより配向膜7の表面に付着した異
物のうち、正に帯電した異物をアルカリイオン水22に
より除去する。この場合には、アルカリイオン水22が
PH8〜9の弱アルカリ性であるから、配向膜7に悪影
響を及ぼすことはない。このように洗浄された基板1は
搬送ローラ16により第3水槽14に搬送される。この
第3水槽14では、配向膜7の表面にシャワーノズル1
9で酸性イオン水23を吹き付けて洗浄する。このとき
には、前工程で除去されず、配向膜7の表面に付着した
異物のうち、負に帯電した異物を酸性イオン水23によ
り除去する。この後、洗浄された基板1は搬送ローラ1
6により右端側の第4水槽15に搬送され、この第4水
槽15で配向膜7の表面にシャワーノズル20で純水2
4を吹き付けて再度洗浄し、配向膜7の表面に付着した
異物を完全に除去するとともに残存する電解水も除去す
る。なお、このようにして洗浄された基板1は乾燥工程
で乾燥される。
【0011】この後、一対の基板1、2の各配向膜7、
8を対向させるとともに各配向膜7、8のラビング方向
が互いに平行で同じ方向を向くように、一対の基板1、
2を対向配置し、これら一対の基板1、2を所定間隔離
してシール材25で接合し、これら一対の基板1、2と
シール材9とで囲われた領域内に液晶26を真空注入法
により注入して封止する。これにより、液晶分子27が
ホモジニアス配向された液晶セルが形成される。なお、
この液晶セルを液晶表示装置として用いる場合には、液
晶セルの外側に液晶セルを挾むように一対の偏光板を配
置したり、また一方の偏光板の外側に反射板を設けたり
すれば良い。
8を対向させるとともに各配向膜7、8のラビング方向
が互いに平行で同じ方向を向くように、一対の基板1、
2を対向配置し、これら一対の基板1、2を所定間隔離
してシール材25で接合し、これら一対の基板1、2と
シール材9とで囲われた領域内に液晶26を真空注入法
により注入して封止する。これにより、液晶分子27が
ホモジニアス配向された液晶セルが形成される。なお、
この液晶セルを液晶表示装置として用いる場合には、液
晶セルの外側に液晶セルを挾むように一対の偏光板を配
置したり、また一方の偏光板の外側に反射板を設けたり
すれば良い。
【0012】このような液晶素子の製造方法では、アル
カリイオン水22および酸性イオン水23の電解水で配
向膜7、8の表面を洗浄することにより、配向膜7、8
の表面に静電気などによって付着したゴミなどの異物を
確実かつ良好に除去することができるので、液晶分子2
7に対する配向膜7、8の配向規制力および液晶分子2
7のプレチルト角を均一にすることができ、配向むらが
なく、高い電圧保持率を確保することができ、表示品位
の高い液晶表示装置を得ることができる。特に、電解水
による洗浄に際して、超音波振動装置11で超音波振動
を与えながら洗浄すれば、極めて確実かつ良好に異物を
除去することができる。
カリイオン水22および酸性イオン水23の電解水で配
向膜7、8の表面を洗浄することにより、配向膜7、8
の表面に静電気などによって付着したゴミなどの異物を
確実かつ良好に除去することができるので、液晶分子2
7に対する配向膜7、8の配向規制力および液晶分子2
7のプレチルト角を均一にすることができ、配向むらが
なく、高い電圧保持率を確保することができ、表示品位
の高い液晶表示装置を得ることができる。特に、電解水
による洗浄に際して、超音波振動装置11で超音波振動
を与えながら洗浄すれば、極めて確実かつ良好に異物を
除去することができる。
【0013】なお、上記実施例では、各配向膜7、8の
ラビング方向が平行で同じ方向を向いたホモニジアス配
向の液晶セルについて述べたが、これに限らず、例えば
各配向膜7、8のラビング方向が互いに直角に交差する
ように一対の基板1、2を対向配置させたツイステッド
ネマティック型の液晶セル、あるいは各配向膜7、8の
ラビング方向が所定角度で交差し、液晶分子27のツイ
スト角が180°以上のスーパーツイステッドネマティ
ック型の液晶セルなどにも適用することができる。常に
アルカリイオン水と酸性イオン水の双方で洗浄する必要
はなく、また、配向膜の材質によっては、アルカリイオ
ン水または酸性イオン水の何れか一方で洗浄するだけで
充分な場合もあり、この場合は一方の電解水で洗浄する
前後に純水で洗浄すればよい。
ラビング方向が平行で同じ方向を向いたホモニジアス配
向の液晶セルについて述べたが、これに限らず、例えば
各配向膜7、8のラビング方向が互いに直角に交差する
ように一対の基板1、2を対向配置させたツイステッド
ネマティック型の液晶セル、あるいは各配向膜7、8の
ラビング方向が所定角度で交差し、液晶分子27のツイ
スト角が180°以上のスーパーツイステッドネマティ
ック型の液晶セルなどにも適用することができる。常に
アルカリイオン水と酸性イオン水の双方で洗浄する必要
はなく、また、配向膜の材質によっては、アルカリイオ
ン水または酸性イオン水の何れか一方で洗浄するだけで
充分な場合もあり、この場合は一方の電解水で洗浄する
前後に純水で洗浄すればよい。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ラビングなどの配向処理によって発生した静電気な
どにより配向膜の表面にゴミなどの異物が付着していて
も、電解水で配向膜の表面を洗浄することにより、ゴミ
などの異物を確実かつ良好に除去することができ、これ
により液晶分子に対する配向膜の配向規制力および液晶
分子のプレチルト角を均一にすることができ、配向むら
がなく、高い電圧保持率を確保することができ、ひいて
は表示品位の高い液晶表示装置を得ることができる。
ば、ラビングなどの配向処理によって発生した静電気な
どにより配向膜の表面にゴミなどの異物が付着していて
も、電解水で配向膜の表面を洗浄することにより、ゴミ
などの異物を確実かつ良好に除去することができ、これ
により液晶分子に対する配向膜の配向規制力および液晶
分子のプレチルト角を均一にすることができ、配向むら
がなく、高い電圧保持率を確保することができ、ひいて
は表示品位の高い液晶表示装置を得ることができる。
【図1】この発明の液晶セルの一実施例を示す断面図。
【図2】超音波洗浄装置の概略構成図。
1、2 基板 3、4 透明電極 7、8 配向膜 9 超音波洗浄装置 11 超音波振動装置 22 アルカリイオン水 23 酸性イオン水 26 液晶
Claims (5)
- 【請求項1】 一対の基板の対向面それぞれに透明電極
およびこの透明電極を覆って配向処理が施された配向膜
が形成され、前記一対の基板間に液晶が前記配向膜で挾
まれて封入された液晶素子の製造方法において、 前記配向膜を配向処理した後に、前記配向膜を電解水で
洗浄することを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項2】 洗浄に用いる前記電解水はアルカリイオ
ン水と酸性イオン水の両電解水であることを特徴とする
請求項1記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項3】 前記電解水による洗浄は、超音波振動を
加えながら行なうことを特徴とする請求項1または2記
載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項4】 前記電解水による洗浄は、アルカリイオ
ン水による洗浄と酸性イオン水による洗浄を交互に行な
うことを特徴とする請求項2または3記載の液晶素子の
製造方法。 - 【請求項5】 前記電解水のPHは、アルカリイオン水
が8〜9で、酸性イオン水が4〜5であることを特徴と
する請求項2または4記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10919194A JPH07294929A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10919194A JPH07294929A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07294929A true JPH07294929A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14503949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10919194A Pending JPH07294929A (ja) | 1994-04-26 | 1994-04-26 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07294929A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6210748B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing liquid crystal display and method for cleaning substrate |
-
1994
- 1994-04-26 JP JP10919194A patent/JPH07294929A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6210748B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for producing liquid crystal display and method for cleaning substrate |
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